Время-разрешенная люминесцентная вакуумная ультрафиолетовая спектроскопия кристаллов с комплексным анионом (PO4) тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Черемных, Владислав Сергеевич

• Черемных, Владислав Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Черемных, Владислав Сергеевич

Список сокращений

Введение

Глава 1. Кристаллы с комплексным анионом РО4: особенности кристаллической структуры, электронные возбуждения, люминесценция и дефекты (литературный обзор)

1.1. Комплексный анион (РО4) " в различных матрицах

1.1.1. Кристаллическая структура и люминесценция чистых и \ 2 активированных ортофосфатов кальция и стронция

1.1.2. Экситоны и автолокализованные дырки в ортофосфатах щелочноземельных металлов 1 ^

1.1.3. Размножение электронных возбуждений

1.2. Электронные возбуждения, люминесценция и дефекты в кристаллах на основе AIPO4 и KDP

1.2.1. Оптические и люминесцентные свойства, электронные возбуждения в кристаллах AIPO4 и GaP

1.2.2. Оптические и люминесцентные свойства, электронные возбуждения в кристаллах группы KDP

1.2.2.1. Ростовые точечные дефекты в кристаллах группы KDP

1.2.2.2. Радиационно-индуцированные дефекты в кристаллах группы 35 KDP

1.3. Выводы по главе. Цель и задачи работы

Глава 2. Объекты исследования и техника эксперимента

2.1. Кристаллическая структура и физико-химические свойства кристаллов А1Р04 и GaP

2.2. Кристаллическая структура и физико-химические свойства кристаллов КН2Р04 и NH4H2P

2.3. Техника эксперимента

2.3.1. Время-разрешенная ВУФ-спектроскопия

2.3.2. Автоматизированная установка для изучения рентгено- и термостимулированнои люминесценции твердых тел ^

2.3.3. Станция время-разрешенной рентгенолюминесценции на канале синхротронного излучения накопителя ВЭПП-З в ИЯФ СО РАН

Глава 3. Релаксация электронных возбуждений в кристаллах с комплексным анионом РО

3.1. Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия номинальночистых кристаллов А1РО4 и ваРС^ ^

3.1.1. Кристаллы А1РО4 (берлинит)

3.1.2. Кристаллы ваРС^

3.2. Электронные возбуждения и люминесценция в кристаллах группы

3.2.1. Дигидрофосфат аммония (АОР)

3.2.2. Дигидрофосфат калия (КОР)

3.3. Модели центров свечения

3.3.1. Автолокализованные экситоны в кристаллах АШС^иваРСи

3.3.2. Излучательная аннигиляция автолокализованных экситонов в кристаллах в АБР и КБР

3.4. Выводы по главе

Глава 4. Точечные дефекты в кристаллах А1РО4, СаР(>4,

АБР и КЗ)Р

4.1. Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия кристаллов А1РО4 и ваРСи, облученных быстрыми электронами

4.2. Радиационно-индуцированные дефекты кристаллической структуры кристаллов А1РО4 и ваРС^

4.3. Люминесцентно-оптическая спектроскопия дефектов кристаллической структуры в кристаллах АБР и КОР

4.4. Выводы по главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Время-разрешенная люминесцентная вакуумная ультрафиолетовая спектроскопия кристаллов с комплексным анионом (PO4)»

Актуальность темы. Анионная группа РО4 является фрагментом кристаллической структуры множества кристаллов, как новых, так и тех, что уже давно используются в различных направлениях практической деятельности. Среди их многообразия по актуальности практического применения можно выделить кристаллы ортофосфатов алюминия и галлия, а также дигидрофосфата калия (КОР) и аммония (АБР), содержащие один и тот I же комплексный анион (РО4)3".

Ортофосфаты алюминия и галлия характеризуются уникальными физико-химическими свойствами. Являясь, в частности, структурным аналогом диоксида кремния (кварца), они обладают намного более высокими пьезоэлектрическими свойствами. Отсюда следует и их применение - это датчики измерений ускорения, давления и силы, микровесы, вискозиметры, ультразвуковые датчики, акустоэлектронные линии задержки, фильтры для телекоммуникаций, беспроволочные системы опознавания, датчики * дистанционного управления, резонаторы для стабилизации частоты автогенераторов в системах связи и т.п. Их практическое применение за рубежом интенсивно расширяется (см. www.gapo4.com).

Кристаллы КН2Р04 (КОР) и МН4Н2Р04 (АБР) относятся к классу нелинейно-оптических кристаллов, которые широко применяются в качестве электрооптических приборов, интегральных оптических волноводов, генераторов высших гармоник лазерного излучения, твердотельных оптических сред для преобразования частоты когерентного излучения мощных пикосекундных лазеров, оптических параметрических осцилляторов для инфракрасной и ультрафиолетовой области спектра и интегральных оптических волноводов. В последние годы актуальность их изучения в мире резко возросла в связи с применением в США на установках по термоядерному синтезу.

Целенаправленное улучшение эксплуатационных характеристик и оптических свойств этих материалов невозможно без изучения структуры собственных электронных возбуждений (ЭВ), особенностей их создания и эволюции. Принципиальным также является вопрос о типах дефектов кристаллической структуры, индуцированных ионизирующим излучением, возможностях их проявления в различных процессах релаксации ЭВ. Результаты исследования в этом направлении могут служить базой для создания экспериментально обоснованных моделей дефектов и механизмов радиационно-стимулированных процессов в кристаллах изучаемой группы. Поскольку эти кристаллы являются широкозонными диэлектриками с шириной запрещенной зоны 8-9 эВ (вакуумный ультрафиолетовый (ВУФ) диапазон), то наиболее информативным методом изучения процессов создания и временной эволюции собственных ЭВ, изучения дефектов кристаллической структуры (как ростовых, так и радиационно-индуцированных) может явится метод люминесцентной ВУФ-спектроскопии с временным разрешением и применением в качестве импульсного источника возбуждения синхротронного излучения (СИ) ВУФ и рентгеновского диапазонов.

Цель работы и задачи исследования. С применением методов время-разрешенной люминесцентной ВУФ-спектроскопии и синхротронного излучения изучить процессы создания и излучательной релаксации собственных электронных возбуждений и дефектов кристаллической структуры в кристаллах с комплексным анионом (РО4)а именно в кристаллах А1Р04, 0аР04 и КН2РО4, Ш4Н2Р04.

Для достижения цели работы потребовалось выполнить комплекс исследований и решить следующие задачи:

1. Методами низкотемпературной (Т = 8—10 К) оптической и люминесцентной ВУФ-спектроскопии с субнаносекундным временным разрешением с применением СИ ВУФ и рентгеновского диапазонов провести исследования процессов создания и излучательной релаксации собственных ЭВ.

2. Методами люминесцентной и термоактивационной спектроскопии с привлечением методов электронного парамагнитного резонанса экспериментально исследовать точечные дефекты кристаллической структуры, образующиеся как при выращивании кристаллов, так и в результате облучения высокоэнергетическими электронами. Разработать и экспериментально обосновать структурные модели дефектов.

3. Установить общие закономерности и отличительные особенности динамики собственных ЭВ и радиационно-индуцированных процессов в рассматриваемых кристаллах с анионной группой (РОД

4. Разработать и ввести в исследовательский процесс автоматизированную экспериментальную установку для измерения спектров рентгенолюминесценции, импульсной катодолюминесценции и термостимулированной люминесценции твердых тел.

Указанные задачи решались при выполнении госбюджетных работ кафедры экспериментальной физики по плану НИР УГТУ-УПИ, Программы по разработке лучевых (пучковых) методик анализа и модификации приповерхностных слоев оптических материалов детекторной, нелинейной и интегральной оптики, проектов РФФИ (02-02-16322, 02-02-16322-МАС, 02-0516530), Минобразования РФ (Е02-3.4-362), Программы исследований Уральского научно-образовательного центра «Перспективные материалы» (CRDF award No.REC-005).

Научная новизна. Впервые выполнено комплексное экспериментальное исследование процессов создания и излучательной релаксации собственных ЭВ, изучены дефекты кристаллической решетки в кристаллах с комплексным анионом Р04 (А1Р04, GaP04 и КН2Р04, NH4H2P04). Впервые получены следующие результаты:

1.Методами низкотемпературной (Т = 8-10К) оптической и вреъяя-разрешенной люминесцентной ВУФ-спектроскопии для исследуемых кристаллов с анионной группой (Р04) получен комплекс экспериментальных данных по люминесцентным проявлениям как собственных электронных возбуждений, так и дефектов кристаллической решетки. Для кристаллов А1РО4, 0аР04 обнаружена и изучена люминесценция как собственных (ростовых) дефектов, так и дефектов кристаллической решетки, индуцированных быстрыми электронами.

2. Показано, что в исследуемых кристаллах наблюдаются собственные свечения с разным стоксовым сдвигом, а для кристаллов АБР, КОР и с разной мультиплетностью эти свечения обусловлены излучательной аннигиляцией автолокализованных экситонов, в состав дырочного ядра которых входит о комплексный анион (РО4)На основании полученных экспериментальных данных уточнены значения величины запрещенной зоны (Её) для кристаллов изучаемой группы.

3. Разработаны и обоснованы с привлечением различных экспериментально методов модели формирования дефектов кристаллической решетки, установлены принципиальные особенности радиационно-стимулированных процессов в кристаллах с водородными связями (АБР и КОР).

Научная и практическая значимость работы определяется совокупностью всех полученных в диссертационной работе результатов. Выполненные исследования вносят вклад в понимание процессов создания и релаксации собственных ЭВ в кристаллах с общей анионной группой РО4. Полученные результаты и развитые представления о процессах радиационного дефектообразования создают основу для разработки радиационных технологий целенаправленного изменения свойств кристаллов и улучшения их эксплуатационных параметров (например, для А1РО4, ОаРС>4 -пьезоэлектрических характеристик, для ЫЗР, АОР - радиационно-оптической устойчивости). На основе методов низкотемпературной время-разрешенной люминесцентной ВУФ спектроскопии для данного класса кристаллов могут быть созданы высокочувствительные устройства для контроля степени дефектности кристаллической структуры. Разработанная и созданная в ходе выполнения диссертационной работы экспериментальная автоматизированная установка для измерения спектров рентгенолюминесценции (РЛ), импульсной катодолюминесценции (ИКЛ) и термостимулированной люминесценции (TCJI) в течении трех лет используется не только для научных исследований, но и для учебного процесса в лабораторном практикуме по курсу «Физика твердого тела».

Автор защищает:

1. Результаты исследования собственных электронных возбуждений, процессов их создания и релаксации в кристаллах с комплексным анионом ро4)3-.

2. Выводы о природе собственной люминесценции, процессах излучательной релаксации электронных возбуждений и их модели в кристаллах изучаемой группы.

3. Результаты проявления в спектрах люминесценции ростовых и радиационно-индуцированных точечных дефектов в кристаллах AIPO4 и GaPC>4 и их предполагаемые модели.

4. Развитые представления особенностей формирования дефектов водородной подрешетки, контролируемых методами время-разрешенной ВУФ-спектроскопии в кристаллах ADP и KDP.

Личный вклад автора. Автором при поддержке сотрудников кафедры экспериментальной физики и студентов была создана и введена в учебно-исследовательский процесс автоматизированная установка для изучения РЛ, ИКЛ и ТСЛ твердых тел. На этой установке была проведена определенная часть измерений по теме работы. Непосредственные измерения методом люминесцентной ВУФ-спектроскопии с применением синхротронного излучения всех исследуемых кристаллов были выполнены научным руководителем В.А. Пустоваровым в течение 2001-2004 гг. в лаборатории HASYLAB (Немецкий электронный синхротрон DESY, Гамбург). В целом, в рамках диссертационной работы, обработка, анализ и интерпретация полученных экспериментальных данных, обсуждение, подготовка основной части научных публикаций, формулирование защищаемых положений и выводов диссертации выполнены лично автором. Цикл исследований кристаллов АБР, КБР выполнен совместно с научным консультантом И.Н.Огородниковым. Измерения спектров ЭПР кристаллов А1РО4 проведены в ФТИ им. Завойского (г. Казань) совместно с М.Л.Фалиным. Облучение кристаллов А1РО4 на микротроне проведено совместно с Ф.М.Клиновым.

Апробация работы. Материалы диссертации были доложены на пяти международных конференциях: на V Европейской конференции по люминесцентным детекторам и приемникам ионизирующих излучений (ШМОЕТЯ, Прага, Чехия, 2003); на 15-й Международной конференции по дефектам в диэлектриках (1СБ1М, Рига, Латвия, 2004); на Международной конференции по спектроскопии вакуумного ультрафиолета и взаимодействию излучения с конденсированной материей (УЦУЗ, Иркутск, 2005); на XIV и XV Международных конференциях по использованию синхротронного излучения (Новосибирск, 2002, 2004), и представлены в 18 научных работах, 11 из которых опубликованы в центральной печати, международных журналах и изданиях.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы; содержит 126 страниц, в том числе 66 рисунков, 3 таблицы и список литературы из 106 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Черемных, Владислав Сергеевич

4.4. Выводы

1. Исследование различных групп кристаллов AIPO4 и GaPC>4 методом люминесцентной ВУФ-спектроскопии с временным разрешением позволило обнаружить и идентифицировать люминесценцию собственных (ростовых) и радиационно-индуцированных дефектов кристаллической решетки.

Показано, что в необлученных кристаллах в спектрах ФЛ имеются полосы 2.8, 3.0, 4.12 эВ для AIPO4 и полосы 2.68 эВ, 3.1 эВ для GaPC>4 с общим для них набором полос в спектрах возбуждения ФЛ. После облучения интенсивность этих полос ФЛ увеличивается в несколько десятков раз, при этом относительное соотношение их интенсивностей сохраняется. Основываясь на полученных экспериментальных данных и литературных данных по дефектам в Si02, сделан вывод о принадлежности этих полос внутрицентровым излучательным переходам в двух диамагнитных центрах свечения, между которыми существует перенос энергии. Предложена конфигурационная диаграмма для этих взаимодействующих центров.

Обнаружено, что после облучения кристаллов А1РО4 и ваР04 быстрыми электронами появляется новая полоса ФЛ 2.38 эВ (Р\¥НМ = 0.45 эВ, т = 7 не) для А1Р04 и 2.12 эВ (Р\¥НМ = 0.36 эВ, т = 7 не) для 0аР04.

2. Исследование кристаллов А1РО4 методом ЭПР показало, что в номинально чистых кристаллах сигнал ЭПР отсутствует. После облучения образцов быстрыми электронами появляется характерный сигнал ЭПР, г\ приписываемый дырочному радикалу (РО4)Предположено, что при облучении кристаллов А1РО4 и 0аР04 быстрыми электронами происходит аморфизация структуры, результатом которой является разрыв связей А1(ва)-О-Р. В результате чего образуется стабильный в диапазоне температур 110-330К дырочный радикал (РО4)", который в спектрах ФЛ формирует полосы 2.38 эВ (А1Р04) и 2.12 эВ (0аР04).

3. В кристаллах КОР и АБР методами люминесцентной ВУФ-спектроскопии с временным разрешением обнаружена и идентифицирована люминесценция собственных дефектов кристаллической решетки. Показано, что полоса ФЛ 2.6 эВ в кристаллах АБР и КЛЭР обусловлена электронной рекомбинацией на А-радикалах (дырка, локализованная на кислороде, ближайшем к имеющейся водородной вакансии), ассоциированных с гетеровалентной примесью. При низких температурах эти дефекты могут быть созданы при воздействии ионизирующего излучения. Возможны два канала создания А-радикалов. Первый из них связан с ионизацией уже существующих в кристалле Ь-дефектов (Ь + —> Ь+ = А-радикал). Другой механизм реализуется радиационным воздействием: при генерации зонных электронов и дырок ион водорода захватывает электрон, превращаясь в нейтральный атом водорода, который выталкивается из регулярного узла. Захват дырки на ближайшем к образовавшейся вакансии атоме кислорода приводит к образованию А-радикала.

Предположено, что полоса ФЛ 3.54 эВ обусловлена свечением Б-дефекта, который представляет собой дважды занятую водородную связь (группа Н3РО4"). Данный дефект является комплементарным с А-радикалом, т.е. имеет место единый механизм формирования этих дефектов. При образовании А-радикала образуется нейтральный атом водорода. В силу высокой подвижности его транспорт по междоузлиям приводит к его локализации на свободной позиции однократно занятой водородной связи, в результате образуется Б-дефект.

4. В результате проведенных исследований дефектов кристаллической структуры исследуемых кристаллов, можно сделать следующие выводы. Несмотря на то, что в кристаллах А1Р04, 0аР04, АБР и КОР имеется единый для них структурный фрагмент (анионная группа (РО4)"), при рассмотрении дефектов (в отличие от поведения собственных ЭВ, см. главу 3) наблюдаются принципиальные различия. Главным образом они связаны с кристаллической структурой этих материалов. В кристаллах А1РО4 и ваРС^ наблюдается сильная ковалентная связь как внутри тетраэдра РО4 , так и между соседними тетраэдрами. Поэтому дефектообразование возможно только при воздействии высокоэнергетического излучения, способного разорвать такую связь (в нашем случае быстрые электроны).

Совсем иная картина наблюдается в кристаллах АБР и КБР, свойства которых в плане образования дефектов определяются водородной подрешеткой. В отличие от А1РО4 и ваРС^ кристаллы АБР и КБР легко подвергаются радиолизу, что демонстрируют результаты при облучении кристаллов синхротронным излучением рентгеновского диапазона, создающим раздельные электроны и дырки. (Согласно литературным данным возможно создание Ь- и Б-дефектов в параэлектрической фазе даже термическим путем в результате тепловых колебаний ионов водорода). Из сказанного следует, что структура дефектов в кристаллах АБР и КБР будет определяться преимущественно водородной подрешеткой и комплексный анион (РО4)" не будет оказывать существенного влияния на люминесцентные проявления дефектов структуры так, как это наблюдается в А1РО4 и ваРС^.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Методами низкотемпературной время-разрешенной ВУФспектроскопии с применением синхротронного излучения ВУФ- и рентгеновского диапазонов впервые изучены процессы создания и излучательной релаксации собственных электронных возбуждений.

Установлено, что полосы 2.95 эВ (А1Р04 и 0аР04), 4.7 эВ (АБР) и 5.24 эВ

КБР) в низкотемпературных спектрах люминесценции связаны с излучательной аннигиляцией автолокализованных экситонов. Эти свечения характеризуется различным стоксовым сдвигом. Для кристаллов КБР впервые обнаружены и идентифицированы полосы с разной мультиплетностью (при

Т = 9К обнаружены а и п полосы свечения АЛЭ, обусловленные синглетными и триплетными излучательными переходами). Показано, что общий для всех этих 2 кристаллов фрагмент кристаллической структуры - комплексный анион (Р04)" входит в состав дырочного ядра автолокализованного экситона.

2. Установлено, что свечение АЛЭ наиболее эффективно при прямом оптическом создании экситонов, а также возбуждается рекомбинационным путем. Обнаруженное возрастание эффективности возбуждения люминесценции АЛЭ при энергиях возбуждающих фотонов Ьу > 2Её во всех исследуемых кристаллах связано с процессами размножения ЭВ.

3. Исследование кристаллов А1Р04 и ваР04 с разной степенью дефектности методами люминесцентной ВУФ-спектроскопии с субнаносекундным временным разрешением позволило обнаружить и идентифицировать люминесценцию собственных (ростовых) и радиационно-индуцированных дефектов кристаллической структуры. Показано, что метод время-разрешенной люминесцентной спектроскопии позволяет уверенно детектировать относительную степень дефектности. Обнаружено, что облучение кристаллов А1Р04 и ваР04 быстрыми электронами приводит к возникновению радиационно-индуцированных дефектов, проявляющихся в спектрах фотолюминесценции в виде новых полос ФЛ 2.38 эВ в А1Р04 и 2.12 эВ в GaP04. Обоснованно предположение, что при облучении кристаллов AIPO4 и GaP04 быстрыми электронами происходит аморфизация кристаллической структуры, результатом чего является разрыв связей Al(Ga)о

О-Р. В итоге образуется стабильный дырочный радикал (Р04)который формирует указанные полосы в спектрах ФЛ облученных кристаллов.

4. В низкотемпературных спектрах ФЛ кристаллов KDP и ADP впервые выявлены полосы, связанные с собственными дефектами кристаллической структуры. Показано что полоса ФЛ 2.6 эВ в KDP связана со свечением собственных L-дефектов (группа (НРО4)"), ассоциированных с гетеровалентной

•у примесью, а полоса 3.5 эВ с ФЛ D-дефектов (группа (Н3РО4) ")• При рассмотрении дефектов кристаллической структуры наблюдается принципиальное отличие между кристаллами AlP04(GaP04) и кристаллами KDP(ADP), в то время как поведение собственных ЭВ в них очень схоже. Это связано с тем, что в KDP(ADP) процессы образования дефектов идут, в первую очередь, при участии ионов водорода, с образованием комплементарных дефектов: А-радикалов и D-дефектов, то есть определяются водородной подрешеткой

5. Разработана и введена в действие для научно-исследовательского и учебного процессов автоматизированная установка для измерения спектров РЛ, ИКЛ и ТСЛ в диапазоне температур 80-600К.

ОТ АВТОРА

Автор выражает глубокую благодарность и уважение научному руководителю профессору, доктору физико-математических наук Пустоварову В.А., благодаря которому была начата и состоялась эта работа, за ту школу жизни, которую я прошел под его началом.

Автор выражает глубокую благодарность и признательность научному консультанту профессору, доктору физико-математических наук Огородникову И.Н. за постоянную помощь в обсуждении результатов, за его высокий профессионализм и искреннюю помощь.

Автор искренне благодарит доцента, кандидата физико-математических наук Зацепина А.Ф. за помощь в обсуждении результатов, за высокий профессионализм, за искреннюю помощь и заинтересованное отношение к моей работе.

Автор выражает благодарность всему коллективу кафедры экспериментальной физики Физико-технического факультета УГТУ-УПИ за благожелательное отношение и помощь в период работы над диссертацией.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Черемных, Владислав Сергеевич, 2006 год

1. Марковский, Л.Я. Люминофоры / Л.Я. Марковский, Ф.М. Пекерман, М.Л. Петошина.-Л.: Химия, 1966. 247 с.

2. Butler, К. Fluorescent Lamp Phosphors. Technology and Theory / K.Butler-Pennsylvania : State Univ. Press, 1980. 317 p.

3. Lnedvay, E. On the Luminescence of Sn activated alkaline earth orthophosphate phosphors / E.Lnedvay // Phys. stat. sol. 1962. - Vol.2,N.4 - P. 460-472.

4. Лущик, H.E. Люминесценция Ca3(P04)2 чистого и активированного ртутеподобными ионами / H.E.Лущик, И.А.Мерилоо // ЖПС. 1968. - №8. - С. 277-281.

5. Мерилоо, И. А. Разработка и исследование кристаллофосфоров, активированных ртутеподобными 82-ионами :, дис. док.физ.-мат. наук / И.А. Мерило. Тарту ТГУ, 1970 - 302 с.

6. Лущик, Ч.Б. Электронные возбуждения и люминесценция ортофосфатов и галофосфатов щелочноземельных металлов / Ч.Б.Лущик, Т.И.Савихина, И.А.Мерилоо, Х.А.Соовик // Труды ИФА АН ЭССР. 1986. - Т.58. - С.123-132.

7. Tale, I. Recombination luminescence mechanisms in Ваз(Р04)г / I.Tale, P.Kulis, V.Kronghaus // J. Lumin. 1979. - Vol.20. - P.343-347.

8. Кронгауз, В.Г. Люминесцентные приемники и преобразователи ионизирующего излучения / В.Г.Кронгауз, А.Г.Мерзляков. Новосибирск : Наука, 1985.-79 с.

9. Силинь, А.Р. Точечные дефекты и электронные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02 / А.Р.Силинь, А.Н.Трухин. Рига: Зинатне, 1985.-283 с.

10. Pantelides, S.T. The physics of Si02 and its interfaces / S.T. Pantelides. New York : Pergamon Press, 1978. - 263 p.

11. Куусманн, И.Jl. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах / И.Л.Куусманн, Г.Г.Лийдья, Ч.Б.Лущик // Труды ИФ АН ЭССР. 1976. - Т.46. - С.5-28.

12. Lushchik, Ch. Excitons / Ch.Lushchik, ed . E.Rashba and M.Sturge. Amsterdam North-Holland, 1982. - 505p.

13. Lushchik, Ch. Radiation creation of frenkel defects in КС1-Т1/ Ch.Lushchik, J.Kolk, A.Lushchik, N.Lushchik // Phys. stat. sol. 1984. - Vol.86,Nl. - P.219-227.

14. Лущик, Ч.Б. Экситонные механизмы возбуждения люминесценции примесных центров в ионных кристаллах / Ч.Б.Лущик и др. // Изв. АН СССР сер. физ. 1973. - Т.37. - С.334-340.

15. Барсова, Л.И. Исследование механизма образования парамагнитных центров в у-облученных сульфатах щелочноземельных металлов / Л.И.Барсова, Б.Г.Ершов, Г.Ю.Попова, В.И.Спицын // ДАН СССР. 1969. - Т.184. - С.1124-1127.

16. Спицын, В.И. Изучение перераспределения поглощенной энергии в у-облученных солях на примере образования примесных парамагнитных центров / В.И.Спицын, Г.В.Попова, Л.И.Барсова, Г.Ю.Попова // Изв. АН СССР, сер. хим. 1974. - № 3. - С.540-545.

17. Tale, I. Recombination luminescence mechanisms in Ba3(P04)2 / I.Tale, P.Kulis, V.Kronghaus // J. Lumin. 1979.- Vol.20. - P.343-347.

18. Hughes, W.E. Electron spin resonance of irradiated KH2PO4 and KD2PO4 / W.E.Hughes, W.G.Moulton // J. Chem. Phys. 1963. - Vol.39,N5. - P.1359-1360.

19. Гаркуша, В.А. Фосфаты и галофосфаты металлов второй группы как трансформаторы света с фотонным умножением / В.А.Гаркуша, И.А.Мерилоо, Р.В.Миленина, С.И.Панасюк, Т.И.Савихина // ЖПС. 1970. - Т.82. - С.238-242.

20. Александров, Ю.М. Применение синхротронного излучения для исследования люминесценции широкощелевых ионных кристаллов / Ю.М.Александров, Ч.Б.Лущик, В.Н.Махов, М.Н.Якименко // Изв. АН СССР, сер. физ. 1985. - Т.49. - С.2039-2043.

21. Ильмас, Э.Р. Фотонное умножение в кристаллах / Э.Р.Ильмас, Г.Г.Лийдья, Ч.Б.Лущик//Опт. и спектр.- 1965.-Т.18.-С.631-636.

22. Hayes, W. The self-trapped hole and the self trapped exciton in alkaline earth fluorides / W.Hayes, D.L.Kirk, G.P.Summers, Solid State Commun. 1969. - Vol.7, N15. -P.1061-1064.

23. Rubloff, G. Far-ultraviolet reflectance spectra of ionic crystals / G.Rubloff, J.Frreouf, H.Fritzshe, K.Murase // Phys. Rev. Letters. 1971. - N.275 - P.1317-1318.

24. Климова, B.H. Оптические свойства кристаллов A1P04 и GaP04 / В.Н.Климова, и др. // Кристаллография. 1987. - Т.32,№15. - С.786-787.

25. Накамото К. Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений / К.Накамото М.: Мир, 1966. 331 р.

26. Демьянец, Л.Н. Выращивание ортофосфата галлия в гидротермальных условиях / Л.Н.Демьянец, и др. // Кристаллография. 1992. - Т.37, №6. - С. 1569.

27. Trukhin, A.N. Excitons in Si02: a review / A.N.Trukhin // J.Non-Crystalline Solids. 1992. - Vol.149. - P.32-45.

28. Климова, B.H. Получение высококачественных кристаллов берлинита в гидротермальных условиях / В.Н.Климова, Л.Н.Демьянец // Кристаллография. -1994. Т.43,№5. - С. 1329-1331.

29. Trukhin, A.N. Evidences of the self-trapped excitons in A1P04 and GaP04 crystals / A.N.Trukhin // Solid State Communications. 1994. - Vol.90. - P.761-766.

30. Trukhin, A.N. Properties of self-trapped excitons in Si02 and Ge02 crystals / A.N.Trukhin // Solid State Communications. 1993. - Vol.85. - P.723-728.

31. Toyozawa, Y.A. Exciton-fonon interaction in ionic crystals / Y.A.Toyozawa // Techn.Report. ISSP Al. 1964. -P.l 19-127.

32. McGlynn, S.P. Molecular Spectroscopy of the Triplet State / S.P.McGlynn, T.Azumi, M. Kinoshita, NJ : Prentice Hall Englewood Cliffs, 1978 447 p.

33. Kamenskikh, I. Optical properties of AIPO4. / I.Kamenskikh, M.Kirm, V.Kolobanov, V.Mikhailin, A.Motachany, I.Shpinkov, D.Spasski, G.Zimmerer // DESY HASYLAB, Annual Report. 2000. - P. 182-183.

34. Локшин, Э.П. Выращивание и свойства кристаллов группы KDP. Зависимость оптических свойств и электропроводности кристаллов от условий выращивания. / Э.П. Локшин // Кристаллография. 1996. - Т.41,№6. - С.1125-1134.

35. Рез, И.С. Некоторые вопросы кристаллохимии кристаллов типа КН2РО4 / И.С. Рез, В.И. Нахомова, Г.Б.Сильницкая, П.М. Федоров // Изв. АН СССР, сер. физич. 1967. - Т.31,№7. - С. 1082-1084.

36. Локшин, Э.П. Выращивание и свойства кристаллов группы KDP. Особенности кристаллизации / Э.П. Локшин // Кристаллография. 1996. -Т.41,№6.-С.1115-1124.

37. Смоленский, Г.А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г.А. Смоленский и др.. Л.: Наука, 1971. 476 с.

38. Пахомов, В.И. Влияние примесей на некоторые особенности реальной структуры кристаллов КН2РО4 / В.И. Пахомов, Г.Б. Сильницкая, Б.К. Казуров, И.С. Рез // Неорганические материалы. 1978. - Т.14,№7. - С.1320-1323.

39. Muller, К.А. Electron spin and paramagnetic resonance in KH2P04 and its isomorphs. / K.A.Muller // Ferroelectrics. 1987. - Vol.72. - P.273-304.

40. Fairall, C.W. Hydrogen-bond configuration parameters for ferroelectrics isomorphic to KH2P04 / C.W. Fairall, W.Reese. // Phys. Rev. В (Solid State). -1975. Vol.11,N5.-P.2066-2068.

41. Muller, K.A. Cr5+ in KH2As04: A Halperin-Varma center / K.A.Muller, W. Berlinger // Phys. Rev. Lett. 1976. - Vol.37,N14. - P.916-919.л

42. Chowdari, B.V.R., Radiation damage of Cr04" doped KH2P04 single crystals / B.V.R. Chowdari,, Sekhar Y. Ravi // J.Chem.Phys. 1981. - Vol.75,N6. - P.2513-2520.

43. Koga, H. Electron paramagnetic resonance of Cu^ in KH2P04 / H.Koga, K.Hukuda. //J.Phys.Soc.Japan. 1968. - Vol.25,N2. - P.630-635.

44. Kohin, R.P. Domain switching in irradiated ferroelectrics KH2PO4 observed by ESR / R.P.Kohin, R.C. DuVarney // Phys.Rev. Lett. 1968. - Vol.20,N6. - P.259-262.

45. Hughes, W.E. Electron spin resonance of irradiated KH2P04 and KD2P04 / W.E. Hughes, W.G. Moulton // J.Chem.Phys. 1963. - Vol.39, N5. - P.1359-1360.

46. Dalai, N.S. EPR studies of x-ray irradiated ADP and KDP-type ferroelectrics and antiferroelectrics / N.S.Dalai, J.A. Hebden, C.A.McDowell

47. Journ.Chem.Phys. 1975. - V.62,N11. - P.4404-4410.

48. Рябов, А.И. Особенности радиационного окрашивания нелинейных кристаллов при пониженных температурах / А.И.Рябов, и др. //ФТТ. 1991. Т.33,№9. - С.2660-2662.

49. Setzler, S.D. Hydrogen atoms in KDP crystals / S.D. Setzler, K.T.Stevens, L.E.Halliburton, M.Yan, N.P.Zaitseva, DeYoreo // Physical Review B. 1998. -Vol.57,N5. -P.2643-2646.

50. Dalai, N.S. EPR studies of x-ray irradiated ADP and KDP-type ferroelectrics and antiferroelectrics / N.S.Dalal, J.A.Hebden, C.A.McDowell // Journ.Chem.Phys. -1975. Vol.62,N. 11.- P.4404-4410.

51. Демочко, Ю.А. Влияние дефектов радиационного происхождения на лазерную прочность кристаллов группы KDP / Ю.А.Демочко, Б.И.Захаркин, В.С.Наумов // Изв.АН СССР, сер. физич. 1990. - Т.54,№6. - С.1114-1116.

52. Азаров, В.В. Влияние ионизирующей радиации на монокристаллы KDP / В.В.Азаров, Л.В.Атрощенко, М.И.Колыбаева и др. // Физика и химия обработки материалов. 1984. - №5. - С.34-36.

53. Tsuchida, К. Electron spin resonance of gamma-irradiation KDP / K.Tsuchida, P.Abe, M.Naito // J.Phys.Soc.Japan. 1973. - Vol.35,N3. - P.806-811.

54. Пешиков, Е.В. Структурная чувствительность сегнетоэлектрического фазового перехода и диэлектрических свойств кристаллов KDP, облученных быстрыми нейтронами. / Е.В. Пешиков // Кристаллография. 1971. - Т. 16,№5. -С.947-951.

55. Пирогова, Г.Н. Влияние радиации на оптические свойства некоторых сегнетоэлектриков / Г.Н.Пирогова, Ю.В.Воронин, Б.Е.Крицкая и др. // Изв.АН СССР.Неорг. материалы. 1986. - Т.22,№1. - С.115-119.

56. Пешиков, Е.В. Влияние замороженных радикалов, созданных облучением, на сегнетоэлектрические свойства кристаллов KDP / Пешиков Е.В. // Кристаллография. -1972. Т. 17,№6. - С.1175-1180.

57. Yockey, Н.Р. Development of high voltages in KDP irradiated by gamma-rays / H.P.Yockey, C.L.Aseltine // Physical Review (B). 1975. - V.11,N11. - P.4373-4382.

58. Левченко, A.H. Примесная природа оптических спектров поглощения и люминесценции облученных кристаллов КН2РО4 / А.Н.Левченко, В.М.Шульга, А.О. Дорошенко.// ФТТ. 1990. - Т.32,№8. - С.2468-2470.

59. Зверева, О.В. Особенности роста ортофосфата галлия в гидротермальных условиях / О.В.Зверева, Ю.М.Мининзон // Кристаллография. 1992. - Т.37,№4. -С.1051-1054.

60. Reiter, С. Material properties of GaP04 and their relevance for applications / C. Reiter, at all. // EWPM Montpellier. 2000. - Vol.18. - P.327-328.

61. Worsch, P. Temperature dependence of the alfa-galliumphosphate structure / P.Worsch, B.Koppelhuber-Bitschnau, F.A.Mautner, P.W.Krempl and W.Wallnufer // Materials Science Forum. 1998.-Vol.600.-P.278-281.

62. Куанышев, В.Т. Оптимизация выращивания, люминесценция и радиационно-оптическая устойчивость кристаллов группы KDP и 1лЮз : Дисс. канд. физ-мат. наук / Куанышев Валерий Таукенович. Екатеринбург, 1998.-157с.

63. Лайнс, М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Глас. М. : Мир, 1981. - 736с.

64. Frazer B.C. X-Ray analysis of the ferroelectric transition in KH2P04 / B.C. Frazer, R.Pepinsky // Acta Ciystallogr. 1953. - Vol.62,N.3. - P. 273-285.

65. Кенциг, В., Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / В. Кенциг. М. : ИЛ, 1960.-234с.

66. Harris, L.B. Direct current conduction in ammonium an potassium dihydrogen phosphate / L.B. Harris, GJ.Vella // J. Chem. Phys. 1971. - Vol.58, N.10. - P. 4550-4557.

67. Zimmerer, G. Status-report on luminescence investigation with synchrotron radiation at Hasylab / G.Zimmerer // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. A. -1991.-Vol. 308. № 1-2.-P.178-186.

68. Зинин, Э.И. Стробоскопический метод электронно-оптической хронографии с пикосекундным разрешением на основе диссектора с электростатической фокусировкой и отклонением. Препринт / Э.И. Зинин // ИЯФ СО АН СССР. -1981. С.81-84.

69. Ogorodnikov, I.N. Intrinsinc luminescence in non-lilear crystals NH4H2PO4 / I.N.Ogorodnikov, V.A.Pustovarov, M.Kirm, V.S.Cheremnykh // DESY, HASYLAB, Annual Report. 2003. - P.635-636.

70. Огородников, И.Н. Низкотемпературная время-разрешенная вакуумная ультрафиолетовая спектроскопия кристаллов NH4H2PO4 / И.Н.Огородников, В.А.Пустоваров, М.Кирм, В.С.Черемных // Оптика и спекроскопия. 2004. -Т.97,№2. - С.244-250.

71. Ogorodnikov, I.N. A time-resolved luminescence spectroscopy study of self-trapped excitons in NH4H2PO4 crystals / I.N.Ogorodnikov, V.A.Pustovarov, M.Kirm, V.S.Cheremnykh // Journal of Luminescence. 2005. - Vol.115,N1-2. - P.69-76.

72. Огородников, И.Н. Низкотемпературная время-разрешенная вакуумная ультрафиолетовая спектроскопия кристаллов КН2РО4 / И.Н. Огородников, В.А.Пустоваров, М.Кирм, В.С.Черемных // Оптика и Спектроскопия. 2003.I1. Т.95,№3.-С.413^И7.

73. Огородников, И.Н Низкотемпературная время-разрешенная вакуумная ультрафиолетовая спектроскопия кристаллов КН2РО4. / И.Н. Огородников,

74. В.А.Пустоваров, М.Кирм, В.С.Черемных // Проблемы спектроскопии и спектрометрии: Межвуз. сб. тр. Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ. 2003. -Т.12. -С.92-94.

75. Baldini, G. Ultraviolet reflection and absorption of KH2P04 and NH4H2P04 crystals / G.Baldini, M.Cottini, E.Grilli // Sol. State Commun. -1972. Vol.11,N9. -P. 1257-1260.

76. Ogorodnikov, I.N. Self-trapped excitons in KH2P04 crystals / I.N.Ogorodnikov, V.A.Pustovarov, M.Kirm, V.S.Cheremnykh // DESY, HASYLAB, Annual Report. 2002. - P.383-384.

77. Ogorodnikov, I.N. A time-resolved luminescence spectroscopy study of self-trapped excitons in KH2P04 crystals / I.N.Ogorodnikov, V.A.Pustovarov, M.Kirm, V.S.Cheremnykh // Radiation Measurements. 2004. - Vol.38,N3. - P.331-334.

78. Diegues, E. Optical absorption and luminescence induced by X-rays in KDP, DKDP and ADP / E.Diegues, J.M.Cabrera, F.Agullo Lopez // J. Chem. Phys. 1984. V.81,N.8. -P.3369-3374

79. Лущик, Ч.Б. Свободные и автолокализованные экситоны в щелочно-галлоидных кристаллах / Современные проблемы науки о конденсированных средах под ред. Э.И. Рашба, М.Д. Стердж // М.: Наука, 1985,. С.362-384.

80. Song, A.K.S. Self-trapped Excitons / A.K.S.Song, R.T.Williams. BerlinHeidelberg, New-York : Springer-Verlag, 1996. - 41 Op.

81. Saito, S. Vacuum ultraviolet reflection spectra of KDP and ADP / S.Saito, K.Wada, R.Onaka // J. Phys.Soc.Jpn. 1974. - Vol.37,N.3. - P.711-715.

82. Стасюк, И.В. Электорнные состояния и оптические эффекты в кристаллах с водородными связями типа KDP / И.В.Стасюк, Р.Я.Стецив // Изв.АН СССР , сер.физич. 1991. - Т.55,№.3. - С.522-525

83. Zhang, Q. Ab initio study of the electronic and structural properties of the ferroelectric transition in KH2P04 crystals / Q.Zhang, F.Chen., N.Kioussis, S.G.Demos, H.B.Radousky // Phys. Rev. B: Cond. Matter. 2002. - Vol.65,N.2. -P.024108(10).

84. Diegues, E. Optical absorption and termoluminescence of X-irradiated KDP / E.Diegues, J.M.Cabrera//J. Phys.D: Appl. Phys. 1981. - Vol. 14,N.l. -P.91-97.

85. Stevens, K.T. Identification of the intrinsic self-trapped hole center in KD2PO4 / K.T.Stevens, at all. //Appl. Phys. Lett. 1999. V.75,N.l 1. -P.1503-1505.

86. Pustovarov, V.A. Spectroscopy of defects in irradiated A1P04 and GaP04 crystals / V.A.Pustovarov, A.F.Zatsepin, A.A.Syrtsov, S.O.Cholakh, V.S.Cheremnykh // Radiation Effects & Defects in Solids. 2002. - Vol. 157. - P.751-754.

87. Pustovarov, V.A. Luminescent spectroscopy of GaP04 and A1P04 crystals witn intrinsic and radiation-induced defects / V.A.Pustovarov, A.F.Satsepin, M.Kirm, V.S.Cheremnykh // DESY, HASYLAB, Annual Report. 2002. Hamburg, Germany. -P.551-552.

88. Абдукадырова, И.Х. Образование немостиковых атомов кислорода при нейтронном облучении а-кварца / И.Х. Абдукадырова, Л.Н.Скуя, А.Р. Силинь. // Физика и химия стекла. 1982. - Т.8,№4. - С.500-502.

89. Sreeram, A.N. Irradiation-induced amorphization of AIPO4/ A.N. Sreeram, L.W. Hobbs, N.Bordes, R.C.Ewing // NIM B. 1996. - Vol.116. - P.126-130.

90. Hughes, W.E. Electron spin resonance of irradiated KH2P04 and KD2P04 / W.E.Hughes, W.G.Moulton // J.Chem.Phys. 1963. - Vol.39.N5. - P.1359-1360.

91. Tsuchida, K. Electron spin resonance of gamma-irradiation KDP / K.Tsuchida, P.Abe, M.Naito. // J. Phys. Soc. Jpn. 1973. - V.35,N.3. - P.806-811.

92. Пешиков, Е.В. Структурная чувствительность сегнетоэлектрического фазового перехода и диэлектрических свойств кристаллов КОР, облученных быстрыми нейтронами / Е.В.Пешиков // Кристаллография. 1971. - Т. 16,№5. -С.947-951.

93. Огородников, И.Н. Электронные возбуждения, люминесценция и радиационные дефекты в широкозонных нелинейно-оптических кристаллах : дис. док. физ.-мат. наук / Огородников Игорь Николаевич. Екатеринбург, 2004. - 466 с.

94. Булка, Г.Р. Точечные дефекты, структура и свойства кристаллов КТР / Г.Р.Булка, Е.К.Белоногова, Г.А.Ермаков, Н.М.Низамутдинов, Н.И.Павлов. // Электронная техника. Сер. 11. Лазерная техника и оптоэлектроника. 1990. -Т.12,№1587. - С.3-39.

95. Иона, Ф. / Ф.Иона, Д.Ширане Сегнетоэлектрические кристаллы. М. : Мир, 1965.-556с.

96. Барышников, В.И. Малоинерционная люминесценция, возбуждение и преобразование дефектов диэлектрических кристаллов в интенсивных радиационных полях : дис. док.физ.-мат. наук / Барышников Владимир Иванович. Иркутск, 1997. - 221с.

97. Zatsepin, A. Short-lived excited states of oxygen-deficient centers in amorphous SÍO2 / A.Zatsepin, V.S.Kortov, H.-J.Fitting // Journal of non-crystalline solids. -2005. -Vol.351. -P.869-876.

98. Skuja, L. Optically active oxygen-deficiency-related centers in amorphous silicon dioxide / Linards Skuja // Journal of non-crystalline solids. 1998. - Vol.239. -P. 16-48.