Гетероструктуры поликристаллический алмаз/кремний: тепловые свойства структуры и модификация кремния при осаждении алмаза тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Аминев, Денис Фагимович

• Аминев, Денис Фагимович
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Аминев, Денис Фагимович

Введение.

Глава 1. Химическое осаждение алмаза из газовой фазы. Характеризация гетероструктур СУБ-алмаз/кремний.

§1.1. Принципы осаждения алмаза из газовой фазы.

§1.2. Плазмо-химическое осаждение алмаза.

§1.3. Подготовка поверхности кремниевой подложки перед осаждением алмаза.

§1.4 Характеризация гетероструктуры С\Т)-алмаз/кремыий при помощи электронной микроскопии.

§1.5. Рентгеноструктурный анализ пленок.

§1.6. Выводы.

Глава 2. Тепловые свойства структуры СУБ-алмаз/кремний.

§2.1. Теоретические представления о тепловых свойствах твердых тел; фононы.

§2.1.1 Теплоемкость и теплопроводность; понятие фонона.

§2.1.2. Граничное тепловое сопротивление.

§2.2. Некоторые методы экспериментального определения коэффициента теплопроводности.

§2.2.1. Метод стационарного теплового потока.

§2.2.2. Лазерный флеш метод.

§2.2.3. Метод определения тепловых параметров многослойных структур.

§2.3. Экспериментальные исследования тепловых параметров структуры СУБ-алмаз^.

§2.3.1. Предварительные измерения граничного теплового сопротивления при комнатной температуре.

§2.3.2. Тепловые параметры слоев и границ раздела в структурах кремний-наалмазе.

§2.3.3. Тепловое сопротивление границы в структуре кремний-на-алмазе при температуре 80 К.

§2.4. Выводы.

Глава 3. Фотолюминесценция подложек кремния до и после осаждения СУО-алмазных пленок.

§3.1. Введение.

§3.2. Краткие сведения о технике эксперимента в методике тепловых импульсов.

§3.3. Отражение акустических фононов от границы кремний/

С\П>алмаз.

§3.4. Фотолюминесценция кремниевых подложек.

§3.5. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Гетероструктуры поликристаллический алмаз/кремний: тепловые свойства структуры и модификация кремния при осаждении алмаза»

Из-за своих уникальных свойств алмаз всегда ценился людьми. С древнейших времен алмаз был известен как один из самых дорогих драгоценных камней, однако его чрезвычайно высокая твердость затрудняла обработку. Именно из-за своей твердости алмаз нашел свое применение в промышленности (металлообработка, бурение и др.). Поскольку природные алмазы очень редки, а значит и дороги, с середины XX века ведутся интенсивные исследования в области синтеза алмазов.

Советский физик О. И. Лейпунским в 1938 г. провел теоретический анализ условий образования алмаза из графита и определил области стабильного существования алмаза [В.1]. Условия, требуемые для превращения графита в алмаз - высокое давление (около гигапаскаля) и высокая температура. Первый успешный процесс был проведен в Швеции в 1953 году, шведские исследователи предпочли скрыть факт успешного проведения процесса синтеза и не получали патент. В СССР исследования по синтезу алмазов велись в Институте физики высоких давлений АН СССР под руководством Л.Ф. Верещагина [В.2]. Метод синтеза был разработан к 1960 году, а уже в 1961 была отработана промышленная технология. Развитие технологии синтеза было столь интенсивным, что уже к 1979 году 75% алмазов, используемых в мировой промышленности, были синтетическими.

При синтезе таким методом получаются очень мелкие кристаллы (размером до нескольких микрон) со значительным числом примесей и дефектов. Разработка других методов синтеза алмазов продолжилась, как в направлении синтеза алмазов из графита, так и в других направлениях. Одним из них является метод НТНР (high temperature high pressure) — метод кристаллизации алмаза из углеродного раствора в условиях температурного градиента в металлическом расплаве на основе железа и никеля с использованием высоких давлений. На выходе получаются монокристаллы алмазов весом до нескольких карат в зависимости от длительности процесса. Получающиеся кристаллы относятся к первому типу (I).

Кристаллы алмаза классифицируются по их оптическим свойствам: к первому типу (I) относятся алмазы, имеющие полосы поглощения как в ИК-области спектра, так и поглощение в УФ-области (теплопроводность около 900 Вт/(м-К)); к типу два (II) относятся алмазы прозрачные в ИК-области и в УФ-области вплоть до края полосы собственного поглощения. В свою очередь алмазы типа II делятся на тип IIb - частично компенсированные полупроводники с р-типом проводимости, обусловленной примесью бора (теплопроводность около 1400 Вт/(м-К)) [В.З] и тип IIa - наиболее совершенные кристаллы, обладающие высокой теплопроводностью до 2200 Вт/(м-К).

Был разработан еще один метод синтеза алмаза, в отличие от описанных выше, проходящий при низком давлении. Этот метод называется - химическое осаждение из газовой фазы (chemical vapor deposition - CVD). CVD-процесс синтеза алмаза основан на разложении тем или иным способом углеводородов (как правило — метана в смеси с-водородом) и последующим осаждении алмаза на нагретую подложку. Рабочая смесь диссоциирует в камере под действием электрического разряда, СВЧ-плазмы или лазерного излучения. Продукты разложения (углеводородные радикалы и атомарный водород) диффундируют к подложке, нагретой до температуры 700-1000 °С, на которую и осаждается алмаз. Рост алмаза на неалмазной подложке не является эпитаксиальным, зарождение кристаллов происходит на заранее привнесенных на подложку центрах нуклеации, обычно наночастицах алмаза. Скорость роста пленки достигает десятков микрон в час.

Осаждение из газовой фазы позволяет добиться высокой воспроизводимости параметров пленок благодаря контролю как чистоты исходных компонентов, так и условий роста. Так, удается выращивать поликристаллический алмаз по чистоте значительно превосходящий природные образцы [В .4].

Благодаря достижениям в области синтеза наметился значительный прогресс в создании твердотельной электроники на основе алмаза. На основе поликристаллического алмаза с размером зерна около 100 мкм создан полевой транзистор с затвором Шоттки MESFET, со значением максимальной частоты 120 ГГц [В.5]. Это достижение стало возможным благодаря тому, что полевой транзистор по размерам сопоставим с размером зерна, и таким образом исключено пагубное воздействие межзеренных границ. Перспективным также выглядит создание на основе алмаза акустоэлектронных устройств на поверхностных волнах [В.6].

Еще одной перспективной областью использования поликристаллического алмаза является изготовление теплоотводящих подложек. В этой области алмаз значительно превосходит всех конкурентов, так как теплопроводность монокристаллов типа Па при комнатной температуре достигает 2200 Вт/(м-К), а в изотопически чистых кристаллах - до 3300 Вт/(м-К) [В.7].

Одним из возможных способов использования алмазных теплоотводов является, создание устройств по технологии КНА (кремний на алмазе), названной так по аналогии с широко применяемой технологией КНИ (кремний на изоляторе SOI (silicon-on-insulator)), которая позволяет уменьшить размер основного элемента микроэлектроники - МОП (металл-оксид-полупроводник) транзистора [В.8, В.9], по сравнению со стандартной технологией, в которой используется объемный кремний. В технологии КНИ в качестве изолятора используется Si02, имеющий низкую теплопроводность, поэтому наиболее многообещающей областью применения КНА выглядит создание мощных кремниевых устройств. Использование КНА также позволит увеличить плотность устройств в СБИС.

Схематическое изображение структуры КНА дано на Рис. В.1.

81 устройства

81 в» м^жтжшж*

СУЭ алмаз

V мягакгойкк

Интерфейс 81/СУО алмаз

Припой

Теплосток, например Си

Рис. В.1. Схематическое изображение структуры КНА.

Одной из проблем, возникающих при создании таких устройств, может оказаться появление механических напряжений слоев (кремний, кремний/СУБ-алмаз, СУБ-алмаз). Причиной, вызывающей появление напряжений, является различие в коэффициентах теплового расширения а алмаза и кремния (см. Рис. В.2). Осаждение, как правило происходит при температуре 750-850 °С, и при остывании до комнатной температуры механические напряжения в структуре могут стать значительными. Эти напряжения могут релаксировать различными путями, а могут и сохраниться в структуре: например, если кремниевая подложка достаточно тонкая, то после осаждения алмазной пленки она может изогнуться.

6 5 4 к

Ь з е 2

1 О

О 200 400 600 800 1000 т,°с

Рис. В.2. Температурные зависимости а(Т) для кремния и алмаза [В.10].

Для уменьшения механических напряжений иногда используются буферные слои. Например, в работе [В.11] показано, что при использовании буферного слоя 811ХСХ напряжения, возникающие при осаждении алмаза, могут релаксировать путем образования преципитатов Р-8Ю. При осаждении алмаза непосредственно на кремниевую подложку также образуется буферный слой, характеристики которого сильно зависят от состояния поверхности кремниевой подложки. Таким образом, метод обработки подложки может оказать сильное влияние на напряжение слоев.

Еще одной проблемой, могущей возникнуть при создании устройств по технологии КНА, является граничное тепловое сопротивление. Известно, что любая граница раздела двух сред обладает тепловым сопротивлением в, то есть при протекании тепла на границе сред появляется скачок температуры. В простейшем случае это явление связано с различием упругих параметров и плотности двух сред, что вызывает рассеяние фононов на границе. В реальности прохождение фононов затруднено еще и наличием различных несовершенств (шероховатость, границы зерен и пр.) на интерфейсе. Поэтому состояние кремниевой подложки, определяемое её обработкой, может оказать значительное влияние на величину граничного теплового сопротивления.

Цель исследования:

• определить влияние условий плазмохимического процесса на теплопроводность алмазной пленки и величину граничного теплового сопротивления алмазная пленка/кремниевая подложка;

• определить влияние способа подготовки поверхности кремниевой подложки на граничное тепловое сопротивление СУО-алмаз/кремний, а также на наличие напряжений в кремниевой подложке.

Поставленная цель предполагает решение следующих задач:

1. Экспериментальное определение тепловых параметров многослойной структуры СУБ-алмаз/кремний в зависимости от технологических параметров СУБ-процесса и от способа предварительной подготовки поверхности кремниевой подложки.

2. Исследование возможной модификации кремниевой подложки с помощью измерения фотолюминесценции.

Структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и приложения. В первой главе кратко описаны методы химического осаждения поликристаллического алмаза и приведены результаты рентгеноструктурных измерений алмазной пленки и электронно-микроскопических изображений поверхности алмазной пленки и сечения структуры. Во второй главе после введения некоторых понятий о тепловых свойствах твердых тел и краткого литературного обзора, посвященного измерениям теплопроводности и граничного теплового сопротивления, описана разработанная методика исследования тепловых параметров многослойной структуры и приведены результаты измерений

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Аминев, Денис Фагимович

§3.5. Выводы.

Показано, что осаждение поликристаллических алмазных пленок в СВЧ плазме на подложки кремния может приводить в определенных условиях к появлению дислокаций в кремнии вследствие, предположительно, напряжений термического характера в системе пленка-подложка, определяемых хорошей адгезией алмазных пленок. Хорошая адгезия таких алмазных пленок приводит к появлению внутренних напряжений вблизи границы раздела, релаксирующих в виде дислокаций. В частности, на основе анализа спектров низкотемпературной фотолюминисценции обнаружено увеличение плотности дислокаций по меньшей мере на три порядка, до ~ 104 ем"2. В спектрах ФЛ регистрируется также уменьшение квантового выхода фотолюминесценции в краевой области (примерно в два раза), а также некоторое усиление линий излучения экситонно-примесных комплексов из-за незначительного внедрения фосфора (на уровне ~ 1013-1014 см"3) в процессе осаждения. Измерения ФЛ информативны при оценке дефектообразования в подложках кремния при синтезе алмазных пленок, в том числе таких дефектов, как дислокации, порождаемых в близи интерфейса 81/алмаз.

Мы полагаем, что диагностика кремния с помощью измерения фотолюминесценции в области дислокационного излучения (0.8 - 0.9 эВ) может служить простым, неразрушающим методом определения качества адгезии алмазной пленки на кремниевой подложке.

Заключение.

В настоящей работе исследовались гетероструктуры СУБ-алмаз/кремний. А именно: изучалось влияние условий плазмо-химического процесса и способа подготовки поверхности кремниевой подложки на тепловые свойства структуры - теплопроводность алмазной пленки и граничное тепловое сопротивление СУБ-алмаз/кремний; а также на величину напряжений возникающих в кремниевой подложке. В работе получены следующие результаты:

• Предложена и осуществлена методика измерения тепловых параметров многослойных структур при импульсном лазерном нагреве, развита математическая модель обработки полученных экспериментальных данных. Тестирование метода проведено на образцах поликристаллических пленок алмаза, выращенных на кремнии в СВЧ плазмо-химическом реакторе. Показано, что при нагреве короткими лазерными импульсами (-10 не) металлической пленки-термометра (1п), напыленной на структуры алмаз/81), из кривых остывания индиевой пленки возможно одновременно определить граничное тепловое сопротивление интерфейса алмаз/Б! с точностью до ЗТ0"9м2-К/Вт и теплопроводность алмазной пленки в направлении перпендикулярном росту.

• Найдено, что качество финишной обработки поверхности подложки 81 практически не влияет на граничное тепловое сопротивление гетерограницы СУО алмаз/Б! при комнатных температурах. При определенных условиях синтеза алмаза, например, при пониженной до 700 °С температуре подложки, возможно появление аморфизованного слоя на интерфейсе алмаз/81, которое вызывает возрастание теплового сопротивления на этой границе на порядок, по сравнению с оптимальным в данном случае температурным режимом (750-800 °С).

• Используя методику измерения тепловых параметров многослойных структур при импульсном лазерном нагреве, были определены тепловые параметры структуры 1п/СУБ-алмаз/81 при температуре Т=80 К. Из измерений следует, что теплопроводность алмаза при Т=80 К снижается вдвое (до 330 Вт/(м-К)) по сравнению с ее значением при комнатной температуре. Впервые определено значение граничного теплового сопротивления СУБ-алмаз/кремний, которое составляет 3.9-10"8 (м2-К)/Вт, при температуре 80 К, что на порядок выше, чем при Т=298 К.

• Показано, что осаждение поликристаллических алмазных пленок в СВЧ плазме на подложки кремния может приводить в определенных условиях к появлению дислокаций в кремнии вследствие, предположительно, напряжений термического характера в системе пленка-подложка, определяемых хорошей адгезией алмазных пленок. В частности, на основе анализа спектров низкотемпературной фотолюминисценции (ФЛ) обнаружено увеличение плотности дислокаций по меньшей мере на три порядка, до ~ 104 см"2. Измерения ФЛ информативны при оценке дефектообразования в подложках кремния при синтезе алмазных пленок, в том числе таких дефектов, как дислокации, порождаемых вблизи интерфейса 81/алмаз.

• В спектрах ФЛ регистрируется также уменьшение квантового выхода фотолюминесценции в краевой области (примерно в два раза), а также некоторое усиление линий излучения экситонно-примесных комплексов из-за незначительного внедрения фосфора (на уровне ~ 1013-1014 см"3) в процессе осаждения.

• Предложена диагностика кремния с помощью измерения фотолюминесценции в области дислокационного излучения (0.8-0.9 эВ), что может служить простым, неразрушающим методом определения качества адгезии алмазной пленки на кремниевой подложке.

Благодарности.

Руководителю д.ф.-м.и. Галкиной Т.И. за постоянную помощь в ходе выполнения работы; научному консультанту — зав. лаб. Клокову А.Ю. за повседневное руководство особенно в области математической обработки полученных результатов, В.Г. Ральченко за неоценимые советы и обсуждение научных работ, составивших диссертацию; В.Г. Мартовицкому за рентгеноструктурный анализ структур алмаз/кремний и полезные обсуждения, проф. A.B. Квиту (университет Висконсин-Мэдисон, США) за HRTEM измерения, С.Г. Черноок за SEM измерения, А.И. Шаркову за помощь при напылении AI и In пленок и предварительные данные по спектрам фононного отражения на некоторых из исследованных структур, А.И. Анисимова и A.B. Савельева за осаждение алмазных пленок, H.H. Сентюрину за травление образцов, B.C. Багаева и B.C. Кривобока за помощь при измерении фотолюминесценции и полезные обсуждения, В.А. Чуенкова за полезные и плодотворные замечания.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Аминев, Денис Фагимович, 2010 год

1. В.1. О.И. Лейпунский. Успехи химии 8 (1939), с.1519.

2. В.2. Л.Ф. Верещагин. Избранные труды. Синтетические алмазы и гидроэкструзия.

3. Наука», Москва, 1982 г. В.З. G.A. Slack. J. Appl. Phys., 35 (1964) p. 3460. B.4. J. Isberg et al. Science 297 (2002) p. 1670.

4. B.5. K. Ueda, M. Kasu et al. IEEE Electron Device Letters 27 (2006) p.570.

5. B.6. Shikata S. et al. Applications of Diamond Films and Related Materials: 3rd Int. Conf. Ed.by A. Feldman et al. — NIST Spec. Publ. 885, 1995, p.29. B.7. J.R. Olson, R.O. Pohl et al. Phys. Rev. В 47 (1993) p.14850.

6. B.8. В.П. Попов, А.И. Антонова, A.A. Французов, Л.Н. Сафронов, Г.Н. Феофанов, О.В.

7. Наумова, Д.В. Киланов. ФТП 35 (2001) с. 1075. В.9. О.В. Наумова, А.И. Антонова, В.П. Попов, Ю.В. Настаушев, ТА. Гаврилова, Л.В.

8. Литвин, А.Л. Асеев. ФТП 37 (2003) с.1253. В.10. G.A. Slack and J. Bartram. J. Appl. Phys. 46 (1975) p.89.

9. B.ll. D. Wittorf, W.Jäger, K. Urban, T. Gutheit, H. Güttier, R. Zachai. Diamond and Related Materials 6 (1997) p. 649.1. Глава 1.

10. D.G. Goodvin, J.E. Butler. Theory of diamond chemical vapor deposition, in Handbook of Industrial Diamonds and Diamond Films, ed. by M. Prelas, G. Popovici and L. Bigelovv, Marcel Dekker, New York, 1997, pp. 527-581.

11. J.E. Graebner, J.A. Mucha, F.A. Baiocchi. Diamond and Related Materials 5 (1996). p. 682.

12. J.E. Graebner, S. Jin, G.W. Kammlott, J.A. Herb, C.F. Gardiner. Large anisotropic thermal conductivity in synthetic diamond films, Nature, 359 (1992) p. 401.

13. C.S.T. Pickles. Diamond and Related Materials 11 (2002), p. 1913.

14. M. Kamo, Y. Sato, S. Matsumoto, N. Setaka. J. Cryst. Growth, 62 (1983), p. 642.

15. M. Füner, С. Wild, P. Koidl. Appl. Phys. Let. 72 (1998) p.l 149.

16. T. Ito. A. Masuda, Yu. Eto, K. Ito, K. Nishimoto. Science and Technology of New Diamond, ed. by S. Saito, O. Fukunaga and M. Yosikawa, Terra Scientific Publishing Company 1990.

17. J.E. Graebner, V.G. Ralchenko, A.A. Smolin, E.D. Obraztsova, K.G. Korotushenko, V.l. Konov. Diamond and Related Materials 5 (1996), p. 693.

18. V. Ralcheko, A. Saveliev, S. Voronina, A. Dementjev, K. Maslakov, M. Salerno, A. Podesta, P. Milani. Synthesis, properties and application of Ultrananocrystalline diamond, eds. D.M. Gruen et al., Springer 2005.

19. S. Saada. S. Barrat, E. Bauer-Grosse. Diamond and Related Materials 9 (2000) p. 300.

20. H. Verhoeven, A. Flöter, H. Reiß, R. Zachai. D. Wittorf and W. Jäger. Appl. Phys. Lett. 71 (1997), p.1329.

21. C.C. Горелик, JI.H. Расторгуев, Ю.А. Скаков. Рентгенографический и электроннооптический анализ, «Металлургия», Москва, 1970 г.

22. Л. Азаров, М. Бургер. Метод порошка в рентгенографии, «Издательство иностранной литературы», Москва, 1961 г.

23. Ч. Китель. Введение в физику твердого тела, Москва, «Наука» 1978 г.

24. Дж. Рейсленд. Физика фононов, Москва, «Мир» 1975 г.

25. Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела, Москва, «Мир» 1979 г.

26. Физический энциклопедический словарь, Москва, «Советская энциклопедия» 1962 г.

27. Дж. Займан. Принципы теории твердого тела, Москва «Мир» 1966 г.

28. N. Kürti, B.V. Rollin, F. Simon. Physica3 (1936) p.266.

29. П.Л. Капица. ЖТЭФ 11 (1941) с. 1.

30. И.М. Халатников. ЖЭТФ 22 (1952) с. 687.

31. W.A. Little. Can. J. Phys. 37 (1959) p. 334.

32. E.T. Swartz and R.O. Pohl, Reviews of Modern Physics 61 (1989) p.605.

33. J.D.N. Cheeke, H. Ettinger, В. Herbal. Can. J. Phys. 54 (1976) p. 1749.

34. W.J. Parker et al. J. Appl. Phys. 32 (1961) p. 1679.

35. К. E. Goodson, O. W. Käding, M. Rosier, and R. Zachai. J. Appl. Phys. 77 (1995) p. 1385.

36. A. Lahmar, T. P. Nguyen, D. Sakami, S. Orain, Y. Scudeller, F. Danes. Thin Solid Films 389 (2001), p. 167.

37. Физические величины. Справочник под редакцией И. С. Григорьева, Е. 3. Мейликова, «Энергоатомиздат», Москва 1991 г.

38. А.И. Головашкин, П.П. Мотулевич, А. А. Шубин. ЖЭТФ 38 (1960) с. 51.

39. J.E. Graebner. Diamond and Related Materials, 5 (1996), p. 1366.

40. J.E. Graebner. International Journal of Thermophysics, 19 (1998), p.511.

41. H. Verhoeven, H. Reiß, H.-J. Füßer, and R. Zachai. Appl. Phys. Lett., 69 (1996) p. 1562

42. X.C. Карслоу. Теория теплопроводности, ГИТТЛ, Москва 1947.

43. R.J. Stoner, H.J. Maris. Physical Review В 48 (1993) p. 16373.

44. D.G. Cahill, K. Goodson, and A. Majumdar. J. Heat Transfer 124 (2002) p. 223.

45. L.C. Nistor, J. Van Landuyt, V.G. Ralchenko, A.A. Smolin, K.G. Korotushenko, E.D. Obraztsova. J. Mater. Res., 12 (1997) p. 2533.

46. Maxat N. Touzelbaev, Kenneth E. Goodson. Diamond Related Materials, 7 (1998), p. 1.

47. A.A. Маненков, Г.Н. Михайлова, A.C. Сеферов, В.Д. Чернецкий. ФТТ 16 (1974), с. 2719.

48. В.Л. Гуревич. Кинетика фононных систем «Наука», Москва, 1980 г.

49. D.T. Morelli, С.Р. Beetz, Т.А. Perry. J. Appl. Phys. 64 (1988) p. 3063.

50. R. Berman and M. Martinez. Diamond Res. (suppl. to Industr. Diamond Rev.), 7 (1976).

51. A.B. Инюшкин, A.H. Талденков, В.Г. Ральченко, В.И. Конов, A.B. Хомич, Р. А. Хмельницкий. ЖЭТФ 107 (2008), с. .

52. W.L. Liu, М. Shamsa, I. Calizo, A.A. Balandin, V. Ralchenko, A. Popovich, A. Saveliev. Appl. Phys. Lett, 89 (2006) 171915.

53. A. Aleksov, X. Li, N. Govindaraju, J.M. Gobien, S.D. Wolter, J.T. Prater, Z. Sitar. Diamond and Related Materials 14 (2005) p. 308.1. Глава 3.

54. В. Ральченко и В. Конов. Электроника: наука, технология и бизнес, 4 (2007) с. 2.

55. Т.Н. Галкина, А.И. Шарков, А.Ю. Клоков, В.Г. Ральченко. Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники 2005», (Звенигород, Россия, 2005)стр. 178.

56. I. Lagnado and P.R. de la Houssage. Microelectronic Engineering, 59 (2001) p. 455.

57. L. Chang, F.R. Chen, C.J. Chen and T.S. Lin. Diamond and related materials 5 (1996), p. 1282.

58. A. K. McCurdy, H. J. Maris, and C. Elbaum. Physical Review В 10 (1970), p.4077.

59. P. Wagner, H. Baungart, H.J. Quisser. Appl. Phys. Lett., 37 (1980) p. 1078.

60. H.A. Дроздов, A.A. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма ЖЭТФ, 23 (11), (1976) с. 651.

61. R. Sauer, J. Weber, J. Stolz, E.R. Weber, K.H. Küster and H. Allexander. Applied Physics A 36 (1985) p.l.

62. N.A. Drozdov, A.A. Patrin, V.D. Tkachev. Phys. Status Solidi B, 83 (1977) p. 137.

63. G.A. Slack, J. Bartram. J. Appl. Phys., 46 (1975) p.89.

64. L.C. Nistor, J. Van Landuyt, V.G. Ralchenko, A.A. Smolin, K.G. Korotushenko, E.D. Obraztsova. J. Mater. Res. 12 (1997) p. 2533.

65. Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов, под редакцией К.А. Джексона, В. Шретера. Москва, Водолей, 2007 г.

66. Т.И. Галкина. Динамика неравновесных электронных и решеточных возбуждений: электронно-дырочные капли и неравновесные акустические фононы. Диссертация. 1994 г.M