Развитие методологии атомно-силовой микроскопии и электронной спектроскопии диффузного отражения для твердых тел различной химической природы, структуры и строения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, доктор наук Соснов Евгений Алексеевич

• Соснов Евгений Алексеевич
• доктор наук
• 2026

Оглавление диссертации доктор наук Соснов Евгений Алексеевич

Введение

Актуальность темы исследования

Степень разработанности темы

Цели и задачи работы

Научная новизна работы

Теоретическая и практическая значимость работы

Методология и методы исследования

Положения, выносимые на защиту

Степень достоверности и апробация результатов

Глава 1. Синтез нанопокрытий и методы исследования поверхности нанодисперсных,

высокопористых и наноструктурированных материалов

1.1 Методы синтеза и особенности тонкопленочных структур на поверхности твердых тел

1.1.1 Физические методы осаждения

1.1.2 Химические методы нанесения покрытий

1.1.2.1 Газофазное осаждение

1.1.2.2 Технология молекулярного наслаивания

1.1.2.3 Нанесение покрытий из растворов

1.1.3 Характеристики покрытий, формируемых на материалах с развитой поверхностью

1.1.3.1 Конформность наносимых покрытий

1.1.3.2 Возможности методов по формированию слоев наноразмерной толщины

1.1.4 Особенности формирования структур на поверхности дисперсных и пористых материалов и свойства модифицированных методом молекулярного наслаивания продуктов

Заключение по разделу

1.2 Анализ высокоразрешающих методов исследования поверхности твердотельных материалов

1.2.1 Морфология поверхности тонкопленочных структур

1.2.2 Оценка толщины нанопокрытий

1.2.3 Методы анализа структуры и фазового состава тонких пленок

1.2.4 Идентификация химического состава поверхности материалов

Заключение по разделу

1.3 Применение АСМ при исследовании поверхности твердых тел

1.3.1 Исследование плоских матриц

1.3.2 Анализ дисперсных материалов

1.3.3 Исследование материалов с различной структурой пор

1.3.4 Комбинированные АСМ/спектроскопические исследования

Заключение по разделу

1.4 Подходы к обработке спектров диффузного отражения

1.4.1 Теория Гуревича-Кубелки-Мунка

1.4.2. Графики Тауца

Заключение по разделу

Заключение

Глава 2. Выбор и обоснование объектов исследования

2.1 Перспективные наноматериалы различного назначения

2.2 Перспективные области применения АСМ и ЭСДО для анализа тонкопленочных материалов

2.3 Использованные в работе матрицы и реагенты

2.4 Методы исследования и оборудование, использованные в работе

Глава 3. Методические аспекты применения атомно-силовой микроскопии и

спектроскопии диффузного отражения для исследования твердофазных

материалов

3.1 Атомно-силовая микроскопия и некоторые аспекты ее применения

3.1.1 Выбор, обоснование и отработка приемов пробоподготовки для оценки с применением АСМ морфологии поверхности наноразмерных дисперсных

и высокопористых материалов

3.1.1.1 Анализ методик крепления дисперсного образца к подложке

3.1.1.2 Апробация предложенных методических подходов

3.1.2 Выбор зондов АСМ для исследований

3.1.3 Сравнение морфологии поверхности различных по генезису кремнеземов

3.1.3.1 Морфология высокодисперсных кремнеземов

3.1.3.2 Морфология высокопористых кремнеземов

3.1.3.3 Особенности пробоподготовки высокопористого композиционного

углеродно-кремнеземного сорбента

3.1.4 Определение структурных характеристик высокопористого кремнезема

3.1.5 Оценка прочностных характеристик высокопористого кремнезема

3.2 Разработка подходов для количественной интерпретации спектров диффузного

отражения

3.2.1 ЭСДО в оценке морфологии поверхности

3.2.1.1 Причины уширения перехода в спектре диффузного отражения

3.2.1.2 Роль образца сравнения при получении спектра ЭСДО

3.2.2 Оценка координационного состояния атомов титана на поверхности TiO2

3.2.3 Применение ЭСДО для оценки структурно-фазовых превращений в ходе термообработки наноматериалов

Глава 4. Исследование с применением АСМ и ЭСДО неорганических материалов различных геометрической формы, химического состава и строения с наноразмерными покрытиями

4.1 Изменение морфологии материалов с геометрической поверхностью в результате модифицирования

4.1.1 Анализ начальных стадий формирования оловооксидных нанослоев на поверхности монокристаллического кремния

4.1.2 Морфологические изменения при нанесении элементоксидных покрытий на боросиликатном стекле

4.1.2.1 Синтез оловооксидных наноструктур

4.1.2.2 Нанесение хромоксидных структур

4.1.2.3 Формирование титаноксидных нанопокрытий

4.1.3 Морфология поверхности и функциональные свойства стеклянных изделий вакуумной электроники с титаноксидными покрытиями

4.1.4 Изменение морфологии модифицированного стекловолокна в результате термообработки

4.2 Формирование в ходе молекулярного наслаивания покрытий с титансодержащими полиэдрами на поверхности высокопористых кремнеземов

4.2.1 Хемосорбция тетрахлорида титана

4.2.2 Координация титана в составе титаноксохлоридных групп

4.2.3 Исследование методами ЭСДО и ИК-спектроскопии превращений

титаноксохлоридных группировок в процессе парофазного гидролиза

4.3 АСМ исследование изменения морфологии высокопористых кремнеземов в результате молекулярного наслаивания

4.3.1 Морфология поверхности силикагеля ШСКГ

4.3.2 АСМ титаноксидных покрытий на кремнеземе SBA-15

4.3.2 Структурные изменения в ходе нанесения титаноксидного покрытия на

МСМЧК

4.4 Трансформации нанопокрытий в процессе синтеза по технологии молекулярного наслаивания и последующей термообработки

4.4.1 Влияние температуры на разных стадиях молекулярного наслаивания на координационное состояние атомов титана в процессе нанесения титаноксидного слоя на поверхности силикагеля ШСКГ

4.4.2 Морфологическая и структурная реорганизация в системе "кремнеземная матрица - титаноксидное покрытие" в ходе термообработки

4.4.2.1 Изменение морфологии исходного силикагеля

4.4.2.2 Полиморфные превращения при термообработке силикагеля

с титаноксидным покрытием

4.4.3 Изменение координационного состояния атомов титана при нанесении титаноксидного слоя на поверхности пористого у-А1203

4.4.4 Координация атомов титана и фазовый состав системы А1203-ТЮ2 при термообработке

4.4.4.1 Изменения в строении титаноксидного слоя

4.4.4.2 Фазовые превращения в алюмооксидной матрице

4.5 Изменение морфологии поверхности модифицированных кремнеземов

в результате адсорбционных процессов

4.5.1 Структурно-химические превращения на поверхности кремнеземов при взаимодействии с парами воды

4.5.2 Строение координационных комплексов ванадийоксидных структур

с адсорбированной водой

4.5.3 Анализ механизма взаимодействия ванадийсодержащего сорбента с парами аммиака

Том

Глава 5. Применение АСМ и ЭСДО при идентификации полимерных материалов

и композитов, продуктов их модифицирования и вторичных превращений

5.1 Изменение морфологии поверхности и свойств пленок полиэтилена при хемосорбции галогенидов с образованием поверхностных элементоксидных структур

5.1.1 Морфологические изменения на поверхности полиэтилена в результате модифицирования парами галогенидов

5.1.1.1 Спектроскопия привитых элементоксидных структур

5.1.1.2 Методические особенности проведения АСМ при анализе поверхности модифицированного полиэтилена

5.1.1.3 АСМ полиэтилена с неорганическими элементоксидными группировками

5.1.2 Применение АСМ при оценке функциональных свойств модифицированных пленок полиэтиленов

5.1.2.1 Устойчивость модифицированных полиэтиленов в процессах термоокисления

5.1.2.2 Влияние морфологии на паропроницаемость модифицированных полиэтиленов

5.1.3 Взаимосвязь строения и свойств пленок полиэтилена с двухкомпонентными наноструктурами

5.2 АСМ-анализ поверхности полимерных электретов на основе полиэтилена

с элементоксидными наноструктурами

5.2.1 Влияние морфологических изменений на поверхности полиэтилена

с фосфороксидными группировками на его электретные свойства

5.2.1.1 Анализ стабильности электретного состояния модифицированного полиэтилена

5.2.1.2 Изменение морфологии и свойств полиэтилена с фосфороксидными структурами при его гидрофобизации

5.2.2 Взаимосвязь морфологии поверхности и электретных характеристик

пленок полиэтилена с многокомпонентными наноструктурами

5.2.2.1 С двухкомпонентными титан-фосфороксидными структурами

5.2.2.2 С трехкомпонентными наноструктурами на поверхности

5.3 Морфологические изменения на поверхности пленок поливинилхлорида при нанесении функциональных покрытий

5.3.1 Изменения структуры поверхностного слоя в результате химического модифицирования ПВХ

5.3.2 Изменение морфологии поверхности пленок ПВХ при физико-химическом воздействии

5.3.2.1 Строение и реакционная способность поверхности полимера

5.3.2.2 Оценка влияния коронного разряда на заряд поверхности пленки поливинилхлорида

5.3.3 Строение поверхности и функциональные свойства пленок ПВХ, модифицированных кремнийоксидными наноструктурами

5.3.4 Оценка износостойкости поверхности модифицированных пленок поливинилхлорида

5.4 Применение АСМ для оценки строения и свойств тонкопленочных композитов

на основе поливинилхлорида

5.4.1 Морфология композитов на основе ПВХ с нанодисперсным наполнителем

5.4.2 Оценка вклада химически модифицированного наполнителя в изменение функциональных свойств композитной пленки

Заключение

Список сокращений и условных обозначений

Список литературы

Приложение А. Методика расчета стехиометрического состава наноструктур,

синтезированных методом молекулярного наслаивания

Приложение Б. Методика оценки вклада в удельную поверхность высокопористого

материала его поровой структуры

Приложение В. Методика расчета поровой структуры модифицированных силикагелей . 240 Приложение Г. Оценка поверхностной проводимости наноразмерных оловооксидных

покрытий

Приложение Д. Справка АО "Светлана-Рентген" об использовании результатов АСМ...245 Приложение Е. Лицензия на использование ПО, выданная ООО "Ботлихский

радиозавод"

Приложение Ж. Механизм гидролиза Si-O-Ti связи

Приложение И. Строение поверхности и функциональные свойства пленок ПВХ с

нанесенными полиакрилатами

Приложение К. Применение зондовой микроскопии для исследования

композиционных антифрикционных материалов

К.1 Анализ износа армированного фенольного углепластика

К.2 Оценка влияния природы дисперсного металлического наполнителя на

микроструктуру поверхности трибоконтакта фенольный углепластик - сталь

К.3 Анализ износа фенольного углепластика, модифицированного ПТФЭ

К.4 Использование АСМ для определения механизмов изнашивания

антифрикционных углепластиков

К.5 Анализ особенностей износа армированного органопластика

Приложение Л. Справка ЦНИИ КМ "Прометей" об использовании результатов АСМ ...278 Приложение М. Акты СПбГТИ(ТУ) об использовании результатов работы в учебном

процессе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Развитие методологии атомно-силовой микроскопии и электронной спектроскопии диффузного отражения для твердых тел различной химической природы, структуры и строения»

Введение Актуальность темы исследования

Развитие нанотехнологий, стремление не только к миниатюризации элементов и экономии ресурсов при создании новых материалов и изделий, но и попытки создания структур заданного на атомарном уровне состава с заранее определенным расположением атомов (в том числе с соответствующим пространственным окружением) требует развития как приемов синтеза, позволяющих формировать соответствующие структуры, так и надежных методов идентификации получаемых продуктов.

Технологии направленного синтеза наноразмерных структур определенного химического состава и строения разработаны еще в 1960-х годах (для неорганических и гибридных наноструктур - метод молекулярного наслаивания (МН) (В.Б.Алесковский и С.И.Кольцов), для биоорганических соединений - метод твердофазного синтеза пептидов ^.В.МетАеШ, получивший в 1984 г. Нобелевскую премию по химии)). Методы позволяют осуществлять помонослойно химическую сборку необходимого соединения. В настоящее время технологии находят широкое применение, например МН - в создании пигментов, сорбентов, катализаторов, люминесцентных материалов и изделий, компонентов элементной базы микро- и наноэлектроники, сенсоров, материалов и изделий медицинского назначения. Однако возможности методов инструментального контроля, которые возможно использовать для оценки результатов протекания процесса синтеза, строения и свойств наноразмерных структур, недостаточны для применения к матрицам различной геометрической формы (в т.ч. высокопористых).

При этом активно развивается ряд хорошо разработанных методов контроля состава и строения приповерхностного слоя материала, однако в силу особенностей используемых для анализа физических явлений глубина анализируемого слоя намного превосходит область, где в результате синтеза происходят изменения исходной матрицы, вследствие чего изменения состава и строения поверхности просто теряются на фоне объемных свойств твердого тела. К тому же многие методы нарушают состав и строение поверхности анализируемого материала (в первую очередь - использующие высокоэнергетические источники возбуждения) или неприменимы для исследования высокодисперсных, высокопористых и композиционных материалов. Именно поэтому развитие методов, позволяющих анализировать наноразмерные слои на поверхности таких матриц, весьма актуальны.

Работа посвящена развитию двух методов - атомно-силовой микроскопии (АСМ) и электронной спектроскопии диффузного отражения (ЭСДО), - позволяющих оценивать изменение строения, состава и функциональных свойств наноразмерных покрытий на поверхности твердотельных матриц. Уникальная особенность (наряду с неразрушающим воздействием) указанных методов - анализу подвергается только сверхтонкий (толщиной не более 5 нм) приповерхностный слой образца. При этом в отличие от других поверхностно-чувствительных методов исследования оба метода применимы для анализа материалов как различной геометрической формы (плоских, волокнистых, пористых, высокодисперсных), так и различного химического и фазового состава и строения.

Для применения методов важна их методическая отработка (в части пробопод-готовки, выбора условий проведения исследований и интерпретации получаемых результатов), отсутствие которой не позволяет в полной мере использовать возможности АСМ и ЭСДО для оценки строения наноразмерных покрытий (получение которых возможно различными методами направленного синтеза: молекулярным наслаиванием, молекулярно-лучевой эпитаксией, технологией Ленгмюра-Блоджетт), а также структурных изменений, возникающих на границе "матрица - поверхностный нанослой". Поэтому именно разработка методик применения АСМ и ЭСДО для исследования нанопокрытий и использование полученных результатов для построения целостной непротиворечивой картины строения и физико-химических свойств поверхностных наноструктур легли в основу данной работы.

Исследования, выполненные в рамках диссертационной работы, были поддержаны грантами РФФИ (№№ 03-03-32190, 05-03-08172, 05-03-32056, 06-03-81010, 07-03-12038, 08-03-00803, 09-03-12225, 11-03-00397, 11-03-12040, 13-03-00883, 16-03-00214, 20-13-50088) и РНФ (14-13-00597); осуществлялись в рамках исполнения госзаказов Минобрнауки России (заказ-наряды №№ 1.1.03, 1.7.04, 1.1.08, 1.1.09, 3.607.2011, ГЗ-31(601), проект № 16.1798.2017/4.6), а также в рамках целевых программ:

- ФЦП "Интеграция науки и высшего образования России" (ГК И 0244/2131);

- ФЦП "Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники" (№№ 206.01.06.060 и 208.04.01.045);

- ФЦП "Развитие информационных ресурсов и технологий. Индустрия образования" (№№ П-287 и П-288);

- ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" (№№ П685 и П1221);

- ВНП (затем АВЦП) "Развитие научного потенциала высшей школы" (№№ 10297, РНП

2.2.3.1.3028, РНП 3.2.2.12500, 2.1.1/2665, 2.2.3.1/2697, 2.1.1/14152 и 2.2.3.1/14157);

- ОНП "Научное, научно-методическое, материально-техническое обеспечение развития

технологий информационного общества и индустрии образования" (№№ 3.2.30 и 3.3.42);

- ФП "Федерально-региональная политика в науке и образовании" (№ П-290).

Степень разработанности темы

Для оценки строения и свойств наноматериалов используется широкий спектр методов исследования, базирующихся в основном на анализе результатов взаимодействия с материалом высокоэнергетических электронов, ионов, рентгеновского излучения (ПЭМ, СЭМ, Оже-спектроскопия, РФЭС, УФЭС, ВИМС, Резерфордовское обратное рассеяние, рентгенофлуоресцентный анализ и др.). Однако в силу специфики их взаимодействия толщина анализируемого слоя зависит от энергии возбуждения, химического состава и строения материала и составляет сотни и тысячи нанометров, что делает невозможным выявить вклад тонкого (нанометрового) поверхностного слоя, либо требует высоковакуумного аналитического оборудования (Оже-спектроскопия, РФЭС). Между тем, среди поверхностно-чувствительных методов можно выделить нанозондовые методы (сканирующую туннельную и атомно-силовую микроскопию) и электронную спектроскопию диффузного отражения, неразрушающие по своей природе и позволяющие при н.у. провести анализ тонкого приповерхностного слоя материала без учета вклада матрицы.

Рассматривая развиваемые в работе методы исследования, необходимо отметить, что активное использование зондовой микроскопии в России началось в 1990-х годах после создания В.А.Быковым компании НТ-МДТ (Зеленоград, Москва) (сейчас - группа компаний NT-MDT Spectrum Instruments), одного из известных в мире производителей оборудования для зондовых нанотехнологий. Разработкой методологии применения зондовой микроскопии для анализа материалов различного состава, строения и назначения занимается ряд научных групп под руководством А.А.Бухараева (Казанский ФТИ им. Е.К.Завойского) (основные направления исследований - магнитно-силовая микроскопия трансформаций доменной структуры в ферромагнитных микрочастицах и анализ морфологии толстых (~ 100 нм) олигопептидных пленок), М.О.Галлямова (Физический ф-т МГУ им. М.В.Ломоносова) (АСМ нуклеиновых кислот, тонких органических пленок, полимерных и полимер-неорганических крупнопористых композитов), В.Л.Миронова (ИФМ РАН, Нижний Новгород) (магнитно-резонансная микроскопия ферромагнитных наноструктур), В.А.Мошникова (СПбГЭУ "ЛЭТИ" им. В.И.Ульянова(Ленина)) (анализ

квантовых точек, твердофазных газочувствительных материалов, продуктов золь-гель технологии), В.К.Неволина (МИЭТ) (АСМ тонкопленочных покрытий для нано- и микроэлектроники), А.Л.Толстихиной (Ин-т кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Москва) (АСМ морфологии, доменной структуры и свойств сегнетоэлектриков), С.А.Чижика (ИТМО им. А.В.Лыкова НАН Беларуси, Минск) (оценка прочностных характеристик наноматериалов и нанопокрытий), И.В.Яминского (Физический ф-т МГУ им. М.В.Ломоносова) (АСМ медико-биологических объектов). Однако работы указанных научных групп направлены в первую очередь на разработку физических принципов оценки соответствующих свойств на модельных объектах, но не исследование реальных материалов с особенностями их строения, дефектностью, неоднородностью химических и физических свойств.

Развитию методологии применения СЗМ способствует также проводимая с 1996 г. в Гомеле, а затем в Минске (оба - Беларусь) конференция "Методологические аспекты сканирующей зондовой микроскопии".

Теория, описывающая взаимодействие рассеянного излучения с веществом, базируется на подходе А.Шустера (A.Schuster) к оценке рассеяния излучения звезд газово-пылевыми облаками. В 1930-х годах вопросы анализа спектров диффузного отражения активно разрабатывали как в СССР (М.М.Гуревич, ГОИ, Ленинград) и Европе (P.Kubelka, F.Munk, University of Prague, Czechoslovak Republic), так и в САСШ (D.B.Judd, National Bureau of Standards, Washington, DC). Основное применение разработанных в это время методик обработки спектров - оценка цветотехнических характеристик пигментов.

В 1960-1980-х годах ЭСДО активно использовали группы В.Б.Казанского и В.А.Швеца (Ин-т органической химии им. Н.Д.Зеленского АН СССР, Москва), занимавшаяся созданием наноразмерных каталитически-активных структур на высокопористых носителях, и А.С.Марфунина (ИГЕМ АН СССР, Москва) - для анализа геологических пород. Однако анализ спектров у обеих групп носил в основном описательный характер (отсутствуют результаты оценки энергии перехода и интенсивности спектральных полос). В начале 1970-х на основе зонной теории твердых тел Я.Тауцем (J.Tauc, Bell Telephone Laboratories, NJ, USA) был предложен способ преобразования спектров ЭСДО для оценки ширины запрещенной зоны полупроводников. В 1980-х годах развитие метода связано с именем В.Н.Пака (ЛТИ им. Ленсовета, затем РГПУ им. А.И.Герцена, Ленинград), применившего метод ЭСДО для оценки координационного состояния атомов в приповерхностном слое, однако и у него изменения в спектрах рассматриваются исключительно качественно, без возможности их количественного описания.

В качестве метода нанесения наноразмерных тестовых покрытий и наноструктур из ряда методов получения нанометровых покрытий с разной степенью конформности (физическое и химическое газофазное осаждение, молекулярно-лучевая эпитаксия, молекулярное наслаивание, технология Ленгмюра-Блоджетт) была выбрана технология МН, позволяющая формировать на поверхности любой геометрии объекты сложного, заранее заданного состава и регулировать толщину получаемого покрытия на атомно-слоевом уровне.

В основе технологии МН лежит предложенная в 1952 г. В.Б.Алесковским (ЛТИ им. Ленсовета) "остовная" гипотеза строения твердых тел, позволившая представить твердое вещество в виде остова и облекающих его функциональных группировок, способных вступать в химические взаимодействия. Следует отметить вклад С.И.Кольцова (ЛТИ им. Ленсовета) в развитие метода химического модифицирования поверхности твердых веществ, нашедший отражение в его докторской диссертации (1971 г.). С 1970-х годов развитие различных видов МН продолжили ученики В.Б.Алесковского и С.И.Кольцова - А.А.Малыгин, В.М.Смирнов, Ю.К.Ежовский, А.А.Малков, В.Е.Дрозд, С.К.Гордеев, В.П.Толстой и др.

В 1960-х годах работы В.Б.Алесковского нашли отражение в научных докладах и лекционных курсах, прочитанных в Канаде (1958), Великобритании (1960), ГДР (1962), Финляндии (1967), Венгрии (1968), ЧССР (1971). С конца 1970-х технологию МН для создания каталитически-активных систем начали использовать в Болгарии (D. Damyanov) и ГДР (G. Ohlmann). Технологией МН заинтересовались и в Финляндии, где она была запатентована в 1977 году Т.Сунтолой (T.Suntola) под наименованием "Atomic Layer Epitaxy" (ALE) (после конференции ALE-1 (Espoo, Finland (1990)) название метода изменено на "Atomic Layer Deposition" (ALD)).

В настоящее время технология МН (ALD) активно используется во всем мире. Основные центры развития технологии возглавляют: S.M.George (University of Colorado, Boulder, CO, USA), G.N.Parsons (North Carolina State University, Charlotte, NC, USA), J.W.Elam (Argonne National Laboratory, Lemont, IL, USA), S.D.Elliott (Tyndall National Institute, Cork, Ireland), W.M.M.Kessels (Eindhoven University of Technology, Netherlands), M.Knez (CIC NanoGUNE, San Sebastian, Spain), M.Ritala и M.Leskela' (University of Helsinki, Finland), D.C.Cameron (Lappeenranta University of Technology, Finland & Masaryk University, Brno, Czech Republic), Cheol Seong Hwang (Seoul National University, Republic of Korea).

В России исследования в области МН развиваются, в основном, в ВУЗах: в СПбГТИ(ТУ) на кафедре ХНиМЭТ под руководством А.А.Малыгина, в группах В.Е.Дрозда, В.М.Смирнова и В.П.Толстого (все - Химический ф-т СПбГУ), Г.В.Лисичкина (Химический ф-т МГУ им. М.В.Ломоносова), А.М.Маркеева (МФТИ), А.И.Абдулагатова (Дагестанский ГУ, Махачкала), М.Ю.Максимова (СПбПУ Петра Великого), Н.В.Андреевой (СПбГЭТУ "ЛЭТИ"), В.Ю.Васильева (Новосибирский ГТУ).

Поскольку для разработки методик исследований необходимо иметь образцы с хорошей воспроизводимостью состава и строения, в работе была использована достаточно широко изученная система "SiO2 (матрица) - TiO2 (покрытие)". Различные аспекты формирования титаноксидных покрытий по технологии МН на кремнеземах различного генезиса и пористости изучали: С.И.Кольцов, В.Н.Пак, В.К.Громов (все - ЛТИ им. Ленсовета), Ю.И.Ермаков (Ин-т катализа им. Г.К. Борескова СО АН СССР, Новосибирск), А.А.Чуйко (ИФХ им. Л.В.Писаржевского АН УССР, затем ИХП АН УССР, Киев), J.C.W.Chien (University of Massachusetts, Amherst, MA, USA), O.H.Ellestad (University of Oslo, Norway), M.L.Hair (Xerox Corporation, Rochester, NY, USA), W.Hert (Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Germany), J.A.Hockey (UMIST, Manchester, United Kingdom), J.B.Kinney и R.H.Staley (оба - Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA), H.W.Kohlschutter (Eduard-Zintl-Institut für Anorganische und Physikalische Chemie, Darmstadt, Germany), B.A.Morrow (University of Ottawa, Canada), E.F.Vansant (University of Antwerp, Wilrijk, Belgium) и многие другие. И именно вследствие достаточно хорошей изученности химических процессов, протекающих в ходе формирования системы, она была использована как тестовая для отработки методик исследования с использованием АСМ и ЭСДО материалов различной геометрической формы и пористости со сверхтонкими покрытиям иной, чем матрица, химической природы.

Необходимость же использования таких тонкопленочных образцов (в т.ч. моно-слойных) в качестве тестовых для АСМ и ЭСДО, причем именно на различных по строению матрицах, проистекает из отличительной особенности указанных методов исследования - возможности анализа тонких приповерхностных слоев, часто играющих определяющую роль в функциональных (защитных, сорбционных, каталитических, электрофизических и др.) свойствах разрабатываемых перспективных материалов и изделий.

Уже в XXI веке обширные коллекции работ по синтезу системы SiO2 - TiO2 методами МН (ALD) (хотя и без должного анализа результатов) собраны R.L.Puurunen (2005, 2013) и M.Karppinen (2017) (обе - Aalto University, Helsinki, Finland) и группой под руководством W.M.M.Kessels (Eindhoven University of Technology, Netherlands).

Цели и задачи работы

Цель работы. Развитие методологии проведения исследований с использованием атомно-силовой микроскопии и спектроскопии диффузного отражения, экспериментальная реализация предлагаемых подходов при идентификации наноструктур и наноразмерных (в том числе, монослойных) покрытий на поверхности материалов различной химической природы, геометрической формы, дисперсности и пористости.

Задачи, решаемые в работе.

1. Разработка методов пробоподготовки и проведения исследования с использованием АСМ материалов различной химической природы, дисперсности и пористости.

2. Разработка методики количественной оценки из данных ЭСДО координационного состояния атомов в составе элементоксидных полиэдров на поверхности материалов.

3. Расширение возможностей методов АСМ и ЭСДО в части выявления морфологических изменений в ходе протекания химических реакций на границе твердая фаза / газовая среда, а также анализа структуры и свойств поверхности.

4. Расширение возможностей применения получаемой с использованием АСМ и ЭСДО взаимодополняющей информации для описания физико-химических процессов, протекающих на поверхности твердофазных материалов различной химической природы (оксиды, полимеры) и геометрической формы (дисперсные частицы, кристаллические и высокопористые материалы).

5. Использование разработанных методик АСМ и ЭСДО для оценки морфологии, строения и свойств продуктов с наноразмерными покрытиями, синтезированными по технологии молекулярного наслаивания на матрицах различного состава и строения, как сформированных в результате синтеза, так и претерпевших вторичные превращения в результате различных физико-химических воздействий.

6. Получение на основе разработанных методик новой или дополнительной информации для анализа морфологии и оценки функциональных свойств композиционных материалов, содержащих высокодисперсные наполнители, в том числе - с модифицированной поверхностью.

7. Расширение круга объектов и областей применения методов АСМ и ЭСДО, в том числе в реальном секторе экономики для контроля используемых материалов и изменений их поверхности в результате осуществления технологических процессов или эксплуатации.

Научная новизна работы

1. Разработаны и экспериментально апробированы методики пробоподготовки, проведения и обработки результатов исследования методами атомно-силовой микроскопии материалов различной химической природы и пространственной организации (в том числе высокодисперсных, высокопористых и наноструктурированных).

1.1. С целью предотвращения перемещения зондом АСМ наноразмерных частиц были разработаны и апробированы методики пробоподготовки нанодисперсных материалов. Предложено использовать в зависимости от химической природы наночастиц (на примере SiO2, Fe2Oз, нанодисперсный углерод, полиамид) ряда методик компак-тирования: прессование, запрессовка в отверстие малого (~1 мм) диаметра в металлической пластине, осаждение из суспензии с удержанием частиц за счет капиллярного эффекта, осаждение на поверхность термопластичного носителя.

1.2. Разработаны методики пробоподготовки, впервые проведены исследования с использованием сверхострых зондов АСМ структуры высокопористых материалов (кремнеземы различного генезиса с регулярным и нерегулярным расположением пор, органо-неорганические сорбенты) и экспериментально подтверждено наличие на поверхности материалов пор с размерами 2,6-15 нм.

2. С применением АСМ на примере силикагеля марки ШСКГ экспериментально выявлены два иерархических уровня структурной организации материала (глобулы (размером 10-30 нм) и агрегаты (0,3-0,6 мкм)), термическая устойчивость которых существенно различается. В агломератах при термообработке исчезают границы контактов составляющих их глобул (при 600 °С), наблюдается плавление поверхностного слоя материала (при 900 °С), а при 1100 °С - кристаллизация кремнезема в форме смеси а-кварца и Р-кристобалита, тогда как отдельно расположенные глобулярные структуры, увеличиваясь при 1100 °С в размерах до 40-50 нм, частично остаются на поверхности как самостоятельные структурные объекты.

3. На основе базовых понятий зонной структуры твердого тела предложен подход к обработке электронных спектров диффузного отражения путем разделения края фундаментальной полосы поглощения на компоненты, описываемые распределением Ферми-Дирака, что позволило определять количественные соотношения элемент-кислородных полиэдров с различным координационным окружением элемента на

поверхности твердых тел. Впервые экспериментально определена толщина приповерхностного слоя, в пределах которого происходит рассеяние излучения, составляющая 1,5-2 нм.

4. На основе методики по п.3 на примере ТЮ2 анатазной модификации в ходе термического воздействия в области 200-900 °С в процессе фазового перехода анатаз / рутил впервые экспериментально выявлено опережающее (на ~ 200 °С) изменение строения поверхностных элементоксидных полиэдров от анатазо- к рутилоподобным, по сравнению с фазовым составом материала.

5. На примере крупнопористого силикагеля (диаметр пор 13,5 нм) при модифицировании его поверхности по технологии МН титаноксидными группировками с использованием ЭСДО показано, что в формирующемся монослое часть привитых ФГ образует дополнительные координационные связи с неучаствовавшими в хемосорбции ^С14 гидроксогруппами, повышая КЧТ до 5-6. На основании полученных результатов высказано предположение, что формирование дополнительных координационных связей атомов титана с силанолами препятствует доступу молекул Н20 к Si-O-Ti-связи, что обеспечивает гидролитическую устойчивость привитых группировок.

6. С использованием данных ЭСДО установлены закономерности формирования фазовой структуры титаноксидного покрытия на поверхности крупнопористого силикагеля марки ШСКГ при обработке его парами тетрахлорида титана и воды в процессе МН. Строение титаноксидных полиэдров в составе первого монослоя определяются термическими условиями проведения процесса МН на стадиях хемосорбции и десорбции галогенида. При многократной циклической обработке в ходе дальнейшего наращивания титаноксидного слоя формируются кристаллические покрытия фазового состава, определяющегося координационным состоянием титана в полиэдрах.

7. На примере высокопористого у-А1203 (диаметр пор 10,5 нм) на основе данных ЭСДО определена минимальная толщина нанесенного по технологии МН элементоксидного покрытия, составляющая 6-8 элементоксидных полиэдров, устойчивого (не разрушающегося в ходе структурных трансформаций матрицы (у-А1203 ^ а-А1203) или/и покрытия (анатаз ^ рутил)) при термическом воздействии вплоть до 1100 °С.

8. Впервые с применением АСМ и ЭСДО изучены структурно-химические превращения при взаимодействии крупнопористого кремнезема марки ШСКГ, модифицированного

монослоем ванадийоксидных наноструктур, с донорными адсорбатами (Н20, КН3). Взаимодействие с парами Н20 приводит к их адсорбции на ванадийоксидных группировках с формированием структур с КЧУ = 5 и 6 в соотношении 1 : 1. При одновременном присутствии паров Н20 и КН3 ванадийоксидные структуры сорбируют в первую очередь молекулы воды, которые в дальнейшем вытесняются из координационного полиэдра молекулами КН3.

Теоретическая и практическая значимость работы

Теоретическая значимость результатов, представленных в работе, заключается в развитии методологических подходов и расширении на их основе областей применения атомно-силовой микроскопии и электронной спектроскопии диффузного отражения применительно к исследованию поверхности различных по химической природе, геометрической форме, строению твердофазных материалов. Предложенные подходы легли в основу интерпретации и более глубокого понимания полученных экспериментальных данных о строении поверхности твердых тел и происходящих в ней трансформациях при различных физико-химических воздействиях на матрицу. Показано, что применение АСМ и ЭСДО позволяет углубить понимание механизмов физико-химических процессов, протекающих на поверхности твердых тел на стадиях их получения или модифицирования, и охарактеризовать продукты в соответствии с

и || и ||

парадигмой состав - строение - свойства .

Практическая значимость работы базируется на широком спектре твердофазных материалов, исследованных с учетом предложенных подходов к пробоподготовке образцов для их идентификации на АСМ, а также с использованием данных по разделению спектров ЭСДО на основе разработанного программного обеспечения.

К основным практическим результатам можно отнести следующие. 1. С применением АСМ и разработанных приемов пробоподготовки:

- на основе учета изменения площади контакта острия зонда с поверхностью высокопористых объектов при полуконтактном режиме сканирования измерен модуль Юнга нанотрубки в кремнеземе марки МСМЧК (диаметр пор 2,6 нм, толщина стенки 1,1 нм) вдоль ее оси, который составил 91,7 ГПа;

- охарактеризованы с целью оптимизации строения хром (титан)-оксидные нанопокрытия с пониженным электросопротивлением на внутренней поверхности

стеклянных корпусов рентгеновских трубок, производящихся на предприятии АО "Светлана-Рентген" (результаты применения подтверждены справкой от предприятия);

- впервые проведена оценка взаимосвязи морфологии и триботехнических характеристик материалов, что нашло применение при разработке промышленных антифрикционных композитов с заданными хараткеристиками на основе фенольной (ФУТ) или эпоксидной матрицы (УГЭТ), армированной углеволокном, содержащих наноразмерные дисперсные наполнители (баббит Б-83, N1, Си, MoS2, ПТФЭ) в ЦНИИ КМ "Прометей" (результаты применения подтверждены справкой от предприятия);

- охарактеризованы функциональные поверхностные структуры модифицированных полимерных материалов и композитов, что позволило оптимизировать их состав, строение и (или) охарактеризовать механизм действия добавок при создании полимерных электретных материалов, устойчивых к внешним температурно-климатическим воздействиям (Патент RU 2648360);

- на примере ПВХ-пленки с нанесенным на поверхность защитным органо-минеральным покрытием продемонстрирована возможность количественной оценки адгезии тонких покрытий к поверхности материалов;

- выявлено влияние химического модифицирования поверхности наноразмерного наполнителя (А1203) гидрофильно-/гидрофобными наноструктурами на строение (в том числе пространственное распределение наполнителя в композите) и влагопро-ницаемость пленочных композитов "полимерная матрица - высокодисперсный наполнитель", что может лечь в основу создания композиционных материалов с заданной влагопроницаемостью.

2. Разработана методика и ПО для разделения полосы фундаментального поглощения в спектрах ЭСДО на компоненты, отвечающие распределению Ферми-Дирака (Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ № 2022617223).

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Соснов Евгений Алексеевич, 2026 год

Список литературы

1. Панфилов, Ю. Нанесение тонких пленок в вакууме / Ю.Панфилов // Технологии в электронной промышленности.- 2007.- № 3 (15).- С. 76-80.

2. Иванов, А. Технология напыления тонких пленок / А.Иванов // Современная светотехника.-2010.- № 1.- С. 45-48.

3. Shishkovsky, I.V. Chemical and physical vapor deposition methods for nanocoatings / I.V.Shishkovsky.- DOI 10.1533/9780857094902.1.57 // Nanocoatings and ultra-thin films. Technologies and applications / Ed. by A.S.H.Makhlouf, I.Tiginyanu.- Cambridge, UK: Woodhead Publishing Ltd., 2011.- P. 57-77.- ISBN 978-1-84569-812-6.

4. Иванов, А. Электронно-лучевое напыление: технология и оборудование / А.Иванов, Б.Смирнов // Наноиндустрия.- 2012.- № 6 (36).- С. 28-35.

5. Новодворский, О.А. Импульсное лазерное напыление тонких пленок и наноразмерных структур для активных сред лазеров : специальность 05.27.03 "Квантовая электроника" : Автореф. дисс. ... докт. физ.-мат. наук. / Новодворский Олег Алексеевич ; Ин-т проблем лазерных и информационных технологий РАН.- Шатура, 2012.- 39 с.

6. Структура тонких пленок Ba0.7Sr0.3TiO3, нанесенных на кремниевые подложки методом импульсного лазерного напыления / В.Л.Романюк, В.Ф.Гременок, В.С.Меркулов, [и др.] // Физика и химия обработки материалов.- 2009.- № 5.- С. 37-40.

7. Булаев, С.А. Сущность импульсного лазерного напыления в вакууме как способа получения пленок нанометровых толщин / С.А.Булаев // Вестник Казанского технологического ун-та.- 2014.- Т. 17, № 18.- С. 25-28.

8. Импульсное лазерное напыление тонких пленок AlxGai-xAs и GaP на подложках Si для фотопреобразователей / Л.С.Лунин, М.Л.Лунина, О.В.Девицкий, И.А.Сысоев.- DOI 10.21883/FTP.2017.03.44216.8299 // Физика и техника полупроводников.- 2017.- Т. 51, № 3.- С. 403-408.

9. Кривошеев, А.В. Получение тонких алмазоподобных пленок методом импульсного лазерного осаждения и исследование их свойств / А.В.Кривошеев, С.Л.Пономаренко.-DOI 10.18698/2541-8009-2018-6-324.- Текст : электронный // Политехнический молодежный журнал.- 2018.- № 6 (23).- 10 с.- URL: http://ptsj.ru/articles/324/324.pdf (дата обращения 07.11.2024).

Номера публикаций автора выделены жирным шрифтом.

10. Ильин, А.И. Связь морфологии поверхности тонких пленок YBa2Cu3O7-x, полученных импульсным лазерным напылением, с температурой окончания сверхпроводящего перехода / А.И.Ильин, О.В.Трофимов, А.А.Иванов.- DOI 10.21883/FTT.2020.09.49786.14H // Физика твердого тела.- 2020.- Т. 62, № 9.- С. 1555-1561.

11. Кузьмичёв, А.И. Магнетронные распылительные системы. Кн. 1. Введение в физику и технику магнетронного распыления / А.И.Кузьмичёв.- Киев: Аверс, 2008.- 244 с.-ISBN 966-8934-07-5.

12. Данилин, Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок / Б.С.Данилин.- Москва: Энергоатомиздат, 1989.- 328 с.

13. Духопельников, Д.В. Магнетронные распылительные системы. В 2 ч. Ч. 1. Устройство, принципы работы, применение / Д.В.Духопельников.- Москва: Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2014.- 56 с.- ISBN 978-5-7038-3798-6.

14. Антоненко, С.В. Технология тонких пленок / С.В.Антоненко.- Москва: НИЯУ МИФИ, 2008.- 104 с.- ISBN 978-5-7262-1036-0.

15. Панфилов, Ю.В. Анализ технологии вакуумного формирования сверхтонких пленок / Ю.В.Панфилов // Микросистемная техника.- 2001.- № 1.- С. 22-25.

16. Franchi, S. Molecular beam epitaxy: fundamentals, historical background and future prospects / S.Franchi.- DOI 10.1016/B978-0-12-387839-7.00001-4 // Molecular Beam Epitaxy. From research to mass production / Ed. by M.Henini.- Elsevier Inc., 2013.- P. 1-46.- ISBN 9780-12-387839-7.

17. Horikoshi, Y. General Description of MBE / Y.Horikoshi // Molecular Beam Epitaxy. Materials and Applications for Electronics and Optoelectronics / Ed. by H.Asahi, Y.Horikoshi.-Hoboken, NJ: John Wiley & Sons Ltd., 2019.- P. 23-39.- ISBN 978-1-119-35501-4.

18. Morresi, L. Molecular Beam Epitaxy (MBE) / L.Morresi.- DOI 10.2174/ 9781608055180113010008 // Silicon Based Thin Film Solar Cells / Ed. by R.Murri.-Bentham Science Publishers, 2013.- P. 81-107.- ISBN 978-1-60805-456-5.

19. III-Nitride Quantum Dots for Optoelectronic Devices / P.Bhattacharya, T.Frost, S.Jahangir, [et al.] // Molecular Beam Epitaxy. Materials and Applications for Electronics and Optoelectronics / Ed. by H.Asahi, Y. Horikoshi.- Hoboken, NJ: John Wiley & Sons Ltd., 2019.- P. 211-231.- ISBN 978-1-119-35501-4.

20. Эсаки, Л. Молекулярно-лучевая эпитаксия и развитие технологии полупроводниковых сверхрешеток и структур с квантовыми ямами / Л.Эсаки // Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / Под ред. Л.Ченга, К.Плога.- Москва: Мир, 1989.- С. 7-36.

21. Кузнецов, Ю.А. Инновационные способы газотермического напыления покрытий / Ю.А.Кузнецов, В.В.Гончаренко, К.В.Кулаков.- Орел: ОрелГАУ, 2011.- 124 с.

22. Тополянский, П.А. Прогрессивные технологии нанесения покрытий - наплавка, напыление, осаждение / П.А.Тополянский, А.П.Тополянский // Арматуростроение.-2011.- № 4.- С. 79-84.

23. The 2016 Thermal Spray Roadmap / A.Vardelle, C.Moreau, J.Akedo, [et al.].- DOI 10.1007/s 11666-016-0473-x // J. Therm. Spray Technol.- 2016.- Vol 25, No 8.- P. 1376-1440.

24. Akedo, J. Room Temperature Impact Consolidation (RTIC) of Fine Ceramic Powder by Aerosol Deposition Method and Applications to Microdevices / J.Akedo.- DOI 10.1007/ s11666-008-9163-7 // J. Therm. Spray Technol.- 2008.- Vol. 17, No 2.- P. 181-198.

25. Ресурсосберегающие технологии получения функциональных наноструктурированных покрытий высокоскоростными методами нанесения / И.Н.Кравченко, М.Ю.Карелина, Е.М.Зубрилина, А.А.Коломейченко.- DOI 10.12737/12590 // Вестник Донского гос. технического ун-та.- 2015.- Т. 15, № 3 (82).- С. 19-27.

26. Modern Cold Spray. Materials, Process and Applications / Ed. by J.Villafuerte.- Springer, Cham, 2015.- 429 p.- ISBN 978-3-319-16771-8.

27. Falcony, C. Spray Pyrolysis Technique; High-K Dielectric Films and Luminescent Materials: A Review / C.Falcony, M.A.Aguilar-Frutis, M.Garcia-Hipolito.- DOI 10.3390/mi9080414 // Micromachines.- 2018.- Vol. 9, No 8.- Article ID 414.- 33 p.

28. Штерцер, А.А. Суспензионное детонационное напыление керамических покрытий / А.А.Штерцер, В.Ю.Ульяницкий, Д.К.Рыбин.- DOI 10.15372/FGV20190416 // Физика горения и взрыва.- 2019.- Т. 55, № 4.- С. 121-128.

29. Мчедлов, С.Г. Газотеpмическое по^ытие в технологии уточнения и восстановления деталей машин (обзоp). Ч. 1. Газопламенное и детонационное напыление / С.Г. Мчедлов // Сварочное производство.- 2007.- № 10.- С. 35-45.

30. Мчедлов, С.Г. Газотеpмическое по^ытие в технологии уточнения и восстановления деталей машин (обзоp). Ч. 2. Плазменное напыление / С.Г.Мчедлов // Сварочное производство.- 2008.- № 5.- С. 36-48.

31. Сыркин, В.Г. CVD-метод. Химическое парофазное осаждение / В.Г.Сыркин.- Москва: Наука, 2000.- 496 с.

32. Choy, K.L. Chemical vapour deposition of coatings / K.L.Choy.- DOI 10.1016/S0079-6425(01)00009-3 // Prog. Mater. Sci.- 2003.- Vol. 48, No 2.- P. 57-170.

33. Creighton, J.R. Introduction to Chemical Vapor Deposition (CVD) / J.R.Creighton, P.Ho.-DOI 10.1361/chvd2001p001 // Chemical Vapor Deposition / Ed. by J.-H.Park, T.S.Sudarshan.-Materials Park, OH: ASM International, 2001.- P. 1-22.- ISBN 0-87170-731-4.

34. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений / Б.Г.Грибов, Г.А.Домрачев, Б.В.Жук, [и др.]; отв. ред. Г.А. Разуваев.- Москва: Наука, 1981.- 322 с.

35. MOCVD, CVD & ALD Precursors.- Newburyport, MA, USA: Strem Chemicals, Inc., 2018.- 70 p.

36. City Chemical LLC. Chemical Products Catalogue. 2021-2023.- West Haven, CT, USA: City Chemical LLC, 2020.- 768 p.

37. Merck KGaA (Darmstadt, Germany) : [сайт].- Darmstadt, Germany, 2024.- URL: https://www.sigmaaldrich.com/RU/en/products/materials-science/energy-materials/solution-and-vapor-deposition-precursors (дата обращения: 09.11.2024). - Текст, изображение : электронные.

38. Chemical vapor deposition of conformal, functional, and responsive polymer films / M.E.Alf, A.Asatekin, M.C.Barr, [et al.].- DOI 10.1002/adma.200902765 // Adv. Mater.- 2010.- Vol. 22, No 18.- P. 1993-2027.

39. Vedula, R. Chemical Vapor Deposition of Polymers: Principles, Materials, and Applications / R.Vedula, S.Kaza, S.B.Desu.- DOI 10.1361/chvd2001p243 // Chemical Vapor Deposition / Ed. by J.-H.Park, T.S.Sudarshan.- Materials Park, OH: ASM International, 2001.- P. 243285.- ISBN 0-87170-731-4.

40. Catalytic Chemical Vapor Deposition: Technology and Applications of Cat-CVD / H.Matsumura, H.Umemoto, K.K.Gleason, R.E.I.Schropp.- Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH Co. & KGaA, 2019.- 421 p.- ISBN 978-3-5273-4523-6.

41. Алесковский, В.Б. Остовная гипотеза и опыт приготовления некоторых активных твердых тел : Дисс. ... докт. хим. наук / Алесковский Валентин Борисович ; Ленинградский технологический ин-т им. Ленсовета.- Ленинград, 1952.- 374 с.

42. Кольцов, С.И. Синтез твердых веществ методом молекулярного наслаивания : специальность 02.070 "Неорганическая химия" : Дисс. ... докт. хим. наук / Кольцов Станислав Иванович ; Ленинградский технологический ин-т им. Ленсовета.-Ленинград, 1971.- 383 с.

43. Кольцов, С.И. Состав и химическое строение твердых веществ / С.И.Кольцов.-Ленинград: ЛТИ им. Ленсовета, 1987.- 84 с.

44. Rossnagel, S.M. Froin PVD to CVD to ALD for Interconnects and Related Applications / S.M.Rossnagel, H.Kim.- DOI 10.1109/IITC.2001.929999 // Proc. IEEE 2001 Int. Interconnect Technol. Conf.- Burlingame, CA, USA, June 06, 2001.- IEEE, 2001.- P. 3-5.

45. Yong, K. Applications of atomic layer chemical vapor deposition for the processing of nanolaminate structures / K.Yong, J.Jeong.- DOI 10.1007/bf02697156 // Korean J. Chem. Eng.- 2002.- Vol. 19, No 3.- P. 451-462.

46. Crowell, J.E. Chemical methods of thin film deposition: Chemical vapor deposition, atomic layer deposition, and related technologies / J.E.Crowell.- DOI 10.1116/1.1600451 // J. Vac. Sci. Technol., A.- 2003.- Vol. 21, No 5.- P. S88-S95.

47. Jones, A.C. Some recent developments in the chemical vapour deposition of electroceramic oxides / A.C.Jones, P.R.Chalker.- DOI 10.1088/0022-3727/36/6/202 // J. Phys. D: Appl. Phys.- 2003.- Vol. 36, No 6.- P. R53-R79.

48. Турцевич, А.С. Классификация процессов химического осаждения из газовой фазы функциональных слоев / А.С.Турцевич // Доклады Белорусского гос. ун-та информатики и радиоэлектроники.- 2007.- № 3 (19).- С. 156-160.

49. Jones, A.C. Overview of chemical vapour deposition / A.C.Jones, M.L.Hitchman.- DOI 10.1039/9781847558794-00001 // Chemical Vapour Deposition: Precursors, Processes and Applications / Ed. by A.C.Jones, M.L.Hitchman.- The Royal Society of Chemistry, 2008.-P. 1-36.- ISBN 978-0-85404-465-8.

50. French, P. Precision in harsh environments / P.French, G.Krijnen, F.Roozeboom.- DOI 10.1038/micronano.2016.48 // Microsyst. Nanoeng.- 2016.- Vol. 2, No 1.- Article ID 16048.- 12 p.

51. New development of Atomic Layer Deposition: processes, methods and applications / P.O.Oviroh, R.Akbarzadeh, D.Pan, [et al.].- DOI 10.1080/14686996.2019.1599694 // Sci. Technol. Adv. Mater.- 2019.- Vol. 20, No 1.- P. 465-496.

52. From V.B. Aleskovskii's "framework" Hypothesis to the Method of Molecular Layering/ Atomic Layer Deposition / A.A.Malygin, A.A.Malkov, V.E.Drozd, V.M.Smirnov.- DOI 10.1002/cvde.201502013 // Chem. Vap. Deposition.- 2015.- Vol. 21, Nos 10-12.- P. 216-240.

53. Соснов, Е.А. Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов различного функционального назначения (обзор). I. История создания и развитие метода молекулярного наслаивания / Е.А.Соснов, А.А.Малков, А.А.Малыгин.- DOI 10.31857/S0044461821080028 // Журнал прикладной химии.- 2021.- Т. 94, № 8.- С. 967-985.

54. Соснов, Е.А. Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов различного функционального назначения (обзор). II. Технология молекулярного наслаивания и перспективы ее коммерциализации и развития в XXI веке / Е.А.Соснов, А.А.Малков, А.А.Малыгин.- DOI 10.31857/ S0044461821090024 // Журнал прикладной химии.- 2021.- Т. 94, № 9.- С. 1104-1137.

55. Crystallinity of inorganic films grown by atomic layer deposition: Overview and general trends / V.Miikkulainen, M.Leskela, M.Ritala, R.L.Puurunen.- DOI 10.1063/1.4757907 // J. Appl. Phys.- 2013.- Vol. 113, No 2.- Article ID 021301.- 101 p.

56. Multia, J. Atomic/Molecular Layer Deposition for Designer's Functional Metal-Organic Materials / J.Multia, M.Karppinen.- DOI 10.1002/admi.202200210 // Adv. Mater. Interfaces.-2022.- Vol. 9, No 15.- Article ID 2200210.- 39 p.

57. George, S.M. Atomic Layer Deposition: An Overview / S.M.George.- DOI 10.1021/ cr900056b // Chem. Rev.- 2010.- Vol. 110, No 1.- P. 111-131.

58. Atomic Layer Deposition of Nanostructured Materials / Ed. by N.Pinna, M.Knez.-Weinheim: Wiley-VCH, 2012.- 435 p.- ISBN 978-3-527-32797-3.

59. Atomic Layer Deposition: overview and applications / S.Shin, G.Ham, H.Jeon, [et al.].-DOI 10.3740/MRSK.2013.23.8.405 // Korean J. Mater. Res.- 2013.- Vol. 23, No 8.- P. 405-422.

60. Weimer, A.W. Particle Atomic Layer Deposition / A.W.Weimer.- DOI 10.1007/s11051-018-4442-9 // J. Nanopart. Res.- 2019.- Vol. 21, No 1.- Article ID 9.- 42 p.

61. Васильев, В.Ю. Атомно-Слоевое Осаждение тонких слоев нитрида кремния для микро- и наноэлектроники / В.Ю.Васильев.- DOI 10.7868/S2410993220010042 // Электронная техника. Сер. 3: Микроэлектроника.- 2020.- № 1 (177).- С. 31-41.

62. Ichinose, I. Alternate Molecular Layers of Metal Oxides and Hydroxyl Polymers Prepared by the Surface Sol-Gel Process / I.Ichinose, T.Kawakami, T.Kunitake.- DOI 10.1002/ (SICI)1521-4095(199805)10:7<535::AID-ADMA535>3.0.ra;2-Q // Adv. Mater.- 1998.-Vol. 10, No 7.- P. 535-539.

63. Fabrication of robust, self-cleaning, broadband TiO2-SiO2 double-layer antireflective coatings with closed-pore structure through a surface sol-gel process / C.Tao, X.Zou, K.Du, [et al.].- DOI 10.1016/jjallcom.2018.03.008 // J. Alloys Compd.- 2018.- Vol. 747.- P. 43-49.

64. Aleskovskii, V.B. Principles of the precise synthesis of supermolecular objects. Atomic Layer Epitaxy, Molecular Layering, Chemical Buildup / V.B.Aleskovskii, V.E.Drozd // Acta Polytech. Scand., Chem. Technol. and Metallurgy Ser.- 1990.- Vol. 195.- P. 155-161.

65. Ritala, M. Atomic Layer Deposition / M.Ritala, M.Leskelä.- DOI 10.1016/B978-012512908-4/50005-9 // Handbook of Thin Films Materials. Vol. 1. Deposition and Processing of Thin Films / Ed. by H.S.Halwa.- Academic Press, 2002.- P. 103-159.- ISBN 978-0-125-12908-4.

66. Desu, S.B. Ultra-thin TiO2 films by a novel method / S.B.Desu.- DOI 10.1016/0921-5107(92)90132-S // Mater. Sci. Eng., B.- 1992.- Vol. 13, No 4.- P. 299-303.

67. Higashi, G.S. Sequential surface chemical reaction limited growth of high quality Al2O3 dielectrics / G.S.Higashi, C.G.Fleming.- DOI 10.1063/1.102337 // Appl. Phys. Lett.-1989.- Vol. 55, No 19.- P. 1963-1965.

68. Fan, J.-F. Low-Temperature Growth of Thin Films of Al2O3 by Sequential Surface Chemical Reaction of trimethylaluminum and H2O2 / J.-F.Fan, K.Sugioka, K.Toyoda.-DOI 10.1143/JJAP.30.L1139 // Jpn. J. Appl. Phys.- 1991.- Vol. 30 (Pt. 2), No 6B.- P. L1139-L1141.

69. Fabrication of multilayers with growth controlled by sequential surface chemical reactions / H.Kumagai, M.Matsumoto, Y.Kawamura, [et al.].- DOI 10.1143/JJAP.33.7086 // Jpn. J. Appl. Phys.- 1994.- Vol. 33, No 12S.- P. 7086-7089.

70. Fabrication of titanium oxide thin films by controlled growth with sequential surface chemical reactions / H.Kumagai, M.Matsumoto, K.Toyoda, [et al.].- DOI 10.1016/0040-6090(95)06555-5 // Thin Solid Films.- 1995.- Vol. 263, No 1.- P. 47-53.

71. Döring, H. TiO2 Thin Films Prepared by Pulsed Beam Chemical Vapor Deposition from Titanium Tetraisopropoxide and Water / H.Döring, K.Hashimoto, A.Fujishima.- DOI 10.1002/bbpc.19920960416 // Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie.-1992.- Bd. 96, No 4.- S. 620-622.

72. Кольцов, С.И. Реакции молекулярного наслаивания / С.И.Кольцов.- Санкт-Петербург: Изд-во СПбТИ, 1992.- 63 с.

73. Алесковский, В.Б. Стехиометрия и синтез твердых соединений / В.Б.Алесковский.-Ленинград: Наука, 1976.- 140 с.

74. Suntola, T. Atomic Layer Epitaxy / T.Suntola, J.Hyvarinen.- DOI 10.1146/annurev. ms.15.080185.001141 // Annu. Rev. Mater. Sci.- 1985.- Vol. 15, No 1.- P. 177-195.

75. Suntola, T. Atomic Layer Epitaxy / T.Suntola.- DOI 10.1016/S0920-2307(89)80006-4 // Mater. Sci. Rep.- 1989.- Vol. 4, No 7.- P. 261-312.

76. Ritala, M. Atomic layer epitaxy - a valuable tool for nanotechnology? / M.Ritala, M.Leskelä.-DOI 10.1088/0957-4484/10/1/005 // Nanotechnology.- 1999.- Vol. 10, No 1.- P. 19-24.

77. Atomic layer epitaxy for producing EL-thin films / T.Suntola, J.Antson, A.Pakkala, S.Lindfors // SID Int. Symp.: Dig. Tech. Papers.- San Diego, California, Apr. 29 - May 1, 1980.- SID, 1980.- P. 108-109.

78. Pessa, M. Characterization of surface exchange reactions used to grow compound films / M.Pessa, R.Makela, T.Suntola.- DOI 10.1063/1.92274 // Appl. Phys. Lett.- 1981.- Vol. 38, No 3.- P. 131-132.

79. Min, J.S. Metal-organic atomic-layer deposition of titanium-silicon-nitride films / J.S.Min, H.S.Park, S.W.Kang.- DOI 10.1063/1.124742 // Appl. Phys. Lett.- 1999.- Vol. 75, No 11.-P. 1521-1523.

80. Investigations of titanium nitride as metal gate material, elaborated by metal organic atomic layer deposition using TDMAT and NH3 / F.Fillot, T.Morel, S.Minoret, [et al.].- DOI 10.1016/j.mee.2005.07.083 // Microelectron. Eng.- 2005.- Vol. 82, Nos 3-4.- P. 248-253.

81. Munoz-Rojas, D. Spatial atmospheric Atomic Layer Deposition: a new laboratory and industrial tool for low-cost photovoltaics / D.Munoz-Rojas, J.MacManus-Driscoll.- DOI 10.1039/C3MH00136A // Mater. Horizons.- 2014.- Vol. 1, No 3.- P. 314-320.

82. Status and prospects of plasma-assisted Atomic Layer Deposition / H.C.M.Knoops, T.Faraz, K.Arts, W.M.M.Kessels.- DOI 10.1116/1.5088582 // J. Vac. Sci. Technol., A.-2019.- Vol. 37, No 3.- Article ID 030902.- 26 p.

83. Zhou, H. Fabrication of organic interfacial layers by Molecular Layer Deposition: Present status and future opportunities / H.Zhou, S.F.Bent.- DOI 10.1116/1.4804609 // J. Vac. Sci. Technol., A.- 2013.- Vol. 31, No 4.- Article ID 040801.- 18 p.

84. Cameron, D.C. Molecular Layer Deposition / D.C.Cameron, T.V.Ivanova.- DOI 10.1149/ 05810.0263ecst // ECS Trans.- 2013.- Vol. 58, No 10.- P. 263-275.

85. Sundberg, P. Organic and inorganic-organic thin film structures by Molecular Layer Deposition: A review / P.Sundberg, M.Karppinen.- DOI 10.3762/bjnano.5.123 // Beilstein J. Nanotechnol.- 2014.- Vol. 5.- P. 1104-1136.

86. Meng, X. An overview of Molecular Layer Deposition for organic and organic-inorganic hybrid materials: mechanisms, growth characteristics, and promising applications / X.Meng.-DOI 10.1039/C7TA04449F // J. Mater. Chem., A.- 2017.- Vol. 5, No 35.- P. 18326-18378.

87. Surface processes in laser-atomic layer epitaxy (laser-ALE) of GaAs / T.Meguro, T.Suzuki, K.Ozaki, [et al.].- DOI 10.1016/0022-0248(88)90526-X // J. Cryst. Growth.-1988.- Vol. 93.- Nos 1-4.- P. 190-194.

88. Laser-assisted atomic layer epitaxy / Y.Aoyagi, T.Meguro, S.Iwai, A.Doi.- DOI 10.1016/ 0921-5107(91)90118-F // Mater. Sci. Eng., B.- 1991.- Vol. 10, No 2.- P. 121-132.

89. Overeview of Atomic Layer Etching in the semiconductor industry / K.J.Kanarik, T.Lill,

E.A.Hudson, [et al.].- DOI 10.1116/1.4913379 // J. Vac. Sci. Technol., A.- 2015. Vol. 33, No 2.- Article ID 020802.- 14 p.

90. Lee, Y. Atomic Layer Etching using thermal reactions: Atomic Layer Deposition in reverse / Y.Lee, J.W.DuMont, S.M.George.- DOI 10.1149/06907.0233ecst // ECS Trans.- 2015.-Vol. 69, No 7.- P. 233-241.

91. George, S.M. Mechanisms of thermal Atomic Layer Etching / S.M.George.- DOI 10.1021/acs.accounts.0c00084 // ACS Chem. Res.- 2020.- Vol. 53, No 6.- P. 1151-1160.

92. Thermal Atomic Layer Etching: A review / A.Fischer, A.Routzahn, S.M.George, T.Lill.-DOI 10.1116/6.0000894 // J. Vac. Sci. Technol., A.- 2021.- Vol. 39, No 3.- Article ID 030801.- 17 p.

93. Atomic Layer Etching: what can we learn from Atomic Layer Deposition? / T.Faraz,

F.Roozeboom, H.C.M.Knoops, W.M.M.Kessels.- DOI 10.1149/2.0051506jss // ECS J. Solid State Sci. Technol.- 2015.- Vol. 4, No 6.- P. N5023-N5032.

94. Song, S.K. Integrated isothermal Atomic Layer Deposition/Atomic Layer Etching supercycles for area-selective deposition of TiO2 / S.K.Song, H.Saare, G.N.Parsons.- DOI 10.1021/acs.chemmater.9b01143 // Chem. Mater.- 2019.- Vol. 31, No 13.- P. 4793-4804.

95. Parsons, G.N. Area-Selective Deposition: Fundamentals, Applications, and Future Outlook /

G.N.Parsons, R.D.Clark.- DOI 10.1021/acs.chemmater.0c00722 // Chem. Mater.- 2020.-Vol. 32, No 12.- P. 4920-4953.

96. Толстой, В.П. Синтез тонкослойных структур методом ионного наслаивания / В.П.Толстой // Успехи химии.- 1993.- Т. 62, № 3.- С. 260-266.

97. Толстой, В.П. Реакции ионного наслаивания. Применение в нанотехнологии / В.П.Толстой // Успехи химии.- 2006.- Т. 75, № 2.- С. 183-199.

98. Толстой, В.П. Основы нанотехнологии ионного наслаивания / В.П.Толстой.- Санкт-Петербург: Изд-во СПбГУ, 2020.- 142 с.- ^N 978-5-600-02586-8.

99. Nanoengineering catalyst supports via layer-by-layer surface functionalization / W.Yan, Sh.M.Mahurin, S.H.Overbury, Sh.Dai.- DOI 10.1007/s11244-006-0058-x // Top. Catal.-2006.- Vol. 39, Nos 3-4, P. 199-212.

100. Layer-by-layer nanoarchitectonics: invention, innovation, and evolution / K.Ariga, Y.Yamauchi, G.Rydzek, [et al.].- DOI 10.1246/cl.130987 // Chem. Lett.- 2014.- Vol. 43, No 1.- P. 36-68.

101. Innovation in layer-by-layer assembly / J.J.Richardson, J.Cui, M.Bjornmalm, [et al.].- DOI 10.1021/acs.chemrev.6b00627 // Chem. Rev.- 2016.- Vol. 116, No 23.- P. 14828-14867.

102. High-efficiency copper indium gallium diselenide (CIGS) solar cells with indium sulfide buffer layers deposited by atomic layer chemical vapor deposition (ALCVD) / N.Naghavi, S.Spiering, M.Powalla, [et al.].- DOI 10.1002/pip.508 // Prog. Photovolt.: Res. Appl.-2003.- Vol. 11, No 7.- P. 437-443.

103. Two-dimensional recrystallisation processes of nanometric vanadium oxide thin films grown by atomic layer chemical vapor deposition (ALCVD) evidenced by AFM / H.Groult, E.Balnois, A.Mantoux, [et al.].- DOI 10.1016/j.apsusc.2005.08.014 // Appl. Surf. Sci.- 2006.- Vol. 252, No 16.- P. 5917-5925.

104. Low-Temperature Process for Atomic Layer Chemical Vapor Deposition of an Al2O3 Passivation Layer for Organic Photovoltaic Cells / H.Kim, J.Lee, S.Sohn, D.Jung.- DOI 10.1166/jnn.2016.12205 // J. Nanoscience and Nanotechnol.- 2016.- Vol. 16, No 5.- P. 5285-5290.

105. Plasma & Materials Processing group at Eindhoven University of Technology (Netherlands), ALD Database : [сайт]. - Eindhoven, 2021.- DOI 10.6100/alddatabase. - URL: https://www. atomiclimits.com/alddatabase (дата обращения: 09.11.2024). - Текст, изображение : электронные.

106. Арсланов, В.В. Полимерные слои и пленки Ленгмюра-Блоджетт. Полиреакции в организованных молекулярных ансамблях, структурные превращения и свойства / В.В.Арсланов.- DOI 10.1070/RC1991v060n06ABEH001096 // Успехи химии.- 1991.Т. 60, № 6.- С. 1155-1189.

107. Арсланов, В.В. Полимерные монослои и пленки Ленгмюра-Блоджетт. Влияние химической структуры полимера и внешних условий на формирование и свойства организованных планарных ансамблей / В.В.Арсланов.- DOI 10.1070/ RC1994v063n01ABEH000069 // Успехи химии.- 1994.- Т. 63, № 1.- С. 3-42.

108. Арсланов, В.В. Полимерные монослои и пленки Ленгмюра-Блоджетт. Политиофены / В.В.Арсланов.- DOI 10.1070/RC2000v069n10ABEH000612 // Успехи химии.- 2000.Т. 69, № 10.- С. 963-980.

109. Park, J.Y. Nanostructured thin films from amphiphilic molecules / J.Y.Park, R.C.Advincula.-DOI 10.1016/B978-1-84569-812-6.50002-6 // Nanocoatings and ultra-thin films. Technologies and applications / Ed. by A.S.H.Makhlouf, I.Tiginyanu.- Cambridge, UK: Woodhead Publishing Ltd., 2011.- P. 24-56.- ISBN 978-1-8456-9812-6.

110. Травкин, Н.Н. Наноматериалы и нанотехнологии на основе пленок Ленгмюра-Блоджетт / Н.Н.Травкин // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России.- 2008.- № 2.- С. 33-35.

111. Суходолов, Н.Г. Новые материалы, полученные методом Ленгмюра-Блоджетт, и их применение в нанотехнологии и приборостроении (Ч. 1. Гибридные материалы) / Н.Г.Суходолов, Н.С.Иванов, Е.П.Подольская // Научное приборостроение.- 2013.Т. 23, № 1.- С. 86-105.

112. Хомутов, Г.Б. Неорганические наночастицы и наноструктуры в планарных наносистемах / Г.Б.Хомутов // Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии.-2012.- Т. 4, № 2.- С. 58-70.

113. Formation of Net-Like Patterns of Gold Nanoparticles in Liquid Crystal Matrix at the Air-Water Interface / J.Paczesny, K.Sozanski, I.Dzi^cielewski, [et al.].- DOI 10.1007/ s11051-012-0826-4 // J. Nanopart. Res.- 2012.- Vol. 14, No 4.- Article ID 826.- 11 p.

114. Исследование многослойных структур на основе пленок Ленгмюра-Блоджетт, содержащих квантовые точки CdSe/ZnS / И.А.Горбачев, А.С.Чумаков, А.В.Ермаков, [и др.] // Известия Саратовского ун-та. Новая серия. Серия: Физика.- 2013.- Т. 13, № 2.- С. 54-57.

115. Crawford, N.F. CdSe and CdSe(ZnS) Quantum Dots in 2D: A Langmuir Monolayer Approach / N.F.Crawford, R.M.Leblanc.- DOI 10.1016/j.ccr.2013.07.023 // Coord. Chem. Rev.- 2014.- Vol. 263-264.- P. 13-24.

116. Соломянский, А.Е. Формирование и трибологические свойства композиционных пленок Ленгмюра-Блоджетт стеариновой кислоты с дисульфидом молибдена и аморфным углеродом / А.Е.Соломянский, В.Е.Агабеков // Журнал прикладной химии.- 2017.- Т. 90, № 5.- С. 620-624.

117. Планарные наносистемы на основе комплексов амфифильного полиамина, наночастиц магнетита и молекул ДНК / В.П.Ким, А.В.Ермаков, Е.Г.Глуховской, [и др.] // Российские нанотехнологии.- 2014.- Т. 9, № 5-6.- С. 47-52.

118. Кузьменко, А.П. Сегнетоэлектрические пленки Ленгмюра-Блоджетт BаTiOз / А.П.Кузьменко, И.В.Чухаева, П.В.Абакумов.- Курск: Университетская книга, 2020.144 с.- ISBN 978-5-9074-1341-2.

119. Валянский, С.И. Наноматериалы: Ленгмюровские пленки / С.И.Валянский, Е.К.Наими.-Москва: МИСИС, 2014.- 188 с.- ISBN 978-5-87623-817-7.

120. Petty, M.C. Langmuir-Blodgett films: an introduction / M.C.Petty.- Cambridge, UK: Cambridge University Press, 1996.- 256 p.- ISBN 978-0-5214-2450-9.

121. Атомный состав и стабильность монослоев Ленгмюра-Блоджетт на основе силоксанового димера кватертиофена на поверхности поликристаллического золота / А.С.Комолов,

Э.Ф.Лазнева, Ю.М.Жуков, [и др.].- DOI 10.21883/FTT.2017.12.45249.132 // Физика твердого тела.- 2017.- Т. 59, № 12.- С. 2462-2467.

122. Brinker, C.F. Sol-Gel Science. The Physics and Chemistry of Sol-Gel Processing / C.F.Brinker, G.W.Scherer.- San Diego: Academic Press, Inc., 1990. - 908 p.- ISBN 9780-1213-4970-7.

123. Гапоненко, Н.В. Плёнки, сформированные золь-гель методом на полупроводниках и в мезопористых матрицах / Н.В.Гапоненко.- Минск: Белорусская наука, 2003.- 136 с.- ISBN 985-08-0368-1.

124. Золь-гель технология микро- и нанокомпозитов / В.А.Мошников, Ю.М.Таиров, Т.В.Хамова, О.А.Шилова ; Под ред. О.А.Шиловой.- Санкт-Петербург: Лань, 2013.304 с.- ISBN 978-5-8114-1417-8.

125. Handbook of Sol-Gel Science and Technology. Processing, Characterization and Applications. 2nd ed. / Ed. by L.Klein, M.Aparicio, A.Jitianu.- Springer Int. Publ. AG, 2018.- 3789 p.-ISBN 978-3-319-32099-1.

126. Семченко, Г.Д. Золь-гель процесс в керамической технологии / Г.Д.Семченко.-Харьков: Бизнес Информ, 1997.- 144 c.- ISBN 5-7763-8821-X.

127. Hasegawa, G. Studies on Porous Monolithic Materials Prepared via Sol-Gel Processes /

G.Hasegawa.- Springer Japan, 2013.- 207 p.- ISBN 978-4-431-54674-0.

128. Kozuka, H. Stress Evolution and Cracking in Sol-Gel-Derived Thin Films / H.Kozuka.-DOI 10.1007/978-3-319-32101-1_12 // Handbook of Sol-Gel Science and Technology. Processing, Characterization and Applications. 2nd ed. / Ed. by L.Klein, M.Aparicio,

A.Jitianu.- Springer Int. Publ. AG, 2018.- P. 275-311.- ISBN 978-3-319-32099-1.

129. Марков, В.Ф. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент / В.Ф.Марков, Л.Н.Маскаева, П.Н.Иванов.- Екатеринбург: УрО РАН, 2006.- 218 с.- ISBN 5-7691-1766-4.

130. Маскаева, Л.Н. Технология тонких пленок и покрытий / Л.Н.Маскаева, Е.А.Федорова,

B.Ф.Марков.- Екатеринбург: Уральский федеральный ун-т, 2019.- 236 с.- ISBN 9785-7996-2560-3.

131. Гидрохимическое осаждение поливинилацетата из водной дисперсии / Р.О.Альмашев,

H.А.Романько, Т.А.Енейкина, [и др.] // Бутлеровские сообщения.- 2013.- Т. 34, № 5.-

C. 49-54.

132. Ultrafast hydro-micromechanical synthesis of calcium zincate: Structural and morphological characterizations / V.Caldeira, L.Jouffret, J.Thiel, [et al.].- DOI 10.1155/2017/7369397 // J. Nanomaterials.- 2017.- Vol. 2017.- Article ID 7369397.- 8 p.

133. Получение проводящих пленок SnO2 с использованием гидрохимического осаждения / В.И.Рогозин, В.Ф.Марков, Л.Н.Маскаева, [и др.] // Бутлеровские сообщения.- 2019.Т. 60, № 11.- С. 1-10.

134. Yanguas-Gil, A. Growth and Transport in Nanostructured Materials. Reactive Transport in PVD, CVD, and ALD / A.Yanguas-Gil.- Springer, 2017.- 128 p.- ISBN 978-3-319-24670-3.

135. Initiated chemical vapor deposition (iCVD) of conformal polymeric nanocoatings for the surface modification of high-aspect-ratio pores / M.Gupta, V.Kapur, N.M.Pinkerton, K.K. Gleason.- DOI 10.1021/cm702810j // Chem. Mater.- 2008.- Vol. 20, No 4.- P. 1646-1651.

136. Gupta, M. Surface modification of high aspect ratio structures with fluoropolymer coatings using chemical vapor deposition / M.Gupta, K.K.Gleason.- DOI 10.1016/j.tsf.2009.01.037 // Thin Solid Films.- 2009.- Vol. 517, No 12.- P. 3547-3550.

137. Cremers, V. Conformality in atomic layer deposition: Current status overview of analysis and modelling / V.Cremers, R.L.Puurunen, J.Dendooven.- DOI 10.1063/1.5060967 // Appl. Phys. Rev.- 2019.- Vol. 6, No 2.- Article ID 021302.- 43 p.

138. A kinetic model for step coverage by atomic layer deposition in narrow holes or trenches / R.G.Gordon, D.Hausmann, E.Kim, J.Shepard.- DOI 10.1002/cvde.200390005 // Chem. Vap. Deposition.- 2003.- Vol. 9, No 2.- P. 73-78.

139. Ylilammi, M. Modeling growth kinetics of thin films made by atomic layer deposition in lateral high-aspect-ratio structures / M.Ylilammi, O.M.Ylivaara, R.L.Puurunen.- DOI 10.1063/1.5028178 // J. Appl. Phys.- 2018.- Vol. 123, No 20.- Article ID 205301.- 8 p.

140. Gao, F. Microscopic silicon-based lateral high-aspect-ratio structures for thin film conformality analysis / F.Gao, S.Arpiainen, R.L.Puurunen.- DOI 10.1116/1.4903941 // J. Vac. Sci. Technol., A.- 2015.- Vol. 33, No 1.- Article ID 010601.- 5 p.

141. Nucleation and conformality of iridium and iridium oxide thin films grown by atomic layer deposition / M.Mattinen, J.Hamalainen, F.Gao, [et al.].- DOI 10.1021/ acs.langmuir.6b03007 // Langmuir.- 2016.- Vol. 32, No 41.- P. 10559-10569.

142. Васильев, В.Ю. О методологии оценки конформности атомно-слоевого осаждения тонких пленок в высокоаспектных наноструктурах / В.Ю.Васильев.- DOI 10.22184/ 1993-8578.2019.12.3-4.194.204 // Наноиндустрия.- 2019.- Т. 12, № 3-4.- С. 194-204.

143. Conformal Coating on Ultrahigh-Aspect-Ratio Nanopores of Anodic Alumina by Atomic Layer Deposition / J.W.Elam, D.Routkevitch, P.P.Mardilovich, S.M.George.- DOI 10.1021/cm0303080 // Chem. Mater.- 2003.- Vol. 15, No 18.- P. 3507-3517.

144. Atomic layer deposition-based tuning of the pore size in mesoporous thin films studied by in situ grazing incidence small angle X-ray scattering./ J.Dendooven, K.Devloo-Casier, M.Ide, [et al.].- DOI 10.1039/C4NR05049E // Nanoscale.- 2014.- Vol. 6, No 24.- P. 14991-14998.

145. The crystal structure of tetrakis(dimethylamino)titanium (IV) / M.E.Davie, T.Foerster, S.Parsons, [et al.].- DOI 10.1016/j.poly.2005.10.019 // Polyhedron.- 2006.- Vol. 25, No 4.- P. 923-929.

146. Atomic Layer Deposition of SiO2 and TiO2 in Alumina Tubular Membranes: Pore Reduction and Effect of Surface Species on Gas Transport / M.A.Cameron, I.P.Gartland, J.A.Smith, [et al.].- DOI 10.1021/la9916981 // Langmuir.- 2000.- Vol. 16, No 19.- P. 7435-7444.

147. Surface modification of nanoporous alumina membranes by plasma polymerization / D.Losic, M.A.Cole, B.Dollmann, [et al.].- DOI 10.1088/0957-4484/19/24/245704 // Nanotechnology.- 2008.- Vol. 19, No 24.- Article ID 245704.- 7 p.

148. Controlled Nanoscale Morphology of Hematite (0001) Surfaces Grown by Chemical Vapor Transport / M.E.Greene, A.N.Chiaramonti, S.T.Christensen, [et al.].- DOI 10.1002/ adma.200401459 // Adv. Mater.- 2005.- Vol. 17, No 14.- P. 1765-1768.

149. Chemical vapor deposition and atomic layer deposition of coatings for mechanical applications / G.L.Doll, B.A.Mensah, H.Mohseni, T.W.Scharf.- DOI 10.1007/s11666-009-9364-8 // J. Therm. Spray Technol.- 2010.- Vol. 19, Nos 1-2.- P. 510-516.

150. Interfacial engineering of two-dimensional nano-structured materials by atomic layer deposition / S.Zhuiykov, T.Kawaguchi, Z.Hai, [et al.].- DOI 10.1016/j.apsusc.2016.09.040 // Appl. Surf. Sci.- 2017.- Vol. 392.- P. 231-243.

151. Товбин Ю.К. Молекулярная теория адсорбции в пористых телах / Ю.К.Товбин.-Москва: Физматлит, 2012.- 624 с.- ISBN 978-5-9221-1431-8.

152. Малыгин, А.А. Структурно-размерные эффекты и их применение в системах "ядро-нанооболочка", синтезированных методом молекулярного наслаивания / А.А.Малыгин, А.А.Малков, Е.А.Соснов // Известия Академии наук. Сер. химическая.- 2017.- № 11.-С. 1939-1962.

153. Surface and Thin Film Analysis: Principles, Instrumentation, Applications / Ed. by H.Bubert, H.Jenett.- Wiley-VCH Verlag GmbH, 2002.- 336 p.- ISBN 978-3-5273-0458-5.

154. Dimensional Micro and Nano Metrology / H.N.Hansen, K.Carneiro, H.Haitjema, L. De Chiffre.- DOI 10.1016/j.cirp.2006.10.005 // CIRP Annals. Manufacturing Technology.-2006.- Vol. 55, No 2.- P. 721-743.

155. Кларк, Э.Р. Микроскопические методы исследования материалов / Э.Р.Кларк, К.Н.Эберхардт.- Москва: Техносфера, 2007.- 376 с.- ISBN 978-5-94836-121-5.

156. Applications of Atomic Force Microscope (AFM) in the Field of Nanomaterials and Nanocomposites / S.Bandyopadhyay, S.K.Samudrala, A.K.Bhowmick, S.K.Gupta.- DOI 10.1007/978-0-387-48805-9_9 // Functional Nanostructures. Processing, Characterization, and Applications / Ed. by S.Seal.- New York, NY: Springer, 2008.- P. 504-568.- ISBN 978-0-387-35463-7.

157. Кузнецов, М.В. Современные методы исследования поверхности твердых тел / М.В. Кузнецов.- Екатеринбург: ИХТТ УрО РАН, 2010.- 43 с.

158. Научные основы нанотехнологий и новые приборы / Под ред. Р.Келсалла, А.Хамли, М.Геогегана.- Долгопрудный, Московская обл.: Интеллект, 2011.- 528 с.- ISBN 9785-91559-048-8.

159. Atomic layer deposition: state-of-the-art and research/industrial perspectives / E.Marin, A.Lanzutti, F.Andreatta, [et al.].- DOI 10.1515/CORRREV.2011.010 // Corros. Rev.-2011.- Vol. 29, Nos 5-6.- P. 191-208.

160. Вознесенский, Э.Ф. Методы структурных исследований материалов. Методы микроскопии / Э.Ф.Вознесенский, Ф.С.Шарифуллин, И.Ш.Абдуллин.- Казань: Изд-во КНИТУ, 2014.- 184 с.- ISBN 978-5-7882-1545-7.

161. Compendium of Surface and Interface Analysis / Ed. by The Surface Science Society of Japan.- Singapore: Springer, 2018.- 853 p.- ISBN 978-981-10-6155-4.

162. Графитизация поверхности алмаза при высокодозной ионной бомбардировке / Н.Н.Андрианова, А.М.Борисов, В.А.Казаков, [и др.].- DOI 10.7868/S0367676516020046 // Известия РАН. Сер. физическая.- 2016.- Т. 80, № 2.- С. 175-180.

163. Дедкова, А.А. Возможности и ограничения метода контактной профилометрии при определении перепада высот для контроля топологических элементов и толщины слоев / А.А.Дедкова, В.Ю.Киреев, М.А.Махиборода.- DOI 10.31145/2224-8412-202020-2-23-40 // Наноструктуры. Математическая физика и моделирование.- 2020.- Т. 20, № 2.- С. 23-40.

164. Корольков, В.П. Модернизация микроинтерферометров МИИ-4 и МИИ-4М / В.П. Корольков, А.Е.Качкин, Р.В.Шиманский // Мир измерений.- 2012.- № 10.- С. 37-41.

165. Using a monochromator to improve the resolution in TEM to below 0.5 A. Part II: Application to focal series reconstruction / P.C.Tiemeijer, M.Bischoff, B.Freitag, C.Kisielowski.-DOI 10.1016/j.ultramic.2012.03.019 // Ultramicroscopy.- 2012.- Vol. 118.- P. 35-43.

166. Luo, Z. A practical guide to transmission electron microscopy: Fundamentals / Z.Luo.-Momentum Press, LLC, 2016.- 152 p.- ISBN 978-1-6065-0703-2.

167. Синдо, Д. Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия / Д.Синдо, Т.Оикава.- Москва: Техносфера, 2006.- 256 с.- ISBN 5-94836-064-4.

168. Williams, D.B. Transmission Electron Microscope. A textbook for Materials Science / D.B.Williams, C.B.Carter.- New York, NY: Springer Science & Business Media, LLC, 2009.- 760 p.- ISBN 978-1-4757-2519-3.

169. Растровая электронная микроскопия для нанотехнологий. Методы и применение / Под ред. У.Жу, Ж.Л.Уанга.- Москва: Лаборатория знаний, 2021.- 601 с.- ISBN 9785-00101-142-2.

170. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Т. 1. / Дж.Гоулдстейн, Д.Ньюбери, П.Эчлин, [и др.].- Москва: Мир, 1984.- 303 с.

171. Zayats, A.V. Nano-optics and near-field optical microscopy / A.V.Zayats, D.Richards.-Norwood: Artech House, 2008.- 378 p.- ISBN 978-1-5969-3283-8.

172. Либенсон, М.Н. Преодоление дифракционного предела в оптике / М.Н.Либенсон // Соросовский образовательный журн.- 2000.- Т. 6б № 3.- С. 99-104.

173. Безапертурная микроскопия ближнего оптического поля / Д.В.Казанцев, Е.В.Кузнецов, С.В.Тимофеев, [и др.].- DOI 10.3367/UFNr.2016.05.037817 // Успехи физ. наук.-2017.- Т. 187, № 3.- С. 277-295.

174. Ash, E.A. Super-resolution aperture scanning microscope / E.A.Ash, G.Nicholls.- DOI 10.1038/237510a0 // Nature.- 1972.- Vol. 237, No 5357.- P. 510-512.

175. Анализ методов контроля шероховатости подложек для изделий электронной техники / И.Ш.Невлюдов, И.В.Жарикова, И.Д.Перепелица, А.Г.Резниченко // ВосточноЕвропейский журн. передовых технологий.- 2014.- Т. 2, № 5 (68).- С. 25-30.

176. Dubois, A. Effects of phase change on reflection in phase-measuring interference microscopy / A.Dubois.- DOI 10.1364/AO.43.001503 // Appl. Opt.- 2004.- Vol. 43, No 7.- P. 1503-1507.

177. Rodriguez, J.M. Surface roughness of impression materials and dental stones scanned by non-contacting laser profilometry / J.M.Rodriguez, R.V.Curtis, D.W.Bartlett.- DOI 10.1016/j.dental.2008.10.003 // Dent. Mater.- 2009.- Vol. 25, No 4.- P. 500-505.

178. Брандон, Д. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля / Д.Брандон, У.Каплан.- Москва: Техносфера, 2006.- 384 с.- ISBN 5-94836-018-0.

179. Girkin, J. A Practical Guide to Optical Microscopy / J.Girkin.- CRC Press, 2019.- 278 p.-ISBN 978-1-3151-1535-1.

180. Webb, R.H. Confocal optical microscopy / R.H.Webb.- DOI 10.1088/0034-4885/59/3/003 // Rep. Prog. Phys.- 1996.- Vol. 59, No 3.- P. 427-471.

181. Тимченко, Е.В. Цифровая оптическая микроскопия / Е.В.Тимченко, П.Е.Тимченко.-Самара: Изд-во Самарского ГАУ, 2015.- 104 с.- ISBN 978-5-7883-1003-9.

182. Принципы флюоресцентной микроскопии cверхвысокого разрешения (обзор) / Н.В. Клементьева, Е.В.Загайнова, К.А.Лукьянов, А.С.Мишин.- DOI 10.17691/stm2016.8.2.17 // Современные технологии в медицине.- 2016.- Т. 8, № 2.- С. 130-140.

183. Huang, B. Super-resolution fluorescence microscopy / B.Huang, M.Bates, X.Zhuang.-DOI 10.1146/annurev.biochem.77.061906.092014 // Annu. Rev. Biochem.- 2009.- Vol. 78.- P. 993-1016.

184. Direct stochastic optical reconstruction microscopy with standard fluorescent probes / S. Van de Linde, A.Loschberger, T.Klein, [et al.].- DOI 10.1038/nprot.2011.336 // Nat. Protocols.- 2011.-Vol. 6, No 7.- P. 991-1009.

185. Rust, M. Sub-diffraction-limit imaging by stochastic optical reconstruction microscopy (STORM) / M.Rust, M.Bates, X.Zhuang.- DOI 10.1038/nmeth929 // Nat. Methods.-2006.- Vol. 3, No 10.- P. 793-796.

186. Synergizing Superresolution Optical Fluctuation Imaging With Single Molecule Localization Microscopy / S.Schidorsky, X.Yi, Y.Razvag, [et al.].- DOI 10.1088/2050-6120/aadc2b // Methods Appl. Fluoresc.- 2018.- Vol. 6, No 4.- Article ID 045008.- 16 p.

187. Imaging intracellular fluorescent proteins at nanometer resolution / E.Betzig, G.H.Patterson, R.Sougrat, [et al.].- DOI 10.1126/science.1127344 // Science.- 2006.- Vol. 313, No 5793.-P. 1642-1645.

188. Hess, S.T. Ultra-high resolution imaging by fluorescence photoactivation localization microscopy / S.T.Hess, T.P.K.Girirajan, M.D.Mason.- DOI 10.1529/biophysj.106.091116 // Biophys. J.- 2006.- Vol. 91, No 11.- P. 4258-4272.

189. Resolution scaling in STED microscopy / B.Harke, J.Keller, C.K.Ullal, [et al.].- DOI 10.1364/OE.16.004154 // Opt. Express.- 2008.- Vol. 16, No 6.- P. 4154-4162.

190. Imaging columns of the light elements carbon, nitrogen and oxygen with sub Angstrom resolution / C.Kisielowski, C.J.D.Hetherington, Y.C.Wang, [et al.].- DOI 10.1016/S0304-3991(01)00090-0 // Ultramicroscopy.- 2001.- Vol. 89, No 4.- P. 243-263.

191. O'Keefe, M.A. HRTEM imaging of atoms at sub-Angstrom resolution / M.A.O'Keefe, L.F.Allard, D.A.Blom.- DOI 10.1093/jmicro/dfi036 // J. Electron Microsc.- 2005.- Vol. 54, No 3.- P. 169-180.

192. Yacaman, M.J. Aberration-Corrected Electron Microscopy of Nanoparticles / M.J.Yacaman, U.Santiago, S.Mejia-Rosales.- DOI 10.1007/978-3-319-15177-9_1 // Advanced transmission electron microscopy: Applications to nanomaterials / Ed. by F.L.Deepak, A.Mayoral, R.Arenal.- Switzerland: Springer Int. Publ., 2015.- P. 1-29.- ISBN 978-3-319-15176-2.

193. Еловиков, С.С. Разрушение поверхности твердого тела медленными электронами / С.С.Еловиков // Соросовский образовательный журн.- 1999.- № 10.- С. 100-107.

194. Kanaya, K.A. Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets / K.A.Kanaya, S.Okayama.- DOI 10.1088/0022-3727/5/1/308 // J. Phys. D: Appl. Phys.- 1972.- Vol. 5, No 1.- P. 43-58.

195. Лукьянов, Ф.А. Глубина пробега первичных электронов, размытие электронного пучка и пространственное разрешение в электронно-зондовых исследованиях / Ф.А. Лукьянов, Э.И.Рау, Р.А.Сеннов // Известия РАН. Сер. физическая.- 2009.- Т. 73, № 4.- С. 463-472.

196. Shimizu, R. Monte Carlo Calculations of the Electron-Sample Interactions in the Scanning Electron Microscope / R.Shimizu, K.Murata.- DOI 10.1063/1.1659606 // J. Appl. Phys.-1971.- Vol. 42, No 1.- P. 387-394.

197. Koshikawa, T. A Monte Carlo calculation of low-energy secondary electron emission from metals / T.Koshikawa, R.Shimizu.- DOI 10.1088/0022-3727/7/9/318 // J. Phys., D.-1974.- Vol. 7, No 9.- P. 1303-1315.

198. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Т. 2. / Дж.Гоулдстейн, Д.Ньюбери, П.Эчлин, [и др.].- Москва: Мир, 1984.- 348 с.

199. Рау, Э.И. Контраст изображений локально заряженных диэлектриков в растровой электронной микроскопии / Э.И.Рау, А.А.Татаринцев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исслед.- 2012.- № 11.- С. 47-54.

200. Imaging Pauli repulsion in scanning tunneling microscopy / C.Weiss, C.Wagner, C.Kleimann, [et al.].- DOI 10.1103/PhysRevLett.105.086103 // Phys. Rev. Lett.- 2010.-Vol. 105, No 8.- Article ID 086103.- 4 p.

201. Maximising the resolving power of the scanning tunneling microscope / L.Jones, S.Wang, X.Hu, M.R.Castell.- DOI 10.1186/s40679-018-0056-7 // Adv. Struct. Chem. Imaging.-2018.- Vol. 4, No 1.- Article ID 7.- 8 p.

202. 7x7 reconstruction on Si(111) resolved in real space / G.Binnig, H.Rohrer, C.Gerber, E.Weibel.- DOI 10.1103/PhysRevLett.50.120 // Phys. Rev. Lett.- 1983.- Vol. 50, No 2.-P. 120-123.

203. Бинниг, Г. Сканирующая туннельная микроскопия - от рождения к юности / Г.Бинниг, Г.Рорер // Успехи физ. наук.- 1988.- Т. 1S4, № 2.- С. 261-278.

204. Сорбенты на основе силикагеля в радиохимии. Химические свойства. Применение / Под ред. Б.Н.Ласкорина.- Москва: Атомиздат, 1977.- 304 с.

205. Eрмаков, Ю.И. Закрепленные комплексы на окисных носителях в катализе / Ю.И^рмаков, В.А.Захаров, Б.Н.Кузнецов.- Новосибирск: Наука, Сибирское отд-ние, 1980.- 248 с.

206. Киселев, А.В. Межмолекулярные взаимодействия в адсорбции и хроматографии / А.В.Киселев.- Москва: Высшая школа.- 1986.- 360 с.

207. Модифицированные кремнеземы в сорбции, катализе и хроматографии / Под ред. Г.В.Лисичкина.- Москва: Химия, 1986.- 248 с.

208. Зайцев В.Н. Комплексообразующие кремнеземы: синтез, строение привитого слоя и химия поверхности / В.Н.Зайцев.- Харьков: Фолио, 1997.- 240 с.

209. NT-MDT Spectrum Instruments. AFM, SNOM, TERS probes, test samples & calibration gratings (Зеленоград, Москва) : [сайт].- Москва, 1998-2024.- URL: http://www.ntmdt-tips.com (дата обращения: 11.11.2024). - Текст, изображение : электронные.

210. Кузнецова, Т.А. Микрозонды для определения силы адгезии и удельной поверхностной энергии методом атомно-силовой микроскопии / Т.А.Кузнецова, Н.В.Чижик, Т.И.Ширяева // Приборы и методы измерений.- 2013.- № 1(6).- С. 41-4S.

211. Миронов, В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии / В.Л.Миронов.- Москва: Техносфера, 2004.- 144 с.- ISBN S-94836-034-2.

212. Scanning Probe Microscopy in Industrial Applications. Nanomechanical Characterization / Ed. by D.G.Yablon.- Hoboken, NJ: John Wiley & Sons, Inc., 2013.- 347 p.- ISBN 9781-1182-8823-8.

213. Атомно-силовая микроскопия для исследования наноструктурированных материалов и приборных структур / В.А.Мошников, Ю.М.Спивак, В.А.Алексеев, Н.В.Пермяков.-Санкт-Петербург: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2013.- 140 с.- ISBN 978-S-7629-1471-0.

214. Meyer, E. Scanning Probe Microscopy. The Lab on a Tip / E.Meyer, R.Bennewitz, H.J.Hug.-Cham: Springer, 2021.- 322 p.- ISBN 978-3-030-37091-6.

215. NT-MDT Spectrum Instruments. Основы работы сканирующего зондового микроскопа (Зеленоград, Москва) : [сайт].- Москва, 201S-2024.- URL: https://www.ntmdt-si.ru/resources/spm-theory/theoretical-background-of-spm (дата обращения: 11.11.2024). - Текст, изображение : электронные.

216. Галлямов, М.О. Сканирующая зондовая микроскопия нуклеиновых кислот и тонких органических пленок : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : Дисс. ... канд. физ.-мат. наук / Галлямов, Марат Олегович ; МГУ.- Москва, 1999.- 227 с.

217. Synge, E.H. A suggested method for extending microscopic resolution into the ultra-microscopic region / E.H.Synge.- DOI 10.1080/14786440808564615 // The London, Edinburgh, and Dublin Philosophical Magazine and Journal of Science.- 1928.- Vol. 6, No 35.- P. 356-362.

218. Girard, C. Near-field optics theories / C.Girard, A.Dereux.- DOI 10.1088/0034-4885/59/5/002 // Rep. Prog. Phys.- 1996.- Vol. 59, No 5.- P. 657-699.

219. Wang, J. Development and prospect of near-field optical measurements and characterizations / J.Wang, Q.Wang, M.Zhang.- DOI 10.1007/s12200-012-0257-y // Front. Optoelectronics.-2012.- Vol. 5, No 2.- P. 171-181.

220. Lereu, A.L. Near field optical microscopy: a brief review / A.L.Lereu, A.Passian, P.Dumas.- DOI 10.1504/IJNT.2012.045353 // Int. J. Nanotechnology.- 2012.- Vol. 9, Nos 3-7.- P. 488-501.

221. Pohl, D.W. Optical stethoscopy: Image recording with resolution У20 / D.W.Pohl, W.Denk, M.Lanz.- DOI 10.1063/1.94865 // Appl. Phys. Lett.- 1984.- Vol. 44, No 7.- P. 651-653.

222. Betzig, E. Near-Field Optics: Microscopy, Spectroscopy, and Surface Modification Beyond the Diffraction Limit / E.Betzig, J.K.Trautman.- DOI 10.1126/science.257.5067.189 // Science.- 1992.- Vol. 257, No 5067.- P. 189-195.

223. Моисеев, С.Г. Ближнепольная оптическая микроскопия при наличии переходного слоя / С.Г.Моисеев, С.В.Сухов // Оптика и спектроскопия.- 2005.- Т. 98, № 2.- С. 346-351.

224. The scanning ion-conductance microscope / P.K.Hansma, B.Drake, O.Marti, [et al.].- DOI 10.1126/science.2464851 // Science.- 1989.- Vol. 243, No 4891.- P. 641-643.

225. Соснов, Е.А. Методы зондовой микроскопии. Сканирующая ионная микроскопия: учебное пособие / Е.А.Соснов.- Санкт-Петербург: СПбГТИ(ТУ), 2015.- 52 с.

226. Imaging Proteins in Membranes of Living Cells by High-Resolution Scanning Ion Conductance Microscopy / A.I.Shevchuk, G.I.Frolenkov, D.Sánchez, [et al.].- DOI 10.1002/ anie.200503915 // Angew. Chem. Int. Ed.- 2006.- Vol. 118, No 14.- P. 2270-2274.

227. Nanoscale live cell imaging using hopping probe ion conductance microscopy / P.Novak, C.Li, A.I.Shevchuk, [et al.].- DOI 10.1038/nmeth.1306 // Nat. Methods.- 2009.- Vol. 6, No 4.- P. 279-281.

228. Archer, R.J. Measurement of oxygen adsorption on silicon by ellipsometry / R.J.Archer, G.W.Gobeli.- DOI 10.1016/0022-3697(65)90163-0 // J. Phys. Chem. Solids.- 1965.- Vol. 26, No 2.- P. 343-351.

229. Аззам, Р. Эллипсометрия и поляризованный свет / Р.Аззам, Н.Башара.- Москва: Мир, 1981.- 583 с.

230. Chason, E. Thin film and surface characterization by specular X-ray reflectivity / E.Chason, T.M.Mayer.- DOI 10.1080/10408439708241258 // Crit. Rev. Solid State Mater. Sci.-1997.- Vol. 22, No 1.- P. 1-67.

231. Gibaud, A. X-ray reflectivity and diffuse scattering / A.Gibaud, S.Hazra // Current Science.- 2000.- Vol. 78, No 12.- P. 1467-1477.

232. Рентгеновская рефлектометрия и атомно-силовая микроскопия поверхностей с негауссовыми шероховатостями / В.Л.Миронов, О.Г.Удалов, Б.А.Грибков, А.А.Фраерман // Нано- и микросистемная техника.- 2007.- № 9.- С. 8-15.

233. Громов, В.К. Введение в эллипсометрию / В.К.Громов.- Ленинград: Изд-во ЛУ, 1986.- 192 с.

234. Пшеницын, В.И. Эллипсометрия в физико-химических исследованиях / В.И.Пшеницын, М.И.Абаев, Н.Ю.Лызлов.- Ленинград: Химия, 1986.- 152 с.

235. Fujiwara, H. Spectroscopic Ellipsometry: Principles and Applications / H.Fujiwara.- Chichester, West Sussex: John Wiley & Sons, Ltd., 2007.- 369 p.- ISBN 978-0-4700-1608-4.

236. Эллипсометрия неоднородных поверхностных слоев анизотропных оптических элементов / А.А.Новиков, И.А.Храмцовский, В.Ю.Иванов, [и др.] // Известия ВУЗов. Приборостроение.- 2009.- Т. 52, № 1.- С. 62-68.

237. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы / Под ред. В.В.Лучинина, Ю.М.Таирова.- Москва: Физматлит, 2006.- 552 с.

238. A Tutorial on Spectroscopic Ellipsometry (SE). 3. Surface Roughness / D.I.Patel, D.Shah, N.H.James, [et al.] // Vacuum Technology & Coating Magazine.- 2019.- No 6.- P. 32-35.

239. Швец, В.А. Анализ оптически неоднородных слоев методом in situ эллипсометрии / В.А.Швец // Оптика и спектроскопия.- 2010.- Т. 108, № 6.- С. 1042-1048.

240. Спектрально-эллипсометрическое исследование тонких пленок на поверхности GaAs, выращенных методом хемостимулированного термооксидирования / В.Ф.Кострюков, И.Я.Миттова, В.А.Швец, [и др.].- DOI 10.7868/S0002337X1409005X // Неорганические материалы.- 2014.- Т. 50, № 9.- С. 956-962.

241. Свиташёва, С.Н. Развитие метода эллипсометрии для исследования наноразмерных пленок диэлектриков, полупроводников и металлов : специальность 01.04.01 "Приборы

и методы экспериментальной физики" : Дисс. докт. физ.-мат. наук / Свиташёва Светлана Николаевна ; Ин-т физики полупроводников им. A.B.Ржанова СО РАН.-Новосибирск, 2013.- 354 с.

242. Швец, В.А. О точности эллипсометрического контроля при выращивании полупроводниковых наноструктур / В.А.Швец // Оптика и спектроскопия.- 2009.- Т. 107, № 5.- С. 822-825.

243. Петраков, А.П. Метод рентгеновской рефлектометрии и его применение для исследования лазерного испарения окисной пленки с поверхности кремния / А.П.Петраков // Журнал технической физики.- 2003.- Т. 73, № 4.- С. 129-134.

244. Molecular layer deposition of alucone polymer films using trimethylaluminum and ethylene glycol / A.A.Dameron, D.Seghete, B.B.Burton, [et al.].- DOI 10.1021/cm7032977 // Chem. Mater.- 2008.- Vol. 20, No 10.- P. 3315-3326.

245. Structural investigations of self-assembled monolayers for organic electronics: Results from X-ray reflectivity / A.Khassanov, H.G.Steinruck, T.Schmaltz, [et al.].- DOI 10.1021/ acs.accounts.5b00022 // Acc. Chem. Res.- 2015.- Vol. 48, No 7.- P. 1901-1908.

246. Structure of the fluorapatite (100)-water interface by high-resolution X-ray reflectivity / C.Park, P.Fenter, Z.Zhang, [et al.].- DOI 10.2138/am-2004-11-1209 // Am. Mineral.-2004.- Vol. 89, Nos 11-12.- P. 1647-1654.

247. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / Отв. ред. А.Л.Асеев.-Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004.- 367 с.

248. Рентгеновское малоугловое рассеяние, синхротронное излучение и структура био- и наносистем / Д.И.Свергун, Э.В.Штыкова, В.В.Волков, Л.А.Фейгин // Кристаллография.-2011.- Т. 56, № 5.- С. 777-804.

249. Цыбуля, С.В. Рентгеноструктурный анализ ультрадисперсных систем: формула Дебая / С.В.Цыбуля, Д.А.Яценко // Журнал структурной химии.- 2012.- Т. 53, № S7.- С. 155-171.

250. D-STEM: A parallel electron diffraction technique applied to nanomaterials / K.J.Ganesh, M.Kawasaki, J.P.Zhou, P.J.Ferreira.- DOI 10.1017/S1431927610000334 // Microsc. Microanal.- 2010.- Vol. 16, No 5.- P. 614-621.

251. Киселев, M.A. Методы исследования липидных наноструктур на нейтронных и синхротронных источниках / M.A.Киселев // Физика элементарных частиц и атомного ядра.- 2011.- Т. 42, № 2.- С. 577-635.

252. Нейтронный Фурьe-дифрактометр ФСД для исследования остаточных напряжений в материалах и промышленных изделиях / Г.Д.Бокучава, A.M.Балагуров, В.В.Сумин,

И.В.Папушкин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исслед.-2010.- № 11.- С. 9-21.

253. Braun, W. Applied RHEED. Reflection High-Energy Electron Diffraction During Crystal Growth / W.Braun.- Heidelberg: Springer Science & Business Media, 1999.- 220 p.-ISBN 978-3-540-49485-0.

254. Анализ неразрушающих методов измерения и контроля толщины тонких пленок / А.Е.Шупенев, Н.С.Панкова, И.С.Коршунов, А.Г.Григорьянц.- DOI 10.18698/05361044-2019-4-18-27 // Известия ВУЗов. Машиностроение.- 2019.- № 4 (709).- С. 18-27.

255. Контроль упругих напряжений в гетероструктурах III-N методом дифракции отраженных быстрых электронов в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии / Д.В.Нечаев, В.Н.Жмерик, А.М.Мизеров, [и др.] // Письма в Журн. технической физики.- 2012.- Т. 38, № 9.- С. 96-102.

256. Свергун, Д.И. Рентгеновское и нейтронное малоугловое рассеяние / Д.И.Свергун, Л.А.Фейгин.- Москва: Наука, 1986.- 280 с.

257. Василевская, Т.Н. Изучение структуры стеклообразных нанопористых матриц методом рентгеновского малоуглового рассеяния / Т.Н.Василевская, Т.В.Антропова // Физика твердого тела.- 2009.- Т. 51, № 12.- С. 2386-2393.

258. Larichev, Y.V. Small angle X-ray scattering study for supported catalysts: From solids to sols / Y.V.Larichev.- DOI 10.1016/j.nanoso.2020.100647 // Nano-Structures and Nano-Objects.- 2021.- Vol. 25.- Article ID 100647.- 5 p.

259. Китайгородский, А.И. Рентгеноструктурный анализ мелкокристаллических и аморфных тел / А.И.Китайгородский.- Москва; Ленинград: Гостехиздат, 1952.- 588 с.

260. Порай-Кошиц, М.А. Практический курс рентгеноструктурного анализа / М.А.Порай-Кошиц.- Т. 2.- Москва: Изд-во Московского ун-та, 1960.- 632 с.

261. Качанов, Н.Н. Рентгеноструктурный анализ (поликристаллов) / Н.Н.Качанов, Л.И.Миркин.- Москва: Машгиз, 1960.- 216 с.

262. Гинье, А. Рентгенография кристаллов: Теория и практика / А.Гинье.- Москва: Физматлит, 1961.- 604 с.

263. Бокий, Г.Б. Рентгеноструктурный анализ / Г.Б.Бокий, М.А.Порай-Кошиц.- Т. 1.- 2-е изд.- Москва: Изд-во Московского ун-та, 1964.- 489 с.

264. Порай-Кошиц, М.А. Основы структурного анализа химических соединений / М.А.Порай-Кошиц.- 2-е изд., перераб. и доп.- Москва: Высшая школа, 1989.- 191 с.-ISBN 5-06-000074-5.

265. Скрышевский, А.Ф. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел / А.Ф.Скрышевский.- 2-е изд., перераб. и доп.- Москва: Высш. школа, 1980.- 328 с.

266. Асланов, Л.А. Основы теории дифракции рентгеновских лучей / Л.А.Асланов, Е.Н.Треушников.- Москва: Изд-во МГУ, 1985.- 216 с.

267. Ковба, Л.М. Рентгенография в неорганической химии / Л.М.Ковба.- Москва: Изд-во МГУ, 1991.- 254 с.- ISBN 5-211-01630-0.

268. Фетисов, Г.В. Синхротронное излучение. Методы исследования структуры веществ / Г.В.Фетисов; под ред. Л.А.Асланова.- Москва: Физматлит, 2007.- 671 с.- ISBN 9785-9221-0805-8.

269. Физические основы рентгеноструктурного исследования кристаллических материалов / А.А.Клопотов, Ю.А.Абзаев, А.И.Потекаев, [и др.].- Томск: Изд-во Томского политехнического ун-та, 2013.- 263 с.

270. Cullity, B.D. Elements of X-Ray Diffraction / B.D.Cullity, S.R.Stock.- Harlow, Essex: Pearson Education Ltd., 2014.- 649 p.- ISBN 978-1-292-04054-7.

271. Рентгенография катализаторов в контролируемых условиях температуры и среды / Под ред. Л.М.Плясовой.- Новосибирск: Ин-т Катализа им. Г.К.Борескова СО РАН, 2011.- 183 с.- ISBN 978-5-9902-5573-9.

272. Electron diffraction techniques. Vol. 1 / Ed. by J.M.Cowley.- Oxford: Oxford University Press, 1992.- 584 p.

273. Electron diffraction techniques. Vol. 2 / Ed. by J.M.Cowley.- Oxford: Oxford University Press, 1993.- 423 p.

274. Кулыгин, А.К. Прецизионные измерения интенсивностей в электронографии / А.К.Кулыгин, А.С.Авилов.- DOI 10.31857/S1028096020080129 // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исслед.- 2020.- № 8.- С. 50-55.

275. Объединенный Институт Ядерных Исследований. Лаборатория Нейтронной Физики им. И.М. Франка (Дубна, Россия) : [сайт].- Дубна, 2023.- URL: https://flnp.jinr.int/ru/ (дата обращения: 12.11.2024). - Текст, изображение : электронные.

276. НИЦ "Курчатовский институт". Исследовательско-технологическая база (Москва) : [сайт].- Москва, 2024.- URL: http://nrcki.ru/catalog/nauka/issledovatelsko-tekhnologicheskaya-baza/ (дата обращения: 12.11.2024). - Текст, изображение : электронные.

277. Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН (Екатеринбург) : [сайт].-Екатеринбург, 2024.- URL: https://www.imp.uran.ru (дата обращения: 12.11.2024). -Текст, изображение : электронные.

278. ФГБУН Институт ядерных исследований РАН (Москва). ЦКП Ускорительный центр нейтронных исследований структуры веществаи ядерной медицины: [сайт].-Москва, 2001-2024.- URL: https://www.inr.ru/ckp-new/ (дата обращения: 12.11.2024). - Текст, изображение : электронные.

279. Ежов, В.Ф. Для чего нужны нейтроны / В.Ф.Ежов, В.В.Федоров.- Гатчина: ПИЯФ РАН, 2007.- 41 с.

280. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д.Бриггса, М.П.Сиха.- Москва: Мир, 1987.- 600 с.

281. Углов, В.В. Методы анализа элементного состава поверхностных слоев / В.В.Углов, Н.Н.Черенда, В.М.Анищик.- Минск: БГУ, 2007.- 167 с.- ISBN 978-9-85485-813-5.

282. Kanarik, K.J. Atomic layer etching: rethinking the art of etch / K.J.Kanarik, S.Tan, R.A.Gottscho.- DOI 10.1021/acsjpclett.8b00997 // J. Phys. Chem. Lett.- 2018.- Vol. 9, No 16.- P. 4814-4821.

283. Predicting synergy in atomic layer etching / K.J.Kanarik, S.Tan, W.Yang, [et al.].- DOI 10.1116/1.4979019 // J. Vac. Sci. Technol., A.- 2017.- Vol. 35, No 5.- Article ID 05C302.- 7 p.

284. Пентин, Ю.А. Физические методы исследования в химии / Ю.А.Пентин, Л.В.Вилков.-Москва: Мир, 2006.- 683 с.- ISBN 5-03-003770-5.

285. Tougaard, S. Surface Analysis | X-ray Photoelectron Spectroscopy / S.Tougaard.- DOI 10.1016/B978-0-12-409547-2.00527-8 // Encyclopedia of Analytical Science.- 3rd ed.-Academic Press, 2013.- P. 400-409.- ISBN 978-0-0810-1984-9.

286. Теребинская, М.И. Рентгенофотоэлектронная и ОЖЕ-спектроскопия в исследованиях поверхности твердого тела / М.И.Теребинская, О.И.Ткачук, В.В.Лобанов // Поверхность.-2016.- Вип. 8 (23).- С. 15-49.

287. Honig, R.E. Surface and thin film analysis of semiconductor materials / R.E.Honig.- DOI 10.1016/0040-6090(76)90356-4 // Thin Solid Films.- 1976.- Vol. 31, Nos 1-2.- P. 89-122.

288. X-ray fluorescence spectrometry / P.J.Potts, A.T.Ellis, P.Kregsamer, [et al.].- DOI 10.1039/A907571B // J. Anal. At. Spectrom.- 1999.- Vol. 14, No 11.- P. 1773-1799.

289. Крылов, О.В. Адсорбция и катализ на переходных металлах и оксидах / О.В.Крылов, В.Ф.Киселёв.- Москва: Химия, 1981.- 288 с.

290. Бёккер, Ю. Спектроскопия / Ю.Бёккер.- Москва: Техносфера, 2009.- 528 с.- ISBN 978-5-94836-220-5.

291. Conrady, A.E. Applied Optics and Optical Design. Part II / A.E.Conrady ; Ed. by R.Kingslake.-New York, USA: Dover Publications, Inc., 1988.- 310 p.- ISBN 0-486-67008-2.

292. Сущинский, М.М. Резонансное неупругое рассеяние света в кристаллах / М.М. Сущинский.- DOI 10.3367/UFNr.0154.198803a.0353 // Успехи физ. наук.- 1988.- Т. 154, № 3.- С. 353-379.

293. Goldsmith, N.T. Deep focus; a digital image processing technique to produce improved focal depth in light microscopy / N.T.Goldsmith.- DOI 10.5566/ias.v19.p163-167 // Image Analysis & Stereology.- 2000.- Vol. 19, No 3.- P. 163-167.

294. Gouadec, G. Raman Spectroscopy of Nanomaterials: How Spectra Relate to Disorder, Particle Size and Mechanical Properties / G.Gouadec, Ph.Colomban.- DOI 10.1016/ j.pcrysgrow.2007.01.001 // Prog. Cryst. Growth Charact. Mater.- 2007.- Vol. 53, No 1.- P. 1-56.

295. Chemical mapping of a single molecule by plasmon-enhanced Raman scattering / R.Zhang, Y.Zhang, Z.C.Dong, [et al.].- DOI 10.1038/nature12151 // Nature.- 2013.- Vol. 498, No 7452.- P. 82-86.

296. Chen, C. A 1.7 nm resolution chemical analysis of carbon nanotubes by tip-enhanced Raman imaging in the ambient / C.Chen, N.Hayazawa, S.Kawata.- DOI 10.1038/ncomms4312 // Nat. Commun.- 2014.- Vol. 5.- Article ID 3312.- 5 p.

297. Colomban, Ph. Raman analyses and "smart" imaging of nanophases and nanosized materials / Ph.Colomban // Spectroscopy Europe.- 2003.- Vol. 15, No 6.- P. 8-16.

298. Никоненко, Н.А. Определение толщины тонких полимерных слоев методом ИК спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения / Н.А.Никоненко, О.Н.Третинников // Журнал прикладной спектроскопии.- 2008.- Т. 75, № 6.- С. 881-885.

299. Авт. свид. № 1128114 СССР, МПК G01B 11/06. Способ определения толщины пленки : № 3602391 : заявл. 11.04.1983 : опубл. 07.12.1984 / В.С.Горелик, Р.Н.Хашимов, М.М.Сущинский, [и др.].- 3 с.

300. Seah, M.P. Quantitative electron spectroscopy of surfaces: A standard data base for electron inelastic mean free paths in solids / M.P.Seah, W.A.Dench.- DOI 10.1002/sia.740010103 // Surf. Interface Anal.- 1979.- Vol. 1, No 1.- P. 2-11.

301. Castaing, R. Electron Probe Microanalysis / R.Castaing.- DOI 10.1016/S0065-2539(08) 60212-7 // Advances in Electronics and Electron Physics.- 1960.- Vol. 13.- P. 317-386.

302. Физика и химия поверхности. Кн. I. Физика поверхности (в 2-х т.) / Под ред. Н.Т.Картеля, В.В.Лобанова.- Т. 2.- Киев: ИХП им. А.А.Чуйко НАН Украины, 2015.522 с.- ^N 978-617-696-305-9.

303. Recent trends in quantitative aspects of microscopic X-ray fluorescence analysis / K.Janssens, W. De Nolf, G. Van Der Snickt, [et al.].- DOI 10.1016/j.trac.2010.03.003 // Trends Anal. Chem.- 2010.- Vol. 29, No 6.- P. 464-478.

304. Альфорд, Т.Л. Фундаментальные основы анализа нанопленок / Т.Л.Альфорд, Л.К.Фельдман, Дж.В.Майер.- Москва: Научный мир, 2012.- 392 с.- ISBN 978-591522-225-9.

305. Толстой, В.П. Введение в оптическую абсорбционную спектроскопию наноразмерных материалов / В.П.Толстой.- Санкт-Петербург: Изд-во "СОЛО", 2014.- 187 с.- ISBN 978-5-98340-345-8.

306. Thiede, M. In situ UV/VIS/near-IR diffuse reflection measurement of catalysts at temperatures up to 673 K / M.Thiede, J.Melsheimer.- DOI 10.1063/1.1430730 // Rev. Sci. Instrum.- 2002.- Vol. 73, No 2.- P. 394-397.

307. Смит, А. Прикладная ИК-спектроскопия / А.Смит.- Москва: Мир, 1982.- 328 с.

308. Conrady, A.E. Applied Optics and Optical Design. Part I / A.E.Conrady ; Ed. by R.Kingslake.-New York, USA: Dover Publications, Inc., 1985.- 518 p.- ISBN 0-486-67007-4.

309. Ferraro, J.R. Introductory Raman Spectroscopy / J.R.Ferraro, K.Nakamoto, C.W.Brown.-2nd ed.- Academic Press, 2002.- ISBN 978-0-12254-105-6.

310. Tolstoy, V.P. Handbook of infrared spectroscopy of ultrathin films / V.P.Tolstoy, I.V.Chernyshova, V.A.Skryshevsky.- John Wiley & Sons, Inc., 2003.- 733 p.- ISBN 9780-471-35404-8.

311. Davydov, A.A. Molecular spectroscopy of oxide catalyst surfaces / A.A.Davydov ; Ed. by N.T. Sheppard.- Hoboken, NJ: John Wiley & Sons Ltd, 2003.- 668 p.- ISBN 0-417-98731-X.

312. Инфракрасная спектроскопия твердотельных систем пониженной размерности / А.И.Ефимова, Л.А.Головань, П.К.Кашкаров, [и др.].- Санкт-Петербург: Лань, 2018.248 с.- ISBN 978-5-8114-2378-1.

313. Smith, E. Modern Raman spectroscopy: a practical approach / E.Smith, G.Dent.- 2nd ed.-Hoboken, NJ: John Wiley & Sons Ltd, 2019.- 241 p.- ISBN 978-1-11944-055-0.

314. Харрик, Н. Спектроскопия внутреннего отражения / Н.Харрик.- Москва: Мир, 1970.- 336 с.

315. Singha, A. A nondestructive tool for nanomaterials: Raman and photoluminescence spectroscopy / A.Singha, P.Dhar, A.Roy.- DOI 10.1119/1.1819933 // Am. J. Phys.- 2005.-Vol. 73, No 3.- P. 224-233.

316. Купцов, А.Х. Фурье-КР и Фурье-ИК спектры полимеров / А.Х.Купцов, Г.Н.Жижин.-Москва: Техносфера, 2013.- 696 с.- ISBN 978-5-94836-360-8.

317. Взаимодействие лазерного излучения с веществом / Сост. Е.В.Тимченко, П.Е.Тимченко.-Самара: Изд-во Самарского ГАУ, 2014.- 60 с.

318. Tyler, G. ICP-OES, ICP-MS and AAS Techniques Compared / G.Tyler // ICP Optical Emission Spectroscopy. Technical Note, 5.- Longjumeau, France: Horiba Group, 2003.- 11 p.

319. Булатов, М.И. Практическое руководство по фотометрическим методам анализа / М.И.Булатов, И.П.Калинкин.- Ленинград: Химия, 1986.- 432 с.

320. Binnig, G. Atomic force microscope / G.Binnig, C.F.Quate, C.Gerber.- DOI 10.1103/ PhysRevLett.56.930 // Phys. Rev. Lett.- 1986.- Vol. 56, No 9.- P. 930-933.

321. Atomic Force Microscope: Implementations / P.C.D.Hobbs, Y.Martin, C.C.Williams, H.K.Wickramasinghe.- DOI 10.1117/12.944504 // Proc. SPIE 0897, Scanning Microscopy Technologies and Applications. Los Angeles, CA, USA, Jan. 11-17, 1988.- Los Angeles, CA, US: SPIE, 1988.- P. 23-30.

322. Сканирующая микроскопия поверхности, использующая силы межатомного взаимодействия / С.И.Васильев, В.Б.Леонов, Ю.Н.Моисеев, В.И.Панов // Письма в Журн. Технической Физики.- 1988.- Т. 14, № 8.- С. 727-731.

323. Rugar, D. Atomic force microscopy / D.Rugar, P.Hansma.- DOI 10.1063/1.881238 // Phys. Today.- 1990.- Vol. 43, No 10.- P. 23-30.

324. Observation of magnetic forces by the atomic force microscope / J.J.Saenz, N.Garcia, P.Grütter, [et al.].- DOI 10.1063/1.339105 // J. Appl. Phys.- 1987.- Vol. 62, No 10.- P. 4293-4295.

325. Using force modulation to image surface elasticities with the atomic force microscope / P.Maivald, H.J.Butt, S.A.C.Gould, [et al.].- DOI 10.1088/0957-4484/2/2/004 // Nanotechnology.- 1991.- Vol. 2, No 2.- P. 103-106.

326. Atomic force microscopy using a piezoresistive cantilever / M.Tortonese, H.Yamada, R.C.Barrett, C.F.Quate.- DOI 10.1109/SENSOR.1991.148908 // TRANSDUCERS'91: 1991 Int. Conf. on Solid-State Sensors and Actuators. Digest of Technical Papers. San Francisco, CA, USA, June 24-27, 1991.- San Francisco, CA, USA: IEEE, 1991.- P. 448451.- ISBN 0-87942-585-7.

327. Sarid, D. Scanning Force Microscopy With Applications to Electric, Magnetic, and Atomic Forces.- Revised ed. / D.Sarid.- Oxford, UK: Oxford University Press, 1994.- 288 p.-ISBN 978-0-1950-9204-2.

328. Влияние титаноксидных нанопокрытий на качество поверхности стеклянных изделий электронной техники / А.А.Малков, Е.А.Соснов, А.А.Малыгин, [и др.] // Физика и химия стекла.- 2006.- Т. 32, № 1.- С. 100-105.

329. Дорофеев, В.П. Исследование методами СЗМ и эллипсометрии начальных стадий формирования нанопленок оксидов титана и олова на Si/SiO2 / В.П.Дорофеев,

ЕА.Соснов, А.А.Малыгин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исслед.- 2006.- № 2.- С. 55-60.

330. Синтез и свойства пленок ПВХ с модифицированной поверхностью / О.Б.Кучеренко, К.Колерт, Е.А.Соснов, А.А.Малыгин // Журнал прикладной химии.- 2006.- Т. 79, № 8.- С. 1330-1333.

331. Исследование нанопокрытий, синтезированных методом молекулярного наслаивания на поверхности стеклянных матриц / Е.А.Соснов, В.П.Дорофеев, А.А.Малков, [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исслед.- 2006.- № 9.-С. 44-50.

332. Влияние химического модифицирования поверхности полиэтилена галогенидами фосфора, бора, титана, ванадия и кремния на его паропроницаемость / С.А.Трифонов, Е.А.Соснов, Ю.С.Белова, [и др.] // Журнал прикладной химии.- 2007.- Т. 80, № 8.-

C. 1374-1379.

333. Atomic force microscopy study of titanium dioxide thin films grown by Atomic Layer Epitaxy / M.Ritala, M.Leskela, L.-S.Johansson, L.Niinisto.- DOI 10.1016/0040-6090(93) 90557-6 // Thin Solid Films.- 1993.- Vol. 228, Nos 1-2.- P. 32-35.

334. Соснов, Е.А. Возможности АСМ для исследования процессов химической сборки наноматериалов / Е.А.Соснов // Химия поверхности и нанотехнология высокоорганизованных веществ : сб. науч. тр.- Санкт-Петербург: СПбГТИ(ТУ), 2007.- С. 275-291.

335. Sosnov, E.A. AFM Approaches to the Analysis of ALD Products / E.A.Sosnov, A.S. Tsipanova // Advances in Materials Science Research. Vol. 63 / Ed. by M.C.Wythers.-New York, USA: Nova Science Publishers, 2023.- P. 119-174.- ISBN 979-8-88697-791-2.

336. Соснов, Е.А. Возможности атомно-силовой микроскопии для исследования продуктов молекулярного наслаивания / Е.А.Соснов, А.С.Кочеткова.- DOI 10.1134/ S0207352819010189 // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исслед.- 2019.- № 5.- С. 3-16.

337. Lanza, M. A review on resistive switching in high-k dielectrics: A nanoscale point of view using Conductive Atomic Force Microscope / M.Lanza.- DOI 10.3390/ma7032155 // Materials.- 2014.- Vol. 7, No 3.- P. 2155-2182.

338. Kaariainen, M.-L. TiO2 thin films and doped TiO2 nanolaminates, their structure and its effect on their photoactivity and photocatalytic properties / M.-L.Kaariainen, T.Kaariainen,

D.C.Cameron // 50th Annual Technical Conf. Proc., Optical Coating.- Nov. 4, 2007.-Albuquerque, NM: Soc. of Vacuum Coaters, 2007.- P. 335-339.

339. Kaariainen, M.-L. Titanium dioxide thin films, their structure and its effect on their photoactivity and photocatalytic properties / M.-L.Kaariainen, T.O.Kaariainen, D.C.Cameron.-DOI 10.1016/j.tsf.2009.05.001 // Thin Solid Films.- 2009.- Vol. 517, No 24.- P. 6666-6670.

340. Controlling the grain size of polycrystalline TiO2 films grown by atomic layer deposition / I.K.Piltaver, R.Peter, I.Saric, [et al.].- DOI 10.1016/j.apsusc.2017.04.146 // Appl. Surf. Sci.- 2017.- Vol. 419.- P. 564-572.

341. Surface Engineered CuO Nanowires with ZnO Islands for CO2 Photoreduction / W.N.Wang, F.Wu, Y.Myung, [et al.].- DOI 10.1021/am508590j // ACS Appl. Mater. Interfaces.- 2015.- Vol. 7, No 10.- P. 5685-5692.

342. Влияние природы подложки на формирование тонких пленок оксида титана методом молекулярного наслаивания / В.В.Антипов, А.П.Беляев, А.А.Малыгин, В.П. Рубец, Е.А.Соснов // Журнал прикладной химии.- 2008.- Т. 81, № 12.- С. 1937-1941.

343. Stable anatase TiO2 coating on quartz fibers by atomic layer deposition for photoactive light-scattering in dye-sensitized solar cells / D.H.Kim, H.-J.Koo, J.S.Jur, [et al.].- DOI 10.1039/c2nr30939d // Nanoscale.- 2012.- Vol. 4, No 15.- P. 4731-4738.

344. Исследование структуры поверхности слоев диоксида олова для газовых сенсоров атомно-силовой микроскопией / М.В.Бестаев, Д.Ц.Димитров, А.Ю.Ильин, [и др.] // Физика и техника полупроводников.- 1998.- Т. 32, № 6.- С. 654-667.

345. Growth mechanism of TiN film on dielectric films and the effects on the work function / K.Choi, P.Lysaght, H.Alshareef, [et al.].- DOI 10.1016/j.tsf.2004.11.239 // Thin Solid Films.- 2005.- Vol. 486, Nos 1-2.- P. 141-144.

346. Atomic layer deposition of palladium films on Al2O3 surfaces / J.W.Elam, A.Zinovev, C.Y.Han, [et al.].- DOI 10.1016/j.tsf.2006.05.049 // Thin Solid Films.- 2006.- Vol. 515, No 4.- P. 1664-1673.

347. Nucleation period, surface roughness, and oscillations in mass gain per cycle during W atomic layer deposition on Al2O3 / R.W.Wind, F.H.Fabreguette, Z.A.Sechrist, S.M.George.-DOI 10.1063/1.3103254 // J. Appl. Phys.- 2009.- Vol. 105, No 7.- Article ID 074309.- 13 p.

348. Atomic layer deposition of antimony oxide and antimony sulfide / R.B.Yang, J.Bachmann, M.Reiche, [et al.].- DOI 10.1021/cm900623v // Chem. Mater.- 2009.- Vol. 21, No 13.- P. 2586-2588.

349. Spagnola, J.C. Surface texture and wetting stability of polydimethylsiloxane coated with aluminum oxide at low temperature by atomic layer deposition / J.C.Spagnola, B.Gong, G.N.Parsons.- DOI 10.1116/1.3488604 // J. Vac. Sci. Technol., A.- 2010.- Vol. 28, No 6.-P. 1330-1337.

350. Atomic layer deposition of HfO2 on graphene from HfCl4 and H2O / H.Alles, J.Aarik, A.Aidla, [et al.].- DOI 10.2478/s11534-010-0040-x // Central Eur. J. Phys.- 2011.- Vol. 9, No 2.- P. 319-324.

351. In situ study of the atomic layer deposition of HfO2 on Si / K.Kolanek, M.Tallarida, M.Michling, D.Schmeisser.- DOI 10.1116/1.3668080 // J. Vac. Sci. Technol., A.- 2012.-Vol. 30, No 1.- Article ID 01A143.- 15 p.

352. Lee, H.-B.-R. Microstructure-dependent nucleation in atomic layer deposition of Pt on TiO2 / H.-B.-R.Lee, S.F.Bent.- DOI 10.1021/cm202764b // Chem. Mater.- 2012.- Vol. 24, No 2.- P. 279-286.

353. Kolanek, K. Height distribution of atomic force microscopy images as a tool for atomic layer deposition characterization / K.Kolanek, M.Tallarida, D.Schmeisser.- DOI 10.1116/ 1.4754557 // J. Vac. Sci. Technol., A.- 2013.- Vol. 31, No 1.- Article ID 01A104.- 9 p.

354. Influence of subsurface hybrid material growth on the mechanical properties of atomic layer deposited thin films on polymers / Yu.Sun, R.P.Padbury, H.I.Akyildiz, [et al.].- DOI 10.1002/cvde.201207042 // Chem. Vap. Deposition.- 2013.- Vol. 19, Nos 4-6.- P. 134-141.

355. Effect of process temperature and reaction cycle number on atomic layer deposition of TiO2 thin films using TiCl4 and H2O precursors: correlation between material properties and process environment / W.Chiappim, G.E.Testoni, J.S.B.de Lima, [et al.].- DOI 10.1007/s13538-015-0383-2 // Brazilian J. Phys.- 2016.- Vol. 46, No 1.- P. 56-69.

356. Influence of reactive surface groups on the deposition of oxides thin film by atomic layer deposition / R.Edy, G.Huang, Y.Zhao, [et al.].- DOI 10.1016/j.surfcoat.2017.09.047 // Surf. Coat. Technol.- 2017.- Vol. 329.- P. 149-154.

357. Postdeposition annealing on VO2 films for resistive random-access memory selection devices / H.Lim, H.Cho, H.Kim, [et al.].- DOI 10.1116/1.5021082 // J. Vac. Sci. Technol., A.- 2018.- Vol. 36, No 5.- Article ID 051501.- 6 p.

358. Atomic layer deposition growth of SnS2 films on diluted buffered oxide etchant solution-treated substrate / N.Lee, G.Lee, H.Choi, [et al.].- DOI 10.1016/j.apsusc.2019.143689 // Appl. Surf. Sci.- 2019.- Vol. 496.- Article ID 143689.- 8 p.

359. Atomic layer deposition-enabled single layer of tungsten trioxide across a large area / S.Zhuiykov, L.Hyde, Zh.Hai, [et al.].- DOI 10.1016/j.apmt.2016.12.004 // Appl. Mater. Today.- 2017.- Vol. 6.- P. 44-53.

360. Погоцкая, И.В. Определение модуля упругости нанопокрытий методом атомно-силовой микроскопии / И.В.Погоцкая, Т.А.Кузнецова, С.А.Чижик // Механика машин, механизмов и материалов.- 2011.- № 3 (16).- С. 43-48.

361. TiO2 nanosheets synthesized by atomic layer deposition for photocatalysis / R.Edy, Y.Zhao, G.S.Huang, [et al.].- DOI 10.1016/j.pnsc.2016.08.010 // Prog. Mater Sci.: Mater. Int.- 2016.- Vol. 26, No 5.- P. 493-497.

362. Nanotribological properties of ALD-made ultrathin MoS2 influenced by film thickness and scanning velocity / Y.Huang, L.Liu, J.Yang, Y.Chen.- DOI 10.1021/acs.langmuir.8b03970 // Langmuir.- 2019.- Vol. 35, No 10.- P. 3651-3657.

363. Schmidt, O.G. Thin solid films roll up into nanotubes / O.G.Schmidt, K.Eberl.- DOI 10.1038/35065525 // Nature.- 2001.- Vol. 410, No 6825.- P. 168.

364. Characterization of Thin Film Dissolution in Water with in situ Monitoring of Film Thickness Using Reflectometry / A.S.Yersak, R.J.Lewis, J.Tran, Y.-Ch.Lee.- DOI 10.1021/acsami.6b03606 // ACS Appl. Mater. Interfaces.- 2016.- Vol. 8, No 27.- P. 17622-17630.

365. Schwartzberg, A.M. Complex Materials by Atomic Layer Deposition / A.M.Schwartzberg, D.Olynick.- DOI 10.1002/adma.201500699 // Adv. Mater.- 2015.- Vol. 27, No 38.- P. 5778-5784.

366. Preparation and characterization of molybdenum disulfide films obtained by one-step atomic layer deposition method / Y.Huang, L.Liu, W.Zhao, Y.Chen.- DOI 10.1016/ j.tsf.2017.01.015 // Thin Solid Films.- 2017.- Vol. 624.- P. 101-105.

367. Tripathi, T.S. Efficient Process for Direct Atomic Layer Deposition of Metallic Cu Thin Films Based on an Organic Reductant / T.S.Tripathi, M.Karppinen.- DOI 10.1021/ acs.chemmater.6b04597 // Chem. Mater.- 2017.- Vol. 29, No 3.- P. 1230-1235.

368. A combined coating strategy based on atomic layer deposition for enhancement of corrosion resistance of AZ31 magnesium alloy / X.Liu, Q.Yang, Zh.Li, [et al.].- DOI 10.1016/j.apsusc.2017.11.032 // Appl. Surf. Sci.- 2018.- Vol. 434.- P. 1101-1111.

369. Layered deposition of SnS2 grown by atomic layer deposition and its transport properties / N.Lee, G.Lee, H.Choi, [et al.].- DOI 10.1088/1361-6528/ab2d89 // Nanotechnology.-2019.- Vol. 30, No 40.- Article ID 405707.- 9 p.

370. Large area, patterned growth of 2D MoS2 and lateral MoS2-WS2 heterostructures for nano- and opto-electronic applications / A.Sharma, R.Mahlouji, L.Wu, [et al.].- DOI 10.1088/1361-6528/ab7593 // Nanotechnology- 2020.- Vol. 31, No 25.- Article ID 255603.- 12 p.

371. Investigation of the growth of few-layer SnS2 thin films via atomic layer deposition on an O2 plasma-treated substrate / N.Lee, H.Choi, H.Park, [et al.].- DOI 10.1088/1361-6528/ab8041 // Nanotechnology.- 2020.- Vol. 31, No 26.- Article ID 265604.- 10 p.

372. MoS2 solid-lubricating film fabricated by atomic layer deposition on Si substrate / Y.Huang, L.Liu, J.Lv, [et al.].- DOI 10.1063/1.5021051 // AIP Advances.- 2018.- Vol. 8, No 4.- Article ID 045216.- 6 p.

373. A low-temperature synthesis of electrochemical active Pt nanoparticles and thin films by atomic layer deposition on Si(111) and glassy carbon surfaces / R.Liu, L.Han, Zh.Huang, [et al.].- DOI 10.1016/j.tsf.2015.04.018 // Thin Solid Films.- 2015.- Vol. 586.- P. 28-34.

374. Nanoscale structure and morphology of atomic layer deposition platinum on SrTi03(001) / S.T.Christensen, J.W.Elam, B.Lee, [et al.].- DOI 10.1021/cm8026863 // Chem. Mater.-2009.- Vol. 21, No 3.- P. 516-521.

375. Aluminum oxide nucleation in the early stages of atomic layer deposition on epitaxial graphene / E.Schiliro, R.L.Nigro, S.E.Panasci, [et al.].- DOI 10.1016/j.carbon.2020.07.069 // Carbon.- 2020.- Vol. 169.- P. 172-181.

376. ZnO quantum dots embedded in a SiO2 nanoparticle layer grown by atomic layer deposition / M.K.Wu, Y.T.Shih, M.J.Chen, [et al.].- DOI 10.1002/pssr.200802281 // Phys. Status Solidi RRL.- 2009.- Vol. 3, Nos 2-3.- P. 88-90.

377. Heterogeneity in the small-scale deformation behavior of disordered nanoparticle packings / J.A.Lefever, T.D.B.Jacobs, Q.Tam, [et al.].- DOI 10.1021/acs.nanolett.5b05319 // Nano Lett.- 2016.- Vol. 16, No 4.- P. 2455-2462.

378. Hakim, L.F. Modification of interparticle forces for nanoparticles using atomic layer deposition / L.F.Hakim, J.H.Blackson, A.W.Weimer.- DOI 10.1016/j.ces.2007.07.013 // Chem. Eng. Sci.- 2007.- Vol. 62, No 22.- P. 6199-6211.

379. Coating alumina on catalytic iron oxide nanoparticles for synthesizing vertically aligned carbon nanotube arrays / X.Wang, P.J.Krommenhoek, Ph.D.Bradford, [et al.].- DOI 10.1021/am201082m // ACS Appl. Mater. Interfaces.- 2011.- Vol. 3, No 11.- P. 4180-4184.

380. Andersson, K.M. Friction and adhesion of single spray-dried granules containing a hygroscopic polymeric binder / K.M.Andersson, L. Bergstrom.- DOI 10.1016/ j.powtec.2005.05.055 // Powder Technol.- 2005.- Vol. 155, No 2.- P. 101-107.

381. Atomic force microscopy and direct surface force measurements (IUPAC Technical Report) / J.Ralston, I.Larson, M.W.Rutland, [et al.].- DOI 10.1351/pac200577122149 // Pure Appl. Chem.- 2005.- Vol. 77, No 12.- P. 2149-2170.

382. Quasicubic a-Fe2O3 nanoparticles embedded in TiO2 thin films grown by atomic layer deposition / A.Tamm, L.Seinberg, Je.Kozlova, [et al.].- DOI 10.1016/j.tsf.2016.06.036 // Thin Solid Films.- 2016.- Vol. 612.- P. 445-449.

383. Галлямов, М.О. Количественные методики восстановления истинных топографических свойств объектов по измеренным АСМ-изображениям. 2. Эффект уширения АСМ-профиля / М.О.Галлямов, И.В.Яминский // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исслед.- 2000.- № 7.- С.63-66.

384. Mesoporous catalytic membranes: Synthetic control of pore size and wall composition / M.J.Pellin, P.C.Stair, G.Xiong, [et al.].- DOI 10.1007/s10562-005-5843-9 // Catal. Lett.-2005.- Vol. 102, Nos 3-4.- P. 127-130.