Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.14, кандидат технических наук Аношкин, Юрий Владимирович

• Аношкин, Юрий Владимирович
• кандидат технических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат технических наук Аношкин, Юрий Владимирович

Введение.

1 Технологические аспекты получения и стабилизации параметров резистивных структур.

1.1 Тонкопленочные технологии в микро- и наноэлектронике.

1.2 Применение метода термического испарения в вакууме для синтеза многокомпонентных материалов на основе хромоникелевых сплавов.

1.3 Модели формирования тонких пленок на основе хромоникелевых сплавов.

1.3.1 Капиллярная модель формирования пленок.

1.3.2 Атомная модель формирования пленок.

1.3.3 Термодинамическая модель кластерного образования пленок.

1.3.4 Фрактальная модель кластеров при образовании пленок.

1.4 Деградация свойств резистивных структур.

1.4.1 Удельное электрическое сопротивление резистивных структур.

1.4.2 Изменение удельного сопротивления многокомпонентных систем на основе хромоникелевых сплавов.

1.5 Дорекристаллизационный и рекристаллизационный отжиг резистивных структур.

1.5.1 Изменение структуры и свойств пленок в процессе старения.

1.5.2 Изменение структуры и свойств пленок в процессе отжига.

Выводы.

-32 Особенности технологии изготовления и исследования резистивных структур на основе хромоникелевых сплавов.

2.1 Получения пленок на основе хромоникелевых сплавов.

2.2 Методика исследования морфологии поверхности пленок резистивных структур на основе хромоникелевых сплавов.

2.2.1 Методика исследования морфоструктуры поверхности пленок при помощи сканирующей туннельной микроскопии.

2.2.2 Исследований поверхностей пленок с использованием атомно-силовой микроскопии.

2.2.3 Исследований пленок при помощи металлографической микроскопии.

2.3 Методика определения плотности кластеров на исследуемой поверхности пленок резистивных структур.

2.4 Методика исследования сканированных изображений при помощи программы Scanning Probe Image Processor фирмы

Image Metrology.

2.4.1 Корректировка цветового выбора масштаба для анализа морфологии поверхности пленок резистивных структур.

2.4.2 Исследования профиля поверхности пленок резистивных структур.

2.4.3 Гистограмма поверхности пленок резистивных структур.

2.4.4 Трехмерное моделирование поверхностей пленок резистивных структур.

2.4.5 Обработка латерального размера исследуемой поверхности пленок резистивных структур.

2.4.6 Распознавание и анализ фигур роста морфоструктуры пленок полученных с помощью СЗМ.

2.5 Методика исследований электрического сопротивления резистивных структур на основе хромоникелевого сплава.

-42.6 Методика отжига резистивных структур на основе хромоникелевых сплавов.

Выводы.

3 Исследование морфологии поверхности резистивных структур на основе многокомпонентных материалов.

3.1 Влияние скорости конденсации на морфологию поверхности пленок резистивных структур.

3.2 Количественная оценка поверхности пленок резистивных структур на низкоразмерном уровне.

3.3 Физико-технологическая модель образования кластеров при формировании пленок резистивных структур.

3.4 Исследование влияние отжига на морфологию поверхности пленок резистивных структур.

3.5 Моделирование морфологии поверхности пленок методом

Монте-Карло.

Выводы.

4 Исследование деградации свойств резистивных структур на основе хромоникелевых сплавов.

4.1 Модель изменения сопротивления резистивных структур.

4.2 Самоокисление резистивных структур на основе многокомпонентных материалов.

4.3 Модель постоянной составляющей сопротивления резистивных структур.

4.4 Влияние условий конденсации пленок многокомпонентных материалов на их состав.

4.5 Модель переменной составляющей сопротивления резистивных структур.

-54.6 Исследование влияние отжига на параметры резистивных структур.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне»

Необходимость исследований свойств материалов для информационно-измерительных приборов на микро- и наноразмерном уровне обусловливается жесткими требованиями, предъявляемыми к изделиям приборостроения. Такая необходимость объясняется жесткими требованиями, предъявляемыми к изделиям приборостроения. Это относится к структурам на основе многокомпонентных проводниковых материалов, которые применяются в датчико-вом приборостроении. Актуальной задачей является установление факторов, влияющих на параметры резистивных структур на низкоразмерном уровне, для разработки закономерностей: технологические режимы получения — морфологические свойства резистивных пленок - выходные параметры резистивных структур, обеспечивающих повышение воспроизводимости и стабильности параметров за счет оптимизации технологии получения, включающей внешние воздействия.

Систематические исследования в области формирования микроэлектронных изделий начались еще в прошлом веке. Однако до сих пор возникают проблемы воспроизводимости параметров и надежности эксплуатации приборов, решения которых опираются на результаты исследований в микро-и наномасштабном диапазонах. На сегодняшней день исследования в области тонкопленочных технологий набирают новый виток. Возникают новые проблемы, и соответствующие решения их связаны с наноиндустрией. Исследование тонкопленочных изделий на низкоразмерном уровне необходимо для достижения стабильных и качественных результатов в производстве информационно-измерительных приборов. В настоящее время в России и зару-бежом накоплено достаточно информации о тонкопленочных технологиях [9-17]. Большой вклад в развитие основ технологии формирования тонких пленок внесли научные школы, руководимые такими учеными, как JI. С. Палатник, Ю. М. Таиров, Е. А. Мокров, Р. М. Печерская, В. А. Гридчин,

С. А. Кукушкин, а также зарубежные ученые L. Maissel, R. Glang, R. A. Sigsbee, S. Forrest и др. На сегодняшний день не систематизированы данные, связывающие в комплексе условия получения, морфологическую структуру, внешние воздействия и выходные параметры резистивных структур, объединенные в методику, обеспечивающую решение фундаментальных и технологических проблем в производстве информационно-измерительных приборов.

Вопросам повышения стабильности параметров тонкопленочных резистивных структур на основе многокомпонентных систем посвящены многочисленные исследования отечественных и зарубежных авторов в самых различных направлениях. Так, в работе [9] автором рассмотрено влияние технологических режимов на выходные параметры резистивных структур твердых растворов. Работы авторов [12-17] посвящены определению параметров формирования пленок резистивных структур за счет конденсации испаряемого материала на подложку. Авторами, в частности, учитывались следующие факторы: критическая температура конденсации, коэффициент прилипания и т.д. [8] для материалов Bi, Pb, Sn и Sb [5-7].

Для существенного снижения деградации параметров резистивных структур при их производстве применяется импульсное токовое воздействие высокой плотности [18], что требует специального оборудования. В ряде работ стабилизация параметров резистивных структур достигается радиационным воздействием [9]. Эффективным является повышение стабильности параметров резистивных структур за счет варьирования технологических режимов и применения внешнего воздействия в виде отжига в атмосфере. Однако исследования на низкоразмерном уровне в этом направлении не носят системного характера, причем отсутствуют зависимости, связывающие технологические режимы получения - морфологическую структуру - внешние воздействия — выходные параметры резистивных структур для датчикового приборостроения. Кроме того, требуется разработка технологической методики стабилизации и контролируемого изменения выходных параметров изделий приборостроения на основе развития теоретических положений с учетом ряда новых технических решений, оказывающих существенное влияние на процент выхода годных резистивных структур для информационно-измерительных приборов [18]. Используемые сегодня резистивные структуры имеют недостатки в плане надежности, стабильности выходных параметров и точности достижения заданного номинального параметра, а изготовление пленочных резисторов на основе многокомпонентных материалов требует выделения значительных материальных и временных затрат на различных этапах их производства, что приводит к удорожанию информационно-измерительных приборов с использованием таких резисторов и снижению их конкурентоспособности на мировом рынке.

Целью диссертационной работы является развитие основ технологии получения резистивных структур со стабильными и воспроизводимыми выходными параметрами за счет контролируемого изменения состояния поверхности пленок на низкоразмерном уровне посредством выбора технологических режимов получения и отжига.

Для достижения поставленной цели в диссертационной работе необходимо решить следующие задачи:

• разработать методики получения и исследования параметров резистивных структур на основе хромоникелевых сплавов при различных технологических режимах;

• исследовать механизмы образования резистивных пленок на низкоразмерном уровне и деградацию их свойств;

• разработать методику исследования морфологии поверхности пленок резистивных структур на низкоразмерном уровне и смоделировать их поверхность для различных технологических режимов получения;

• установить физико-технологические закономерности формирования резистивных структур на низкоразмерном уровне с заданными выходными параметрами;

• разработать технологические методики на основе теории фракталов контролируемого изменения морфоструктуры пленок многокомпонентных материалов, электрических параметров резистивных структур, обеспечивающие повышение воспроизводимости и стабильности изделий приборостроения.

Методы исследований. Сформулированные задачи исследований резистивных структур решались с применением сканирующей зондовой микроскопии, численных и аналитических методов моделирования процессов средствами вычислительной техники.

Достоверность результатов и выводов подтверждена численным и аналитическим моделированием свойств многокомпонентных материалов; комплексными экспериментальными исследованиями параметров резистивных структур, выполненными с точностью, обеспечивающей получение достоверных сведений; совпадением рассчитанных значений с экспериментальными данными в пределах разработанных моделей и в известных литературных источниках. В процессе работы изготовлено и исследовано 120 партий образцов с 2500 пленочными элементами.

Научная новизна работы

1. Определены физико-технологические закономерности формирования резистивных структур с контролируемыми изменениями морфоструктуры и выходных параметров, основанные на теории фракталов, кинетике испарения и конденсации материалов в неравновесных условиях синтеза.

2. На базе установленных физико-технологических закономерностей формирования резистивных структур с заданными морфоструктурой и выходными параметрами развиты технологии получения резистивных структур с воспроизводимыми и стабильными параметрами для датчикового приборостроения.

-103. Разработана модель процесса временной стабилизации параметров резистивных структур с использованием хромоникелевых сплавов за счет выбора технологических режимов и отжига.

4. На основе теории фракталов разработан алгоритм расчета кинетики роста пленок изменения электрофизических свойств, позволяющий прогнозировать электрические, морфологические характеристики многокомпонентных материалов и выходные параметры резистивных структур на их основе в процессе хранения для различных технологических режимов, что особенно актуально при разработке эффективной технологии получения высокостабильных информационно-измерительных приборов.

Практическая значимость

Развиты основы технологии получения резистивных структур на основе хромоникелевых сплавов с высокостабильными выходными параметрами для датчикового приборостроения.

Установлены технологические режимы получения и отжига резистивных структур, позволяющие контролируемо изменять морфоструктуру пленок и их электрические параметры.

Разработана методика получения и изготовлены резистивные структуры на основе многокомпонентных материалов с заданными выходными параметрами за счет контроля морфоструктуры резистивных пленок.

Разработана методика стабилизации выходных параметров резистивных структур хромоникелевых сплавов, обеспечивающая стабильные во времени параметры с уменыпеными значениями коэффициента старения сопротивления, близкого к лучшим известным аналогам.

Диссертационная работа выполнялась в рамках аналитической ведомственной целевой программы Министерства образования и науки РФ «Развитие научного потенциала высшей школы (2006-2008 годы)», мероприятие № 3 «Проведение прикладных научных исследований в области образования, молодежной и социальной политики в области образования», проект «Учебноисследовательский комплекс для исследования микро- и наносистем», мероприятие № 1 «Проведение фундаментальных исследований в рамках тематических планов», проект «Исследование и разработка управляемого синтеза гетерогенных систем», а также хоздоговорной работы «Исследование с помощью атомно-силового сканирующего микроскопа вариантов структур тен-зослоев, модифицированных термоотжигом (либо методом лазерной рекристаллизации) в целях создания высокотемпературных модулей для радиаци-онностойких датчиков» с предприятием ОАО НИИ физических измерений (г. Пенза).

Результаты диссертационной работы используются в учебном процессе и научных исследованиях в ГОУ ВПО «Пензенский государственный университет» (ПГУ); ГОУ ВПО «Саратовский государственный технический университет»; ГОУ ВПО «Уфимский государственный нефтяной технический университет»; «Кузнецкий институт информационных и управленческих технологий», филиал ПГУ; ГОУ ВПО «Пензенская государственная технологическая академия»; ФГОУ СПО «Пензенский государственный приборостроительный колледж»; ГОУ ВПО «Марийский государственный технический университет» (приложение А).

На защиту выносятся

1. Технологическая методика получения резистивных структур на основе многокомпонентных материалов с заданными и стабильными выходными параметрами в которой за счет контроля морфоструктуры на низкоразмерном уровне, обеспечивается повышение эффективности формирования и улучшение выходных параметров резистивных структур информационно-измерительных приборов.

2. Методика и результаты временной стабилизации выходных параметров резистивных структур на основе хромоникелевых сплавов для датчикового приборостроения.

-123. Результаты теоретических и экспериментальных исследований технологических режимов получения, отжига, контроля морфоструктуры и выходных параметров резистивных пленок, позволяющие разрабатывать резистив-ные датчики с улучшенными выходными параметрами.

4. Результаты моделирования выходных параметров резистивных структур на основе многокомпонентных материалов, позволяющие снизить трудоемкость разработки технологии их получения и повысить экономичность производства резистивных структур для датчикового приборостроения.

Апробация работы Основные научные и практические результаты исследований по теме диссертации опубликованы в периодических изданиях, докладывались и обсуждались на 15 научно-технических конференциях, симпозиумах и семинарах: «ВНКСФ-12» (Новосибирск, 2006 г), «Методы создания, исследования материалов, приборов и экономические аспекты микроэлектроники» (Пенза, 2006, 2009 гг.), «Молодые ученые - 2006» (Москва, 2006 г.), «XLI Зимняя Школа Петербургский институт ядерной физики» (Санкт-Петербург, 2007 г.), «Университетское образование» (Пенза, 2007 — 2009 гг.), «Физика и технология микро- и наносистем» (Санкт-Петербург 2007 г.), «Материалы, изделия и технологии пассивной электроники» (Пенза, 2007 г.), «Аналитические и численные методы моделирования естественнонаучных и социальных проблем» (Пенза, 2007 г.), «Методы и средства управления технологическими процессами» (Саранск, 2007 г.), «Проблемы и перспективы развития отечественной светотехники, электротехники и энергетики» (Саранск, 2007 г.), «INTER-MATIC - 2007» (Москва, 2007 г.), «Надежность и качество» (Пенза, 2009 г.).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 17 работ, включая статью из перечня ВАК. Без соавторов опубликована одна работа.

Заключение диссертации по теме «Технология приборостроения», Аношкин, Юрий Владимирович

-138-Выводы

1. Разработана методика получения резистивных структур с заданной морфологией поверхности и выходными параметрами за счет технологических режимов получения и отжига.

2. Разработаны методики и выполнены комплексные исследования морфологических характеристик на низкоразмерном уровне с помощью комплекса сканирующей зондовой микроскопии и электрических параметров резистивных многокомпонентных структур, синтезированных в неравновесных условиях конденсации. Это позволило установить механизмы образования резистивных пленок и деградации их свойств на низкоразмерном уровне.

3. Проведены комплексные исследования морфоструктуры пленок на низкоразмерном уровне и электрических параметров резистивных структур на основе хромоникелевых сплавов, что позволило установить процессы формирования многокомпонентных пленок и деградацию их свойств на низкоразмерном уровне.

4. На основе экспериментальных результатов , теоретических моделей и результатов моделирования разработана физико-технологическая закономерность формирования резистивных структур с заданной морфоструктурой и выходными параметрами в виде: технологические режимы получения - морфоструктура пленок — свойства пленок — выходные параметры резистивных структур.

5. На базе физико-технологических закономерностей формирования резистивных структур с заданными морфоструктурой и выходными параметрами разработана технология получения резистивных структур с воспроизводимыми и стабильными параметрами.

-139-Заюпочение

В процессе выполнения диссертационной работы развиты основы технологии получения резистивных структур на основе хромоникелевых сплавов с заранее заданными и высокостабильными выходными параметрами за счет контролируемого изменения морфоструктуры на низкоразмерном уровне.

1. Разработана методика получения резистивных пленок на основе хромоникелевых сплавов с заданной морфологией поверхности структур при различных технологических режимах, что обеспечило разработку технологии изготовления резистивных структур для датчикового приборостроения с контролируемыми выходными параметрами.

2. Разработаны методики и выполнены комплексные исследования морфологических характеристик на низкоразмерном уровне с помощью комплекса сканирующей зондовой микроскопии и электрических параметров резистивных многокомпонентных структур, синтезированных в неравновесных условиях конденсации. Это позволило установить механизмы образования резистивных пленок и деградации их свойств на низкоразмерном уровне, что обеспечило установление физико-технологических закономерностей формирования резистивных структур с заданными выходными параметрами.

3. На основе экспериментальных результатов, теории фракталов, кинетики испарения и конденсации материалов в неравновесных условиях синтеза и результатов моделирования определены физико-технологические закономерности формирования резистивных структур с контролируемыми изменениями морфоструктуры и выходных параметров в виде: технологические режимы получения — морфоструктура пленок — режимы отжига - свойства пленок - выходные параметры резистивных структур для датчикового приборостроения, необходимые при разработке технологии получения информационно-измерительных приборов с заданными выходными параметрами.

-1404. На базе физико-технологических закономерностей формирования резистивных структур с заданными морфоструктурой и выходными параметрами разработана технология получения резистивных структур с воспроизводимыми и стабильными параметрами для датчикового приборостроения.

5. Разработаны модель и методика временной стабилизации параметров резистивных структур с использованием хромоникелевых сплавов за счет выбора технологических режимов и отжига, обеспечивающие стабильные во времени параметры, сравнимые с лучшими известными аналогами.

6. Проведено моделирование кинетики роста пленок, их электрофизических свойств на основе теории фракталов, позволяющее прогнозировать электрические, морфологические характеристики многокомпонентных материалов и выходные параметры резистивных структур на их основе в процессе хранения для различных технологических режимов, что особенно важно при разработке эффективной технологии получения высокостабильных информационно-измерительных приборов.

7. Результаты теоретических и экспериментальных исследований диссертационной работы использовались в учебном процессе и научных исследованиях семи высших учебных заведений РФ.

Автор благодарен всем сотрудникам кафедры «Нано- и микроэлектроники» Пензенского государственного университета за поддержку и помощь в выполнении диссертационной работе.

-141

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Аношкин, Юрий Владимирович, 2009 год

1. Кукушкин, С. А. Процессы конденсации тонких пленок / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов II Успехи физических наук. 1998. - Т. 168. - № 10. - С. 1083- 1115.

2. Купи, Ф. М. Теория гетерогенной нуклеации в условиях постепенного создания метастабильного состояния пара / Ф. М. Куни, А. К Щекин, А. П. Гринин II Успехи физических наук. 2000. - Т. 170 - №6 - С. 345 -363.

3. Becker, R. Selected problems of laser ablation theory / R. Becker, W. Doering И Ann. Physik 1935 - Vol. 24 - P.719 - 731.

4. Walton, D. Preferred orientations of evaporated Ni films on Mo and Si02 substrates / D. Walton II Vacuum 1962. - Vol. 49, P.257 - 263.

5. Sigsbee, R. A. Heterogeneous Nucleation from the films vapor / R. A. Sigsbee, G. M. Pound 11 Advan. Coll. Interf. Sci. 1967. - Vol.1 - P. 335 - 349.

6. Basic Problems in thin Film Physics / G. Zinsmeister II Proc. Intern. Symp., New York, 1965, p.33.

7. Modulation of residual current in a modulated Bayard-Alpert gauge / J. Courvoisier, L. Jansen, W. Haidinger //Trans. 9 Natl. Vacuum Symp., New York, 1962.-P. 14.

8. Технология тонких пленок / Под ред. Л. Майссел, Р. Глэнг. М. : Сов. Радио, 1977. - Т. 2. - 768 с.

9. Аверин, И. А. Управляемый синтез гетерогенных систем: получение и свойства: монография / И. А. Аверин. Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2006.-316 с.

10. Lewis, В. Activation energy and saturation density for In and Sn thin films on NaCl substrates / B. Lewis, D. Campbell I I Vacuum Sci. Technol. 1967 -Vol. 4, P.209 - 219.

11. Хирс, И. П. Испарение и конденсация / И. П. Хирс, Г. М. Паунд. М. : Металлургия, 1963. - 325 с.

12. The system was then isolated from the vacuum pumps and vapor from the chamber / T. Rhodin, D. Walton II Transactions of the Ninth Vacuum Symposium, New York, 1962. p.3.

13. Rhodin, T. N. Single Crystal Films / T. N. Rhodin, D. Walter, под ред. M. H. Francombe, Н. Sato. New York: Pergamon Press, 1964. - 337 p.

14. Salik, J Monte Carlo study of reversible growth of clusters on a surface / J. Salik // Phys. Rev. 1985 - Vol. 32 - P. 1824 - 1826.

15. Lewis, В., Thin Solid Films / B. Lewis 11 Phys. II 1967 - Vol.1 - №85 P. 1461 - 1477.

16. ВолоховИ.В. Технологические методы повышения стабильности параметров тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления автореф. дис. . канд. техн. наук: 05.11.14; защищена 26.06.08 / И. В. Волохов; ПензГУ. Пенза, 2008. - 18 с.

17. Пат. №1128694, СССР, МПК Н01С17/00. Способ изготовления высокотемпературного тензорезистивного элемента / Алексеева Э. А., Мокрое Е. А., Педоренко Н. П., Семенов В. А. Заявка 3509938/21, заявл. 05.11.1982; опубл. 27.03.1996.

18. Пат. № 2244969, РФ, МПК Н01С7/00. Тонкопленочный резистор и способ его изготовления / Спирин В. Г. — Заявка 2003121227/09; заявл. 08.07.2003; опубл. 20.01.2005.

19. Пат. № 2231150, РФ, МПК НО 1С17/00. Способы изготовления тонкопленочных резисторов / Спирин В. Г. — Заявка 2002114641/09; заявл. 04.06.2002; опубл. 20.06.2002.

20. Пат. №2207644, РФ, МПК Н01С17/00. Способ изготовления тонкопленочных резисторов / Смолин В. К. — Заявка 2000106952/09; заявл. 21.03.2000; опубл. 27.02.2003.

21. Гусев, А. И. Нанокристаллические материалы / А. И. Гусев, А. А. Ремпель М. : Физматлит, 2000 - 224 с.

22. Суздалев, И. П. Нанокластеры и нанокластерные системы. Организация, взаимодействие, свойства / И. П. Суздалев, П. И. Суздалев II Успехи Химии. 2001. - Т. 70. - С. 203 - 240.

23. Суздалев, И. П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов / И. П. Суздалев. М. : КомКнига, 2006. -592 с.

24. Черняев, В. Н. Физико-химические процессы в технологиях РЭА / В. Н. Черняев М. : Высш. шк., 1987. - 367 с.

25. Buffat, Ph. Discreteness of nanostructures and critical dimensions of nano-clusters / Ph. Buffat, I.P. Borel II Rhys. Rev. A. Gen. Phys. 1976. - Ser. 3. -Vol. 13.-P. 22.

26. Смирнов, Б. M. Физика фрактальных кластеров / Б. М. Смирнов — М. : Наука, 1991.-156 с.

27. Forrest, S. Nucleation Mechanism of Nanoparticles and Metal Clusters, their Structure and Chief Properties / S. Forrest, J. Witter II Metallopolymer Nano-composites 2005. - Vol. 81. - P. 25 - 63.

28. Thomas, G. Precipitation of Vacancies in Metals / G. Thomas, J. Washburn II Rev. Mod. Phys. 1963 - Vol.35 -P. 992 - 1011.

29. Физика тонких пленок / Под общей ред. Г. Хасса, Р. Э.Туна. — М. : Мир, 1967.- Т. 2.-396 с.

30. Маргулис, M. А. Современное состояние теории локальной электризации кавитационных пузырьков / М. А. Маргулис, И. М. Маргулис // Физическая химия- 2007. Т. 81 -№ 1 -С. 136- 147.

31. Van Itterbeck, A. Nickel films used as thermometers at low temperatures and superconductivity of lead films / A. Van Itterbeck, L. De Greve, R. Lambeir, R. Cells И Physica 1949. - Vol. 15 - №11-12 - P. 962 - 970.

32. Semiconductor Materials / N. Mostovetch, B. Vodar // Proc. Conf. Univ. Reading, New York, 1951 P. 260

33. Blank-Lapierre, A. Electrical conduction and current noise mechanism in discontinuous metal films. I. Theoretical / A. Blank-Lapierre, N. Nifontoff I I Phys. Radium 1956 - Vol.17 - P.2553 - 2563.

34. Minn, S. S. Critical Pressure for the Metal-Semiconductor Transition in V2O3 / S. S. Minn II Phys. Rev. Lett. 1969. - Vol.22 - P. 887 - 890.

35. Neugebauer, C. A. Magnetic and electron transport properties / C. A. Neugebauer, M. B. Webb II Appl. Phys. 1962. - Vol.33 - P.74.

36. Минайчев, В. E. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Нанесение пленок в вакууме / В. Е. Минайчев — М. : Высш. шк., 1989.- 110 с.

37. Ковенский, И. М. Отжиг электроосажденных металлов и сплавов / И. М. Ковенский Тюмень: ТюмГНГУ, 1995. — 92 с.

38. Ковенский, И. М. Термическая обработка металлических и композиционных покрытий: учебное пособие / И. М. Ковенский, И. Д. Моргун,

39. B. В. Поветкин — Тюмень: ТюмИИ, 1991. 96 с.

40. Аношкин, Ю. В. Модель деградации свойств резистивных пленок на основе хромоникелевых сплавов / Ю. В. Аношкин, И. А. Аверин, Р. М. Печерская II XLI Зимняя Школа ПИЯФ. Секция Физика конденсированных состояний ФКС-2007 Репино, 2007. - С. 39 - 41.

41. Аношкин, Ю. В. Физико-математическая модель прогнозирования параметров резистивных структур / Ю. В. Аношкин, И. А. Аверин, Р. М. Печерская II Надежность и качество 2009: тр. Междунар. симп. -Пенза,2009. С. 371 - 372.

42. Ковенский, И. М. Об изменении структуры электроосажденных металлов при отжиге / И. М. Ковенский, В. В. Поветкин, Н. И. Матвеев II Известия АН СССР. Металлы. 1989. - №2. - С. 97 - 103.

43. Katz, J. D. Low-temperature recrystallization kinetic In nickel electrodeposits / J. D. Katz, H. W. Pickering, W. R. Bltler II Plating and Surface Finishing -1980. Vol.67 -№11.- P.45 - 49.

44. Поветкин, В. В. Структура электролитических покрытий / В. В, Поветкин, И. М. Ковенский М. : Металлургия, 1989. - 130 с.

45. Миронов, В.Л. Основы зондовой микроскопии. Учебное пособие для студентов старших курсов высших учебных заведений / В. Л. Миронов — Нижний Новгород: Институт физики микроструктур РАН, 2004. 114 с.

46. Jan F. Jirgense, The Scanning Probe Image Processor, SPIP™ Copyright, Электронный ресурс., CEO Image Metrology A/S, 1998-2004, Режим доступа: http://www.imagemet.com, свободный.

47. Морозов, Ф. Д. Введение в теорию фракталов / Ф. Д. Морозов. Москва; Ижевск: Институт компьютерных исследований, 2002. - 160 с.

48. Кроновер Р. М. Фракталы и хаос в динамических системах. Основы теории / Р. М. Кроновер. — М. : Постмаркет, 2000. — 352 с.

49. Божокин, С. В. Фракталы и мультифракталы / С. В. Боэ/сокин, Д. А. Паршин. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001.-128 с.

50. Золь-гель-технология: учеб. пособие / В. А. Жабрее, В. А. Мошников, Ю. М. Таиров, А. А. Федотов, О. А. Шилов. СПб. : Изд-во СпбГЭТУ «ДЭТИ», 2005. - 156 с.

51. Золотухин, И. В. Фрактальная структура и некоторые физические свойства углеродного депозита, полученного распылением графита в электрической дуге / И. В. Золотухин, Ю. В. Соколов II Письма в ЖТФ. — 1997. Т.23 - №13. - С.71 - 75.

52. Энциклопедии, словари и справочники. Химическая энциклопедия, Поверхностная энергия, Режим доступа: http://www.cnshb.ru свободный.

53. Палатник, Я. С. Основы пленочного полупроводникового материаловедения / Л. С. Палатник, В. К. Сорокин — М. : Энергия, 1973. — 296 с.

54. An, /. Real time spectroellipsometry study of the interaction of hydrogen with ZnO during ZnO/a Si(l - x)C(x)H interface formation //. An, Y. Lu, C.R.

55. Ормонт, Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников / Б. Ф. Ормонт — М. : Высш. шк., 1973. — 655 с.

56. Савельев, И. В. Курс общей физики. Молекулярная физика и термодинамика I Савельев И. В.- М. : Астрель ACT, 2005. 208 с.

57. Франк-Каменецкий, Д. А. Диффузия и теплопередача в химической кинетике /Д. А. Франк-Каменецкий — М. : Наука, 1987. — 492 с.

58. Kaur, I. Fundamentals of Grain and Interphase Boundary Diffusion /1. Kaur, W.Gust. Stuttgart: Ziegler Press, 1989. - 447 c.

59. Шалимова, К. В. Физика полупроводников / К. В. Шалимова — М. : Энергоатомиздат, 1985. 392 с.