Влияние тепловых полей на механизмы роста и фазовых превращений пленок теллурида и сульфотеллуридов кадмия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.21, кандидат химических наук Нуждин, Михаил Юрьевич

• Нуждин, Михаил Юрьевич
• кандидат химических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат химических наук Нуждин, Михаил Юрьевич

Основные обозначения и сокращения.

Введение.

1. Физико-химические процессы формирования пленок соединений

А В при конденсации в вакууме и их электрофизические свойства.

1.1. Процессы вакуумной конденсации пленок соединений А В

1.1.1. Процессы испарения сульфидов и теллуридов кадмия в вакууме

1.1.2. Взаимодействие паровой фазы с остаточными газами атмосферы

1.1.3. Процессы межфазного взаимодействия на границе пленкаподложка.

1.1.4. Зародышеобразование.

1.1.5. Миграция ДЧ на поверхности твердого тела.

1.1.6. Оствальдовское созревание.

1.1.7. Фазовые превращения в резко неравновесных условиях.

1.2. Процессы токопереноса в неупорядоченных полупроводниках.

1.2.1. Модельные представления теории переноса заряда в неупорядоченных системах.

1.2.2. Представление неупорядоченного полупроводника в виде матрицы кластеров правильной формы.

1.2.3. Представление неупорядоченного полупроводника в виде среды со случайно изменяющимися в пространстве микрохарактеристиками.

1.2.4. Особенности зонного строения пленок соединений А В и твердых растворов на их основе.

1.3. Выводы.

2. Техника и методика эксперимента.

2.1. Исходные материалы и подложки.

2.2. Методики получения опытных образцов.

2.2.1. Синтез пленок при температурах подложки более 293 К.

2.2.2. Синтез пленок при низких температурах подложки.

2.2.3. Синтез пленок в неоднородных условиях.

2.2.4. Синтез пленок твердых растворов Сё8хТе1.х.

2.3. Методы исследования модельных объектов.

2.3.1. Геометрические исследования.

2.3.2. Электронографические исследования.

2.3.3. Электронно-микроскопические исследования.

2.4. Электрофизические измерения.

2.5. Оценка погрешности экспериментальных данных.

3. Влияние неоднородных условий температурного поля подложки на кристаллическую структуру и морфологию поверхности пленок теллурида кадмия, синтезированных из паровой фазы.

3.1. Структура и морфология пленок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры.

3.2. Особенности формирования пленок теллурида кадмия в тепловом поле градиента температуры.

3.3. Влияние термодиффузии на оствальдовское созревание пленок теллурида кадмия, формирующихся в тепловом поле градиента температуры.

4. Электрические свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры.

4.1. Электрическое сопротивление пленок.

4.2. Влияние структуры пленок на электрическое сопротивление.

4 .3. Влияние толщины пленок на электрическое сопротивление.

4.4. Влияние атмосферы на электрическое удельное сопротивление.

4.5. Механизмы токопереноса.

5. Электрические исследования процессов фазовых превращений твердых растворов Сс18хТе1.т синтезированных в резко неравновесных условиях.

5.1. Изменение свойств систем С<Ц5хТе1х в процессе термоактивируемых фазовых превращений.

5.1.1. Изменение структурных свойств образцов.

5.1.2. Изменение темновой проводимости образцов.

5 .1.3. Изменение фотоэлектрических и электрооптических свойств образцов.

5.2. Изменение химического потенциала в процессе фазовых превращений.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние тепловых полей на механизмы роста и фазовых превращений пленок теллурида и сульфотеллуридов кадмия»

2 6

Пленки соединений А В и твердые растворы на их основе благодаря своим свойствам являются перспективными материалами для современной микроэлектроники. Уже сегодня активно используются пракЛ такой материалы А В в оптоэлектронике и солнечной энергетике. На базе теллурида кадмия созданы и успешно функционируют высокоэффективные солнечные элементы. Сульфид кадмия широко применяется для фоторезисторов и фотолюминесцентных устройств, приборов с зарядовой связью. Твердые растворы соединений ртути позволяют создавать высокочувствительные преобразователи ИК-излучения, приборы ночного видения. В качестве перспективного материала соединения

2 6

А В рассматриваются лазерным приборостроением для изготовления пленочных твердотельных лазеров.

2 6

В последние несколько лет на основе соединений А В созданы наиболее перспективные для электроники малоразмерные структуры типа квантовых точек, что еще больше повысило интерес промышленности к этим материалам.

2 6

Более широкое применение материалов А В сегодня в значительной мере сдерживается технологическими трудностями, возникающими при синтезе объектов из этих материалов. Например, пленочные систе

2 6 мы из А В имеют большой разброс по параметрам и выход годных приборов достаточно низок. Другим фактором, сдерживающим широкое

2 6 внедрение материалов А В является деградация свойств их пленочных структур с течением времени.

Перспективность материалов и проблемы их внедрения привели к огромному количеству научных работ, посвященных физико-химии и

2 6 технологии получения материалов А В . Однако существует область, которая остается пока еще почти неизученной. Это исследование процессов формирования объектов в нетривиальных условиях, которые, можно предположить, позволят получать материалы с новыми свойствами. Уже сегодня, например, удалось получить эпитаксиальные пленки 6

А^В при синтезе в резко неравновесных условиях [1 - 3], выявить проводимость, стимулируемую осцилляциями температуры [4], получить биустойчивые гетероструктуры [5]. К нетривиальным условиям синтеза материалов относится и синтез в тепловом поле градиента температуры.

В литературе практически отсутствуют работы по изучению процессов зарождения и роста в подобных условиях. В то же время можно предполагать существенное влияние этого параметра на свойства пленок и активно использовать его для управления синтезом. В этой связи одной из проблем поставленной в настоящей работе явилось изучение влияния тепловых полей на процессы конденсации и фазовых превра

Л /Г тений пленок А В на основе структурных, морфологических, геометрических и электрофизических исследований на примере теллуридов кадмия.

Другой проблемой, которой посвящена работа, является изучение фазовых превращений на основе электрических измерений. Известно, что электрические свойства вещества наиболее чувствительны к состоянию структуры. На перспективность их использования для анализа материалов в свое время указывал еще Курнаков [6]. Однако, в литературе до сих пор практически отсутствуют работы по применению электрических исследований для анализа кинетики фазовых превращений. Нет полной ясности сегодня и о механизмах самих фазовых превращений в твердых телах.

В настоящей работе исследуются термоактивируемые превращения в пленках твердых растворов А В , синтезированных в резко неравновесных условиях. Объекты исследования выбраны исходя из их склонности к фазовым превращениям и из их перспективности для практического применения.

В связи с этим целью работы являлось выявление механизмов формирования структуры и свойств пленок теллурида кадмия в тепловом поле градиента температуры и электрофизическое изучение процессов фазовых превращений пленок сульфотеллуридов кадмия.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие задачи:

- разработка технологичного метода формирования теплового поля градиента температуры;

- управляемый синтез пленок теллурида кадмия в присутствии теплового поля градиента температуры;

- установление механизмов влияния теплового поля градиента температуры на структуру и электрические свойства пленок теллурида кадмия;

- управляемый синтез пленок твердых растворов сульфотеллуридов кадмия в резко неравновесных условиях (при отрицательных температурах подложки);

- физико-химический анализ механизмов термоактивируемых фазовых превращений в твердых растворах сульфотеллуридов кадмия на основе непрерывных электрических измерений и сравнительных структурных исследований.

Заключение диссертации по теме «Химия твердого тела», Нуждин, Михаил Юрьевич

Выводы

1. Впервые изучены процессы формирования структуры и свойств пленок теллурида кадмия, синтезируемых из паровой фазы в тепловом поле градиента температуры. В результате исследований установлено, что внешнее тепловое поле градиента температуры позволяет целенаправленно управлять структурой и свойствами пленок, формирующихся из паровой фазы, в том числе позволяет понизить температуру их эпи-таксиального роста.

2. На основе технологических экспериментов и структурных исследований установлено, что. тепловое поле градиента температуры оказывает «пороговое» влияние на совершенство кристаллической структуры. В зависимости от параметров поля, оно может способствовать как совершенству структуры, так и возрастанию неупорядоченности; неоднородность теплового поля подложки вызывает направленный поток конденсируемого вещества и тем самым изменяет продолжительность стадии оствальдовского созревания в сторону, определяемую градиентом температуры; слабые термодиффузионные стоки вещества вызывают нарушение процессов встраивания атомов и тем самым способствуют разупорядочен-ности формирующейся на подложке кристаллической структуры. Повышение мощности стоков способствует формированию совершенной кристаллической структуры, вызывая существенное увеличение продолжительности оствальдовского созревания, компенсирующего негативное влияние стоков на процессы встраивания; процессы формирования слоя при нормальном послойном росте пленки из паровой фазы с незатухающими источниками вещества характеризуются одновременным протеканием флуктуационного зародышеобразо-вания и оствальдовского созревания.

3. На основе электрических и структурных исследований пленок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры установлено, что: удельная электропроводность пленок зависит от кристаллической структуры, толщины образцов и окружающей атмосферы. Повышению проводимости способствует возрастание кристаллического совершенства, уменьшение толщины и повышение давления окружающей атмосферы; процессы токопереноса в пленках удовлетворительно описываются в рамках модели неоднородного полупроводника с потенциальным рельефом случайного поля, сформированном потенциальными барьерами на границах кристаллитов.

4. Впервые, на основе непрерывных электрических измерений изучены механизмы термоактивируемых фазовых превращений в пленках сульфотеллуридов кадмия. Проведено сопоставление результатов электрических исследований со структурными исследованиями.

5. На основе структурных исследований и электрофизических измерений, осуществляемых в процессе фазовых превращений, установлено что: термоактивируемый распад ТР сопровождается скачкообразным изменением положения уровня Ферми системы и последующей монотонной его релаксацией к новому равновесному значению; процесс термоактивированного распада ТР сопровождается кратковременным возрастанием степени неупорядоченности системы; изменения электрической проводимости, имеющие место в процессе термоактивируемого распада ТР, конформно отражают происходящее при этом изменение плотности состояний вблизи уровня Ферми системы.

6. Высокая чувствительность процессов токопереноса к структуре объектов делает электрофизические измерения перспективным методом диагностики и анализа фазовых превращений в твердых телах.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Нуждин, Михаил Юрьевич, 2003 год

1. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Формирование ориентированных пленок теллурида кадмия на аморфной подложке в резконерав-новесных условиях. // ЖТФ. - 2001. - Т.71, вып.4. - С. 133-135.

2. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Начальные стадии образования эпитаксиальных пленок соединений А2В2 в резко неравновесных условиях на подложке из слюды-мусковит // ФТТ. 1997. - Т.39, №2. - С. 382-386.

3. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Сравнительный анализ начальных стадий роста эпитаксиальных пленок теллурида кадмия на нагретых и охлажденных подложках // Неорг.мат. — 1998,- Т.34, №3. С. 283-287

4. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Проводимость, стимулируемая осцилляциями температуры в распавшихся твердых растворах сульфида и теллурида кадмия // ФТП. 1997. - Т.31, №8. - С.966-968.

5. Беляев А.П., Рубец В.П. Эффект переключения в гетеропереходах Si-CdS, синтезированных в резко неравновесных условиях // ФТП.- 2002,-Т.44, №7. С. 843-846.

6. Курнаков Н С. Избранные труды, Т.1.- М.: АН СССР, 1961. 595с.

7. Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич A.B. Эпитаксиальные2 6пленки соединений AB . Л.: ЛГУ им.Жданова. 1978. - 311 с.

8. Технология тонких пленок: Справочник / под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга, Пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко. Т.1. М.: Сов. радио, 1977. - 664 с.

9. Choi S.S., Lucovsky G. Native oxide formation on CdTe // J. Vac.Schi.A.Technology (B). 1988. - V.6, № 4. - P. 1193-1203.

10. Chemical structure of microcrystalline CdTe films growh by RF sputtering / Hernandez-Calderon I., Jimenez-Sandoval S., Pena J.L., Sailer V. // J.Cryst.Growth. 1988. - V.86, № 1-4. - P.396-400.

11. Федорова Т.Е., Вишняков A.B., Ковтушенко P.B. Состав продуктов и кинетика окисления низкотемпературного CdTe // Изв.АН СССР. -Сер.Неорган.матер. 1987. - Т.23, № 6. - С.912-915.

12. Окисление поликристаллических материалов на основе халькогенидов цинка и кадмия / Гунченко Н.Н., Дронова Г.Н., Максимова И.А. и др. // Изв.АН СССР. Сер.Неорган.матер. - 1988. -Т.24, № 1. - С.36-40.

13. Нестеренко Ю.А., Середенко А.С., Смирнова О.М. // Сб.научн. Тр. монокрист. сцинтилляционных материалов и особо чистых химических веществ. 1980. - № 5. - С.116-120.

14. Закономерности диффузионного массопереноса в двухкомпонентных островковых пленках (на примере начальных стадий окисления эпитаксиальных пленок CdS / Кукушкин С.А., Калинкин И.П., Сергеева Л .А., Степанова Н.Д. // Поверхность. 1985. - № 3. - С.84-90.

15. Рубец В.П. Физико-химические процессы конденсации пленок тел-лурида и сульфида кадмия в широком интервале температур подложек. / Дисс. .канд. хим. наук. СПб.: СПГТИ(ТУ), 1997.

16. Ландау JI.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. 4.1. М.: Наука, 1976.-584 с.

17. Современная кристаллография: образование кристаллитов. В 4-х томах. / Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С. и др. М.: Наука, 1980, Т.3.-407 с.

18. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Процессы конденсации тонких пленок // УФН. 1998. - Т. 168, №10. - С. 1083-1116.

19. Витюк В.Я. Физико-химические процессы вакуумной конденсации и фазовые превращения в пленках сульфо-теллуридов кадмия и цинка / Дисс. . канд.хим.наук. Л.: Л ТИ им .Ленсовета, 1984.

20. Витюк В .Я., Санитаров В.А., Калинкин И.П. Кристаллохимическое строение и энергетическая структура твердых растворов на основесоединений А2В6 / Рук.деп. в ОНИИТЭХИМ, Черкассы, 23.07.79, № 3053/79.

21. Александров Л.Н. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1978. 272 с.

22. Трофимов В.И., Осадченко В.А. Рост и морфология тонких пленок. -М.: Энергоатомиздат, 1993. 381 с.

23. Dynamics of ripening of self-assembled II VI semiconductor quantum dots / S. Lee, I. Daruka, C.S. Kim and other // Phis.Rev.Letter. - V.81, N16. -P. 3479-3482.

24. Трусов Л.М., Холмянский В.А. Островковые металлические пленки.- М.: Металлургия, 1973. 320 с.

25. Kukushkin S.A., Osipov A.V. New Phase Formation on Solid Surfaces and Thin Film Condensation // Progress in Surface Science. 1996. - V. 51, Nl.-P. 1-107.

26. Кукушкин С.А., Слезов В.В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел: механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход). -СПб.: Наука, 1996. 304 с.

27. Bassett G.A. Condensation and Evaporation of Solids. New York, 1964.- P.599.

28. Kern R., Masson A., Metios J.J. Migration Browhienne de Crisstallites Sur. Une Surface et Relation Avec L'epitaxie // Surf.Sci. 1971. - V.27, № 3.- P.483-498.

29. Zanghi J.C., Metios J.J., Kern R. Elastic interaction between 11 Surf.Sei. -1975. V.52, № 3. - P.556-568.

30. Чопра К.Л. Электрические явления в тонких пленках. М.: Мир, 1972.-435 с.

31. Ивлев В.М., Трусов А.И., Холмянский В. А. Структурные превращения в тонких пленках. 2 изд. перераб. и доп. М.: Металлургия, 1988.-325 с.

32. Гегузин Я.Е., Когановский Ю.С. Диффузионный перенос массы в островковыхпленках // УФН. 1978. - Т.125, №.3. - С.489-525.

33. Дзюба A.C. Движение капель жидкости по твердой поверхности в поле температурного градиента // Укр.физ.журн. 1983. - Т.28, № 4. -С.549-553.

34. Жданов Г.С. Подвижность монокристаллов в дисперсных металлических пленках // Поверхность. 1987. - № 7. - С.131-138.

35. Rubets V.P., Kukushkin S.A. Determination of migration mechanisms and their influence on the structure of films // Thin Solid Films. 1992. - V.221. -P.267-270.

36. Александров Л.Н. Кинетика образования и структура твердых слоев. Новосибирск: Наука, 1972. - 227 с.

37. Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971.-480 с.

38. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. - 319 с.

39. Олемский А.И., Парипский A.B. Коалесценция островков пленки на реальной поверхности кристалла при наличии источников напыляемых атомов. Незатухающие источники. // Известия ВУЗов, серия Физика. — 1978. -№12.-С. 73-76.

40. Судзуки К., Фудзимори X., Хасимото К Аморфные металлы / Под ред. Масумото Ц. Пер. с япон. М.: Металлургия, 1987. - 328 с.

41. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. М.: Мир, 1991.-670 с.

42. Морохов И.Д., Трусов Л.И., Чижик С.П. Ультрадисперсные металлические среды. М.: Атомиздат, 1977. - 264 с.

43. Vateva Е., Nesheva D. Photo -induced phenomena in chalcogenide structures //J.Non-Cryst.Solids. 1987. - V.90. - P.497-504.

44. Nesheva D. Properties of amorphous CdS crystalline Si juhctions // J.Solid-State Electronics. - 1987. - V.30, № 2. - P. 173-176.

45. Vateva E., Nesheva D. Photoconductivity of amorphous CdS films // J .Non-Crystalline Solids. 1982. - V.51. - P.381-388.

46. Mendolia J., Lemoine D. Electrical and Optical Properties of Evaporated Thin Films of a CdTe // Phys.Stat.Sol. - 1986. - (a)97. - P.601 -607.

47. Кукушкин C.A., Осипов A.B. Солитонная модель миграции островков на подложке при росте тонких пленок // ФТТ. 1994. - Т.36. № 5. - С.1461-1469

48. Kukushkin S.A., Osipov A.V. Soliton model of island migration in thin films /7 Surface Science. 1995. - V.329. - P.135-140.

49. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Начальные стадии2 6образования эпитаксиальных пленок соединений А В в резко неравновесных условиях на подложке из слюды мусковит // ФТТ. 1997. Т.39, № 2. - С.188-192.

50. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Оптический край поглощения и его модификация при распаде пленок твердых растворов теллури-да и сульфида кадмия. // ФТП. 1997. - Т.31, №5. - С. 635 - 638.

51. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Корреляционная связь между пропусканием и составом в пленках твердых растворов соединений А2В6 // Неорганические материалы. 1999. - Т.35, №5. - С.548 - 551.

52. Кристиан Дж. Теория превращений в металлах и сплавах. М.: Мир, 1978.-806 с.

53. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. / Бонч-Бруевич B.JL, Звягин И.П., Кайпер Р. и др. М.: Наука, 1981. - 383 с.

54. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. - 416 с.

55. Шик А.Я. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках. // Неоднородные и примесные полупроводники во внешних полях: Сб. Кишинев: Штиинца, 1979. - с.22-40.

56. Дощанов K.M., Шамирзаев С.Х. Проводимость поликристаллическихГпленок полупроводниковых соединений AB// Изв. АН УзССР. сер. физ.-матем. наук. - 1978. - №5. - С. 78 - 80.

57. Шкловский Б.И. Перколяционная электропроводность в сильных электрических полях // ФТП. 1979. - Т.13, вып. 1. - С. 93-97.

58. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред // УФН. 1975. - Т.117, вып.З. - С. 403-435.

59. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников // ЖЭТФ. 1971. - Т.60, №2. - С. 867878.

60. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках // ФТП. 1976. - Т. 10, вып. 2. - С. 209-233.

61. Шик А.Я., Вуль А.Я. Долговременные релаксации проводимости в полупроводниках // ФТП. 1974. - Т.8, №9. - С. 1675-1682.

62. Вуль А.Я., Набиев В.И., Шик А.Я. О температурной зависимости удельного сопротивления в неоднородных полупроводниках // ФТП. — 1977. Т.11, вып.З. - С. 506-510.

63. Шик А.Я. Эффект Холла и подвижность электронов в неоднородных полупроводниках // Письма в ЖЭТФ. 1974. - Т.20, №1. - С. 14-16.

64. Карпов В.Г., Шик А.Я., Шкловский Б.И. К теории эффекта Холла в случайно-неоднородном полупроводнике // ФТП. — 1982. Т. 16, вып.8. — С. 1406-1410.

65. Шик А.Я. Статистика носителей и термические релаксации в неоднородных полупроводниках // ЖЭТФ. 1976. - Т.71, вып.9. - С. 11591165.

66. Anderson P.W. Absence of diffusion in certain random lattice // Phis.Rev. — 1958. V.109, N5. — P. 1492-1505.

67. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. / Пер.с англ. / Под ред. Коломийца Б.Т. М.: Мир, 1982. - 662 с.

68. Friedman L. Hall conductivity of amorphous semiconductors in the random phase model // J.Non-Cryst.Sol. 1971. - V.6, №4. - P. 329-341.

69. Mott N.F. Metal-insulator transitions // Proc.R.Soc.Lond. 1982. -V.383, №1782. - P. 1-24.

70. Petriz R.L. Theory of photoconductivity in semiconductor films // Phys.Rev. 1956. - V.104, №6. -P.l508-1516.

71. Teylor W.E., Odell N.H., Fan N.Y. Grain boundary barriers in germanium // Phys.Rev. 1952. - V.88, №4. - P.867-875.

72. Volger J. Note on the Hall Potential Across an Inhomogeneous Conductor // Phys.Rev. 1950. - V.79, №6. - P. 1023-1024.

73. Гольдман Е.И., Ждан А.Г. Электропроводность полупроводников с межгранульными барьерами // ФТП. 1976. - Т.10, вып.10. - С. 18391845.

74. Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Неменущий В.Г. Влияние энергетической структуры поверхностных состояний на электропроводность полупроводников с межгранульными барьерами // ФТП. 1978. - Т. 12, вып.5. — С. 833-836.

75. Гольдман Е.И. Эффект Френкеля-Пула в полупроводниках с межгранульными барьерами И ФТП. 1978. - Т. 12, вып.2. - С. 390-393.

76. Приходько В.Г., Ждан А.Г., Гуляев И.Б. Электропроводность границ раздела Si-Si при наличии зависимости заполнения пограничных состояний от напряжения // ФТП. 1979. - Т.13, вып.Ю. - С. 2028-2030.

77. Приходько В.Г., Ждан А.Г., Гуляев И.Б. Спектроскопия пограничных состояний на контакте полупроводник-полупроводник i i ФТП. 1980. — Т.14, вып.9. - С. 1804-1805.

78. Механизм замороженной (остаточной) проводимости полупроводников / В.Б. Сандомирский, А.Г. Ждан, М.А. Мессерер, И.Б. Гуляев // ФТП.1973. Т.7, вып.7.-С. 1314-1323.

79. Seto J.Y.W. The electrical properties of polycrystalline silicon films // J.Apl.Phys. 1975. - V.46, №12. - P. 5247-5254.

80. Baccarani G., Ricco В., Spadini G. Transport properties of polycrystalline silicon films // J.Apl.Phys. 1978. - V.49, №11. - P. 5565-5570.

81. Электропроводность полупроводников с межгранульными границами и спектроскопия пограничных состояний при наличии туннельного тока / Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Маркин Ю.А., Сульженко П.С. // ФТП.- 1983. Т.17, №3. - С. 390-393.

82. Kazmerski L.L., Ireland P.J. Evidens for grain boundary passivation by oxidation in polycrystalline Gas solar cells // J.Vac.Sci.Technol. 1980. -V.17, №1. - P. 525-528.

83. Kazmerski L.L., Ireland P.J., Ciszek T.F. Evidens for the segregation of impurities to grain boundaries in multigrain silicon using Auger electron spectroscopy and srcodary ion mass spectroscopy // App.Phys.Lett. 1980. -V.36, №4. - P. 323-325.

84. Шкловский Б.И., Эфрос A.Jl. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред // УФН. 1975. - Т.117, вып.З. - с. 403-435.

85. Александров JI.A., Калинкин И.П., Санитаров В.А. Способ получения пленок твердых растворов селено-теллуридов кадмия. Авт.свид. 1069569 приоритет №3337221 от 01.06.81.

86. American Society for Testin and Materials, Powder Diffraction Fill. ASTM. Philadelphia, 1987.

87. Мирки h Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу прли кристаллов / Под ред.проф.Уманского Я.С. М.: Гос.изд.физ.-мат. лит., 1961.-863 с.

88. Толкачев С.С. Таблицы межплоскостных расстояний. Л.: Химия, 1968.- 132 с.

89. Горелик С.С., Расторгуев А.И., Скаков Ю.А. Рентгенографический и электронографический анализ металлов. М.: Гос.изд.лит. по металлург., 1963. - 256 с.

90. ВитриховскийН.И., Мизецкая И.Б., Олейник Г.С. Свойства сплавов системы CdSe-CdTe // Изв.АН СССР. Сер.Неорган.матер. - 1971. - Т.7, № 5. - С.757-760.

91. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник / А.В.Новоселова, В.Б.Лазарев. М.: Наука,1978. - 315 с.

92. Нуждин М.Ю., Беляев А.П., Рубец В.П. Влияние периферии на однородность температурного поля подложки при синтезе в квазизамкнутом объеме // ВМУ. 1999. - Т.6, №2. - С.50 - 53.

93. Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю. Нетривиальное влияние температуры подложки на скорость роста пленок СсГГе // II научно-техническая конференция аспирантов СПбГТИ(ТУ): Тез.докл. СПб: СПбГТИ(ТУ), 1999. - С.32.

94. Влияние термодиффузии на совершенство кристаллической структуры, формирующейся при конденсации из паровой фазы / А.П. Беляев,

95. B.П. Рубец, М.Ю. Нуждин, И.П. Калинкин / ЖТФ. 2002. - Т. 72, №4.1. C.120-123.

96. Л.Н. Александров. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1985. - 224 с.

97. Кукушкин С.А. Эволюционные процессы в ансамблях дисперсных систем на поверхности твердых тел. Механизмы начальных стадий формирования тонких многокомпонентных пленок. 1. Консервативные системы // ФТТ. 1993. - Т.35. вып.6. - С.1582 - 1596.

98. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика, Т.VI. М: Наука, 1988. - 733 с.

99. Григорьев Д.А., Кукушкин С.А. Механизмы и кинетика начальных стадий роста пленок, выращиваемых методом химического газофазного осаждения //ЖТФ. 1998. - Т.68, №7. - С.111 - 117.

100. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках // ФТП. 1976. - Т. 10, вып.2. - С. 209-233.

101. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Особенности долговременных релаксаций в неупорядоченных полупроводниковых соединениях А В с межфазными границами // Поверхность. 1999. - №6. - С.38 - 45.

102. Электрофизические свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в условиях низкотемпературной эпитаксии / А.П. Беляев, В.П. Рубец, К.К. Муравьева, И.П. Калинкин // Изв. ВУЗов. Физика. 1989. -Т.32, №7. - С. 114-115.

103. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Электрофизические характеристики эпитаксиальных пленок теллурида кадмия // Изв. ВУЗов. Физика. 1990. - Т.ЗЗ, №3. - С. 72-76.

104. Инжекционно-контактные явления в гетероструктуре на основе неупорядоченного селенида цинка / А.П. Беляев, В.П. Рубец, Х.А. Тош-ходжаев, И.П. Калинкин // ФТП. 1992. - Т.26, вып.Ю. - С. 1752-1759.

105. Belyaev А.Р., Kalinkin I.P. Conduction processes in inhomogeneous CdSexTei-x semiconductors // Thin Solid Films. 1988. - V. 158. - P. 25-36.

106. Беляев А.П., Калинкин И.П., Санитаров В.А. Перколяционная проводимость по примесной зоне в пленках твердых растворов CdSexTeix // ФТП. 1985. - Т.19, №1. - С. 154-155.

107. Беляев А.П. Электронные процессы в неупорядоченных системах А2В6 конденсированных на поверхности твердого тела. / Дисс. .докт. техн. наук. СПб.: СПГТИ(ТУ), 1997.

108. Osip'yan Yu.A., Petrenko V. F., Zaretskii A. V. Properties of II-VI semiconductors assosiated with moving dislocations // Adv. Phys. 1986. -V.35, N2. - P.l 15-188.

109. Корепанов C.A., Виктор П.А., Сердюк B.B. Нестабильность фотопроводимости тонких поликристаллических слоев CdS с высокой концентрацией поверхностного заряда // Известия ВУЗов. Физика. 1982. -Т.25,№7. - С. 18-22.

110. Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю. Эволюция плотности состояний в процессе фазовых превращений пленок сульфотеллуридов кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях // ФТП. — 2000. Т.34, № 10. - С. 1208 -1211.

111. Анализ электрических свойств тонкопленочных образцов в процессе фазовых превращений твердых растворов сульфида и теллурида кадмия / А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин, М.Ю. Нуждин / ЖПХ. -2002. Т.75, №5. - С. 734-738.

112. Preparation and photoconductive properties of sintered films of CdS-CdTe mixed crystals / J. Saraie, H. Kato, N. Yamada and other // Phys. Stat. Solidi (a). 1977. - V.39, N1. - P.331-336.

113. Диаграммы конденсации тонких пленок твердых растворов CdSxTeix / В.Я. Витюк, В.А. Санитаров, И.П. Калинкин, H.H. Заплешко // Неорганические материалы. 1982. - Т. 18, №7. - С. 1126-1129.

114. Ohata К.О., Tanaka Т., Saraie J. Phase diagramm of the CdS-CdTe pseudobinary system // Japan J.Appl.Phys. 1973. - V.12, N8. - P. 11981204.

115. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Формирование порядка в системе локализованных зарядов неупорядоченных слоев твердых растворов теллурида и сульфида кадмия // ФТП. 1997. - Т.31, №2. - С. 222226.