Управление составом, структурой и свойствами композитных наноматериалов на основе халькогенидов, оксидов, галогенидов свинца, олова и серебра тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, доктор наук Томаев Владимир Владимирович

• Томаев Владимир Владимирович
• доктор наук
• 2026

Оглавление диссертации доктор наук Томаев Владимир Владимирович

Оглавление

Введение

Глава 1. Аналитический обзор

1.1 Выбор методологии исследования

1.2 Устойчивость кубической фазы

в двухфазном композите (PbSe)1-x - (PbSeO3)x

1.3 Управление наноструктурой и свойствами

в пленочных слоях на основе SnO2

1.4 Управление полиморфными превращениями

в двухфазном композите (p-AgI)1-x - (y-AgI)x

1.5 Управление проводимостью и структурой

в композитных стёклах (As2Se3)1-x - (AgHal)x [Hal = I, Br]

1.6 Управление ионной проводимостью в многослойных пленках

на основе чередующихся нанослоев Ag3SI/AgI и Ag2S/AgI

1.7 Выводы по главе 1. Формулирование цели диссертационной работы 33 Глава 2. Управление свойствами

двухфазного композита (PbSe)1-x - (PbSeO3)x

2.1 Термодинамический анализ окисления PbSe

2.2 Подготовка исходных образцов PbSe

2.3 Модель образования PbSeO3 40 2.4. Синтез PbSeO3 путём окисления PbSe

2.5 Фазовый анализ окисленных частиц PbSe

2.6 Рентгеновский эмиссионный анализ (метод химического сдвига)

2.7 Температурные измерения сопротивления

поликристаллических образцов PbSe на постоянном токе

2.8 Температурные измерения импедансных спектров

в двухфазном композите (PbSe)1-x - (PbSeO3)x

2.9 Диэлектрические свойства и фазовый переход

в двухфазном композите (PbSe)1-x - (PbSeO3)x

2.10 Сегнетоэлектрический фазовый переход

в двухфазном композите (PbSe)1-x - (PbSeO3)x

2.11 Исследование окисленных порошков PbSe

методом ИК-спектроскопии

2.12 Исследование морфологии и химического состава

синтезированных пленок

2.13 Спектры отражения окисленных пленок PbSe в ИК-области

2.14 Выводы по главе 2 104 Глава 3. Управление наноструктурой и свойствами

в пленочных слоях на основе SnO2

3.1 Способ получения слоев на основе SnO2 пиролитическим методом и оборудование для его реализации

3.2 Электронномикроскопические исследования структуры пленок, полученных пиролитическим методом

3.3 Исследования температурной зависимости сопротивления металлооксидных полупроводников на основе SnO2

3.4 Модель наномодифицирования пленок на основе SnO2

с помощью добавок

3.5 Методы получения нитевидных кристаллов

3.6 Формирование поликристаллических слоев SnO2

с одномерным типом наноморфологии

3.7 Формирование поликристаллических слоев SnO2

с двумерным типом наноморфологии

3.8 Импедансная спектроскопия металлооксидных пленок

3.9 Выводы по главе 3 162 Глава 4. Методы управления полиморфным фазовым составом наноструктурированного AgI

4.1 Основные принципы и подходы

4.2 Изменения в AgI при механохимической обработке

4.3 Термомодифицирование Agi

4.4 Обсуждение результатов модифицирования Agi

4.5 Выводы по главе 4 185 Глава 5. Управление ионной проводимостью и структурой нанофрагментов среднего порядка стекол состава (As2Se3)i-x - (AgHal)x [Hal = I, Br]

5.1 Суперионные проводники

5.2 Результаты дифференциального термического анализа

5.3 Результаты рентгенофазового анализа

5.4 Результаты импедансной спектроскопии

5.5 Выводы по главе 5 202 Глава 6. Управление наноструктурой и свойствами в пленках на основе чередующихся нанослоев Ag3SI/AgI и Ag2S/AgI

6.1 Ионная проводимость в гетерогенных системах

6.2 Формирование пленок с чередующимися нанослоями

6.3 Электрические и структурные свойства пленок

6.4 Выводы по главе 6 21 2 Глава 7. Возможности практического применения полученных композитных наноматериалов

7.1 Перспективные материалы для сенсорики и хемотроники

7.2 Сенсорные свойства композита (PbSe)1-x - (PbSeO3)x

7.3 Газочувствительные свойства нанопленок SnO2

7.4 Применение композитов на основе AgI

с управляемым полиморфным фазовым составом

7.5 Хемотронные свойства стёкол, содержащих AgI и AgBr

7.6 Применение плёночных чередующихся

нанослоёв Ag3SI/AgI и Ag2S/AgI

7.7 Модель управления соотношением полиморфных фаз AgI

в нанопорошке методом механомодифицирования

7.8 Выводы по главе 7 253 Заключение

Список литературы Приложение А Приложение Б Приложение В Приложение Г Приложение Д Приложение Е

301

302

303

304

305

306

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Управление составом, структурой и свойствами композитных наноматериалов на основе халькогенидов, оксидов, галогенидов свинца, олова и серебра»

Введение

Актуальность темы исследования. Развитие технологий материалов электронной техники, в частности в отношении микроминиатюризации, в настоящее время достигло столь высокого уровня, что для их дальнейшего усовершенствования необходима разработка новых видов функциональных материалов с особыми характеристиками. Одним из перспективных подходов является создание новых нанокомпозиционных материалов с развитой поверхностью границы раздела фаз, обеспечивающей возможность управления свойствами материала в широких пределах. Уменьшая размер отдельных фаз в материале до 100 нм и ниже, можно достичь резкого изменения их структуры и свойств, включая кристаллическое строение, температуру плавления, теплопроводность, электропроводность, прочностные характеристики и т. д. В таком материале размер наночастиц сопоставим с толщиной поверхностного дебаевского слоя, в пределах которого и наблюдаются основные изменения свойств. Вместе с тем в таких областях, как сенсорика и хемотроника, важен не просто размер частиц, а именно граница раздела фаз, на которой осуществляется большинство физико-химических процессов, приводящих к изменению электрических свойств материала и обеспечивающих физический отклик сенсора. Поэтому для создания эффективных сенсорных и хемотронных материалов перспективно формирование нанокомпозитов с развитой гетерограницей, в которых функциональные наночастицы встроены в твердотельную неорганическую матрицу. В отличие от известных подходов, таких как золь-гель, керамическая технология, соосаждение, сублимационная сушка, пиролиз аэрозолей и др., в данной работе разрабатывается концепция синтеза неорганических композитных материалов посредством управляемых фазовых превращений, позволяющих создавать гетерогенные материалы, характеризующиеся наличием фаз, существенно различающихся по своим свойствам (электрическим, оптическим и др.), а также заданной структурой, стабилизируемой за счет управляемого формирования межфазных границ.

Рассматриваемый подход особенно перспективен в отношении разработки наноматериалов на основе халькогенидов, оксидов и галогенидов свинца, олова и серебра. Хотя они широко применяются в сенсорике и свойства их достаточно хорошо изучены, нанокомпозиты на их основе системно не синтезированы и не исследованы. Поэтому актуальной задачей является разработка методов формирования и управления составом, структурой и свойствами новых композитных наноматериалов на основе халькогенидов, галогенидов и оксидов свинца, олова и серебра.

Халъкогениды свинца характеризуются узкой запрещенной зоной и имеют практическое применение в качестве приемников и источников ИК излучения.

Оксиды олова обладают широкой запрещенной зоной, высокой прозрачностью химической стойкостью и могут использоваться в качестве химических и оптических чувствительных элементов.

Галогениды и халъкогениды серебра обладают рядом фазовых переходов, аномально высокой проводимостью по ионам Л§+, могут быть использованы при создании источников ионов, топливных элементов, газовых и жидкостных сенсоров.

Халъкогенидное стекло As2Seз обладает рядом уникальных оптических, фотоэлектрических и электрических свойств, основанных на фотоструктурных изменениях, позволяющих найти ему широкое применение в фотонике, оптоэлектронике и микроэлектронике.

Степень разработанности темы исследования. Разработка методов управления свойствами композитных наноматериалов на основе халькогенидов, галогенидов и оксидов свинца, олова и серебра, и установления взаимосвязей между их составом, структурой и свойствами основана на концепции наноматериалов (Г. Глейтер, П. Аливисатос, Р. Андриевский), устанавливающей определяющую роль поверхностей раздела [1-9].

Исследование объединяет несколько типичных материалов электронной техники, относящихся к халькогенидам, галогенидам и оксидам свинца, олова и серебра, свойства которых заметно отличаются друг от друга, но которые

достаточно хорошо изучены. Однако в данной работе на их основе созданы новые нанокомпозитные материалы и структуры, представляющие собой твердотельную неорганическую матрицу и встроенные в нее функциональные наночастицы. Такое объединение в одно целое двух разных компонентов в процессе синтеза приводит к созданию нового материала, свойства которого количественно и качественно отличаются от свойств каждого отдельного компонента. В работе используется идея управляемого внешними воздействиями на материал перехода от однофазного к многофазному состоянию с формированием неорганических нанокомпозитных материалов. Изменяя состав и структуру как матрицы, так и функциональных наноэлементов, их морфологию, можно управлять характеристиками межфазной границы и получить широкий спектр материалов с требуемым набором свойств.

Диссертационное исследование выполнено по государственным заданиям Минобрнауки России, проекты №5279 и №8635; госконтракту №14.577.21.0127 по ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы», грантам РФФИ: №17-03-00121-а (2017-2019); 19-02-00167-а (2019-2021); 20-03-00185-а (2020-2022); хоздоговору №18017 (2018); гранту РНФ №24-23-00140.

Цели и задачи. Разработка методов синтеза и управления составом, структурой и свойствами новых неорганических нанокомпозитных материалов на основе халькогенидов, оксидов и галогенидов металлов (РЬ, Sn, Ag и др.) для сенсорных и хемотронных приборов с улучшенными функциональными свойствами.

1) Разработать новый нанокомпозит на основе фаз PbSe и PbSeO3 путём окисления PbSe кислородом (02) и изучить закономерности эволюции структуры и электрических свойств нанокомпозита по мере изменения соотношения фаз.

2) Разработать методы управления морфологией и электрическими свойствами пленочных материалов на основе Бп02, легированных добавками металлов.

3) Разработать методы получения нанокомпозитных структур, состоящих из стабильной фазы P-AgI и метастабильной фазы у-Л§1, позволяющие за счет

фазовых превращений исходной высокоомной Р-фазы в низкоомную у-фазу прецизионно изменять ионную проводимость в широких пределах регулированием соотношения фаз.

4) Разработать метод получения стёкол (Лв23ез)1-х - (Л§Иа1)х [На1 = I, Вг] с повышенной ионной проводимостью за счет гетерогенного взаимодействия между стеклообразователем (ЛБ23ез) и модификатором (Л§Иа1, Иа1 = I, Вг).

5) Разработать метод повышения продольной ионной проводимости композиционных материалов путем создания многослойных чередующихся нанопленок Л§3Б1, Л§2Б и Л§1 и исследовать их электрические свойства в зависимости от сочетания и толщины фаз.

Научная новизна.

1. Разработан способ формирования новых нанокомпозитов псевдосегнетоэлектрик-сегнетоэлектрик на основе РЬБе03 за счет превращения РЬБе^РЬБеОз в процессе термического окисления кислородом воздуха. В композите (РЬБе)1-х - (РЬБеОз)х обнаружен сегнетоэлектрический фазовый переход, подчиняющийся закону Кюри-Вейса, определена температура Кюри Тс = 378±25 К, наблюдаются аномально-высокие значения диэлектрической проницаемости в = 380 - 15000 при частотах до 1 кГц. Для фазового перехода рассчитана постоянная Кюри-Вейса, значение которой С составляет порядка 1.5-106 К, и, согласно теории Девоншира, её можно отнести к фазовому переходу смещения. Впервые для структуры РЬБе03 оценён фактор устойчивости по Гольдшмидту tpЬSe0з « 0.83 и показано, что структура может быть отнесена к перовскитоподобной с сегнетоэлектрическими свойствами.

2. Показано, что введение хлоридов металлов (меди, золота, кобальта, индия, сурьмы, иттербия) в исходный раствор БпС12 в процессе формирования пленок Бп02 позволяет получить наноструктуры различной мерности: а) нульмерные (0Б) при использовании СиС12, СиС12+Ли2С16, СоС13; б) одномерные (Ш) при использовании 1пС13; в) двухмерные (2Э) при использовании БЬС13 и УЬС13.

3. Впервые предложены методы управления составом, структурой и свойствами в двухфазном композите (P-AgI)1-x-(y-AgI)x, где х = 0 - 1, основанные на периодическом действии динамических сжимающих нагрузок или температуры, обеспечивающие формирование нанокомпозитов из Р и у фаз за счет частичной трансформации исходной высокоомной стабильной Р-фазы в низкоомную метастабильную у-фазу.

4. Разработаны новые нанокомпозиты с повышенной ионной проводимостью (As2Se3)1-x - (AgHal)x [Hal = I, Br], где х = 0 - 0.5, и способ их получения путем гетерогенного взаимодействия между стеклообразователем (As2Se3) и модификатором (AgHal, Hal = I, Br), позволяющий достичь более высокой ионной проводимости в стеклах (As2Se3)i-x - (AgHal)x [Hal = I, Br] (~10-4 Ом-1-см-1) по сравнению с кристаллическим AgHal (~10-6 Ом-1-см-1).

5. Показано, что в многослойных плёнках Ag3SI/AgI и Ag2S/AgI, имеющих толщину отдельного слоя 10-20 нм, достигается эффект повышения ионной проводимости на гетерогранице по сравнению с отдельными компонентами. Достигнуто расширение температурного интервала существования высокопроводящей модификации суперионного твердого электролита a-AgI, обеспечивающего продольную проводимость по ионам серебра до ~2.5-10-4 Ом-

W.

Теоретическая значимость.

Установлена взаимосвязь между составом, структурой и свойствами в новых нанокомпозиционных двухфазных материалах на основе халькогенидов, галогенидов и оксидов свинца, олова и серебра представляющих собой неорганическую матрицу с встроенными в нее, функциональными наночастицами.

Разработаны нанокомпозиционные материалы псевдосегнетоэлектрик-сегнетоэлектрик.

Обнаружен позисторный эффект в разработанном нанокомпозите состава (PbSe)1-x - (PbSeO3)x.

Предложен метод повышения ионной проводимости материалов путем создания многослойных нанокомпозиционных структур с формированием каналов протекания вдоль гетерограниц.

Практическая значимость.

Обнаружен эффект скачка сопротивления в области сегнетоэлектрического фазового перехода в нанокомпозите (РЬБе)ьх - (РЬБе03)х, который может быть использован для изготовления микросенсорных устройств. Нанокомпозиты внедрены на АО «Восход» (г. Калуга) в технологии получения приемников ближнего ИК-излучения. Технология позволяет получать в промышленном масштабе более 2500 фоторезистивных элементов за один технологический цикл; исключены «мокрые» этапы обработки, а эксплуатируемая технологическая оснастка более экономична. Также материал внедрен в технологии получения материалов и изготовления приемников среднего ИК-излучения (ООО «ИКО», Санкт-Петербург) и газоаналитических приборов различного назначения (ОАО «РНИИ «Электронстандарт», г. Санкт-Петербург).

Разработаны способ определения состава, соответствующего максимальной температуре плавления полупроводниковых соединений Л4В6 (Патент РФ №2155830), и способ определения температуры изменения типа проводимости на границе области гомогенности соединений Л4В6 (Авторское свидетельство СССР №1827693), позволяющие синтезировать материал из исходной шихты с минимальным содержанием дефектов и включений второй фазы и способствующие повышению качества материала.

Предложен способ получения полупроводниковых структур на основе соединений Л4В6 (Авторское свидетельство СССР №1659536), повышающий планарность и снижающий плотность дефектов в структуре.

Предложен способ приготовления шихты для получения твердых растворов халькогенидов свинца и олова парофазными методами (Патент РФ №2155830), который позволяет из синтезированной шихты твердого раствора халькогенидов свинца и олова эвакуировать в динамическом вакууме дефекты и включения второй фазы и способствует повышению качества исходной шихты.

Разработан метод получения плёночных слоёв SnO2 из раствора 10H20+SnCl2-2H20 в атмосфере кислорода, позволяющий с помощью добавок модифицировать их морфологию - формировать 0D, 1D и 2D наноструктуры. За счет развитой поверхности раздела пленки перспективны для изготовления газочувствительных микросенсоров хемосорбционного типа. В частности, на основе плёночных слоёв Sn02 разработаны прозрачные нагревательные элементы для устройств измерения дымности отработавших газов дизелей (Патенты РФ: №1803829; №2112960).

Разработана методика синтеза композита, состоящего из твердотельной неорганической матрицы Р-AgI и встроенных в неё функциональных элементов у-AgI, позволяющая повысить ионную проводимость Ag+ примерно в 104 раз, а полученный материал использовать в качестве твердого электролита в хемотронике.

Разработана технология получения двухфазного халькогенидного стекла (As2Se3)1-x - (AgHal)x [Hal = I, Br], где 0 < x < 0.5, обладающего более высокой ионной проводимостью, чем проводимость кристаллического галогенида свинца (AgHal), для использования в качестве перспективного твердого электролита по ионам Ag+.

На базе ООО «ЛЕД МИКРОСЕНСОР» (г. Санкт-Петербург) в технологиях получения фото- и светоизлучающих диодов внедрены нанокомпозиты и стёкла на основе халькогенидов, оксидов и галогенидов свинца, олова, серебра и мышьяка.

Разработаны устройства для формирования многослойных структур (Патент РФ №2175692 и Полезная модель РФ №97724), способ формирования многослойных нанокристаллических пленок с гетерогенной границей раздела и устройство для формирования многослойных нанокристаллических пленок с гетерогенной границей раздела (Патент РФ №2436876), которые позволяют изменять структуру и свойства материала за счёт варьирования развитой гетерограницы и которые могут быть использованы для получения перспективных сенсорных материалов и устройств.

Устройство для исследования температурных зависимостей различных сред (Патент RU 2807370) отмечено золотой медалью на Международной выставке инноваций HI-TECH (Санкт-Петербург, 2024 год) и бронзовой медалью Выставки изобретений Архимед 2025 (Москва).

Результаты работы в виде лабораторного программно-технического комплекса используются в СПГТИ(ТУ) на кафедрах теоретических основ материаловедения и автоматизации процессов химической промышленности.

Методология и методы исследования. В данной работе разрабатывается концепция формирования неорганического композитного наноматериала с контролируемыми поверхностными и межфазными свойствами путем управляемых фазовых превращений, позволяющих формировать гетерогенные материалы с существенно отличающимися по электирическим, оптическим и др. свойствам фазами, и перспективных для микросенсорики и хемотроники.

Основные методы получения композитных наноматериалов: выращивание монокристаллов из паровой фазы; синтез полупроводниковых материалов в вакуумированных (10-4 мм рт. ст.) кварцевых ампулах; термическое напыление плёнок в вакууме; механомодифицирование порошков в шаровой вибрационной мельнице; термоциклирование плёнок; лазерная абляция плёнок в вакууме; пиролитический синтез металлооксидных плёнок из водных растворов хлоридов металлов и др.

Основные методы исследования композитных материалов: рентгеновская дифрактометрия; рентгеновский эмиссионный анализ (метод химического сдвига); растровая электронная микроскопия; ядерный магнитный резонанс; ИК-Фурье спектроскопия; комплексный термический анализ; эллипсометрия; Оже-электронный микроанализ; температурные исследования проводимости и импедансной спектроскопии и др.

В работе рассмотрены общие принципы управления получением двухфазных композитных низкоразмерных материалов электронной техники на основе халькогенидов, галогенидов и оксидов свинца, олова и серебра. На основе принципов физики открытых систем сформулированы научные основы для

воспроизводимого конструирования функциональных наноэлементов электроники, находящихся в матрице материала. Показано, что в процессе управления могут возникать качественно новые структуры, причём поведение системы может быть обусловлено как внешними вынуждающими воздействиями, так и являться результатом развития внутренних неустойчивостей при трансформации характерных её параметров. Сделано предположение о том, что внешнее вынуждающее воздействие выступает лишь стимулирующим или ограничивающим фактором, в то время как система сама реализует «собственные» представления о потребностях (порядке), необходимых в складывающихся обстоятельствах. Вследствие этого основой управления системы можно считать реализацию собственных неустойчивостей, на которые, наряду с внешними факторами, наибольшее влияние оказывают внутренние условия.

Таким образом, изучение эволюционного спонтанного структурообразования и поведения системы (в данном случае материала) - это и есть основная задача управления, рассмотренная в работе.

Положения, выносимые на защиту.

1) Физико-химические основы формирования нанокомпозитов псевдосегнетоэлектрик-сегнетоэлектрик на основе РЬБе03 за счет превращения РЬБе^РЬ8е03 в процессе термического окисления кислородом для использования в качестве чувствительных структур в ближней ИК и других областях оптического спектра в микросенсорике. В двухфазном композите (РЬБе)1-х - (РЬБе03)х обнаружен сегнетоэлектрический фазовый переход при температуре ТС = 378±25 К, а рассчитанная постоянная Кюри-Вейса С = 1.5-106 К, согласно теории Девоншира, позволяет отнести его к переходу смещения.

2) Способ управления морфологией пленок Бп02, получаемых посредством пиролиза из растворов БпСЪ, с помощью добавок хлоридов металлов (Си, Л§, Со, 1п, БЬ, УЬ) в количестве ~2 мол. %, обеспечивающий формирование 0Э, Ш и 2Э наноструктур для высокочувствительных физико-химических микросенсоров.

3) Метод получения композита (P-Agl)i-x - (y-AgI)x, где х = 0 - 1, основанный на активированном механомодифицированием и термоциклированием полиморфном превращении, и обеспечивающий формирование нанокомпозита из высокоомной Р- и низкоомной у-фаз Agi в форме порошка, пленки или компактированного материала для использования в качестве ионных источников Ag+ в хемотронике.

4) Данные о составе и структуре новых нанокомпозитов с регулируемой ионной проводимостью (As2Se3)i-x - (AgHal)x [Hal = I, Br], где х = 0 - 0.5, и способ их получения путем гетерогенного взаимодействия между стеклообразователем (As2Se3) и модификатором (AgHal, Hal = I, Br), позволяющий достичь более высокой ионной проводимости в стеклах (As2Se3)1-x - (AgHal)x [Hal = I, Br] (~10-4 Ом-1-см-1) по сравнению с кристаллическим AgHal (~10-6 Ом-1-см-1).

5) Метод повышения продольной ионной проводимости материалов путем создания многослойных чередующихся нанопленок, обоснованный на примере композитов Ag3SI/AgI и Ag2S/AgI с увеличенной проводимостью по ионам серебра.

Степень достоверности и апробация результатов. Достоверность обеспечивается статистической обработкой результатов, использованием современных методов исследования, применением математических методов обработки экспериментальных данных, независимым (более поздним) подтверждением ряда выводов другими авторами и непротиворечивостью современным воззрениям в области материаловедения.

Основные результаты работы представлялись на научных мероприятиях: Всероссийская международная конференция по физикохимии ультрадисперсных (нано) - систем, Москва, 2002; Всесоюзная научная конференции «Физика полупроводников и полуметаллов» (ФПП), Санкт-Петербург, 2002; Всероссийское совещание по температураустойчивым функциональным покрытиям, Санкт-Петербург, 2003; Международная научно-практическая конференции "Наука, технология и производство силикатных материалов - настоящее и будущее",

Москва, 2003; Международный конгресс химических технологий «Химические нанотехнологии и функциональные наноматериалы», Москва, 2003; Международная конференция «Физика диэлектриков», Санкт-Петербург, 2004; Международная конференция "Наночастицы, наноструктуры, нанокомпозиты", Санкт-Петербург, 2004; Одиннадцатая международная конференция «Физика диэлектриков (ДИЭЛЕКТРИКИ)», Санкт-Петербург, 2018; Шестая всероссийская конференция «Физические проблемы водородной энергетики», Санкт-Петербург, 2010; Четырнадцатая национальная конференция по росту кристаллов «НКРК», Москва, 2010; International scientific and applied conference Opto-nanoelectronics and renewable energy sources, Varna, Bulgaria, 2010; Международная конференция «Приоритетные направления научных исследований нанообъектов искусственного и природного происхождения (STRANN)», Санкт-Петербург, 2011, 2012, 2016, Москва, 2018; Международный симпозиум «Нанофизика и Наноматериалы», Санкт-Петербург, 2013-2023; Российская конференция по электронной микроскопии (РКЭМ), Черноголовка, 2014, 2015, Зеленоград, 2017, Черноголовка, 2018, 2020, 2022, 2024; Международное совещание «Фундаментальные проблемы ионики твердого тела (ФПИТТ)», Черноголовка, 2016, 2018, 2020; 2022; 2024; Конференция с международным участием «Электронно-лучевые технологии (КЭЛТ)», Черноголовка; 2019, 2023, 2025; Международный симпозиум «Фундаментальные основы лазерных микро- и нанотехнологий (FLAMN)», Санкт-Петербург, 2019.

Основные материалы диссертации отражены в 79 печатных работах, в том числе 54 в рецензируемых журналах, индексируемых международными базами данных Web of Science Core Collection и/или Scopus, 8 патентах и авторских свидетельствах на изобретения.

Содержание диссертации и основные положения, выносимые на защиту, отражают персональный вклад автора в опубликованные работы. Автором диссертации сформулированы концепции научных направлений исследований, выбраны объекты исследований, проведена систематизация полученных данных, выявлены общие закономерности. Представленные в диссертации

экспериментальные результаты и расчеты, выводы и обобщения соискателем получены лично. Все экспериментальные исследования с применением современных методов синтеза и анализа материалов выполнялись при непосредственном участии автора.

Диссертация состоит из введения, 7 глав, заключения, описания основных результатов и выводов и изложена на 317 страницах, содержит 117 рисунков, 25 таблиц, 381 библиографических ссылок и 6 приложений.

Благодарности.

Автор выражает благодарности коллегам, участвовавшим в выполнении экспериментов и обсуждении результатов, за помощь и поддержку на всех этапах выполнения работы, особенно - профессору Сыркову А. Г., доктору химических наук Ефименко Л. П., доценту, кандидату химических наук Мякину С. В.

Глава 1. Аналитический обзор

1.1 Выбор методологии исследования

Композиционные материалы, сочетающие компоненты с различными электрическими свойствами (в частности, сегнетоэлектрики, полупроводники с различным типом проводимости и значениями ширины запрещенной зоны, проводники), необходимы для создания различных устройств современной электроники - транзисторов, сенсоров (в т. ч. обладающих высокой селективностью в отношении излучений определенных частотно-волновых диапазонов), преобразователей энергии и т. д. Перспективным подходом к управлению характеристиками рассматриваемых материалов и устройств на их основе является переход к наноразмерному состоянию компонентов, обеспечивающему возможность регулирования свойств (в т. ч. электрических и оптических) в зависимости от размера структурных элементов. Для реализации данного подхода можно использовать микроскопический механизм управления атомно-молекулярными процессами, например, с помощью «манипулятора» (предложенного ещё Р. Ф. Фейнманом), однако данный способ в настоящее время является малоизученным, дорогостоящим и не обеспечивает достаточной производительности [1]. Поэтому на современном этапе целесообразно использовать другие методики, осуществляющие менее «жёсткий» контроль над ходом структурных превращений. Во многих практически важных случаях достаточно воспроизвести лишь текстуру материала, а не его точные копии.

Для разработки научно-технологических основ получения композитных наноматериалов на основе халькогенидов, галогенидов и оксидов свинца, олова и серебра и установления взаимосвязей между их составом, структурой и свойствами Г. Глейтером, П. Аливисатосом и Р. Андриевским была разработана концепция наноматериалов, связанная с определяющей ролью поверхностей раздела и существенно изменяющая свойства материала как путем модификации структуры

и электронного строения, так и новыми возможностями введения легирующих элементов [2-9].

Для создания эффективных сенсорных [10] и хемотронных [11] материалов Г. Глейтером в 1981 г. была сформулирована концепция, основанная на создании нанокомпозитов с развитой гетерограницей, в которых функциональные наночастицы встроены в твердотельную неорганическую матрицу [3, 4]. Согласно этой концепции, в композитном материале основная роль принадлежит поверхностям раздела (границам зерен) как фактору, позволяющему существенно изменять свойства твердых тел путем модификации структуры.

Сфера применения данной концепции в дальнейшем обоснованно расширена в отношении других материалов и методов получения [4-7].

В частности, П. Аливисатосом [5, 6] с коллегами показано, что полупроводниковые нанокристаллы обладают широким диапазоном свойств, а изменение фундаментальных характеристик от изменения фазовых переходов до изменения электропроводности может быть вызвано изменением размера кристаллов.

Пути дальнейшего углубления знаний в области размерных эффектов и термической стабильности всех типов наноматериалов и методов получения рассмотрены также Р. Андриевским в работах [7-9].

Основные методы получения композитных наноматериалов использованных в настоящей работе включают: выращивание монокристаллов из паровой фазы; синтез полупроводниковых материалов в вакуумированных (10-4 мм рт. ст.) кварцевых ампулах; термическое напыление плёнок в вакууме; механомодифицирование порошков в шаровой вибрационной мельнице; термоциклирование плёнок и материалов; лазерную абляцию плёнок в вакууме; пиролитический синтез металлооксидных плёнок из водных растворов хлоридов металлов и др.

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Томаев Владимир Владимирович, 2026 год

Список литературы

1. Eigler, D. M. Positioning single atoms with a scanning tunneling microscope / D. M. Eigler, E. K. Schweizer // Nature. - 1990. - V. 344. - P. 524-526.

2. Biener, J. Surface Chemistry in Nanoscale Materials / J. Biener, A. Wittstock, T. F. Baumann, J. Weissmuller, M. Baumer and A. V. Hamza // Materials -2009. - No. 2. - P. 2404-2428.

3. Gleiter, H. Nanostructured materials: basic concepts and microstructure / H. Gleiter // Acta Mater. - 2000. - V. 48. - P. 1-29.

4. Gleiter, H. Nanoglasses: a new kind of noncrystalline materials / H. Gleiter // Beilstein J. Nanotechnol. - 2013. - No. 4. - P. 517-533.

5. Alivisatos, A. P. Perspectives on the Physical Chemistry of Semiconductor Nanocrystals / A. P. Alivisatos // J. Phys. Chem. - 1996. - V. 100. -P. 13226-13239.

6. Alivisatos, A. P. Semiconductor Clusters, Nanocrystals, and Quantum Dots / A. P. Alivisatos // Science, New Series. - 1996. - Vol. 271. - No. 5251. - P. 933-937.

7. Андриевский, Р. А. Термическая стабильность наноматериалов / Р. А. Андриевский // Успехи химии. - 2002. - Т. 71. - № 10. - С.967-981.

8. Андриевский, Р. А. Наноматериалы: концепция и современные проблемы / Р. А. Андриевский // Рос. хим. ж. (Ж. Рос. хим. об-ва им. Д. И. Менделеева). - 2002. - Т. XLVI. - №5. - С.50-56.

9. Andrievski, R. A. Review of thermal stability of nanomaterials / R. A. Andrievski // J Mater. Sci. - 2014. - Vol. 49. - P. 1449-1460.

10. Эггинс, Б. Химические и биологические сенсоры / Б. Эггинс. - М.: Техносфера. 2005. - 336 с. - ISBN 5-94836-045-8.

11. Юшина, Л. Д. Твердотельная хемотроника / Л. Д. Юшина. -Екатеринбург: УрО РАН. - 2003. - 204 с. - ISBN: 5-7691-1284-4.

12. Родунер, Э. Размерные эффекты в наноматериалах / Э. Родунер. - М.: Техносфера. 2010. - 352 с. - ISBN 978-5-94836-265-6.

13. Баника, Ф. Г. Химические и биологические сенсоры: основы и применения / Ф. Г. Баника. - М.: Техносфера. 2014. - 880 с. - ISBN 978-5-94836380-6.

14. Интеллектуальные сенсорные системы / Под редакцией Мейджера Дж. К. М. - М.: Техносфера. - 2011. - 464 с. - ISBN: 978-5-94836-299-1.

15. Нано- и микросистемная техника. От исследований к разработкам / Под редакцией Мальцева П. П. - М.: Техносфера. - 2005. - 592 с. - ISBN 5-94836063-6.

16. Kuroiwa, Y. Piezoelectricity in perovskite-type pseudo-cubic ferroelectrics by partial ordering of off-centered cations / Y. Kuroiwa, S. Kim, I. Fujii, S. Ueno, Y. Nakahira, C. Moriyoshi, Y. Sato, S. Wada // COMMUNICATIONS MATERIALS. -2020. - 8 p. - URL: https://doi.org/10.1038/s43246-020-00072-4.

17. Ivanov, S. A. Structure of Pb(Fe2/3W1/3)O3 single crystals with partial cation order / S. A. Ivanov, A. I. Stash, L. Riekehr, Y.-S. Chen, Z.-G. Ye // Scientific Reports.

- 2020. - 16 p. - URL: https://doi.org/10.1038/s41598-020-71438-4. Scientific Reports | (2020) 10:14567 | https://doi.org/10.1038/s41598-020-71438-4.

18. Hou, Y. Two-dimensional hybrid organic-inorganic perovskites as emergent ferroelectric materials / Y. Hou, C. Wu, D. Yang, T. Ye, V.G. Honavar, A. C. T. van Duin, K. Wang, and S. Priya // J. Appl. Phys. - 2020. Vol. 128. 060906 https://doi.org/10.1063Z5.0016010.

19. Celano, U. Ferroelectricity in Si-Doped Hafnia: Probing Challenges in Absence of Screening Charges / U. Celano, A. Gomez, P. Piedimonte, S. Neumayer, L. Collins, M. Popovici, K. Florent, S.R.C. McMitchell, P. Favia, Ch. Drijbooms, H. Bender, K. Paredis, L. Di Piazza, S. Jesse, J.V. Houdt, P. van der Heide // Nanomaterials - 2020.

- No. 10. - 1576; doi:10.3390/nano10081576 www.mdpi.com/journal/nanomaterials.

20. Kvyatkovskii, O.E. Point Defects in Ferroelectrics with Perovskite Structure / O.E. Kvyatkovskii // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. - 2010. -Vol. 74. - No. 9. - P. 1190-1197.

21. Tyunina, M. Oxygen Vacancies in Perovskite Oxide Piezoelectrics / M. Tyunina // Materials. - 2020. - No.13. - 5596; doi:10.3390/ma13245596 www.mdpi .com/j ournal/materials.

22. Xu, L. Origin of Structural Change Driven by A-Site Lanthanide Doping in АВОз-Type Perovskite Ferroelectrics / L. Xu, Z. Wang B., Su, C. Wang, X. Yang, R. Su, X. Long, C. He // Crystals. - 2020. - No. 10. - 434; doi:10.3390/cryst10060434. - URL: www.mdpi .com/j ournal/crystals.

23. Setter, N. Ferroelectric thin films: Review of materials, properties, and applications / N. Setter, D. Damjanovic, L. Eng, G. Fox, S. Gevorgian, S. Hong, A. Kingon, H. Kohlstedt, N.Y. Park, G.B. Stephenson, I. Stolitchnov, A. K. Taganstev, D.V. Taylor, T. Yamada, S. Streiffer // J. Appl. Phys. 100 - 2006. 051606. - 46 p. -URL: https://doi.org/10.1063/L2336999.

24. Smidt, T.E. An automatically curated first-principles database of ferroelectrics / T. E. Smidt, S. A. Mack, S. E. Reyes-Lillo, A. Jain, J. B. Neaton // Scientific Data, - 2020. 7:72. 22 p. - URL: https://doi.org/10.1038/s41597-020-0407-9.

25. Mozetic, M. Surface Modification to Improve Properties of Materials / M. Mozetic // Materials. - 2019. - Vol. 12. - 441; doi:10.3390/ma12030441 - URL: www.mdpi .com/j ournal/materials.

26. Acharya, M. Searching for New Ferroelectric Materials Using High-Throughput Databases: An Experimental Perspective on BiAlO3 and BiInO3 / M. Acharya, S. Mack, A. Fernandez, J. Kim, H. Wang, K. Eriguchi, D. Meyers, V. Gopalan, J. Neaton, L.W. Martin // Chem. Mater. - 2020. -Vol. 32. - No. 17. - P 7274-7283.

27. Томаев, В. В. Сегнетоэлектрический фазовый переход в композите PbSe + PbSeO3 / В. В. Томаев // Физика и химия стекла. - 2009, - Т. 35, - № 6, - С. 871-880.

28. Kim, T.Y. Application of ferroelectric materials for improving output power of energy harvesters / T. Y. Kim, S. K. Kim, and S. W. Kim // Nano Convergence. - 2018. 5:30. - URL: https://doi.org/10.1186/s40580-018-0163-0.

29. Dobrzanski, L.A. Significance of materials science for the future development of societies / L.A. Dobrzanski // Journal of Materials Processing

Technology 175. - 2006. - Vol. 175. - No.1-3. - P. 133-148. -URL: https://doi.Org/10.1016/j.jmatprotec.2005.04.003.

30. Xu, Q. Thoughts on the development of new material technology / Q. Xu // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 493. - 2019. 012122. - URL: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1757-899X/493/1/012122/pdf.

31. Kim, S. Ferroelectric Materials: A Novel Pathway for Efficient Solar Water Splitting / S. Kim, N. T. Nguyen, C. W. Bark // Appl. Sci. - 2018. - 30 p. - URL: https: //www.mdpi .com/2076-3417/8/9/1526.

32. Tomaev, V. V. Dielectric Properties and Phase Transition in the PbSe + PbSeO3 Composite Material / V. V. Tomaev, V. P. Miroshkin, L. N. Gar'kin, P. A. Tikhonov // Glass Physics and Chemistry. - 2005. - Vol. 31. - No. 6. - С. 812-819.

33. Gruverman, A. Nanoscale ferroelectrics: processing, characterization and future trends / A. Gruverman, A. Kholkin // Rep. Prog. Phys. - 2006. - P. 2443-2474. -URL: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0034-4885/69/8/R04.

34. Martin, L. W. Thin-film ferroelectric materials and their applications / L. W. Martin, A. M. Rappe // Nat. Rev. Mater. - 2016. - Vol. 2. - Article number 16087. - 14 p. - URL: https://escholarship.org/uc/item/51w3s3s1.

35. Onodera, A. Ferroelectricity in Simple Binary Crystals / A. Onodera and M. Takesada // Crystals. - 2017. - Vol. 7. - 232. - 15 p. - URL: https://www.researchgate.net/publication/353432323 Ferroelectricity in_Simple BinaryCrystals.

36. Si, M. A ferroelectric semiconductor field-effect transistor / M. Si, A.K. Saha, S. Gao, G. Qiu, J. Qin, Y. Duan, J. Jian, C. Niu, H. Wang, W. Wu, S. K Gupta., P.D. Ye // Nat. Electron. - 2019. - Vol. 2. - No. 12. - P. 580-586. - URL: https://doi.org/10.1038/s41928-019-0338-7.

37. Damjanovic, D. Ferroelectric Sensors / D. Damjanovic, P. Murat, N. Setter // IEE Sensors Journal. - 2001. - Vol. 1. - No 3. - P. 191-206.

38. Томаев, В. В. Кинетика окисления селенида свинца / В. В. Томаев, Л. Л. Макаров, А. А. Соломенников, П. А. Тихонов // Физика и химия стекла. - 2004. - Т. 30. - № 4. С. 474-483.

39. Kim, J. Y. Ferroelectric field effect transistors: Progress and perspective / J. Y. Kim, M.-J. Choi, and H. W. Jang // APL Mater. - 2021. - Vol. 9. Article number 021102. - URL: https://doi.org/10.1063Z5.0035515.

40. Mikolajick, T. Next generation ferroelectric materials for semiconductor process integration and their applications / T. Mikolajick, S. Slesazeck, H. Mulaosmanovic, M. H. Park, S. Fichtner, P. D. Lomenzo, M. Hoffmann, and U. Schroeder // J. Appl. Phys. - 2021. - Vol. 129, Article number 100901. - URL: https://doi.org/10.1063/5.0037617.

41. Jiang, Y. Ferroelectric polymers and their nanocomposites for dielectric energy storage applications / Y. Jiang, M. Zhou, Z. Shen, X. Zhang, H. Pan, and Y. -H. Lin // APL Mater. - 2021. - Vol. 9. - Issue 2. - Article number 020905. - URL: https://doi.org/10.1063/5.0039126.

42. Hoshino, S. Ferroelectricity in Solid Hydrogen Halides / S. Hoshino, S. Shimaoka, K. Niimura // Phys. Rev. Lett. - 1967. Vol. 19. - Issue 22-27. - November. 1286. - URL: https://doi.org/10.1063/5.0039126.

43. Cochran, W. Crystal Stability and the Theory of Ferroelectricity. Phys. / W. Cochran // Rev. Lett. - 1959. - Vol. 3. - Issue. 9. - DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.3.412.

44. Cochran, W. Crystal Stability and the Theory of Ferroelectricity. Advances in Physics, - 1960. - 9, - P. 387-423. -URL: http://dx.doi.org/10.1080/00018736000101229.

45. Cochran, W. Crystal stability and the theory of ferroelectricity part II. Piezoelectric crystals. / W. Cochran // Advances in Physics. - 1961. - Vol. 10. - Issue 40. - P. 401-420. -URL: https://doi.org/10.1080/00018736100101321.

46. Равич, Ю. И. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS / Ю. И. Равич, Б. А. Ефимова, И. А. Смирнов. - M.: Наука. - 1968. - 384 с.

47. Kvyatkovskii, O. E. Microscopic theory of lattice instability in displacive type ferroelectrics / O. E. Kvyatkovskii // Ferroelectrics. - 1994. - Vol. 153. No. 1. - P. 201-206.

48. Квятковский, О. Е. Диполь-дипольное взаимодействие в кристаллах и сегнетоэлектрические свойства соединений A4B6 / О. Е. Квятковский // Физика твердого тела. - 1986. - Т. 28. - № 4. - С. 983-990.

49. Волков, Б. А. Кристаллические структуры и симметрия электронного спектра полупроводников группы А4В6 / Б. А. Волков, O. A. Панкратов. // ЖЭТФ. -1978. - Т. 75. - № 4. - С. 1362-1379.

50. Volkov, B. A. Electronic structure of point defects in A4B6 semiconductors / B. A. Volkov, O. A. Pankratov // JETP. - 1984. - Vol. 88. - No. 1. P. 280-293.

51. Калюжная, Г. А. Проблема стехиометрии в полупроводниках переменного состава типа А2В6 и А4В6 / Г. А. Калюжная, К. В. Киселева // -М.: Труды физического института имени П.Н. Лебедева. - 1987. - Т. 177. - С. 5-84.

52. Волькенштейн Ф. Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. - М.: Наука. - 1987. - 432 с.

53. Давыдов С. Ю., Мошников В. А., Томаев В. В. Адсорбционные явления в поликристаллических полупроводниковых сенсорах. - Санкт-Петербург.: СПбГЭТУ. - 1998. - 56 с.

54. Виглеб Г. Датчики: Пер. с нем. - М.: Мир. - 1989. - 196 с.

55. Васильев, Р. Б. Неорганические структуры как материалы для газовых сенсоров / Р. Б. Васильев, Л. И. Рябова, М.Н. Румянцева, А. М. Гаськов // Успехи химии. - 2004. - Т.73. - №10. - С. 1019-1038.

56. Румянцева, М. Н. Нанокомпозиты на основе оксидов металлов как материалы для газовых сенсоров / М. Н. Румянцева, В. В. Коваленко, А. М. Гаськов, Т. Панье // Российский химический журнал. - 2007. - Т. 51. - № 6. - C. 61-70.

57. Morrison S. R. Selectivity in semiconductor gas sensors // Sensors and actuators, B. - 1987. - Vol. 12. - No. 4. - P. 425-440.

58. Иванов-Шиц, А. К. Ионика твердого тела: В 2-х т. / А. К. Иванов-Шиц, И. В. Мурин. Т. 1. - Санкт-Петербург: СПбГУ. - 2000. - 616 с. - ISBN 5288-02746-3.

59. Иванов-Шиц, А. К. Ионика твердого тела: В 2-х т. / А. К. Иванов-Шиц, И. В. Мурин. Т. 2. Санкт-Петербург: СПбГУ. - 2010. - 1000 с. - ISBN 978-5288-04966-8, 5-288-02746-3.

60. Укше, Е. А. Твердые электролиты / Е. А. Укше, Н. Г. Букун. - М.: Наука.

- 1977. - 176 с.

61. Гуревич, Ю. Я. Суперионные проводники / Ю. Я. Гуревич, Ю. И. Харкац. - М.: Наука, 1992. - 286 с.

62. Lee, J. -S. A mesoscopic heterostructure as the origin of the extreme ionic conductivity in AgI:AbO3 / J. -S. Lee, St. Adams, J. Maier // Solid State Ionics. - 2000.

- Vol. 136-137. - 2 November. - P.1261-1266.

63. Уваров, Н. Ф. Размерные эффекты в химии гетерогенных систем / Н. Ф. Уваров, В. В. Болдырев // Успехи химии. - 2001. - Т. 70. - № 4. - С. 307-329.

64. Minami, T. Development of New Glasses in the Solid State Ionics Field / T. Minami // Bull. Inst. Chem. Res., Kyoto Univ. - 1994. - Vol. 72. - No. 2. - P. 305-317.

65. Kassem, M. New chalcogenide glasses in the CdTe—AgI-AsTe system. / Kassem M., Le Coq D., Boidin R., Bychkov E. // Mater. Res. Bull. - 2012. - Vol. 47. -P. 193-198.

66. Urena, M. A. Ionic conductivity (Ag+) in AgGeSe glasses / M. A. Urena, A. A. Piarristeguy, M. Fontana, B. Arcondo // Solid State Ionics. - 2005. - Vol. 176, - P. 505-512.

67. Tatsumisago, M. Stabilization of superionic a-Agl at room temperature in a glass matrix / M. Tatsumisago, Y. Shinkuma and T. Minami // Nature. 1991. Vol. 354 P. 217-218.

68. Binner, J.G.P. Hysteresis in the - phase transition in silver iodide / J.G.P. Binner, G. Dimitrakis, D.M. Price, M. Reading, B. Vaidhyanathan // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2006. Vol. 84. N 2. P. 409-412.

69. Torata, N. Microstructure of a-AgI-frozen composites in the AgI-Ag2O-B2O3 system after heat treatment / N. Torata, T. Saito, M. Tatsumisago, T. Minami // Journal of Materials Science Letters. 1997. Vol. 16. P. 1012-1016.

70. Tatsumisago, M. Fabrication of mesoscopic composites composed of a-AgI and AgI-based superionic glass / M. Tatsumisago, T. Saito, T. Minami // Thermochimica Acta. - 1996. - Vol. 280/281. - P. 333-341.

71. Makiura, R. Size-controlled stabilization of the superionic phase to room temperature in polymer-coated AgI nanoparticles R. Makiura, T. Yonemura, T. Yamada, M. Yamauchi, R. Ikeda, H. Kitagawa, K. Kato, M. Takata. // Nature Materials. - 2009. -Jun;8(6):476-80. doi: 10.1038/nmat2449. - URL: http s: //pubmed .ncbi.nlm.nih.gov/19448614/.

72. Uvarov, N.F. Interface-Stabilized States of Silver Iodide in AgI-AbO3 / N. F. Uvarov, B. B. Bokhonov, A. A. Politov, P. Vanek, J. Petzelt // Composites Journal of Materials Synthesis and Processing, 2000. Vol. 8. Nos. 5/ 6. P. 327-332.

73. Liang, C. Anomalous phase transition and ionic conductivity of AgI nanowire grown using porous alumina template / C. Liang, K. Terabe, T. Hasegawa, M. Aono, N. Iyi. // Journal of Applied Physics. - 2007. - Vol. 102. 124308.

74. Liu, L.-F. Enhanced ionic conductivity of AgI nanowires/ AAO composites fabricated by a simple approach / L.-F. Liu, S.-W. Lee, J.-B. Li, M. Alexe, G.-H. Rao, W.-Y. Zhou, J.-J. Lee, W. Lee, U. Gosele // Nanotechnology. 2008. Vol. 19. P. 495706 (7pp) DOI: 10.1088/0957-4484/19/49/495706.

75. Tveryanovich, Yu. Ion-Conductive Glasses GeSe2-Sb2Se3-AgI / Yu. Tveryanovich, S. Fokina, V. Tomaev, V. Pimenov // Proceedings of "International Symposium on Non-Oxide and New Optical Glasses", Korea, Jeju, August, 2014, P. 258; - URL: http://web.geni-pco.com/isnog/download/ISNQG2014 Proceeding-final.pdf.

76. Попов, В. П. Исследование механизмов окисления на поверхности полупроводниковых структур селенида свинца / В. П. Попов, П. А. Тихонов, В. В. Томаев // Физика и химия стекла. - 2006. - Т. 29. - № 5. - С. 686-694.

77. Томаев, В. В. Влияние технологии изготовления двухфазного материала состава PbSe+PbSeO3 на его сопротивление / В. В. Томаев, В. П. Мирошкин, Л. Н. Гарькин // Физика и химия стекла. - 2006. - Т. 32. - № 5. - С. 789794.

78. Томаев, В. В. Исследование электрических свойств двухфазного материала PbSe+PbSeOз методом импедансной спектроскопии / В. В. Томаев, В. П. Мирошкин, Л. Н. Гарькин // Физика и химия стекла. - 2006. - Т. 32. - №2 5. - С. 795801.

79. Томаев, В. В. Образование кристаллов селенида свинца в диэлектрической матрице селенита свинца / В. В. Томаев, Л. Л. Макаров, П. А. Тихонов, В. П. Попов, И. В. Рождественская // Физика и химия стекла. - 2005. - Т. 31. - № 4. - С. 662-675.

80. Томаев, В. В. Диэлектрические свойства и фазовый переход в композитном материале PbSe-PbSeO3 / В. В. Томаев, В. П. Мирошкин, Л. Н. Гарькин, П. А. Тихонов // Физика и химия стекла. - 2005. - Т. 31. - № 6. - С. 11171127.

81. Томаев, В. В. Эллипсометрический контроль параметров пленок селенида свинца при окислении / В. В. Томаев, М. Ф. Панов // Физика и химия стекла. - 2006. - Т. 32. - № 6. - С. 511-515.

82. Томаев, В. В. Исследование продуктов окисления селенида свинца методом ИК - спектроскопии / В. В. Томаев, И. В. Чернышова, П. А. Тихонов // Физика и химия стекла. - 2006. - Т. 36. - № 6. - С. 883-889.

83. Патент 2155830 Российская Федерация, МПК С30В29/46 С30В23/02 С30В23/00. Способ приготовления шихты для получения твердых растворов халькогенидов свинца и олова парофазными методами: № 97111930/12: заявл. 09. 07.1997: опубл. 10.09.2000 / Бестаев М. В., Махин А. В., Мошников В. А., Томаев В. В. - 9с.

84. Ормонт, Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников / Б. Ф. Ормонт. - М.: Высшая школа. 1982. - 528 с.

85. Колобов, Н. А. Диффузия и окисление полупроводников / Н. А. Колобов, М. М. Самохвалов. - М.: Металлургия. 1975. - 456 с.

86. Термические константы веществ. Справочник:10 томов. / Под ред. Глушко В. П. - М.: Изд. ВИНИТИ. 1965-1982.:10 томов. - 6554 с.

87. Зломанов, В. П. P-T-x-диаграммы состояния системы металл-халькоген / В. П. Зломанов, А. В. Новоселова. - М.: Наука. 1987. - 208 с.

88. Gmelin Handbook of inorganic chemistry. 1967. V.10. Suppl. B1, С1.

89. Поповкин, Б. А. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / Б. А. Поповкин, Л. М. Ковба, В. П. Зломанов, А. В. Новоселова // Доклады академии наук СССР. - 1959. - Т. 129. - № 4. - С. 809-812.

90. Поповкин, Б. А. Изучение термического разложения селената и селенита свинца / Б. А. Поповкин, В. П. Зломанов, А. В. Новоселова // Журнал неорганической химии. - 1960. -Т. 5. -№ 10. -С. 2261-2264.

91. Зломанов, В. П. Определение давления насыщенного пара твердого селенида свинца / В. П. Зломанов, Б. А. Поповкин, А. В. Новоселова // Журнал неорганической химии. - 1959. - Т. 4. - № 12. - С. 2661-2664.

92. Зломанов, В. П. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / В. П. Зломанов, О. И. Тананаева, А. В. Новоселова // Журнал неорганической химии. - 1961. - Т. 6. - № 12. - С. 2753-2757.

93. Зломанов, В. П. Исследование некоторых свойств селенита и оксиселенитов свинца / В. П. Зломанов, Б. А. Поповкин, О. И. Тананаева, А. В. Новоселова // Журнал неорганической химии. - 1962. - Т. 7. - № 12. - С. 2746-2751.

94. Зломанов, В. П. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / В. П. Зломанов, А. В. Новоселова // Доклады академии наук СССР. -1962. -Т. 146. -№ 1. -С. 115-117.

95. Измайлов, Н. В. Определение состава селенида свинца, соответствующего максимальной температуре плавления / Н. В. Измайлов, Ю. Л. Ильин, В. А. Мошников, В. В. Томаев, Н. П. Ярославцев, Д. А. Яськов // Неорганические материалы. - 1989. - Т. 25. - № 6. - С. 515-517.

96. Томаев, В. В. Выращивание и исследование монокристаллов халькогенидов свинца и олова / В. В. Томаев // СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ". -2002. - № 1. - С. 34-41.

97. Бьюб, Р. Фотопроводимость твердых тел: пер. с англ. / Р. Бьюб.: пер. с англ. под ред. Т. М. Лифшица. - М.: Иностранная литература. 1962. - 560 с.

98. Зломанов, В. П. О получении селенида свинца / В. П. Зломанов, Г. В. Муратова, А. В. Новоселова // Журнал неорганической химии. - 1960. - Т. 6. - № 7. - С. 1730-1731.

99. Абрикосов, Н. Х. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства / Н. Х. Абрикосов, В. Ф. Банкина, Л. В. Порецкая и др. - М.: Наука. 1967.

- 176 с.

100. Электронная база кристаллоструктурных данных для неорганических соединений ICSD.

101. Fischer, R. Die Kristallstruktur von Molybdomenit, PbSeO3 / R. Fischer // Tschermaks Mineralogische und Petrographische Mitteilungen. - 1972. Vol. 17. Issue 3.

- P. 196-207.

102. Моррисон, С. Химическая физика поверхности твердого тела / С. Моррисон. - М.: Мир. 1980. - 488 с.

103. Алесковский, В. Б. Химия надмолекулярных соединений / В. Б. Алесковский. - Санкт-Петебург: Изд. СПбГУ. 1996. - 256 с.

104. Поляков, А. А. Технология керамических радиоэлектронных материалов / А. А. Поляков. - М.: Радио и связь. 1989. - 200 с.

105. Измайлов, Н. В. Изучение однородности твердых растворов (Pb0,9Sn0,1)1-ySey методом внутреннего трения / Н. В. Измайлов, Ю. Л. Ильин, В. А. Мошников, В. В. Томаев, Н. П. Ярославцев, Д. А. Яськов // Журнал физической химии. - 1987. - Т. 62. - □ 5. - С. 1370-1376.

106. Мошников, В. А. Исследование твердого раствора (Pb0,9Sn0,1)1-ySey с максимальной температурой плавления / В. А. Мошников, В. В. Томаев, Д. А. Яськов // Неорганические материалы. - 1989. - Т. 25. - № 1. - С. 152-154.

107. Долотов, Н. И. Анализ структурного совершенства монокристаллов Pb1-xSnxSe выращенных из паровой фазы / Н. И. Долотов, В. А. Мошников, В. В. Томаев // Высокочистые вещества. - 1990. - □ 2. - С. 237-239.

108. Мошников, В. А. Электрохимическая обработка кристаллов на основе селенидов и теллуридов свинца и олова / В. А. Мошников, В. В. Томаев // Электрохимия. - 1991. - Т. 27. - № 6. - С. 769-772.

109. Makarov, L. L. X-ray spectroscopy as the tools for study light actinides / L. L. Makarov // V Intern. Conf. "Nuclear and Radiochemistry", Pontresina. - 2000. - Vol. 1, - P. 342-345.

110. Баринский, Р. Л. Рентгеноспектральное определение зарядов атомов и молекул/ Р. Л. Баринский, В. Д. Нефедов. - М.: Наука. 1966. - 250 с.

111. Соломенников, А. А. Состояние урана в смешанных оксидах по данным химических сдвигов рентгеновских эмиссионных линий / А. А. Соломенников // Вестн. СПбГУ. Сер. 4. - 2000. - Вып. 1. - № 4. - С. 105-107.

112. Maier, H. Growth, properties and application of narrow-gap semiconductors / H. Maier, J. Hesse // Organic crystals germinates semiconductors. - Berlin. 1980. - P. 145-219.

113. Поплавко, Ю. М. Физика диэлектриков / Ю. М. Поплавко. - Киев: Наукова думка, 1962. - 316 с.

114. Орешкин, П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков / П. Т. Орешкин. - М.: Высшая школа. 1977. - 448 с.

115. Хайкс, Р. Механизм электропроводности в окислах переходных металлов с примесью лития / Р. Хайкс, У. Джонстон // Диэлектрическая спектроскопия. - М.: ИЛ. 1960. - С. 203-219.

116. Новиков, В. Н. Проводимость и диэлектрическая проницаемость полупроводниковых материалов в системе окислов марганца и кобальта / В. Н. Новиков // Вопросы радиоэлектроники. Сер. 3: Детали и комплексы радиоаппаратуры. - 1964. - № 9. - С. 57-66.

117. Redl, F. X. Three-dimensional binary superlattices of magnetic nanocrystals and semiconductor quantum dots / F. X. Redl, K. S. Cho, C. B. Mirray, S. O'Brien // Nature. - 2006. - Vol. 426. - 26 June. - P. 968-971.

118. Квятковский, О. Е. Микроскопическая теория динамики решетки. Природа сегнетоэлектрической неустойчивости в кристаллах / О. Е. Квятковский, Е. Г. Максимов // Успехи физических наук. -1987. - Т. 154. - № 1. - С. 3-47.

119. Волков, Б. А. Теория электронного энергетического спектра полупроводников группы А4В6 / Б. А. Волков, О. А. Панкратов, А. В. Сазонов // Журнал экспериментальной и технической физики. -1986. - Т. 85. -№ 4(10). - С. 1395-1407.

120. Абрикосов, Н. Х. Полупроводниковые материалы на основе соединений А4В6 / Н. Х. Абрикосов, Л. Е. Шелимова. - М.: Наука. 1975. - 195с.

121. Квятковский, О. Е. Диполь - дипольное взаимодействие в кристаллах и сегнетоэлектрические свойства соединений А4В6 / О. Е. Квятковский // Физика твердого тела. - 1986. - Т. 27. - № 4. - С. 983-990.

122. Лебедев, А. И. Влияние легирующих примесей на сегнетоэлектрические фазовые переходы в РЬТе1-хБх и РЬ1-хОехТе / А. И. Лебедев, И. А. Случинская // Физика твердого тела. - 1996. - Т. 35. - № 6. - С. 629-635.

123. Волков, Б. А. Поведение диэлектрической проницаемости полупроводников А4В6 при структурных фазовых переходах / Б. А. Волков, В. П. Кушнир, О. А. Панкратов // Физика твердого тела. - 1982. - Т. 24. - № 2. - С. 415-422.

124. Абдуллин, Х. А. Рассеяние свободных носителей вблизи фазового перехода в твердом растворе РЬТе^хЗх / Х. А. Абдуллин, В. Н. Демин, А. И. Лебедев // Физика твердого тела. - 1986. - Т. 27. - № 4. - С. 1020-1025.

125. Брандт, Н. Б. Сверхпроводимость соединений РЬТе и PbSe под высоким давлением / Н. Б. Брандт, Д. В. Гицу, Н. С. Попович, В. И. Сидоров, С. М. Чудинов // Письма в журнал экспериментальной и технической физики. - 1975. - Т. 22. - № 4. - С. 225-229.

126. Тимофеев, Ю. А. Сверхпроводимость сульфида свинца / Ю. А. Тимофеев, Б. В. Виноградов, Е. Н. Яковлев // Физика твердого тела. - 1981. - Т. 26. - № 4. - С. 983-990.

127. Земел, Дж. Н. Эпитаксиальные пленки халькогенидов свинца и родственных соединений / Дж. Н. Земел. В кн.: Поверхностные свойства твердых тел; под ред. М. Грина. - М.: Мир, 1972. - 432 с.

128. Kawamura, H. Phase transition in IV-VI compounds / H. Kawamura. Editor: Wlodek Zawadzki, Lecture Notes in Physics. // Narrow Gap Semiconductors Physics and Applications: Proceedings of the International Summer School Held in Nimes, - France, September 3 - 15, 1979. - Vol. 133. - P.470-494.

129. Абдуллин, Х. А. Структурный фазовый переход в твердом растворе PbTe1-xSx / Х. А. Абдуллин, А. И. Лебедев, А. М. Гаськов, В. Н. Демин, В. П. Зломанов // Письма в журнал экспериментальной и технической физики. - 1984. -Т. 40. - № 6. - С. 229-231.

130. Абдуллин, Х. А. Влияние дефектов и примесей на рассеяние носителей вблизи фазового перехода в полупроводнике-сегнетоэлектрике Pb1-xGexTe / Х. А. Абдуллин, А. И. Лебедев // Физика твердого тела. - 1983. - Т. 25. - № 12. - С. 3571-3576.

131. Любченко, А. В. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники / А. В. Любченко, Е. А. Сальков, Ф. Ф. Сизов. -Киев: Наукова думка. 1984. - 256 с.

132. Несмелова, И. М. Оптические свойства узкощелевых полупроводников / И. М. Несмелова. - Новосибирск: Наука. 1992. - 158 с.

133. Nishi, S. Study of lattice instability by mm-wave magnetoplasma reflection in PbTe-SnSe compound semiconductors / S. Nishi, H. Kawamura, K. Murase // Phys. Status Solidi (b). - 1980. - Vol. 97. - No. 2. - P. 581-590.

134. Katayama, S. Role of local displasement of Ge ions on structural instability in Pb1-xGexTe / S. Katayama, K. Murase // Solid State Commun. - 1980. - Vol. 36. - No. 7. - P. 707-711.

135. Акимов, Б. А. Влияние примеси индия на диэлектрические и фотопроводящие свойства полупроводников-сегнетоэлектриков Pb1-xSnxTe / Б. А. Акимов, В. В. Борщевский, Н. Б. Брандт, Ю. А. Пирогов // Физика твердого тела. -1990. - Т. 32. - № 1. - С. 273-275.

136. Лайнс, М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс. - М.: Мир. 1981. - 476 с.

137. Желудев, И. С. Основы сегнетоэлектричества / И. С. Желудев. - М.: Атомиздат. 1976. - 471 с.

138. Рао, Ч. Н. Р. Новые направления в химии твердого тела: Структура, синтез, свойства, реакционная способность и дизайн материалов / Ч. Н. Р. Рао, Дж. Гопалакришнан. - Новосибирск: Наука. 1990. - 520 с.

139. Sanderson, R. T. Chemical bonds and bond energy / R. T. Sanderson. - N. Y.: Academic Press. 1976. - 75 p.

140. Палатников, М. Н. Сегнетоэлектрические твердые растворы на основе оксидных соединений ниобия и тантала: синтез, исследование структурного упорядочения и физических характеристик / М. Н. Палатников, Н. В. Сидоров, В. Т. Калинников. - СПб.: Наука. 2001. - 304 с.

141. Башкиров, Л. А. Перспективы использования оксидов металлов, обладающих фазовым переходом металл-полупроводник, для разработки химических газовых сенсоров / Л. А. Башкиров, У. Барди, Ю. К. Гунько, И. М. Жарский, Г. С. Петров, Н. Я. Шишкин, А. И. Клындюк, Н. В. Богомазова, О. А. Чеботарь, В. А. Черкасов, С. В. Курган, Д. В. Косов, Л. И. Куницкий // Сенсор. -2006. - № 6. - С. 34-46.

142. Fowless, A. D. Selenitometal complexes. 1. Synthesis and characterization of selenito complexes of cobalt (111) and their equilibrium properties in solution / A. D. Fowless, D. R. Stranks // Inorganic Chem. - 1977. - Vol. 16. - No. 16. - P. 1271-1276.

143. Verma, V. P. A review of synthetic, thermoanalytical, IR, Raman and X-ray studies on metal selenites / V. P. Verma // Thermochim. Acta. -1999. - Vol. 327. - No.1-2. - P.63-102.

144. Weckler, B. Lattice vibration spectra. Part XCV. Infrared spectroscopic studies on the iron oxide hydroxides / B. Weckler, H. D. Lutz // Eur. J. Solid State Inorg. Chem. - 1997. - Vol. 35. - No. 8-9. - P. 531-534.

145. Lahtinen, M. X-ray powder structure determination and thermal behavior of a new modification of Pb (II) selenite / M. Lahtinen, J. Valkonen // Chem. Mater. - 2002.

- Vol. 14. - No. 4. - P. 1812-1817.

146. Tolstoy, V. P. Handbook of infrared spectroscopy of ultrathin films / V. P. Tolstoy, I. V. Chernyshova, V. A. Skryshevsky. - Wiley: Hoboken. 2006. - 710p.

147. Unterderweide, K. Strong hydrogen bonds in acid selenites: correlation of infrared spectroscopic and structural data / K. Unterderweide, B. Engelen, K. Boldt // J. Mol. Struc. - 1994. - Vol. 322. - No. 1-6. - P. 233-239.

148. Baumer, U. Darstellung, Kristallstruktur und IR-Spektren von BeSeO3H2O

- Wasserstoffbrucken und Korrelation von IR- und Strukturdaten in den Monohydraten MSeO3-H2O (M = Be, Ca, Mn, Co, Ni, Zn, Cd) / U. Baumer, K. Boldt, B. Engelen, H. Muller, K. Unterderweide // Z. Anorg. Allg. Chem. - 1999. - Vol. 625. - No. 6. - P. 395401.

149. Иогансен, А. В. Инфракрасная спектроскопия и спектральное определение энергии водородной связи / А. В. Иогансен. В кн.: Водородная связь; под ред. Н. Д. Соколова. - М.: Наука. 1986. - C. 112-155.

150. Wildner, M. Crystal structures and electronic absorption spectra of two modifications of Cr(SeO2OH)(Se2O5) / M. Wildner, M. Andrut // J. Solid State Chem. -1997. - Vol. 135. - No. 1. - P.70-77.

151. Davydov, A. A. Molecular spectroscopy of oxide catalyst surfaces / A. A. Davydov. - Wiley: Hoboken. 2006. - 668 p.

152. Cody, C.A. Vibrational spectra of alkali hydrogen selenites, selenous acid, and their deuterated analogs / C.A. Cody, R.C. Levitt, R.S. Viswanath and P.J. Miller, // J. Solid State Chem. - 1978. Vol. 26. - No. 3. - P. 281-291.

153. Грин, М. Поверхностные свойства твердых тел / М. Грин.: пер. с английского под ред. Киселева В.Ф. - М.: Мир. 1972. - 432 с.

154. Мосс, Т. Полупроводниковая оптоэлектроника / Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис.: пер. с англ. - М.: Мир. 1976. - 432 с.

155. Субашиев, В. К. Определение оптических констант и концентрации носителей тока в сильно легированных полупроводниковых материалах по

коэффициенту отражения / В. К. Субашиев, Г. В. Дубровский, А. А. Кухарский // Физика твердого тела. - 1964. - Т. 6. - № 4. - С. 1078-1081.

156. Кухарский, А. А. Определение некоторых параметров сильно легированных полупроводников из спектрального хода коэффициента отражения / А. А. Кухарский, В. К. Субашиев // Физика твердого тела. - 1966. - Т. 8. - № 3. - С. 753-757.

157. Кухарский, А. А. К вопросу об определении эффективной массы и времени релаксации носителей в полупроводниках по инфракрасным спектрам отражения света / А. А. Кухарский, В. К. Субашиев // Физика полупроводников. -1970. - Т. 4. - № 2. - С. 287-296.

158. Кухарский, А. А. Влияние затухания на плазмон-фононные спектры твердых тел / А. А. Кухарский // Физика твердого тела. - 1966. - Т. 14. - № 6. - С. 1744-1751.

159. Воронкова, Е. М. Оптические материалы для инфракрасной техники. Справочное издание / Е. М. Воронкова, Б. Н. Гречушников, Г. И. Дистлер, И. П. Петров. - М.: Наука. 1965. - 336 с.

160. Банкина, В. Ф. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства / В. Ф. Банкина, Л. В. Порецкая, Е. В. Скуднова, Л. Е. Шелимова. - М.: Наука. 1967. - 176 с.

161. Поповкин, Б. А. Изучение кристаллической структуры и колебательного спектра селенита свинца / Б. А. Поповкин, В. П. Черемисинов, Ю. П. Симанов // Журнал структурной химии. - 1963, - Т. 4, - № 1, - С. 43-49.

162. Уханов, Ю. И. Оптические свойства полупроводников / Ю. И. Уханов. - М: Наука. 1977. - 368 с.

163. Маренич, А. В. Строение и колебательные спектры молекул Х02 и ионов ХО32- (X = S, Se, Те) / А. В. Маренич, В. Г. Соломоник // Журнал физической химии. - 1999, - Т. 73, - № 12, - С. 2205-2210.

164. Буткевич, В. Г. Фотоприемники и фотоприёмные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца / В. Г.

Буткевич, В. Д. Бочков, Е. Р. Глобус // Прикладная физика. - 2001, - № 6. - С. 66112.

165. Томаев В. В. Разупорядочение и превращение селенида свинца в эффективный сегнетоэлектрик на основе селенита свинца / В. В. Томаев, А. Г. Сырков, М. М. Сычев // Физика и химия стекла. - 2023, - Т. 49, - №2 3, - С. 369-380.

166. Томаев В. В. Влияние беспорядка в структуре сегнетоэлектрического композитного материала xPbSe•(1-x)PbSeO3 на размытость фазового перехода / В. В. Томаев, Д. П. Данилович, С. С. Прошкин // Физика и химия стекла. - 2023, - Т. 49, - № 4, С. 417-431.

167. Томаев В. В. Исследование фоточувствительности композита на основе селенида и селенита свинца / В. В. Томаев, Т. В. Стоянова, Ю. В. Петров, В. Ю. Михайловский // Физика и химия стекла. - 2023, - Т. 49, - № 5, С. 512-521.

168. Суйковская, Н. Б. Химические методы получения тонких прозрачных пленок / Н. Б. Суйковская. - Л.: Химия. 1971. - 200 с.

169. Рюмин, В. П. Технология и применение серебряных и окиснооловянных тонкослойных покрытий / В. П. Рюмин. - Л.: Энергия. 1979. -118 с.

170. Мошников, В. А. Результаты и перспективы развития газочувствительных полупроводниковых сенсоров / В. А. Мошников, В. В. Томаев // Санкт-Петербург: СПбГЭТУ "ЛЭТИ". - 1997. - № 517. - С. 137-141.

171. Калинина, М. В. Электронно-микроскопические исследования структуры газочувствительных наноматериалов, полученных гидропиролитическим методом / М. В. Калинина, В. А. Мошников, П. А. Тихонов, В. В. Томаев, И. А. Дроздова // Физ. и хим. стекла. - 2003. - Т. 29. - № 3. - С. 450-456.

172. Томаев, В. В. Использование метода пиролиза для получения газочувствительных слоев на основе диоксида олова / В. В. Томаев // Тр. Х Междунар. симп. «Тонкие пленки в электронике». - Ярославль, 1999. Ч. 1. - С. 7577.

173. Гаськов, А. М. Выбор материалов для твердотельных газовых сенсоров / А. М. Гаськов, М. Н. Румянцева // Неорганические материалы. - 2000. - Т. 36. -№ 3. - С. 369-377.

174. Тадеев, А. В. Синтез газочувствительных пленок SnO2 с добавкой Pt для детектирования СО при комнатной температуре / А. В. Тадеев, Я. А. Угай, М. Лабо, О. Б. Яценко // Неорганические материалы. - 1999. - Т. 35. - № 7. - С. 464470.

175. Постовалова, Г. Г. Возникновение высокопроводящих областей в наноструктурированных пленках систем SnO2-AOx (А - Т14+, 7г4+, БЬ3+, БЬ5+) при взаимодействии с Н2 или УФ-облучении / Г. Г. Постовалова, Ю. Е. Рогинская, С. А. Завьялов, Б. Ш. Галямов, Н. Л. Климасенко // Неорганические материалы. - 2000. - Т. 36. - № 7. - С. 452-463.

176. Богородицкий, Н. П. Электротехнические материалы / Н. П. Богородицкий, В. В. Пасынков, Б. М. Тареев. - Л.: Энергоатомиздат. 1985. - 304 с.

177. Ляшенко, В. И. Электронные явления на поверхности полупроводников / В. И. Ляшенко, В. Г. Литовченко, И. И. Степко, В. И. Стриха, Л. В. Ляшенко. - Киев: Наукова думка. 1967. - 400 с.

178. Физико-химические свойства оксидов: справочник / Г. В. Самсонов, А. Л. Борисова, Т. Г. Жидкова и др. - М.: Металлургия. 1977. - 472с.

179. Вайнштейн, В. М. Широкозонные окисные полупроводники / В. М. Вайнштейн, В. И. Фистуль // в кн.: Итоги науки и техники. Серия: Электроника и ее применения. М., 1973. Т. 7. - С. 108-152.

180. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах, Кн.2. / С. Зи.: под ред. Р.А. Суриса. - М.: Мир, 1987. - 456 с.

181. Мясников, И. А. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях / И. А. Мясников, В. Я. Сухарев, Л. Ю. Куприянов, С.А. Завьялов. -М.: Наука. 1991. - 327 с.

182. Боченков, В. Е. Наноматериалы для сенсоров / В. Е. Боченков, Г. Б. Сергеев // Успехи химии. - 2007, - Т. 76, - № 11, - С. 1084-1093.

183. Barsan, N. Conduction model of metal oxide gas sensors / N. Barsan, U. Weimar // Journal of Electroceramics. - 2001. - Vol. 7. - No. 3. - С. 143-167.

184. Barsan, N. Conduction models in gas-sensing SnÜ2 layers: grain-size effects and ambient atmosphere influence / N. Barsan // Sensors and Actuators B: Chemical. - 1994. - Vol. 17. - No. 3. - P. 241-246.

185. Göpel, W. SnO2 sensors: current status and future prospects / W. Göpel, K. D. Schierbaum // Sens. Actuators, B. - 1995. - No. 26-27. - P. 1-12.

186. Göpel, W. New materials and transducers for chemical sensors / W. Göpel // Sens. Actuators, B. - 1997. - No. 18-19. - P.1-21.

187. Румянцева, М. Н. Химическое модифицирование нанокристаллических оксидов металлов: влияние реальной структуры и химии поверхности на сенсорные свойства / М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов // Изв. РАН. Сер. хим. - 2007. - T. 57. -№ 6. - C. 1086-1105.

188. Кривецкий, В. В. Материалы на основе модифицированного SnO2 для селективных газовых сенсоров / В. В. Кривецкий, А. Понзони, Э. Комини, С. М. Бадалян, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46. - № 10. - С. 1218-1224.

189. Севастьянов, Е. Ю. Влияние добавок Pt, Pd, Au на поверхности и в объеме тонких пленок диоксида олова на электрические и газочувствительные свойства / Е. Ю. Севастьянов, Н. К. Максимова, В. А. Новиков, Ф. В. Рудов, Н. В. Сергейченко, Е. В. Черников // Физика и техника полупроводников, - 2012. - Т. 46, - № 6. - С. 820-827.

190. Бадалян, С. М. Влияние катализаторов Au и NiO на сенсорные свойства нанокристаллического SnO2 по отношению к NO2 / С. М. Бадалян, М. Н. Румянцева, С. А. Николаев, А. В. Марикуца, В. В. Смирнов, А. С. Алиханян, А. М. Гаськов // Неорганические материалы. - 2010. - T. 46. - № 3. - C. 278-283.

191. Липкин, М. С. Электрохимический синтез наноразмерных порошков олова, меди, и их сплава / М. С. Липкин, Н. В. Смирнова, Л. Н. Фесенко, Е. Ш. Каган, В. М. Липкин // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Серия: Технические науки. - 2017. -Т. 196. - № 4. - С. 102-106.

192. Храменкова, А. В. Каталитически активный композиционный материал на основе переходных металлов / А. В. Храменкова, В. М. Липкин, А. В. Емелин, М. С. Липкин, Беспалова Ж. И. // Известия высших учебных заведений. СевероКавказский регион. Серия: Технические науки. - 2017. -Т. 194. - № 2. - С. 97-105.

193. Липкин, М. С. Методы диагностики коррозионных процессов / М. С. Липкин, С. В. Кучеренко, М. В. Колчина // Новая наука: Проблемы и перспективы. - 2016. - Т. 79. - № 53. - С. 163-166.

194. Жабрев, В. А. Моделирование процессов синтеза наночастиц и анализ результатов методами РЭМ / В. А. Жабрев, В. А. Тупик, В. И. Марголин, Ч. Ш. Чу // Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79. - № 11. - С. 1498-1500.

195. Жабрев, В. А. Моделирование процессов агрегации наночастиц на поверхности подложки при термовакуумном осаждении / В. А. Жабрев, В. А. Тупик, В. И. Марголин, Ч. Ш. Чу // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2015. - № 9. - С. 1-4.

196. Тупик, В. А. Моделирование и оптимизация функции качества технологических процессов формирования функциональных покрытий и пленок / В. А. Тупик, Ч. Ш. Чу, И. Стеблевска // Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. - 2015. - № 5. - С. 15-19.

197. Сычев, М. М. Синтез и свойства нанодисперсных полупроводников А2В6 и нанолюминофоров. Обзор / В. Г. Корсаков, М. М. Сычев, В. В. Бахметьев // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2012. - Т. 14. - № 1. - С. 41 -52.

198. Сычев, М. М. Прозрачные проводящие покрытия на основе оксида цинка / К. А. Огурцов, В. В. Бахметьев, А. А. Ерузин, И. Б. Гавриленко, Е. А. Соснов, М. М. Сычев // Физика и химия обработки материалов. - 2012. - № 6. С. 54 -57.

199. Сычев, М. М. Улучшение катодолюминесцентных свойств тонких пленок Y2O3: Ей легированием цинком и лазерным отжигом / М. М.Сычев; Y. Nakanishi, Н. Коттат^ Y. Hatanaka // Оптический журнал. - 2005. - Т. 72. - Вып. 9. - С.37 - 40.

200. Бетехтин, А. Г. Курс минералогии / А. Г. Бетехтин. - М.: Государственное Издательство геологической литературы, 1951. - 542 с.

201. Гордон, А. Спутник химика. Физико-химические свойства, методики, библиография / А. Гордон, Р. Форд. - М.: Мир. 1976. - 541 с.

202. Tamaki, J. CuO-SnO2 element for highly sensitive and selective detection of H2S / J. Tamaki, T. Maekawa, N. Miura, N. Yamazoe // Sensors and Actuators, B. - 1992.

- Vol. 9. - P. 197-203.

203. Chowdhuri, A. Response speed of SnO2-based H2S gas sensors with CuO nanoparticles / A. Chowdhuri, V. Gupta, K. Sreenivas, R. Kumar, S. Mozumdar, P. K. Patanjali // Applied Physics Letters. - 2004. - Vol. 84. - No. 7. - P.1180-1182.

204. Мошников, В. А. Формирование наноструктурированных слоев твердых растворов диоксида олова - оксида индия с одномерным, двумерным и трехмерным типами наноморфологии / В. А. Мошников, В. В. Томаев // Известия СПбГЭТУ (ЛЭТИ). - 2003. - №7. - С. 15-20.

205. Томаев, В. В. Выращивание нитевидных нанокристаллов в системе (1-х)In2O3-xSeO2 / В. В. Томаев, Ю. В. Петров // Физика и химия стекла. - 2012. - Т.37.

- №3. - С. 427-439.

206. Tomaev, V. V. Features of the Growth of Thread -Like xInSe(1-x)In2O3Crystals of Two-Layer PbSe and In Films / V. V. Tomaev, T. V. Stoyanova // Glass Physics and Chemistry. - 2017. - Vol. 44. - No. 4. - P. 333-337.

207. Томаев, В. В. Модифицирование частиц иодида серебра под действием потока электронов / В. В. Томаев, В. А. Полищук, В. Ю. Карасев // Физика и химия стекла. - 2014. - Т.40. - №4. - С. 599-603.

208. Полищук, В. А. Рост нитевидных нанокристаллов металлического Ag на пленках AgI / В. А. Полищук, В. В. Томаев, А. В. Баранов // Журнал технической физики. - 2014. - Т.84. - №10. - С. 57-62.

209. Huynh, W. U. Hybrid Nanorod-Polymer Solar Cells / W. U. Huynh, J. J. Dittmer, A. P. Alivisatos // Science. - 2002. - Vol. 295. - 29 march. - P. 2425-2427.

210. Гусев, А. И. Нанокристаллические материалы / А. И. Гусев, А. А. Ремпель. - М.: Физматлит, 2001. - 224 с.

211. Law, M. Nanoribbon waveguides photonics integration / M. Law, D. J. Sirbuly, J. C. Johnson, J. Goldberger, R. J. Saykally, P. Yang // Science. - 2004. - Vol. 305. - 27 august, - P. 1269-1273.

212. Wu, Y. Semiconductor nanowire array: potential substrates for photocatalysis and photovoltaics / Y. Wu, H. Yan, P. Yang // Topics in Catalysis. - 2002. - Vol. 19. - No. 2, - P. 197-202.

213. Pan, Z. W. Nanobelts of Semicinducting Oxides / Z. W. Pan, Z. R. Dai, Z. L. Wang // Science. - 2001. - Vol. 291, - P. 1947-1949.

214. Yang, P. Controlled Growth of ZnO Nanowires and Their Optical Properties / P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, H. J. Choi // Advanced Functional Materials. - 2002. - Vol. 12, - P. 323-331.

215. Мамутин, В. В. Выращивание нитевидных и пластинчатых кристаллов A3N молекулярно-пучковой эпитаксией с участием жидкой фазы / В. В. Мамутин // Письма в ЖТФ. - 1999. - Т. 25, - № 18, - С. 55-63.

216. Lao, J. Y. Hierarchikal ZnO Nanostructures / J. Y. Lao, J. G. Wen, Z. F. Ren // Nano Letters. - 2002. - Vol. 2. - No. 11. - P. 1287-1291.

217. Wagner, R. S. The Vapor-Liquid-Solid Mechanism of Crystals Growth and its Application to the Silicon / R. S. Wagner and W. C. Ellis // Trans. Met. Soc. AJME. -1965. - Vol. 233. - No. 9. - P. 1053-1064.

218. Wagner, R. S. Controlled Vapor-Liquid-Solid Growth of Silicon Crystals / R. S. Wagner and C. J. Doherty // J. Electrochem. Soc. - 1969. - Vol. 113. - No. 12. - P. 1300-1305.

219. Wagner, R. S. Defects in Silicon Crystals Growth by the VLS Techhnigue / R. S. Wagner // J. Appl. Phys. - 1967. - Vol. 37. - No. 4. - P. 1554-1560.

220. Wagner, R. S. Mechanism of Branching and Kicking dicing VLS Crystals Growth / R. S. Wagner and C. J. Doherty // J. Elektrochem. Soc. - 1967. - Vol. 115. -No 1. - P. 93-99.

221. Гиваргизов, Е. И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара / Е. И. Гиваргизов. - М.: Наука, 1977. - 304 с.

222. Бережкова, Г. В. Нитевидные кристаллы / Г. В. Бережкова. - М.: Наука, 1969. - 158 с.

223. Чернов, А. А. Современная кристаллография. Т. 3. Образование кристаллов / А. А. Чернов, Е. И. Гиваргизов, Х. С. Багдасаров, Л. Н. Демьянец, В.

A. Кузнецов, А. Н. Лобачев. - М.: Наука, 1980. - 408 с.

224. Сыркин, В. Г. Материалы будущего. О нитевидных кристаллах металлов / В. Г. Сыркин. - М.: Наука, 1990. - 191 с.

225. Лубов, М. Н. Кинетическая модель роста нитевидных нанокристаллов арсенида галлия. / М. Н. Лубов, Д. В. Куликов, Ю. В. Трушин // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80. - № 1. - С. 85-91.

226. Дубровский, В. Г. Кинетическая модель роста нанометровых нитевидных кристаллов по механизму «пар-жидкость-кристалл» / В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирев, Г. Э. Цырлин // Письма в журнал технической физики. - 2004. - Т. 30. - № 19. - С. 41-50.

227. Дубровский, В. Г. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения. Обзор. / В. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43. - № 12. - С. 1585-1627.

228. Сибирев, Н. В. Начальный этап роста нитевидных нанокристаллов / Н.

B. Сибирев, М. В. Назаренко, Г. Э. Цырлин, Ю. Б. Самсоненко, В. Г. Дубровский // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, - № 1. - С. 114-117.

229. Xu, L. Electrospinning preparation and room temperature gas sensing properties of porous In2O3 nanotubes and nanowires / L. Xu, B. Dong, Y. Wang, X. Bai, Q. Liu, H. Song // Sensors and Actuators, B. - 2010. - Vol. 147. - P. 531-537.

230. Lim, S. K. Preparation of mesoporous In2O3 nanofibers by electrospinning and their application as a CO gas sensor. / S. K. Lim, S. Hwang, D. Chang, S. Kim // Sensors and Actuators, B. - 2010. - Vol. 149. - P. 28-33.

231. Budak, S. Growth and characterization of single crystalline tin oxide (SnO2) nanowires / S. Budak, G. X. Miao // J. of Crystal Growth. - 2009. - Vol. 291. - P. 405411.

232. Zhang, Y. Synthesis and field emission of patterned SnO2 nanoflowers / Y. Zhang, Ke Yua, G. Li // Mater. Lett. - 2009. - Vol. 60. - P. 3109-3112.

233. Lettieri, S. Gas sensitive light emission properties of tin oxide and zinc oxide nanobelts / S. Lettieri, A. Bismuto, P. Maddalena // Journal of Non-Crystalline Solids. -2009. - Vol. 352. - P. 1457-1460.

234. Томаев, В. В. Исследование газочувствительности полярных молекул в наноструктурированных металлооксидах на основе диоксида олова методом импедансной спектроскопии / В. В. Томаев, В. А. Мошников, В. П. Мирошкин, Л. Н. Гарькин // Физика и химия стекла. - 2005. - Т. 1. - № 2. - С. 172-180.

235. Куликов, И. С. Термодинамика оксидов / И. С. Куликов. - М.: Металлургия, 1986. - 344 с.

236. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение. / Под ред. Г. Харбеке. - М.: Мир, 1989. - 344 с.

237. Barsoukov, E. Impedance Spectroscopy: Theory, Experiment and Applications / E. Barsoukov, J. R. Macdonald. - New York: Wiley-Interscience, 2005. - 595 p.

238. Моряков, О. С. Производство корпусов полупроводниковых приборов / О. С. Моряков. - М.: Высшая школа, 1985. - 159 с.

239. Моряков, О. С. Пленки и ленты в производстве корпусов полупроводниковых приборов / О. С. Моряков, Т. М. Буганина. - М.: Высшая школа, 1982. - 72 с.

240. Ishihara, T. Effects of Pt addition for SrSnO3-WO3 capacitive type sensor on NO detection at high temperature / T. Ishihara, H. Fujita, Y. Takita // Sens. Actuators, B. - 1997. - No. 52. - P. 100-106.

241. Labeau, M. Capacitance effects and gaseous adsorption on pure and doped polycrystalline tin oxide / M. Labeau, U. Schmatz, G. Delabouglise, J. Roman, M. Vallet-Regi, A. Gaskov // Sens. Actuators, B. - 1995. - No. 26-27. - P. 49-52.

242. Leonov, N. B. Unexpectedly large energy gap in ZnO nanoparticles on a fused quartz support / N. B. Leonov, M. D. Komissarov, P. S. Parfenov, T. A. Vartanyan,

V. A. Polishchuk, V. V. Tomaev, A. V. Koroleva, E. V. Zhizhin // Applied Physics A, Volume 128, Issue 8, article id.665.

243. Томаев, В. В. Получение и исследование плёнок вольфрама, титана и их оксидов / В. В. Томаев, Е. В. Сохович, С. В. Мякин, В. А. Полищук, А. А. Семенова // Физика и химия стекла. - 2022. - Т. 48. - № 1. - С. 85-97.

244. Tomaev, V. V. Studies of Zinc and Zinc Oxide Nanofilms of Different Thickness Prepared by Magnetron Sputtering and Thermal Oxidation / V. V. Tomaev, V. A. Polischuk, T. A. Vartanyan, S. V. Mjakin, N. B. Leonov & A. A. Semenova // Optics and Spectroscopy, 2021, Vol. 129, No. 9, pp. 1033-1037.

245. Фейнман, Р. Ф. Внизу полным-полно места: приглашение в новый мир физики / Р. Ф. Фейнман // Русский химический журнал - 2002. - Т. 46. - № 5. - С. 4 - 6.

246. Бальмаков, М. Д. Информационная емкость конденсированных сред / М. Д. Бальмаков // Успехи физических наук. - 1999. - Т. 169. - № 11. - С. 12731280.

247. Томаев, В. В. Структурные изменения в иодиде серебра при механохимической обработке / В. В. Томаев, Ю. С. Тверьянович, М. Д. Бальмаков // Физика и химия стекла. - 2012. - Т. 37. - № 1. - С. 156-163.

248. Томаев, В. В. Получение и исследование ионпроводящих материалов на основе системы аэросил - иодид серебра / В. В. Томаев, А. Т. Накусов, Е. Г. Земцова // Физика и химия стекла. - 2009. - Т. 36. - № 1. - С. 118- 127.

249. Tomaev, V. V. Nanocomposites Based on Silver Iodide and Aluminum Oxide / V. V. Tomaev, Yu. S. Tveryanovich, M. D. Bal'makov, E. G. Zemtsova // Glass Physics and Chemistry, - 2013, - Vol. 39, - No. 1, - P. 94-99.

250. Аввакумов, Е. Г. Механические методы активации химических процессов / Е. Г. Аввакумов. - Новосибирск: Наука, 1986. - 306 с.

251. Бутягин, П. Ю. Проблемы и перспективы развития механохимии / П. Ю. Бутягин // Успехи химии. - 1994. - Т. 63. - № 12. - С. 1031-1043.

252. Болдырев, В. В. Механохимия и механическая активация твердых веществ / В. В. Болдырев // Успехи химии. - Т. 75. - №3. - 2006. - С. 203-216.

253. Ениколопов, Н. С. Твердофазные химические реакции и новые технологии / Н. С. Ениколопов // Успехи химии. - 1991. - Т. 60, - № 3. - С. 586-594.

254. Уваров, Н. Ф. Стабилизация аморфных фаз в ионпроводящих материалах / Н. Ф. Уваров // Журнал прикладной химии. - 2000. - Т. 73. - № 6. - С. 307-329.

255. Guo, Y.-G. Preparation and characterization of Agl nanoparticles with controlled size, morphology and crystal structure / Y. -G. Guo, J. -S. Lee, J. Maier // Solid State Ionics. - 2006. - V. 177. - Issues 26-32. - 31 October. - P. 2467-1271.

256. Sata, N. Enhanced ionic conductivity and mesoscopic size effects in hetero-structures of BaF2 and CaF2 / N. Sata, N. Y. Jin-Phillipp, K. Eberl and J. Majer // Solid State Ionics. - 2002. - Vol. 154-155. - P. 497-502.

257. Liang, C. C. Conduction characteristics of the lithium iodide-aluminum oxide solid electrolytes / C. C. Liang // Electrochem. Soc. - 1973. - Vol. 120. -P. 12891292.

258. Акопян, И. Х. Исследование фазового состава микрокристаллов AgI методами экситонной спектроскопии и дифференциальной сканирующей калориметрии/ И. Х. Акопян, Б. В. Новиков, С. А. Соболева // Физика твердого тела.

- 1997. - Т. 40. - № 5. - С. 852-854.

259. Schlag, S. Size driven phase transition in nanocrystalline BaTiO3/ S. Schlag, H. F. Eicke // Solid State Communications. - 1994. - Vol. 91. - No 11. -P. 883-887.

260. Акимов, Г. Я. Особенности фазовых превращений в мелкодисперсном диоксиде циркония, деформированном высоким гидростатическим давлением / Г. Я. Акимов, В. М. Тимченко, И. В. Горелик // Физика твердого тела. - 1994. - Т. 36.

- № 12. - С. 3582-3586.

261. Thiessen, P. A. Grundlagen der Tribochemie/ P. A. Thiessen, K. Meyer, G. Heinicke. - Berlin: Akad. Verlag. 1996. - № 1. - 194 s.

262. Мейер, К. Физико-химическая кристаллография / К. Мейер. - М.: Металлургия. 1972. - 479 с.

263. Гиббс, Дж. В. Термодинамика. Статистическая механика / Дж. В. Гиббс. - М.: Наука. 1982. - 584 с.

264. Фольмер, М. Кинетика образования новой фазы / М. Фольмер. - М.: Главная редакция физико-математической литературы. 1987. - 208 с.

265. Лодиз, Р. Рост монокристаллов / Р. Лодиз, Р. Паркер. - М.: Мир. 1974.

- 540 с.

266. Электронная база порошковых рентгенографических данных PDF - 2.

- URL: http://www.icdd.com/products/pdf2.htm.

267. Вест, А. Химия твердого тела. Теория и приложения: В 2-х ч. Ч.1: Пер. с англ. / А. Вест. - М.: Мир. 1987. - 558 с.

268. Burley, G. Polimorphism of silver iodide / G. Burley // The American Mineralogist. - 1963. - Vol. 47. - No 6. - P. 1266-1276.

269. Tomaev, V.V. Control of the Phase Composition of Nanostructured Silver Iodide / V. V. Tomaev, Yu. S. Tveryanovich, M. D. Balmakov // Nanotechnologies in Russia. - 2015. - Vol. 10, - No. 3-4. - P. 242-246.

270. Иваницкий, Г. Р. XXI век: что такое жизнь с точки зрения физики/ Г. Р. Иваницкий // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180. - № 4. - С. 337-369.

271. Бальмаков, М. Д. Перспективы развития концепции Р. Л. Мюллера о вязком течении / М. Д. Бальмаков // Физика и химия стекла. - 2000. - Т. 26. - № 3.

- С. 297-314.

272. Потанин, А. А. Твердотельный химический источник тока на основе ионного проводника типа трифторида лантана / А. А. Потанин // Журн. рос. хим. об-ва им. Д. И. Менделеева. - 2001. - Т. XLV. - № 5-6. - С. 58-63.

273. Борисова, З. У. Халькогенидные полупроводниковые стекла / З. У. Борисова. - Санкт-Петербург: ЛГУ. 1983. - 344 с.

274. Onodera, Y. Vitrification and transport properties in AgBr-doped chalcogenide systems / Y. Onodera, T. Furukawa, S. Hashimoto, T. Usuki, Y. Amo, Y. Kameda // Solid State Ionics. - 2006. - Vol. 177. - P. 2597-2599.

275. Usuki, T. Structure of fast ion conducting AgI-As2Se3 glasses / T. Usuki, K. Nakajima, T. Furukawa, M. Sakurai, S. Kohara, T. Nasu, Y. Amo, Y. Kameda // Journal of Non-Crystalline Solids. - 2007. - Vol. 353. - P. 3040-3044.

276. Гапоненко, С. В. Оптические процессы в полупроводниковых нанокристаллах (квантовых точках) / С. В. Гапоненко // - Физика и техника полупроводников. - 1996. - Т. 30. - № 4. - С. 577-619.

277. Гиббс, Дж. В. Термодинамические работы / Дж. В. Гиббс. - М.: Госхимиздат. 1950. - 438 с.

278. Скрипов, В. П. Спонтанная кристаллизация переохлажденных расплавов / В. П. Скрипов, В. П. Каверда. - М.: Наука. 1984. - 230 с.

279. Погосов, В. В. К расчету размерной поправки поверхностного натяжения ультрадисперсных металлических частиц // Физика твердого тела. -1994. - Т. 36. - № 9. - С. 2521-2529.

280. Валов, П. М. Размерные эффекты в энергии экситонов и фазовых переходах первого рода в нанокристаллах СиС1 в стекле / П. М. Валов, В. И. Лейман // Физика твердого тела. - 1999. - Т. 41. - № 2. - С. 310-317.

281. Бальмаков, М. Д. О температуре плавления наночастиц / М. Д. Бальмаков // Физика и химия стекла. - 2007. - Т. 34. - № 1. - С. 140-143.

282. Бальмаков, М. Д. Микроволновой аспект наночастиц / М. Д. Бальмаков // Вестн. СПГУ. Сер. 4.: Физика, химия. - 2007. - № 2. - С. 58-67.

283. Бальмаков, М. Д. Термодинамический аспект плавления и размягчения наночастиц / М. Д. Бальмаков // Физика и химия стекла. - 2007. - Т. 34. - № 5. - С. 727-739.

284. Ворох, А. С. Неупорядоченная атомная структура наночастиц сульфида кадмия: специальность 01. 04. 07 - физика конденсированного состояния: автореферат диссертации кандидата физико-математических наук / Ворох Андрей Станиславович; Российская академия наук, Уральское отделение, Институт химии твёрдого тела. - Екатеринбург. 2009. - 23 с.

285. Малиновский, В. К. Неупорядоченные твердые тела: универсальные закономерности в структуре, динамике и явлениях переноса / В. К. Малиновский // Физика твердого тела. - 1999. - Т. 41, - № 7. - С. 805-807.

286. Малиновский, В. К. Неоднородность в нанометровом масштабе как универсальное свойство стекла / В. К. Малиновский, Н. В. Суровцев // Физика и химия стекла. - 2000. - T. 26. - № 3. - С. 315-321.

287. Малиновский, В. К. О наноструктуре неупорядоченных тел / В. К. Малиновский, В. Н. Новиков, А. П. Соколов // Успехи физических наук. - 1993. -Т. 163. - № 7. - С. 119-124.

288. Kleman, M. The geometrical nature of disorder and its elementary excitations / M. Kleman // J. Physique. - 1982. - Vol. 43. - No. 3. - P. 1389-1396.

289. Лихачев, В. А. Континуальная теория дефектов / В. А. Лихачев, А. Е. Волков, В. Е. Шудегов. - Ленинград: ЛГУ. 1986. - 420 с.

290. River, N. Line defects and tunneling modes in glasses / N. River, D. M. Duffy // J. Phys. France. - 1982. - Vol. 43. - No. 2. - P. 293-306.

291. Sethna, J. R. Frustration and curvature: Glasses and the cholesteric blue phase / J. R. Sethna // J. Pys. Rev. Lett. - 1983. - Vol. 51. - No. 24. - P. 2198-2201.

292. Nelson, D. R. Order, frustration, and defects in liquids and glasses / D. R. Nelson // Phys. Rev. B. - 1983. - Vol. 27. - No. 12. - P. 5515-5537.

293. Аппен, А. А. Химия стекла. Изд- 2-е, испр. / А. А. Аппен. - Л.: Химия. 1974. - 350 с.

294. Majid, С. A. X-ray investigation of the crystallization of chalcogenide glasses of the type ((As2Se3)1-x-(AgI)x / С. A. Majid, P. R. Prager, N. H. Fletcher, J. M. Brettel // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1974. - Vol. 16. - P. 365-374.

295. Renninger, A. L. Cristalline structures of As2Se3 and As4Se4 / A. L. Renninger, B. L. Averbach // Acta Cryst. - 1973. - Vol. 29. - P. 1583-1589.

296. Renninger, A. L. Atomic Radial Distructions of As-Se Glasses / A. L. Renninger, B. L. Averbach // Phys. Rev. - 1973. - Vol. 7. - No. 4. - P. 1507-1514.

297. Tomaev, V. V. Ionic Composite of (As2Se3)1-x-(AgHal)x [Hal = I,Br] Nanocomposites / V. V. Tomaev, Y. S. Tveryanovich, M. D. Balmacov, I. A. Zvereva, A. B. Missyul // Class Physics and Chemistry. - 2010. - Vol. 36. - No. 4. - P. 455 - 462.

298. Тверьянович, Ю. С. Особенности влияния халькогенидов серебра на температуру размягчения халькогенидных стёкол с ионной проводимостью / Ю. С.

Тверьянович, Т. Р. Фазлетдинов, В. В. Томаев // Электрохимия. - 2023. - Т. 59, - №2 8. - С. 442-447.

299. Maier, J. Thermodynamic aspects and morphology of nano-structured ion conductors. (Aspects of nano-ionics. Part I) / J. Maier // Solid State Ionics. - 2002. - Vol. 154-155. - P. 291-301.

300. Maier, J. Nano-sized mixed conductors (Aspects of nano-ionics. Part III) / J. Maier // Solid State Ionics. - 2002. - Vol. 147. - P. 367-374.

301. Шкловский, Б. И. Электронные свойства легированных полупроводников / Б. И. Шкловский, А. А. Эфрос. - М.: Наука. 1979. - 416 с.

302. Берри, Р. С. Фазовые переходы и сопутствующие явления в простых системах связанных атомов / Р. С. Берри, Б. М. Смирнов // Успехи физических наук.

- 2005. - Т. 175. - № 4. - С. 367-411.

303. Borisov, E. N. Deposition of Er3+ doped chalcogenide glass films by excimer laser ablation / E. N. Borisov, V. B. Smirnov, A. Tveryanovich, Yu. S. Tveryanovich // J. Non-Cryst. Solids. - 2003. - Vol. 326-327. - P. 316-319.

304. Емец, Ю. П. Эффективная диэлектрическая проницаемость трехкомпонентных композиционных материалов с анизотропной структурой / Ю. П. Емец // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75. - № 2. - С. 67-72.

305. Емец, Ю. П. Дисперсия диэлектрической проницаемости трех- и четырехкомпонентных матричных сред / Ю. П. Емец // Журнал технической физики. - 2003. - Т. 73. - № 3. - С. 42-53.

306. Weimer, U. A. c. measurements on tin oxide sensors to improve selectivities and sensitivities / U. Weimer, W. Göpel // Sensors and Actuators, B. - 1995. - Vol. 26210. - P. 13-17.

307. Srinivas, K. Impedance spectroscopy study of polycrystalline Bi6Fe2Ti3Ü18 / K. Srinivas, P. Sarah, S. Y. Suryanarayana // Bull. Mater. Sci. - 2003. - Vol. 26. - No. 2.

- P. 247-253.

308. Патент №2175692 Российской Федерации, МПК С30В 23/00; C30D 25/00. Устройство для формирования многослойных структур: 97112020/25: заявл.

09.07.1997: опубл. 10.06. 1999 / Бестаев М.В., Гацоев К.А., Горелик А.И., Дегоев М.А., Мошников В.А., Томаев В.В. -5 с.

309. Патент №2436876 Российская Федерация, МПК С30В 25/22 В82В 3/00. Способ формирования многослойных нанокристаллических плёнок с гетерогенной границей раздела и устройство для формирования многослойных нанокристаллических плёнок с гетерогенной границей раздела: № 2010121311/05: заявл. 27.05.2010: опубл. 20.12.2011 / Томаев В. В. Бюл. №35. - 7 с.

310. Тверьянович, Ю. С. Многослойные ионпроводящие пленки на основе чередующихся нанослоев Л§381, и Л§23, / Ю. С. Тверьянович, М. Д. Бальмаков, В. В. Томаев, Е. Н. Борисов, О. Волобуева // Физика и химия стекла. -2007. - Т. 34, - № 2. - С. 196-201.

311. Томаев, В. В. Получение окисленных пленок PbSeO3 из пленок PbSe / В. В. Томаев, Ю. В. Петров // Физика и химия стекла. - 2012. - Т. 37. - № 2. - С. 276-281.

312. Бестаев, М. В. Инжекционные лазеры на основе монокристаллов соединений теллурид свинца - теллурид олова и селенид свинца - селенид олова / М. В. Бестаев, К. А. Гацоев, А. Л. Курбатов, В. А. Мошников, В. В. Томаев // Известия высших учебных заведений. Северо - кавказский регион. Естественные науки, - 1997. - № 1. - С. 48-53.

313. Патент №1659536 СССР, МПК С30 В 19/00; С30 В 29/46. Способ получения полупроводниковых структур на основе соединений А4В6: № 4705405/26: заявл. 23.03.89: опубл. 30.06.91 / Бестаев М. В., Жуков Н. Р., Томаев В. В. Бюл. № 24. 2 с.

314. Патент №1827693 СССР, МПК Н0^ 21/66. Способ определения температуры изменения типа проводимости на границе области гомогенности соединений А4В6: №4889929/25: заявл. 05. 11. 90: опубл. 15. 07. 93 / Бестаев М. В., Мошников В. А., Томаев В. В. Бюл. №26. -4 с.

315. Калинина, М. В. Температурные исследования сопротивления металлооксидных полупроводников на основе диоксида олова / М. В. Калинина, В.

A. Мошников, П. А. Тихонов, В. В. Томаев, С. В. Михайличенко // Физика и химия стекла. - 2003. - Т. 29. - № 4, - С. 582-590.

316. Томаев, В. В. Поведение молекул воды и кислорода на поверхности пленок диоксида олова / В. В. Томаев, П. А. Тихонов, Ю. Б. Галимов // Физика и химия стекла. - 2003. - Т. 29. - № 6. - С. 856-862.

317. Томаев, В. В. Импедансная спектроскопия металлооксидных наноразмерных композиционных образцов / В. В. Томаев, В. А. Мошников, В. П. Мирошкин, Л. Н. Гарькин, А. Ю. Живаго // Физика и химия стекла. - 2004. - Т. 31.

- № 5. - С. 624-638.

318. Томаев, В. В. Температурные исследования электрических свойств двухфазного материала 0.9SnO2+0.1CuO методом импедансной спектроскопии. / В.

B. Томаев, В. П. Мирошкин, Л. Н. Гарькин // Физика и химия стекла. - 2006. - Т.32.

- №4. - С.668-675.

319. Патент №1803829 СССР, МПК G01N 21/59. Устройство для измерения дымности отработавших газов дизелей: 4879984/25: заявл. 05.11.1990: опубл. 23.03.1993 / Томаев В. В., Фатеев В. И. Бюл. № 11.- 3 с.

320. Патент №2112960 Российской Федерации, МПК G01N 21/85. Устройство для измерения дымности отработавших газов дизелей: -№ 93007671/25: заявл. 08.02.1993: опубл. 10.06.1998 / Бестаев М. В., Томаев В. В., Гацоев К. А., Тотров Б. Н., Шотаев А. Н. -5 с.

321. Tomaev, V. V. Mechanical Modification of p-AgI Nanocrystals / V. V. Tomaev, Yu. S. Tver'yanovich, and M. D. Bal'makov // Crystallography Reports, - 2012.

- Vol. 57. - No. 7. - P. 75-81.

322. Dutta, T. Map of Semiconductor Metal-Oxide-Based Sensors: A Review / T. Dutta, T. Noushin, S. Tabassum, S. K. Mishra // Sensors, - 2023. - Vol. 23. - No. 1. 6849. https://doi.org/10.3390/s23156849.

323. Ishchenko, O. TiO2, ZnO, and SnO2-based metal oxides for photocatalytic applications: principles and development / O. Ishchenko, V. Rogé, G. Lamblin, D. Lenoble and I. Fechete // // Comptes Rendus Chimie, - 2021, - Vol. 24. - No. 1. - P. 103124.

324. Gerosa, M. Accuracy of dielectric-dependent hybrid functionals in the prediction of optoelectronic properties of metal oxide semiconductors: a comprehensive comparison with many-body GW and experiments / M. Gerosa, C. E. Bottani, C. Di. Valentin, G. Onida and G, Pacchioni // J. Phys.: Condens. Matter, - 2018) - Vol. 30 -044003 - (25pp).

325. Kaur, N. One-Dimensional Nanostructured Oxide Chemoresistive Sensors / N. Kaur, M. Singh, and E. Comini // Langmuir, - 2020, - Vol. 36 (23), P. 6326-6344. DOI: 10.1021/acs.langmuir.0c00701.

326. Bykkam, S.; Prasad, D.N.; Maurya, M.R.; Sadasivuni, K.K.; Cabibihan, J.-J. Comparison Study of Metal Oxides (CeO2, CuO, SnO2, CdO, ZnO and TiO2) Decked Few Layered Graphene Nanocomposites for Dye-Sensitized Solar Cells // Sustainability,

- 2021, - Vol. 13, 7685. https://doi.org/10.3390/su13147685.

327. Wawrzyniak, J. Advancements in Improving Selectivity of Metal Oxide Semiconductor Gas Sensors Opening New Perspectives for Their Application in Food Industry / J. Wawrzyniak // Sensors 2023, 23, 9548. https://doi.org/ 10.3390/s23239548.

- (35pp).

328. Zhu, L. Y. Advances in Noble Metal-Decorated Metal Oxide Nanomaterials for Chemiresistive Gas Sensors: Overview / L. Y. Zhu, L. X. Ou, L. W. Mao, X. Y. Wu, Y. P. Liu, H. L. Lu // Nano-Micro Lett. - 2023, - Vol. 15:89 - (75pp). https://doi.org/10.1007/s40820-023-01047-z.

329. Korotcenkov, G. Current Trends in Nanomaterials for Metal Oxide-Based Conductometric Gas Sensors: Advantages and Limitations—Part 2: Porous 2D Nanomaterials / G. Korotcenkov, V. P. Tolstoy // Nanomaterials. - 2023, - Vol. 13, 237. https://doi.org/10.3390/nano13020237.

330. Fu, L. Application of Semiconductor Metal Oxide in Chemiresistive Methane Gas Sensor: Recent Developments and Future Perspectives / L. Fu, S. You, G. Li, X. Li, Z. Fan // Molecules. - 2023, - Vol. 28, 6710. https://doi.org/10.3390/ molecules28186710.

331. Saleh, H. M. Synthesis and Characterization of Nanomaterials for Application in Cost-Effective Electrochemical Devices / H. M. Saleh, A. I. Hassan // Sustainability. - 2023, - Vol. 15, 10891. https://doi.org/10.3390/su151410891.

332. Riad, K. B. Metal Oxide Quantum Dots Embedded in Silica Matrices Made by Flame Spray Pyrolysis / K. B. Riad, S. V. Hoa, and P. M. Wood-Adams // ACS Omega. - 2021. - Vol. 6. - P. 11411-11417. https ://doi.org/10.1021 /acsomega.0c06227.

333. Huang, X. 2D semiconductors for specific electronic applications: from device to system / X. Huang, C. Liu and P. Zhou // npj 2D Materials and Applications. -2022. - Vol. 51. 19 p.

334. Yang, X. Functionalization of Mesoporous Semiconductor Metal Oxides for Gas Sensing: Recent Advances and Emerging Challenges / X. Yang, Y. Deng, H. Yang, Y. Liao, X. Cheng, Y. Zou, L. Wu, and Y. Deng / Adv. Sci. - 2023. - Vol. 10. 2204810, 19 p. www.advancedscience.com.

335. Kimakova, T. Sensors Based on Tin and Indium Oxides for the Determination of Acetone in Human Breath / T. Kimakova, D. Kondrakhova, E. Ovodok, M. Ivanovskaya, V. Kormosh, S. Vorobiov, M. Lisnichuk, V. Bilanych, and V. Komanicky // ACS Omega. - 2023. - Vol. 8. P. 40078-40086. https://doi.org/10.1021/acsomega.3c02125.

336. Filippatos, P. P. Vanadium and tantalum doping of tin dioxide: a theoretical study / P. P. Filippatos, N. Kelaidis, M. Vasilopoulou & A. Chroneos // Sci Rep. - 2023. - Vol. 13. 20983. 8, P. https://doi.org/10.1038/s41598-023-47383-3.

337. Kumar, R. SnO2-Based NO2 Gas Sensor with Outstanding Sensing Performance at Room Temperature / R.; Kumar, Mamta, R. Kumari, V.N. Singh // Micromachines. - 2023. - Vol. 14. 728. https://doi.org/10.3390/mi14040728.

338. Tian, X. Gas sensors based on TiO2 nanostructured materials for the detection of hazardous gases: A review / X. Tian, X. Cui, T. Lai, J. Ren, Z. Yang, M. Xiao, B. Wang, X. Xiao, Y. Wang // Nano Materials Science. - 2021. - Vol. 3. P. 390403. https://doi.org/10.1016/j.nanoms.2021.05.011.

339. Guo, J. Highly Sensitive, Selective, Flexible and Scalable Room-Temperature NO2 Gas Sensor Based on Hollow SnO2/ZnO Nanofibers / J. Guo, W. Li,

X. Zhao, H. Hu, M. Wang, Y. Luo, D. Xie, Y. Zhang, H. Zhu // Molecules. - 2021. - Vol. 26.Article 6475. https://doi.org/10.3390/molecules26216475.

340. Staerz, A. WO3 Based Gas Sensors / A. Staerz, S. Somacescu, M. Epifani, T. Russ, U. Weimar and N. Barsan / Proceedings. - 2018. - No. 2. - Article 826. - 4 p.

341. Чижова, Е. А. Газочувствительные свойства слоистых феррокупратов лантана (иттрия) - бария / Е. А. Чижова, С. В. Шевченко, А. И. Клындюк // Труды БГТУ. - 2019. - серия 2. - № 2. - С. 146-154.

342. Mazabuel-Collazos, A. ZnO-TiO2 nanocomposites synthesized by wet-chemical route: Study of their structural and optical properties / A. Mazabuel-Collazos,

C. D. Gomez, J.E. Rodriguez-Paez // Materials Chemistry and Physics. - 2019. - Vol. 222. - P. 230-245.

343. Blanco-Gutierrez, V. Phase transitions in Mn(Mo1-xWx)O4 oxides under the effect of high pressure and temperature / V. Blanco-Gutierrez, A. Demourgues, E. Lebreau, and M. Gaudon // Phys. Status Solidi B. - 2016. - Vol. 253. - No. 10. - P. 2043-2048.

344. Боченков, В. Е. Наноматериалы для сенсоров / В. Е. Боченков, Г. Б. Сергеев // Успехи химии. - 2007, - Т. 76, - № 11, - С. 1084-1093.

345. Barsan, N. Conduction model of metal oxide gas sensors / N. Barsan, U. Weimar // Journal of Electroceramics. - 2001. - Vol. 7. - No. 3. - С. 143-167.

346. Barsan, N. Conduction models in gas-sensing SnO2 layers: grain-size effects and ambient atmosphere influence / N. Barsan // Sensors and Actuators B: Chemical. - 1994. - Vol. 17. - No. 3. - P. 241-246.

347. Göpel, W. SnO2 sensors: current status and future prospects / W. Göpel, K.

D. Schierbaum // Sens. Actuators, B. - 1995. - No. 26-27. - P. 1-12.

348. Göpel, W. New materials and transducers for chemical sensors / W. Göpel // Sens. Actuators, B. - 1997. - No. 18-19. - P.1-21.

349. Томаев, В. В. Исследование фоточувствительности композита из селенида и селенита свинца в ультрафиолетовой области спектра / В. В. Томаев, С. В. Егоров, Т. В. Стоянова // Физ. и хим. стекла. - 2014. - Т. 40. - № 2. - С. 268-276.

350. Tomaev, V. V. Preparation of PbSeÛ3 as a new material, sensitive to the electromagnetic radiation in UV range / Tomaev V. V., Smolyaninov V. D., Stoyanova T. V., Egorov S. V. // Journal of Physics: Conference Series. - 2016. - V. 741. - N. 1. -P. 012036.

351. Bi, G. Modeling of the Potential Profile for the Annealed Polycrystalline PbSe Film / G. Bi, F. Zhao, J. Ma, S. Mukherjee, D. Li, Z. Shi // PIERS Online. - 2009.

- Vol. 5, - No. 1. https://www.researchgate.net/publication/245554452.

352. Dashevsky, Z. Mid-infrared photoluminescence of PbSe film structures up to room temperature / Z. Dashevsky, V. Kasiyan, G. Radovsky, E. Shufer, M. Auslender // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. - 2008. - Vol. 7142. - No. 11. - 14 p.

353. Калинина, М. В. Температурные исследования сопротивления металлооксидных полупроводников на основе диоксида олова / М. В. Калинина, В.

A. Мошников, П. А. Тихонов, В. В. Томаев, С. В. Михайличенко // Физика и химия стекла. - 2003. - Т. 29. - № 4, - С. 582-590.

354. Томаев, В. В. Поведение молекул воды и кислорода на поверхности пленок диоксида олова / В. В. Томаев, П. А. Тихонов, Ю. Б. Галимов // Физика и химия стекла. - 2003. - Т. 29. - № 6. - С. 856-862.

355. Томаев, В. В. Импедансная спектроскопия металлооксидных наноразмерных композиционных образцов / В. В. Томаев, В. А. Мошников, В. П. Мирошкин, Л. Н. Гарькин, А. Ю. Живаго // Физика и химия стекла. - 2004. - Т. 31.

- № 5. - С. 624-638.

356. Томаев, В. В. Температурные исследования электрических свойств двухфазного материала 0.9SnO2+0.1CuO методом импедансной спектроскопии. / В.

B. Томаев, В. П. Мирошкин, Л. Н. Гарькин // Физика и химия стекла. - 2006. - Т.32.

- №4. - С.668-675.

357. Витенберг, А. Г. Газовая экстракция в хроматографическом анализе / А. Г. Витенберг, Б. В. Иоффе. - Л.: Химия. 1982. - 280 с.Гордон, А. Спутник химика. Физико-химические свойства, методики, библиография / А. Гордон, Р. Форд. - М.: Мир. - 1976. - 541 с.

358. Снарский, А. А. Процессы переноса в макроскопически неупорядоченных средах: От теории среднего поля до перколяции / А. А. Снарский, И. В. Безсуднов, В. А. Севрюков. - М.: Издательство ЛКИ. 2007. - 304 с.

359. Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах: В 2т.: / Н. Мотт, Э. Дэвис. Т. 1. - М.: Мир. 1982. - 368 с.; Т. 2. - М.: Мир. 1982. - 658 с.