Разработка скоростного радиационно-стойкого аналого-цифрового преобразователя тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Бережной, Александр Сергеевич

• Бережной, Александр Сергеевич
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Бережной, Александр Сергеевич

Общая характеристика работы.

Глава 1. ОБЩИЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ОБ АНАЛОГО-ЦИФРОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ.

1.1. Назначение, принцип действия и тенденция развития АЦП.

1.2. Типовые структуры АЦП и их особенности.

1.2.1. Параллельные АЦП.

1.2.2. Последовательные АЦП.

1.2.3. Последовательно-параллельные АЦП.

1.3. Параметры АЦП.

1.3.1. Статические параметры.

1.3.2. Динамические характеристики.

1.4. Особенности работы АЦП в специальных условиях. Требования к конструкции элементов на кристалле. Радиационно-стойкие конструкции.

1.4.1. Радиационные эффекты в КМОП ИС.

1.4.2. Дифференциальная схемотехника.

1.4.3. Радиационно-стойкие КМОП - структуры.

Выводы к главе 1.

Глава 2. ОСОБЕННОСТИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННО-СТОЙКОГО 14 - РАЗРЯДНОГО АЦП.

2.1. Общее описание и основные технические характеристики.

2.2. Схемотехнические особенности АЦП.

2.2.1. Структурная электрическая схема АЦП.

2.2.2. Источник опорного напряжения.

2.2.3. Цифровые входы и выходы.

2.3. Конструктивно-технологические особенности проектирования ИС. 65 2.3.1. Выбор полупроводниковой структуры изделия и состава необходимых элементов.

2.3.2. Правила проектирования ИС.

2.3.3. Особенности проектирования радиационно-стойких цифровых и аналоговых блоков.

Выводы к главе 2.

Глава 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИСПЫТАНИЙ ОПЫТНЫХ ОБРАЗЦОВ.

3.1. Результаты измерения статических параметров.

3.2. Результаты измерения динамических параметров.

3.3. Результаты испытаний АЦП на спецстойкость.

Выводы к главе 3.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка скоростного радиационно-стойкого аналого-цифрового преобразователя»

Актуальность

В настоящее время цифровая обработка сигналов все глубже проникает в такие области применения, как средства связи и телекоммуникаций, различные радиотехнические системы и измерительную технику. Но поскольку физические явления имеют аналоговый характер, одна из важных и неотъемлемых задач современной цифровой технологии - преобразование аналоговых сигналов в цифровую форму. Поэтому развитие и расширение областей применения цифровых систем обработки сигнала невозможно без развития средств аналого-цифрового преобразования, которое, в свою очередь, идет как по пути увеличения быстродействия преобразователей и полосы частот преобразуемых сигналов, так и по пути увеличения чувствительности и точности аналого-цифровых преобразователей (АЦП).

Современные АЦП имеют в своем составе большое число микроэлектронных узлов (усилительных элементов, источников опорных напряжений и токов, компараторов и др.), которые очень чувствительны к дестабилизирующим факторам (в том числе и к радиационным). По степени чувствительности АЦП на 1-2 порядка выше по сравнению с цифровыми ИС, эквивалентными по технологической сложности. Особенно это относится к чувствительности к импульсным радиационным излучениям, приводящим к образованию фототоков в активных областях и обратно смещенных рп-переходах элементов ИС [1].

Решить проблему увеличения быстродействия, точности преобразования, а также обеспечения радиационной стойкости АЦП невозможно только лишь совершенствованием технологической базы или совершенствованием схемотехнических решений: необходима комбинация таких решений. Для создания скоростных по сегодняшним меркам АЦП с требуемой импульсной радиационной стойкостью необходима КМОП КНИ -технология. Такая технология появится в России не ранее 2009 года. К тому времени скоростной критерий может измениться. Кроме совершенствования технологической базы необходимо использовать схемотехнические решения, основанные на дифференциальном принципе обработки преобразуемых сигналов. Благодаря такому подходу в комбинации с КМОП КНИ -технологиями можно достичь более высокой импульсной стойкости и, следовательно, скорости преобразования [2]. Определенные возможности при разработке АЦП дает МОП - технология, которая снимает проблему тиристорного защелкивания, оставляя импульсную стойкость по факту, что достаточно для значительной части тактических военных систем.

Существующий рынок АЦП в России представлен в основном зарубежными изделиями коммерческого и промышленного назначения, причем даже в этом секторе доступ к скоростным АЦП ограничен. Отечественных разработок АЦП для коммерческого и промышленного назначения фактически нет. Имеющиеся решения в основном предназначены для применения в специальной аппаратуре, при этом разрабатываемые в последнее время АЦП в большей степени закрывают потребности в элементной базе, разработанной несколько лет назад, и не соответствует современным требованиям.

Поскольку для коммерческой, промышленной и значительной части тактической военной аппаратуры высокая импульсная и, в целом, радиационная стойкость не требуется, то по экономическим соображениям целесообразно разрабатывать АЦП двойного назначения или, по крайней мере, предусматривать возможность быстрой и несложной адаптации коммерческих и промышленных ПС к специальным требованиям по мере совершенствования технологической базы.

Еще одна тенденция в области разработки АЦП связана с увеличением степени интеграции и переходом в конечном итоге к законченным системам обработки информации, выполненным в одном корпусе. Активно ведутся разработки интегральных систем сбора данных, выполненных на одном кристалле. Результатом таких разработок является совмещение в одном кристалле цифрового процессора обработки информации и АЦП, причем для такой интеграции последний должен иметь схожую полупроводниковую структуру.

Таким образом, с учетом вышеизложенного, актуальной проблемой является разработка скоростных АЦП двойного назначения, с высокими динамическими характеристиками, требуемой стойкостью к радиационным воздействиям и с полупроводниковой структурой, допускающей прямую интеграцию с цифровыми процессорами обработки сигналов.

Диссертация выполнена на кафедре полупроводниковой электроники Воронежского государственного технического университета в рамках госбюджетной программы ГБ-04.34 «Исследование полупроводниковых

• 3 5 материалов (Si, А В и др.), приборов и технологии их изготовления», номер гос. регистрации 0120.0412888.

Цель исследований и задачи

Целью работы является разработка скоростного радиационно-стойкого аналого-цифрового преобразователя на основе КМОП - технологии. Для достижения поставленной цели были определены следующие задачи:

1. Анализ основных архитектур аналого-цифровых преобразователей, обоснование целесообразности разработки конвейерного АЦП с дифференциальной структурой;

2. Разработка 14-разрядного аналого-цифрового преобразователя на основе конвейерной архитектуры;

3. Разработка рекомендаций по обеспечению радиационной стойкости КМОП ИС с проектными нормами 0,8 мкм;

4. Исследование статических и динамических характеристик опытных образцов 14-разрядного АЦП. Испытания ИС на устойчивость к радиационным воздействиям.

Научная новизна работы

В работе получены следующие новые научно-технические результаты:

1. Предложено схемотехническое решение аналого-цифрового преобразователя, построенное на основе конвейерной архитектуры, что позволило достичь высокой разрядности, высокой скорости и точности преобразования.

2. С учетом схемотехнических особенностей проведена разработка топологии аналого-цифрового преобразователя на основе КМОП -технологии с одним уровнем поликремния.

3. Предложен и внедрен технологический метод обеспечения требуемой радиационной стойкости КМОП ИС.

Реализация результатов работы, практическая ценность

В работе получены следующие новые научные и технические результаты:

1. Разработано схемотехническое решение, позволившее спроектировать 14-разрядный аналого-цифровой преобразователь со скоростью преобразования 3 МГц и высокими точностными характеристиками.

2. Разработан и внедрен технологический метод обеспечения требуемой радиационной стойкости КМОП ИС, позволяющий добиться стабильности статических и динамических параметров КМОП ИС в широком диапазоне температур и радиационных воздействий.

3. Изготовлены опытные образцы кристаллов аналого-цифрового преобразователя, проведены их испытания.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту

1. Схемотехническое решение разработанного 14-разрядного АЦП, построенного на основе четырехкаскадной конвейерной архитектуры.

2. Конструктивно-технологические методы обеспечения требуемой радиационной стойкости КМОП ИС с проектными нормами 0,8 мкм, основанные на использовании дифференциальной схемотехники, высоколегированных охранных колец и периферийных поликремниевых затворов.

3. Результаты испытаний опытных образцов 14-разрядного АЦП, включающие измерения статических и динамических характеристик ИС в обычных условиях и в условиях радиационных воздействий.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международном научно-техническом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2004); конференции профессорско-преподавательского состава, сотрудников, аспирантов и студентов (Воронеж, 2007).

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 5 научных работ, в том числе 2 - в издании, рекомендованном ВАК РФ.

В совместных работах автору принадлежит проведение исследований дифференциальных структур и разработка и моделирование на их основе параллельных аналого-цифровых преобразователей, входящих в состав четырехкаскадного конвейерного АЦП, анализ и обобщение результатов.

Объем и структура диссертации

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка литературы, который включает 99 наименований. Основная часть работы изложена на 104 страницах, содержит 54 рисунка и 8 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Бережной, Александр Сергеевич

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ

В настоящей диссертации изложена научно-техническая разработка, обеспечивающая решение важной задачи - разработки скоростного радиационно-стойкого 14 - разрядного АЦП, обладающего высокими точностными характеристиками и имеющего полупроводниковую структуру с возможностью интеграции с цифровыми процессорами обработки сигналов на одном кристалле.

В диссертации получены следующие научно - технические результаты:

1. Разработано схемотехническое решение 14-разрядного АЦП, построенное на основе четырехкаскадной конвейерной архитектуры с малошумящим усилителем выборки и хранения, программируемым источником опорного напряжения и цифровой схемой коррекции ошибок выходного кода, позволившее достичь скорости преобразования 3МГц при малой потребляемой мощности и низкой нелинейности.

2. Использован конструктивно-технологический метод обеспечения радиационной стойкости КМОП ИС, основанный на использовании дифференциальной схемотехники, высоколегированных охранных колец и периферийных поликремниевых затворов, позволивший добиться работоспособности АЦП при импульсном ионизирующем излучении 2,8'107 рад/с и высокой стабильности статических и динамических характеристик при 1,2" 103 рад/с.

3. Изготовлены опытные образцы кристаллов аналого-цифрового преобразователя на основе КМОП - технологии с одним уровнем поликремния, что открывает новые возможности при создании современных «систем на кристалле», интегрирующих на одном кристалле автономные АЦП, ЦАП и процессоры обработки сигналов [99]. Проведенные испытания опытных образцов показали, что полученное решение обладает высокой точностью преобразования, а совокупность конструктивно-технологических методов обеспечения радиационной стойкости позволяет сохранить стабильность статических и динамических характеристик в условиях радиационных воздействий.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Бережной, Александр Сергеевич, 2007 год

1. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах // Под ред. Т.М. Агаханяна. М.: Энергопромиздат, 1989. 267 с.

2. Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. М.: Радио и связь, 1994. 164 с.

3. Бахтиаров Г.Д., Малинин В.В., Школин В.П. Аналого-цифровые преобразователи // Под ред. Т.Д. Бахтиарова. М.: Советское радио, 1980. 280 с.

4. Романюк Ю.А. Основы обработки сигналов // М.: изд. МФТИ, 1989.-92 с.

5. Романюк Ю.А. Дискретные преобразования сигналов // М.: изд. МФТИ, 1981.-92 с

6. Быстродействующие микросхемы ЦАП и АЦП и измерение их параметров // под ред. А.-Й.К. Марцинкявичуса. М.: Радио и связь, 1988. -224 с.

7. Федорков Б.Г., Телец В.А., Микросхемы ЦАП и АЦП: функционирование, параметры, применение. М.: Энергоатомиздат, 1990. -320 с.

8. Гиттис Э.И. Преобразователи информации для электронных вычислительных устройств. М.: Энергия, 1975. 448 с.

9. Интегральные схемы аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей // под ред. J1.M. Лукьянова. М.: Энергия, 1978. 256 с.

10. Федорков Б.Г., Телец В.А. Дегтяренко В.П. Микроэлектронные цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи. М.: Радио и связь, 1984.- 120 с.

11. Телец В.А. Классификация микроэлектронных АЦП // Измерительная техника. 1981. №12. С. 41-43.

12. Daniel Н. Sheingold A. Analog-Digital Conversion Handbook // Third Edition, Prentice-Hall. 1986. P. 87-89.

13. Марцинкявичюс A.K., Сташис И.В. К вопросу построения параллельных быстродействующих АЦП // Методы и средства аналого-цифрового преобразования параметров электрических сигналов и цепей: Вторая Всесоюз. науч.-техн. конф. Тез. докл. -М., 1981. 62 с.

14. Gillings В. 4-Bit Flash Chip Garantees 100-MHz, 8-Bit System // Electronic Desygn. 1981. № 24. P. 95-101.

15. Emmens Т., Lonsborough M. Use Flash ADCs Carefully to Handle High-Frequency Sygnals//EDN. 1982. № 17. P. 137-143.

16. A Versatile Bipolar Monolitic 6-Bit A/D Converter for 100-MHz Sample Frequency / G. Emmert, E. Navratil, F. Parrefail, P. Rydval // IEEE J. 1980. Vol CS-15, №6. P.1030-1032.

17. Марцинкявичюс A.K., Манставичюс T.A., Лапинскас И.И. Компараторы напряжений серии К597 // Электрон, пром-сть. 1981. №4. С. 19-20.

18. Шило B.JI. Функциональные аналоговые интегральные микросхемы. М.: Радио связь. 1982. - 126 с.

19. Yukawa A., A CMOS- 8 bit high speed A/Dc onverter 1С // JSSC. vol 20. №3. 1985. P. 775-778.

20. Mangelsdorf C. A 400-MHz input flash converter with error correction //IEEE J. Solid-State Circuits 25 (1). 1990. P. 184-191.

21. Peetz В., Hamilton В., Kang J. An 8-bit 250 megasample per second analog-to-digital converter: operation without a sample and hold // IEEE J. Solid-State Circuits SC-21 (6). 1986. P. 114-115.

22. Carl Moreland. An Analog-to-Digital Converter Using Serial-Ripple Architecture // Master's Thesis, Florida State University College of Engineering, Department of Electrical Engineering. 1995. P. 78-79.

23. Carl Moreland. An 8-bit 150MSPS Serial ADC // 1995 ISSCC Digest of Technical Papers. Vol. 38. P. 272.

24. E.J. Lim. Performance. Limits of Circuits for Analog-to-Digital Conversion // Ph.D. dissertation, Stanford University. 1991. P. 35-37.

25. P.R. Gray., D.A. Hodges. All MOS analog-digital conversion techniques // IEEE Trans. Circuits Syst, vol CAS-25. № 7. 1978. P. 482-489.

26. B.M. Gordon. Linear electronic analog/digital conversion architectures, their origins, parameters, limitations, and applications // IEEE Trans. Circuits Syst., vol. CAS-25. №7. 1978. P. 391-418.

27. H.-S. Lee, D. A. Hodges, P. R. Gray. A Self-Calibrating 15 Bit CMOS A/D Converter// IEEE J. Solid-State Circuits, vol. SC-19. 1984. P.813-819.

28. W. Kester. Drive Circuitry is Critical to High-Speed Sampling ADCs. Electronic Design Special Analog Issue. Nov. 7. 1994. P. 43-50.

29. M. Waltari, K. Halonen. A 220-MSample/s CMOS Sample-and-Hold Circuit Using Double-Sampling. Analog Integrated Circuits and Signal Processing, vol. 18. 1999. P. 21-31.

30. R. Gosser, F. Murden. A 12-bit 50MSPS Two-Stage A/D Converter // ISSCC Digest of Technical Papers. 1995. P. 278.

31. A. G. Dingwall, V. Zazzu. An 8-MHz CMOS subranging 8-Bit A/D converter // IEEE J. Solid-State Circuits, vol. SC-20. 1985. P. 1138-1143.

32. R. van de Plassche. Integrated Analog-to-Digital and Digital-to-Analog Converters // Kluwer Academic Publishers. 1994. P. 243.

33. P.F. Ferguson, Jr., A. Ganesan and R. W. Adams. One Bit Higher Order Sigma-Delta A/D Converters. ISCAS PROC., Vol. 2. 1990. P. 890-893.

34. P. Ferguson, Jr., A. Ganesan, R. Adams, et. al., An 18-Bit 20-kHz Dual Sigma-Delta A/D Converter // ISSCC Digest of Technical Papers. 1991. P. 104.

35. S. A. Jantzi, M. Snelgrove, P. F. Ferguson Jr. A 4th-Order Bandpass Sigma-Delta Modulator // IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol. 38. №3. 1993. P. 282-291.

36. W. Kester. Layout, Grounding, and Filtering Complete Sampling ADC System. EDN. Oct. 15. 1992. P. 127-134.

37. W. Kester. Basic Characteristics Distinguish Sampling A/D Converters. EDN. Sept. 3. 1992. P. 135-144.

38. Sekino Т., Takeda M., Кота K. A monolitic 8b two-step parallel ADC without DAC and substractor circuits // IEEE ISSCC Dig. Tech. Papers XXV. 1982. P. 46-47.

39. Shimuzu Т., Hotta M., Maio K., Ueda S. A 10-bit 20-MHz two-step parallel A/D converter with internal S/H // IEEE J. Solid State Circuits 24 (1). 1989. P. 13-20.

40. L. Sumanen, M. Waltari, K. Halonen. A 10-bit 200 MS/s CMOS Parallel Pipeline A/D Converter // IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 36. 2001. P. 10481055.

41. L. Sumanen, M. Waltari, K. Halonen. A 10-bit 200 MS/s CMOS Parallel Pipeline A/D Converter // In proc 26th European Solid-State Circuits Conference. 2000. P. 440-443.

42. D. Sheingold. Analog-to-Digital Conversion Handbook. Third Edition, Prentice-Hall. 1986. P. 168.

43. C.Y. Wu, C.C. Chen, J.J. Cho. A CMOS Transitor-Only 8-b 4.5-Ms/s Pipelined Analog-to-Digital Conveter Using Fully-Differential Current-Mode Circuit Techniques // IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 30. 1995. P. 522-532.

44. B. Ginetti, P. Jespers. A 1.5 MS/s 8-bit Pipelined RSD A/D Converter // ESSCIRC Dig. Tech. Papers. 1990. P. 137-140.

45. E. G. Soenen, R. L. Geiger. An Architecture and An Algorithm for Fully Digital Correction of Monolithic Pipelined ADC's // IEEE Trans. Circuits and Systems-II. vol. 42. 1995. P. 143-153.

46. Р. С. Yu, H.-S. Lee. A 2.5-V, 12-b, 5-MSample/s Pipelined CMOS ADC //IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 31. 1996. P. 1854-1861.

47. H.-S, Chen, B.-S. Song, K. Bacrania. A 14-b 20-MSamples/s CMOS Pipelined ADC // IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 36. 2001. P. 997-1001.

48. Т. B. Cho, P.R. Gray. A 10 b, 20 Msample/s, 35 mW Pipeline A/D Converter//IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 30. 1995. P. 166-172.

49. Шлыков Г.П. Измерение параметров интегральных ЦАП и АЦП. М.: Радио и связь, 1985. 128 с.

50. Шлыков Г.П. Определение статических и динамических параметров АЦП по профилю ступени квантования // Измерительная техника. 1982. №12. С. 57-59.

51. Белов A.M., Шляхтин В.В., Ямский В.Е. Исследование статических и динамических параметров аналого-цифровых преобразователей 1107ПА //о

52. Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. 1984. Вып. 1. С. 5-6.

53. Брагин А.А., Коновалов В.И., Семенюк A.J1. Нормирование динамических характеристик быстродействующих АЦП // Измерительная техника. 1981. №6.-С. 16-18.

54. Нил М., Мьюто А. Динамический контроль аналого-цифровых преобразователей // Электроника. 1982. №4. С. 49-57.

55. Островерхов В.В. Динамические погрешности аналого-цифровых преобразователей. М.: Энергия. 1975. 176 с.

56. T.R. Oldham and J.M. McGarrity. Iomization of Si02 by heave charged particles // IEEE Trans. Nuclear Sci., vol.N5-28. 1981. P. 3975.

57. M. Shoga and D. Binder. Theory of single even latchue in complementry metal-oxide semiconductor integrated circuits // IEEE Trans. Nuclear Sci., vol.N5-33, №6. 1981. P. 1714-1717.

58. Чернышев A.A. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1988. 256 с.

59. T.R. Oldham. Post irradiation effect in field oxide isolation structures // IEEE Trans. Nuclear Sci., vol. N5-34, 1987. P. 1184.

60. Y. Taur. A self-aligned l-цш channel CMOS technology with retrograde n-well and thin epitaxy // IEEE J.Solid-state Circuit, vol.SC-20, №1. 1985. P. 123129.

61. R.R. Trouman. Latchup in CMOS Technology: The Problem and Its. Cure. Norwell, MA: Kluwer Academic Publishers. 1986. P. 67.

62. Грегори Б., Гуии Ч. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. ТИИЭР, т. 62, №9, 1974. С. 98-111.

63. Агаханян Т.М. Схемотехнические способы повышения радиационной стойкости электронных усилителей на аналоговых микросхемах // Микроэлектроника, 2004. том 33, №23. С. 34.

64. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В. Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск: Наука и техника, 1986. -240 с.

65. Кулаков В.М., Ладыгин Е.А., Шаховцев В.И. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники // Под ред. Е.А. Ладыгина. М.: Советское радио, 1980. 186 с.

66. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат. 1969. С. 191.

67. Горлов М.И., Ладыгин Е.А., Лобов И.Е., Тонких Н.Н., Черников A.M., Юсов Ю.П. Радиационная стойкость кремниевых интегральных схем // Обзоры по электронной технике, серия 3. 1987. 40 с.

68. Цифровые интегральные микросхемы. Справочник / П.П. Мальцев, Н.С. Долидзе, М.И. Критенко и др. М.: Радио и связь, 1994. 320 с.

69. Микросхемы АЦП и ЦАП. Справочник.: Додэка. 2005. - 432 с.

70. G. Nicollini, P. Confalonieri, D. Senderowicz. A Fully Differential Sampleand-Hold Circuit for High-Speed Applications // IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 24. 1989. P. 1461-1465.

71. J. Wu and B.A. Wooley. A 100MHz pipelined CMOS comparator // JSSC. vol 23. № 6. 1998. P 1379-1385.

72. Мелен P., Гарланд Г. Интегральные микросхемы с КМОП-структурами: Пер. с англ. М.: Энергия, 1989. 160 с.

73. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988. С. 132.

74. Критенко М.И., Малюдин С.А. Никифоров А.Ю., Телец ВА. Развитие отечественной радиационно-стойкой элементной базы микроэлектроники военного и специального назначения // Радиационная стойкость электронных систем. 2000. Вып. 3. С. 3-4.

75. Степенов Ю.И., Критенко М.И., Телец Б.А., Баюков А.В., Бедрековский М.А. Концептуальные направления развития изделий микроэлектроники специального и военного назначения // Радиационная стойкость электронных систем. 1998. Вып. 1. С. 3-4.

76. Попов В., Катеринич И., Курин Ф. Радиационная технология: уникальные возможности в производстве МОП интегральных схем // Chip News. 1997. №3.-С. 2022.

77. Безбородов В.Н., Лавренцов В.Д., Малюдин С.А., Никифоров А.Ю. Анализ применяемости ИС различных технологий в аппаратуре систем спутниковой связи нового поколения // Радиационная стойкость электронных систем. 1999. Вып. 2. С. 11-12.

78. Гришаков В.В., Попов В.Д. Модель макродефекта в подзатворном оксиде кремния МОП транзисторов. Научная сессия МИФИ-99: Сборник научных трудов. Том 6. М.: МИФИ. 1999. С. 7677.

79. Защелкивание в интегральных микросхемах/ Е. Р. Аствацатурьян, А. Н., Никифоров, JI. В. Раткин // Зарубежная электронная техника. 1989. №10 (341).-С. 82.

80. Бердичевский Б. Е., Маджарова Т. Б. Интегральные схемы кремний на изоляторе // Зарубежная радиоэлектроника. 1990. №8. С. 33-56.

81. Бойченко Д. В. , Никифоров А. Ю. Исследование влияния технологии на радиационную стойкость ОУ // Радиационная стойкость электронных систем. Научно-технический сборник. 2000. С. 72.

82. Никифоров А. Ю. Влияние организации цепи питания на реакцию КМДП ИМС при высокоинтенсивиом импульсном воздействии. Электроника и автоматизация в научных исследованиях // Под ред. В.М. Рыбина. М.: Энергоатомиздат. 1988. С. 110-111.

83. Оптимизация параметров компонентов интегральных микросхем / С.И. Рембеза, А.С. Бережной, К.В. Смуров, В.Ю. Москалев // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2007. Т. 3. №4. -С. 163-164.

84. Электростатическая защита выводов интегральных микросхем / С.И. Рембеза, С.М. Кононов, А.С. Бережной, К.В. Смуров // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2006. С. 131-138.

85. Ambrozy A., Variance of 1/f noice // Solid. State Electron. 1988. №9. P. 1391 1396.

86. Schiebel R.A. a model for 1/f noise of diffusion current based on surface recombination velocity and insulator trapping // IEEE Trans. Electron Devices. 1994. №5. P. 768-778.

87. A. Van der Ziel. Proposed discrimination between 1/f noise source in transistors // Sol. State Electron. 1982. №2. P. 141.

88. Система комплексного имитационного моделирования радиационного поведения ППП и ИС. Е. Р. Аствацатурьян, А. Ю. Никифоров, А, И. Чумаков и др. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных воздействий на РЭА. 1994. Вып. 1,2.

89. Имитационное экспериментальное моделирование для оценки и прогнозирования радиационной стойкости ИЭТ. Е. Р. Аствацатурьян, А. Ю. Никифоров, А. И. Чумаков и др. // Вестник РАДТЕХ. 1991. № 2. С. 44 - 47.

90. Аствацатурьян Е. Р., Трушкин Н. С. Многоуровневое иерархическое моделирование радиационных эффектов в БИС. Препринт. М. 1993. - 22 с.

91. Аствацатурьян Е. Р., Беляев В. А., Трушкин Н. С. Функционально-логическое моделирование радиационного поведения цифровых устройств. -Препринт. М., 1993. 26 с.

92. Бейер Р. Системы на кристалле. Актуальные проблемы // Инженерная микроэлектроника. 1998. № 1. С. 1819.ч