Спектры локальных уровней в фуллерите С60 и новых комплексах на его основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Самодуров, Александр Алексеевич

• Самодуров, Александр Алексеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Самодуров, Александр Алексеевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ФУЛЛЕРИТА С

И НОВЫХ КОМПЛЕКСОВ НА ЕГО ОСНОВЕ

1.1. Физические свойства фуллерита Сбо

1.1.1. Атомарная структура молекулы Сбо и фуллерита на ее основе

1.1.2. Ориентационная структура Сбо

1.1.3. Электронная структура Сбо

1.1.4. Оптические свойства Сбо

1.1.5. Электрические свойства Сбо

1.1.5.1. Транспортные параметры

1.1.5.2. Проводимость

1.1.5.3. Модели проводимости

1.1.5.4. Фотопроводимость

1.1.5.5. Влияние кислорода на проводимость и фотопроводимость

1.2. Влияние изменения температуры на электрические и оптические свойства фуллерита Сбо

1.3. Структура донорно-акцепторных комплексов на основе фуллерена Сбо

1.3.1. Комплексы TMPDA-C^ и TBPDA-2C

1.3.2. Комплекс LCV-C6o-C6H5Cl

1.3.3. Комплексы [{HgtH-Pradtc^b-DMPKCeoV^HjCl^ и [{Cd(H-Pr2dtc)2}2-DMP]-(C6o)5-(C6H5Cl)

1.3.4. Комплекс {Cun(dedtc)2}2-C6o

1.4 Методы, используемые в работе для исследования локальных уровней

1.5. Цели и задачи исследования

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1. Основные положения теории методов термостимулированного тока и тока, ограниченного пространственным зарядом

2.1.1. Термостимулированный ток

2.1.2. Ток, ограниченный пространственным зарядом

2.1.2.1. Основные уравнения теории ТОПЗ для гауссова приближения

2.1.2.2. Инжектирующие контакты с молекулярными кристаллами

2.2. Экспериментальная методика исследования спектров локальных уровней в запрещенной зоне фуллерита Сбо и комплексов на его основе

2.2.1. Методика измерения термостимулированного тока

2.2.2. Методика измерения токов, ограниченных пространственным зарядом, в фуллерите Сбо

2.2.3. Методика измерения спектров фотопроводимости фуллерита Сбо

2.3. Образцы для исследований и методика их получения

2.4. Выводы по главе 2;

ГЛАВА 3. СПЕКТРЫ ЛОКАЛЬНЫХ УРОВНЕЙ В ФУЛЛЕРИТЕ С

3.1 Результаты исследования спектров электронных ловушек, полученные методом термостимулированного тока

3.2. Результаты исследования энергетического спектра ловушек в фуллерите Сбо в рамках теории ТОПЗ в модели гауссова приближения

3.3. Температурная зависимость спектров фотопроводимости фуллерита Сбо

3.3.1. Экспериментальные результаты исследования температурной зависимости спектров фотопроводимости фуллерита Сбо

3.3.2. Влияние изменения температуры на механизмы фотопроводимости фуллерита

3.4. Выводы по главе 3,

ГЛАВА 4. СПЕКТРЫ ЛОКАЛЬНЫХ УРОВНЕЙ В НОВЫХ КОМПЛЕКСАХ НА

ОСНОВЕ ФУЛЛЕРИТА С60;

4.1. Экспериментальные результаты измерения термостимулированного тока i в комплексах на основе фуллерита Сбо

4.2. Режимы термостимулирванной проводимости, реализующиеся в комплексах на основе фуллерита Сбо

I 4.3. Выводы по главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Спектры локальных уровней в фуллерите С60 и новых комплексах на его основе»

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность темы. Диссертация посвящена изучению природы транспортных

• у свойств и характеристик фуллерита Сбо, а также новых комплексов на его основе. Исследования проводились в условиях, близких к естественной области возможного применения данных материалов по температурному интервалу 250.850 К, диапазону длин волн возбуждающего излучения 270.600 нм и величине индукции магнитного поля 0.Д4 Тл. Это важно в связи с перспективой практического использования этих материалов в микро- и наноэлектронике в качестве рабочего материала для фоторезисторов и полевых транзисторов, эффективных фотоэлектрических преобразователей энергии, в оптоэлектронных устройствах [1, 2] и т.д. Как следствие, в

- У последнее время возросла активность в области исследований свойств различных модифицированных фуллеренов как материалов, обладающих большим потенциалом в прикладном аспекте. Вместе с тем природа электрических и оптоэлектрических свойств даже чистого фуллерита Сво остается изученной недостаточно. Проведенный анализ экспериментальных результатов и предложенных механизмов влияния внешних воздействий (температуры, света, магнитного поля) на проводимость монокристаллов Сбо свидетельствует о том, что данного рода зависимости до сих пор исследованы в узкой области. Имеющиеся данные слабо связаны с реальной структурой, а иногда и

• у противоречивы. К примеру, в обзоре [3] приведена модель проводимости фуллерита Сбо, основанная на предположении об экспоненциальном распределении ловушек в запрещенной зоне. Однако данное обстоятельство недостаточно обосновано и требует экспериментального подтверждения. Величина запрещенной зоны и значение энергии активации проводимости для фуллерита Сво, полученные различными методами, лежат в широких пределах 1,5.2,15 эВ и 0,15.0,6 эВ, соответственно [3]. Все это не позволяет судить о степени общности и универсальности обнаруженных температуро- и светочувствительных явлений и адекватности предложенных моделей. Отметим, что к настоящему времени в отношении более интересных и разнообразных молекулярных комплексов фуллеритов, синтезированных в последние годы в большом количестве, информация, касающаяся транспортных свойств (активационных энергий, зонной структуры, типа проводимости и др.), скудна или полностью отсутствует.

Вместе с тем хорошо известно, что оптические и электрические свойства

• У полупроводников в сильнейшей степени зависят или целиком определяются дефектной структурой и обусловленной ею системой локальных уровней в запрещенной зоне. В этой связи исследования параметров, сильно зависящих от концентрации и вида дефектов, в фуллерите Сбо и комплексах на его-основе представляют особый интерес, поскольку величины и стабильность указанных параметров существенно влияют на рабочие характеристики разнообразных приборов и устройств, а в некоторых случаях даже определяют эти характеристики.

Таким образом, механизмы переноса, накопления и релаксации заряда, а, следовательно, и всех основных электрофизических явлений в материалах, которые определяются параметрами электрически активных дефектов, присущих этим материалам, являются актуальной темой исследований.

Исходя из сказанного, актуальность работы определяется:

- целесообразностью экспериментального определения широкого круга параметров фуллереновых комплексов, характеризующих их транспортные свойства, и уточнения их природы;

- необходимостью исследования спектров локальных уровней захвата носителей заряда в фуллеритах и новых комплексах на их основе и выяснения роли различных дефектов в формировании физико-химических свойств данных материалов, в частности, темповой и фотопроводимости;

- перспективами использования н.овых типов молекулярных комплексов на основе фуллерита Сбо с известными электрическими и фотоэлектрическими свойствами в оптоэлектрических приборах.

Объектами исследований являлись монокристаллы фуллерена Сбо, выращенные в ИФТТ РАН, г. Черноголовка и новые молекулярные комплексы на его основе [{Cd(//-Pr2dtc)2}2-DMP]-(C6o)5-(C6H5Cl)2, TBPDA-2C60, {Cun(dedtc)2}2-C6o, LCV'C60-C6H5C1, [{Hg(H-Pr2dtc)2}2-DMP]-(C60)5-(C6H5Cl)2, TMPDA-Сбо, синтезированные в ИПХФ РАН, г. Черноголовка в 2004-2006 гг.

Цель настоящей работы заключалась в обнаружении и исследовании локальных уровней в запрещенной зоне фуллерита Сбо и комплексов на его основе, влияющих на их электрическую проводимость, а также в экспериментальном определении параметров материала, обусловливающих его транспортные свойства. В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие задачи исследования:

1. Создать экспериментальные условия для исследования темновой и фотопроводимости фуллерита Сбо и новых молекулярных комплексов на его основе при различной температуре.

• у

2. Разработать программное обеспечение для записи, качественной и количественной обработки первичного потока экспериментальных данных.

3. Методами термоактивационной спектроскопии и тока, ограниченного пространственным зарядом, определить энергетический спектр электронных ловушек в щели запрещенных энергий и их параметры в фуллерите Сбо и новых комплексах на его основе.

4. Исследовать спектры возбуждения фотопроводимости монокристаллов Сбо при различной температуре.

• у

5. На основе экспериментальных результатов предложить модели и механизмы, объясняющие полученные зависимости проводимости и фотопроводимости фуллерита

Сбо и комплексов на его основе, а также определить роль дефектной структуры в формировании центров захвата носителей заряда.

Научная новизна полученных результатов заключается в следующем.

• у

Впервые в фуллерите Сбо и ряде новых комплексов на его основе несколькими независимыми методами получены энергетические спектры локальных уровней захвата носителей заряда, положение которых определялось от дна зоны проводимости. Выявлена тонкая структура спектра. Установлено, что за образование данных уровней ответственны дефекты структуры, имеющиеся в кристаллах.

Впервые проведено систематическое исследование параметров ловушек в запрещенной зоне фуллерита Сбо и новых комплексов на его основе, определяющих их транспортные свойства.

Анализ спектров фотопроводимости, полученных при различной температуре для монокристаллов Сбо, позволил определить положение и интенсивность основных оптических переходов, формирующих их фотоэлектрические свойства, а также энергетические параметры темновой и фотопроводимости. Выявлено, что энергии активации фотопроводимости зависят от энергии возбуждающих фотонов. Это свидетельствует о том, что основные механизмы появляющихся переходов в спектрах фотопроводимости различны. Установлено, что за резкое нарушение гладкого изменения интенсивностей оптических переходов в спектрах фотопроводимости фуллерита Сбо при изменении температуры ответственны выявленные другими методами локальные состояния в запрещенной зоне фуллерита Сбо- Показано, что дефекты, образующие данные локальные уровни, являются электрически и оптически активными.

Научная ценность и практическая значимость работы заключается:

- в обнаружении и количественной характеризации различными независимыми методами локальных состояний в щели запрещенных энергий в фуллерите Сбо и новых фуллеренсодержащих комплексах [{Cd(//-Pr2dtc)2}2'DMP]-(C6o)5-(C6H5Cl)2, TBPDA-2C60,

Cun(dedtc)2}2-C6o, LCV-C6o-C6H5C1, [{Hg(//-Pr2dtc)2}2-DMP]-(C6o)5-(C6H5Cl)2, TMPDA-C60. Были использованы методы термостимулированного тока проводимости (ТСТ) [4] и токов, ограниченных пространственным зарядом (ТОПЗ) [5], которые являются распространенными и надежными при изучении энергетической структуры локальных центров захвата носителей заряда в изоляторах и высокоомных полупроводниках. Были определены параметры спектров ловушек в запрещенной зоне и их роль в формировании транспортных свойств перечисленных выше фуллереновых комплексов;

- в выявлении новых физических эффектов темновой и фотопроводимости в фуллерите Сбо и новых комплексах на его основе. В частности, показано, что незначительное изменение температуры образца существенно влияет на его электронно-оптические свойства, и необходим учет полученных результатов при разработке моделей и механизмов темновой и фотопроводимости;

- в выяснении природы физических свойств, обусловленных особенностями

• у электронной и дефектной структуры, что имеет особое значение для фуллеритов и комплексов на их основе в связи с перспективами их применения. Измерение и анализ термостимулированных токов и токов, ограниченных пространственным зарядом, позволил определить важнейшие параметры (глубина залегания локальных уровней ловушек от дна зоны проводимости, плотность состояний на дне зоны проводимости и в запрещенной зоне, концентрация свободных носителей заряда, их подвижность, величина проводимости), а также механизмы релаксации заряда в кристаллах;

- в возможности на основании полученных данных учета факторов влияния внешних

• У воздействий (энергии квантов возбуждающего излучения, температуры и МП) на свойства фуллеренсодержащих материалов при проектировании электронных приборов на их основе и управления их свойствами.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Семейства температурных зависимостей термостимулированного тока проводимости (ТСТ) фуллерита Сбо и новых молекулярных комплексов фуллеренов [{Cd(H-Pr2dtc)2}2-DMP]-(C6o)5-(C6H5Cl)2, TBPDA-2C60, {Cun(dedtc)2}rC6o, ЬСУ-С6о-СбН5С1, [{Hg(«-Pr2dtc)2}2-DMPKC6o)5-(C6H5Cl)2, TMPDA-Сбо, позволяющие найти их параметры (глубину залегания уровней от дна зоны проводимости, плотность состояний, концентрацию свободных и локализованных носителей заряда), которые определяют их удельную проводимость и другие транспортные свойства.

2. Энергетический спектр локальных уровней захвата носителей заряда (ловушек) в интервале запрещенных энергий в монокристалле Сбо и параметры его распределения, полученные из анализа вольт-амперной характеристики и температурных зависимостей тока проводимости в рамках теории 'токов, ограниченных пространственным зарядом, в модели гауссова приближения.

3. Спектры возбуждения фотопроводимости монокристаллов Сбо в температурном интервале 250.350 К. Особенности изменения данных спектров при температурах 260 К и 315 К.

4. Модели и механизмы, объясняющие поведение проводимости и фотопроводимости под воздействием внешних факторов, в частности, температуры, связанные с имеющимися дефектами структуры в исследуемых кристаллах.

Апробация работы. Результаты работы были представлены на следующих конференциях и семинарах:

• XIV, XV, XVI, XVIII Всероссийские симпозиумы «Современная химическая физика» (Туапсе, 2002,2003,2004,2006);

• IV Международный симпозиум «Фуллерены и фуллереноподобные структуры в конденсированных средах» (Беларусь, Минск, 2006);

• X Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (Москва, МГУ, 2004); у

• IX, X и XI Державинские чтения (Тамбов, ТГУ, 2004-2006);

• III Международная конференция «Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений» (Тамбов, 2003).

Основные публикации. По теме диссертации опубликовано 12 печатных работ [106-117].

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения и списка цитируемой литературы, содержащего 117 наименований. Полный объем составляет 108 страниц машинописного текста, в том числе 36 иллюстраций и 3

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Самодуров, Александр Алексеевич

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

1. Методом анализа тёрмостимулированных токов (ТСТ) получен энергетический спектр центров захвата (ловушек) носителей заряда в монокристаллах Сбо-Установлено, что в процессах переноса и накопления заряда происходит захват носителей на локализованные состояния в запрещенной зоне, которые имеют распределение по энергии с максимумом на глубине 0,32 ± 0,03 эВ от дна зоны проводимости.

2. На основе экспериментальных результатов в рамках теории токов, ограниченных пространственным зарядом (ТОПЗ), в модели гауссова приближения выявлено, что спектр ловушек в фуллерите Сбо имеет тонкую структуру и содержит, по меньшей мере, два максимума при 0,28 ± 0,03 эВ и 0,2 ± 0,03 эВ ниже дна зоны проводимости. Установлено, что за локальные состояния с максимумом распределения на глубине ~ 0,3 эВ ответственны несовершенства кристаллической структуры одной природы, создаваемые собственными дефектами или типичными, существующими даже в "номинально чистом" кристалле, примесями.

3. Анализ спектров ТСТ и вольт-амперной характеристики позволил определить значение проводимости, концентрацию свободных носителей заряда и их подвижность. Для каждого распределения ловушек найдены его ширина и плотность состояний на энергетическом уровне в запрещенной зоне. Следует отметить, что подобного вида зависимости ТСТ, ТОПЗ и энергетические спектры ловушек в фуллерите Сбо наблюдались нами во всех исследуемых образцах, несмотря на то, что примесный состав их мог несколько различаться.

4. Впервые проведено систематическое исследование спектров возбуждения фотопроводимости монокристаллов Сбо в fee фазе в условиях, близких к естественной области возможного применения: в интервале длин волн возбуждающего излучения 270.600 нм. Показано, что эти спектры существенно эволюционируют в исследуемой области температур, что важно при использовании Сбо в оптоэлектронных приборах. Оптическим методом показано, что за нарушение гладкого изменения спектров фотопроводимости в фуллерите Сбо при Т= 315 К ответственны те же локальные уровни, выявленные методами ТСТ и ТОПЗ, а дефекты, их образующие, являются электрически и оптически активными. На основе полученных экспериментальных результатов предложены механизмы, объясняющие особенности температурной зависимости спектров фотопроводимости фуллерита. Выявлена роль электронных ловушек в формировании

• у механизмов проводимости и фотопроводимости.

5. Обнаружено, что температурные зависимости термостимулированного тока для комплексов [{CdCH-P^dtcMi-DMPJ^oV^HsClb TBPDA-2C60, {Cu"(dedtc)2}2-C6o, LCV-C6o-C6H5Cl, [{Hg(?/-Pr2dtc)2}2-DMP]-(C6o)5-(C6H5Cl)2, TMPDA-C60 имеют качественные различия. Их анализ показал, что в исследованных соединениях реализуются различные режимы термостимулированной проводимости ("мономолекулярный", "бимолекулярный" и "смешанный"), которые зависят от соотношения концентраций носителей заряда на мелких и глубоких центрах захвата, а также от соотношения времен (сечений) захвата и

• у рекомбинации носителей заряда.

6. Проведенные исследования показали, что молекулярные кристаллы на основе фуллерита Сбо обладают структурными несовершенствами, учет которых необходим при проектировании элементной базы для новых электронных приборов на их основе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Самодуров, Александр Алексеевич, 2006 год

1. Фуллерены - основы материалов будущего / В.И. Трефилов и др... - Киев: Изд-во АДЕФ-Украина, 2001. -147 с.

2. Фуллерены: учеб. пособие / Л.Н. Сидоров и др.. М.: Изд-во «Экзамен», 2005. - 688 с.

3. Макарова, Т.Л. Электрические и оптические свойства мономерных и полимеризованных фуллеренов / Т.Л. Макарова // ФТП. 2001. - Т. 35. - № 3. - С. 257-291.

4. Гороховатский, IO.A. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков / Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. М.: Наука, 1991.-248 с.

5. Электронные процессы в органических молекулярных кристаллах. Перенос, захват,успиновые эффекты / В.А. Андреев и др.. Рига: Зинатне, 1992. - 364 с.

6. Taus, S.J. Room-temperature transistor based on single carbon nanotube / S.J. Taus, A.R. Verschueren, C. Dekker//Nature.-1998.- Vol. 393. P. 49-52.

7. Осипьян, Ю.А. Фуллерены новые вещества для современной техники / Ю.А. Осипьян, В.В. Кведер // Материаловедение. -1997. - № 1. - С. 2-6.

8. Шпилевский, М.Э. Фуллерены и фуллереноподобные структуры — основа перспективных материалов / М.Э. Шпилевский, Э.М. Шпилевский, В.Ф. Стельмах // Инженерно-физический журнал. 2001. - Т. 74. - № 6. - С. 106-112.

9. Kroto, H.W. Fullerene / H.W. Kroto, J.r. Heath, S.C.O Brien, R.F. Curl, R.E. Smolley // Nature (London). -1995. № 318. - C. 162.

10. Gu, B.L. Effects of molecular orientation on the electronic structure of fee Сбо / B.L. Gu, Y. Maruyama, J.Z. Yu, K. Ohno, Y. Kawazoe // Phys. Rev. B. -1994 vol. 49 - P. 16202-16206.

11. Елецкий, A.B. Фуллерены и структуры углерода / А.В. Елецкий, Б.М. Смирнов // УФН. -1995.-Т. 165.-№9.-С. 977.

12. Dresselhaus, M.S. Science of Fullerens and Carbon Nanotubes / M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, P.C. Eclund. San Diego: Academic Press, 1996. - 965 p.

13. Тихомирова, Г.В. Сравнительное исследование проводимости графита ифуллерена при высоких давлениях/ Г.В. Тихомирова, А.Н. Бабушкин // ФТТ. 2002. - Т. 44. - № 4. С. 618-620.

14. Steinman, Е.А. Optical Characteristics of Сбо Single Crystals Grown in Microgravity• у

15. Conditions / Steinman E.A.; Avdeev S.V.; Efimov V.B.; Ivanov A.I.; Izotov A.N.; Kalmykov

16. A.V.; Kveder V.V.; Markov E.V.; Nikitskii V.P.; Nikolaev R.K.; Ossipyan Y.A.; Padalko G.I.; Sidorov N.S.; Bazhenov A.V.; Dilanyan R.A.; Khasanov S.S. // Journal of Low Temperature Physics. 2000 - vol. 119. - № 3-4 P. 223-232.

17. Heiney, P.A. Orientational ordering.transition in solid C6o / P.A. Heiney, J.E. Fischer, A.R. McGhie, W.J. Romanow, A.M. Denenstein, J.P. McCauley, Jr., A.B. Smith, D.E. Cox // Phys. Rev. Lett. -1991. vol. 66. - № 22. - P. 2911-2914.

18. Saito, S. Cohesive mechanism and energy bands of solid Сбо / S. Saito, A. Oshiyama // Phys. Rev. Lett. -1991. vol. 66. -№ 20,-P. 2637-2640.

19. Mishori, B. Studies of electron structure of Сбо thin films by surface photovoltage spectroscopy / B. Mishori, E.A. Kalz, D. Faiman, Y. Shapira. // Sol. St. Commun. 1997. - vol. 102. - № 6. -P. 489-492.

20. Lof, R.W. Band gap, excitons, and Coulomb interaction in solid Сбо / R.W. Lof, M.A. van Veenendaal, B. Koopmans, H.T. Jonkman, G.A. Sawatzky // Phys. Rev. Lett. 1992. - vol. 68. -№26. -P. 3924-3927.

21. Sohmen, E. / E. Sohmen, J. Fink, W. Kraetschmer // Z. Phys. Rev. B. 1992. - vol. 86. -P. 87.у

22. Rabenau, Т. / T. Rabenau, A. Simon, R.K. Kremer, E. Sohmen // Z. Phys. B. 1993. - vol. 90. - P. 69.

23. Ohgami, Т. / T. Ohgami, Y. Shimada,H. Kubota,T.Tanaka,S. Matsuzaki, M. Nagata // Physica1. B.-1997.-vol. 239-P. 32.

24. Mondal, P. Dielectric relaxation, ac and dc conductivities in the fullerenes Сбо and C70 / P. Mondal, P. Lunkenheimer, A. Loidl // Z. Phys. -1996. vol. 99. - № 4. P. 527-533.• у

25. Hosoya, M. Dark conductivity and photoconductivity in solid films of C70, Сбо, and KxC7o / M. Hosoya, K. Ichimura, Z.H. Wang, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus, P.C. Eklund // Phys. Rev. B. -1994. vol. 49. P. 4981-4986. '

26. Hora, J. Optical response of Ceo thin films and solutions / J. Нога, P. Panek, K. Navatil, B. Handlilova, J. Humliek, H. Sitter, D. Stifter // Phys. Rev. B. 1996. - vol. 54. - P. 51065113.

27. Skumanich, A. Optical absorption spectra of carbon 60 thin films from 0.4 to 6.2 eV / A.• у

28. Skumanich // Chem. Phys. Lett. -1991. vol. 182. P. 486.

29. Wang, Lai-Sheng Threshold photodetachment of cold Ceo / Lai-Sheng Wang, J. Conceicao, Jin Changming, R.E. Smalley // Chem. Phys. Lett. -1991. vol. 182. № 1. - P. 5-11.

30. Gonda, S. Highly Sensitive Analysis for Valence Band Edge of Сбо Films by Total Yield Photoelectron Spectroscopy / S. Gonda, M. Kawasaki, T. Arakane, H. Koinuma // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. -1994. vol. 349. - P. 325-330.

31. Shirley, E.L. Excitons in solid C6o / E.L. Shirley, L.X. Benedict, S.G. Louie // Phys. Rev. B. -1996.-vol. 54-P. 10970-10977.

32. Dresselhaus, M.S. / M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, P.C. Eclund // J. Mater. Res. 1993. -vol. 8.-P. 2054. -r .

33. Gallagher, S.U. / S.U. Gallagher, R.S. Armstrong, P.A. Lay, C.A. Reed // J. Phys. Chem. -1995.-vol. 99.-P. 5817.

34. Sundahl, M. / M.Sundahl, T.Anderson, O.Wennerstroem // Proc.-Electrochem. Soc. 1994. vol. 94.-P. 880.

35. Kelly, M.K. Optical transitions of Сбо films in the visible and ultraviolet from spectroscopic• уellipsometry / M.K. Kelly, P. Etchegoin, D. Fuchs, W. Kreatschmer, K. Fostiropoulos // Phys. Rev. B. -1992. vol. 46. - № 8. - P. 4963-4968.

36. Makarova, T.L. / T.L. Makarova // Mol. Cryst. Liq. Cryst. C. -1996. vol. 7. - P. 199.

37. Zhou, W. Optical absorption spectra of C70 thin films / W. Zhou, S. Xie, S. Qian, T. Zhou, R. Zhao, G.Wang, L. Qian, W. Li. // J. Appl. Phys. -1996. vol. 80. - P. 459.

38. Semkin, V.N. FT IR transmission spectral study of some single crystals of Сбо clathrates / V.N. Semkin, N.G. Spitsina, A. Graja // Chem. Phys. Lett. -1995. vol. 233. - №3. - P. 291-297.

39. Kazaoui, S. Comprehensive analysis of intermolecular charge-transfer excited states in Сбо and C70 films / S. Kazaoui, N. Minanii, Y. Tanabe, H.J. Byrne, A. Eilmes, P. Petelenz, K. Guminski // Phys. Rev. B. -1998. vol. 58. - P. 7689-7700.

40. Bechstedt, F. Excitonic effects in linear and nonlinear optical properties of Сбо / F. Bechstedt, M. Fiedler, L.J. Sham // Phys. Rev. B. -1999. vol. 59. - P. 1857-1869.

41. Troullier N., Martins J.L. Structural and electronic properties of C&JI Phys. Rev. B. 1992. -•vol. 46. - № 3. - P. 1754-1765.

42. Capozzi, V.Optical spectra and photoluminescence of Сбо thin films / V. Capozzi, G. Gasamassima, G.F. Lorusso, A. Minafra, R. Piccolo, T. Trovato, A. Valentini // Sol. St. Commun. vol. 98. - № 9. - P. 853-858.• у

43. Баженов, A.B. Фотонндуцнрованные изменения фундаментального поглощения в пленках Сбо / А.В. Баженов, А.В. Горбунов, К.Г. Волкодав // Письма в ЖЭТФ. 1994. -vol. 60.-№5.-Р. 326-328.

44. Баженов, А.В. Фотоиндуцированное поглощение света пленками Сбо в диапазоне 0,084,0 эВ / А.В. Горбунов, M.IO. Максимюк, Т.Н. Фурсова // ЖЭТФ. 1997. - vol. 112. - № 1.-Р.246.

45. Belu-marian, A. Effects of Annealing on the Conductivity of Сбо Thin Films / A. Belu-marian, R. Manailia, T. Stoica, A. Dragomir, M. Manciu, A. Devenyi, T. Braun // Fullerene Sci. Technol. -1995. vol. 3. - № 495. - P. 510.

46. Rabenau, Т. / Т. Rabenau, S. Roth, R.K. Kremer // Acta Phys. Polon. A. 1995. - vol. 87. - P. 881.

47. Hamed, A., Effects of oxygen and illumination on the in situ conductivity of Сбо thin films / Hamed, A., Y.Y. Sun, Y.K. Tao, K.L. Meng, P.H. Hor // Phys. Rev. B. 1993. - V 47. - № 16. -P. 10873-10880.

48. Fujimori, S. Variation of conductivity and activation energy in metal-doped and undoped Сбо films under oxygen exposure / S. Fujimori, K. Hoshimono, S. Fujita. // Sol. St. Commun. -1994. vol. 89. - № 5. - P. 437-440. •■

49. Дьячков, П.Н. Углеродные нанотрубки: строение, свойства, применения / П.Н. Дьячков. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2006. - 293 с.

50. Asakawa, Т. / Т. Asakawa, М. Sasaki, М. Yoshomoto, S. Gonda, Т. Shiraishi, Н. Koinuma // Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 349,185 (1994).• r

51. Zahab, A. Resistivity in Сбо thin films of high crystallinity / A. Zahab, L. Firlej. // Sol. St. Commun. -1993. vol. 87. - № 10. - P. 893-897.

52. Arai, T. Resistivity of single crystal Сбо and effect of oxygen / T. Arai, Y. Murakami, H. Suematsu, K. Kikuchi, Y. Achiba, I. Ikemoto // Sol. St. Commun. 1992. - vol. 84. - № 8. P. 827-829.

53. Habuchi, H. Localized electronic states related to O2 intercalation and photoirradiation on Сбо films and C70 films / H. Habuchi, S. Nitta, D. Han, S. Nonomura // J. Appl. Phys. 2000. - vol. 87.-№12.-P. 8580-8588.

54. Peimo, He Anomaly of high temperature conductivity on Сбо single crystal / He Peimo, Xu Yabo, Z. Xuanjia, Li Wendozhou // Sol. St. Commun. -1994. vol. 89. - № 4. - P. 373-374.

55. Hoshimono, K. Semiconductor-Like Carrier Conduction and Its Field-Effect Mobility in Metal-Doped Ceo Thin Films / K. Hoshimono, S. Fujimorim, S. Fujita // Jpn. J. Appl. Phys. -1993. vol. 32. Part 2. № 8 - P. L1070-L1073.

56. Takahashi, T. Pseudo-gap at the Fermi level in K3C60 observed by photoemission and inverse photoemission / T. Takahashi, S. Suzuki, T. Morikawa, H. Katayama-Yoshida, S. Hasegawa,

57. H. Inokuchu, К. Seki, К. Kikuchi, М. Suzuki, I. Ikemoto, Y. Achiba // Phys. Rev. Lett. 1992. - vol. 68. - № 8. - P. 1232-1235.

58. Frankeniveh, E.L. Mobility of charge carriers in vapor-phase grown Сбо single crystal / E.L. Frankenivch, Y. Maruyama, H. Ogata // Chem. Phys. Lett. -1993. vol. 214. - P. 39-44.

59. Priede, G. Determination of transport parameters in fullerene films / G. Priede, B. Pietzak, R. Konenkamp //Appl. Phys. Lett. -1997. vol. 71 - № 15. -P. 2160-2162.

60. Jarrett, C.P. / C.P. Jarrett, K. Pichler, R. Newbould, R.H. Friend // Synt. Met. 1996. - vol. 77. -P. 35.

61. Kaneto, K. Transport Mechanisms in Evaporated Сбо Film Evaluated by Means of Field Effect / K. Kaneto, K. Yamanaka, K. Rikitake, T. Akiyama, W. Takashima // Jpn. J. Appl. Phys. -1996. vol. 35. - № 3. - P. 1802-1805.

62. Haddon, R.C. C60 thin film transistors / R.C. Haddon, A.S. Perel, R.C. Morris, T.T.M. Palstra, A.F. Hebard, R.M. Fleming // Appl. Phys. Lett. -1995. vol. 67. - № 1. - P. 121-123.

63. Макарова, Т.JI. Фототрансформация пленок Сбо в присутствие и отсутствие кислорода / Т.Л. Макарова, В.И. Захарова,.И.Т, Серенкова, А.Я. Буль // ФТТ. 1999. - Т. 41. - № 3. -С. 554-358.

64. Yan, F. А.С. conductance study of polycrystal Сбо / F. Yan, Y.N. Wang, Y.N. Huang, M. Gu, Q.M.Zhang,H.M. Shen//Phys. Lett. A.-1995.- vol. 201.-P. 443.

65. Nemchuk, N.I. / N.I. Nemchuk, T.L; Makarova, O.I. Konkov, Y.F. Biriulin, A.Y. Vul // Mol. Cryst. Liq. Cryst. C. -1996. vol. 7 - P. 183.

66. Stankowski, J. A model of fullerene conductance / J. Stankowski, J. Martinek // Sol. St. Commun.-1996. -vol. 100. -№ 10.-P. 717-720.

67. Wang, J.C. The Meyer-Neldel rule in fullerenes / J.C. Wang, Y.F. Chen // Appl. Phys. Lett.у1998.-vol. 73.-№ 7. P. 948-950.

68. Dyre, J.C. A phenomenological model for the Meyer-Neldel rule / J.C. Dyre // J. Phys. C: Solid State Phys. -1986. vol. 19. - P. 5655-5664.

69. Asakawa, Т. Dark and Photoconductivity Behaviors of Amorphous and Crystalline Сбо Films / T. Asakawa, M. Sasaki, T. Shirashi, K. Koinuma // Jap. J. Appl. Phys. 1995. - Part 1. - № 34. -P. 1958.

70. Lee, C.H. / C.H. Lee, G. Yu, K. Pakbaz, D. Moses, V.I. Srdanov // Mol. Ciyst. Liq. Cryst. A. -1994.-vol. 256.-P. 769.

71. Lee, C.H. Effects of oxygen on the photocarrier dynamics in а Сбо film: Studies of transient and steady-state photoconductivity / C.H. Lee, G. Yu, B. Kraabel, D. Moses, V.I. Srdanov // Phys. Rev. В. -1994.-vol. 49.-№ 15.-P. 10572-10576.

72. Chiu, K.C. Temperature Dependence of the Band Gap in C6o Crystals / K.C. Chiu, J.S. Wang, C.Y. Lin // J. Appl. Phys. -1996. vol. 7. - P. 1784.

73. Kalinowski, J. / J. Kalinowski, G. Giro, N. Camaioni, V. Fattori, P. Di Marco // Synt. Met. -1996.-vol. 77.-P. 181.

74. Augelli, V. Studio delle proprieta optoelettroniche di nanostrutture di semiconduttori П-VI e III-V / V. Augelli, L. Schiavulli, T. Ligonzo, A. Valentini // Nuovo Cim. D. 1998. - vol. 20. -P. 1377.

75. Kaiser, M. Photoconductivity of thin film fullerenes; Effect of oxygen and thermal annealing / M. Kaiser, W.K. Maser, H.J. Byrne, A. Mittelbach, S. Roth // Sol. St. Commun. -1993. vol. 87.-№4.-P. 281-284. ' •

76. Kremer, R.K. High Temperature conductivity Study on Single Crystal Сбо / R.K. Kremer, T. Rabenau, W.K. Maser, M. Kaiser, A. Simon, M. Haluska, H. Kuzmany // Appl. Phys. A. -1993.-vol. 56.-P. 211.

77. Srdanov, V.I. / V.I. Srdanov, C.H. Lee, N.S.V. Sariciftci // Thin Solid Films. -1995. vol. - P. 257.

78. Kazaoui, S. In situ photoconductivity behavior of Сбо thin films: Wavelength, temperature, oxygen effect / S. Kazaoui, R. Ross, N. Minami // Sol. St. Commun. 1994. - vol. 90. - № 10. -P. 623-628.

79. Mishori, В, Studies of Сбо thin films using surface photovoltage spectroscopy / B. Mishori, Yoram Shapira, A. Belu-Marian, M. Manciu, A. Devenyi // Chem. Phys. Lett. 1997. - vol. 264.-№ 1-2. -P. 163-167.у

80. Gong, J. Effect of annealing on the electrical conductivity of Сбо films / J. Gong, F. Zhang, Y. Li, G. Ma, G. Chen // Thin solid films. 1995. - vol. 261. - P. 266-270.

81. Yu, R.C. Thermal conductivity of single crystal C6o / R.C. Yu, N. Tea, and M.B. Salamon, D. Lorents and R. Malhotra // Physical Review Letters. -1992. vol. 68. - № 13. - P. 2050-2053.

82. Matsuura, S. Anomalous photoconductance band in Сбо single crystal / S. Matsuura, T. Ishiguro, K. Kikuchi, Y. Achiba//Phys. Rev. B. -1995. vol. 51. -№ 15. - P. 10217-102201

83. Коровкин, E.B. ИК-фотопроводимость монокристаллов фуллерена Сбо / Е.В. Коровкин, Р.К. Николаев // ФТТ.-Т. 41. № 6. - С. 1113.

84. Конарев, Д.В. Донорно-акцепторные комплексы и ион-радикальные соли на основе фуллеренов / Д.В. Конарев, Р.Н. Любовская // Успехи химии. 1999. - Т. 68. - № 1. - С. 23-44.

85. Lopatin, D.V. Photogeneration of free charge carriers in the donor-acceptor complex TBPDA-(C6o)2 / D.V. Lopatin, V.V. Rodaev, A.V. Umrikhin, D.V. Konarev, A.L. Litvinov and R.N. Lyubovskaya // J. Mater. Chem. 2005. - № 15. - C. 657-660.

86. Li, F. Leuco Crystal Violet as a Dopant for n-Doping of Organic Thin Films of Fullerene Сбо / Fenghong Li, Ansgar Werner, Martin Pfeiffer, Karl Leo, Xianjie Liu // J. Phys. Chem. B. -2004.-vol. 108.-P. 17076-17082. .

87. Konarev, D.V. Synthesis, Crystal Structures, Magnetic Properties and Photoconductivity of Сбо and C70 Complexes with Metal Dialkyldithiocarbamates M(R2dtc)x, where M Cu", Cu1, Ag1,• у

88. Zn11, Cdn, Hgn, Mnn, Nin, and Ptu; R = Me, Et, and nPr / D.V. Konarev, A.Y. Kovalevsky, S.S. Khasanov, G. Saito, D.V. Lopatin, A.V. Umrikhin, A. Otsuka, and R.N. Lyubovskaya // Eur. J. Inorg. Chem. -2006. P. 1881-1895.

89. Konarev, D.V. New Molecular Complexes of Fullerenes Сбо and C70 with Tetraphenylporphyrins M(tpp)., in which M=H2, Mn, Co, Cu, Zn, and FeCl / D.V. Konarev, I.S. Neretin, Y.L. Slovokhotov, E.I. Yudanova, N.V. Drichko, Y.M. Shul'ga, B.P. Tarasov,• у

90. L. Gumanov, A.S. Batsanov, J.A.K. Howard, R.N. Lyubovskaya // Chemistry A European' Journal. - 2003. - vol. 7. - № 12. - P. 2605-2616.

91. Кашерининов, П.Г. Ивдентификация параметров примесных уровней в высоомных полупроводниковых кристаллах с помощью термостимулированных токов при дозированном освещении образ'цов / П.Г. Кашерининов, Д.Г. Матюхин // ФТП. 1998. -Т. 32.-№6. С. 668-672.

92. Гах, С.Г. Объемный заряд и токи термодеполяризации в тонких пленках цирконата-титаната свинца // С.Г. Гах, Е.Д. Рогач, Е.В, Свиридов // ЖТФ. 2001. - Т. 71. - № 1. С. 49-52.

93. Детчуев, Ю.А. Токи, ограниченные пространственным зарядом, в синтетическом полупроводниковом алмазе / IO.A. Детчуев, В.А. Крячков, Э.Г. Пель, Н.Г. Санжарлинский // ФТП. 2000. - Т. 34. - № 10. С. 1166-1169.

94. Акимов, Б.А. Термостимулированные токи и неустойчивости фотоотклика в сплавах на• Уоснове PbTe(In) при низких температурах / Б.А. Акимов, В.А. Богоявленский, Л.И. Рябова, В.Н. Васильков, Е.И. Слынько // ФТП. -1999. Т. 33. - № 1. - С. 9-12.

95. Кудзин, АЛО. Влияние легирования ванадием на электрические свойства кристаллов Bii2Ge02o / А.Ю. Кудзин, С.Н. Пляка, Г.Х. Соколянский // ФТТ. 2000. - Т. 42. - № 5. -С. 839-843.

96. Иванов, П.А. Вольт-амперные характеристики электролюминесцентных структур Ме/а-Si:H<Er>/c-Si, изготовленных магнетронным распылением / П.А. Иванов, О.И. Коньков, Е.И. Теруков // ФТП. -2000. -Т. 34. № 5. С. 617-621.

97. Аскеров, И.М. Инжекционные' токи в смешанослойных монокристаллах Gao.5In1.5S3 / И.М. Аскеров, Ф.Ю. Асадов // ФТП. -1997. Т. 31. - № 8. - С. 1011-1012.

98. Ламперт, М. Инжекционные токи в твердых телах / М. Ламперт, П. Марк. М.: Мир.-1973.-476 с.

99. Нифтиев, Н.Н. Термостимулированные токи в монокристаллах MnIn2S4 / Н.Н. Нифтиев // ФТП. 2002. - Т. 36 - № 7 - С. 836-837.

100. Кведер, В.В. / В.В. Кведер, В.Д. Негрий, Э.А. Штейнман, А.Н. Изотов, IO.A. Осипьян, Р.К. Николаев // ЖЭТФ. -1998. Т. 113. - № 2. - С. 734.

101. Головин, Ю.И. Спектр фотопроводимости монокристаллов Сбо в магнитном поле / Ю.И. Головин, ДБ. Лопатин, Р.К. Николаев, А.В. Умрихин, С.З. Шмурак // ДАН. 2002. - Т. 387.-№6.-С. 1-3.

102. Головин, Локальные центры захвата носителей заряда в монокристаллах Сбо / Ю.И. Головин, Д.В. Лопатин, А.А. Самодуров, Р.А. Столяров, Р.К. Николаев // ФТТ. -2006. Т. 48. - № 9. - С. 1723-1726.

103. Лопатин, Д.В. Влияние температуры и магнитного поля на спектральную зависимость фотопроводимости монокристаллов Сбо / Д.В. Лопатин, А.А. Самодуров // Вестник НУ (Серия: Естественные и технические науки). 2004. - Т. 9. - № 1. - С. 123-124.

104. ИЗ. Самодуров, А.А. Энергетическое распределение ловушек в монокристаллах Сбо / А.А. Самодуров // Сборник тезисов X Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых. Москва, МГУ. - 2004. - С. 263-265.

105. Самодуров, А.А. Исследование вольт-амперных характеристик монокристаллов Сбо / А.А. Самодуров, Д.В. Лопатин //. Тезисы докладов XVI Симпозиума «Современная химическая физика». Туапсе. - 2004. - С. 92-93.

106. Самодуров, А.А. Влияние температуры и магнитного поля на спектр фотопроводимости монокристаллов Сбо / А.А. Самодуров, Д.В. Лопатин, В.В. Родаев // Тезисы докладов XV Симпозиума «Современная химическая физика». Туапсе. - 2003. - С. 112-113.