Исследование проводимости пластически деформированного германия в сверхвысокочастотном диапазоне тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Прокопенко, Вячеслав Михайлович

• Прокопенко, Вячеслав Михайлович
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Прокопенко, Вячеслав Михайлович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ НА ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕРМАНИЯ И КРЕМНИЯ

§1.1. Дислокационные состояния . . . ю

§1.2. ЭПР на дислокациях в кремнии

§1.3. Исследование дислокационной проводимости . •

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование проводимости пластически деформированного германия в сверхвысокочастотном диапазоне»

В настоящее время хорошо известно, что кристаллы не обладают идеальным строением. Реальные кристаллы всегда содержат дефекты, которые могут заметно влиять на их- физические свойства.

Дефекты кристаллического строения подразделяют по геометрическим признакам на точечные (нульмерные), линейные (одномерные), поверхностные (двумерные) и объемные (трехмерные).

В формировании физических свойств кристаллов важную роль играют устойчивые одномерные дефекты - дислокации. Сейчас без использования представления о таких одномерных образованиях невоз-. можнь изучать пластическую деформацию, упрочнение и разрушение кристаллов. Экспериментальные результаты, полученные в последние годы»показывают, что дислокации влияют не только на механические, но и на электрические свойства твердых тел, причем особенно сильно такое влияние проявляется в полупроводниках. Причина этого заключается в том, что дислокации могут образовывать новые электронные состояния с энергиями, лежащими в запрещенной зоне.

Актуальность исследования улектрических свойств полупроводниковых материалов, в которые введены дислокации, в частности, германия с дислокациями, связана с тем, что информация об электронных процессах, происходящих в таких материалах, представляет большой интерес как с практической, так и с теоретической точек зрения. Практический интерес к таким объектам стимулируется развитием промышленной микроэлектроники, а поскольку дислокации принадлежат к классу одномерных (квазиодномерных) систем, то понятен интерес к таким объектам и с точки зрения теории. В настоящее время одномерные (квазиодномерные) системы широко изучаются ввиду принципиального отличия их свойств от объектов с большей размер-юностью. г

Имеющиеся экспериментальные данные в основном получены на~' сложных органических соединениях. Поэтому изучение дислокаций, как одномерных систем, представляет несомненный научный интерес.

Экспериментальные исследования последних лет показывают, что наличие дислокаций в кристаллах полупроводников и диэлектриков приводит к возникновению в запрещенной зоне новых электронных состояний. Эти состояния определяют как величину, так и температурный ход электрической проводимости пластически деформированных полупроводниковых материалов.

Для объяснения влияния дислокаций на электрические и оптические свойства кристаллов полупроводников используются в основном качественные модели. Выбор той или иной модели для теоретического описания спектра связан с вопросом о степени перекрытия волновых функций электронов в ядрах дислокаций и степенью разупо-рядоченности ядер дислокаций,

В связи с этим, большой интерес представляет изучение характера проводимости самих дислокаций. Это объясняется тем, что на основании данных о проводимости, можно получить информацию о структуре энергетического спектра, и кроме того, вызывает интерес характер проводимости в таких квазиодномерных системах.

Кроме научного Интереса, вопрос о механизме дислокационной проводимости, о влиянии дислокаций на физические свойства полупроводников (в частности Ge и Si ) имеет также большое практическое значение. Это .объясняется тем, что процесс изготовления п/п приборов неизбежно приводит к возникновению дислокаций в объеме материала, что оказывает существенное влияние на работу готового изделия.

Хотя уменьшение отдельных приборов позволяет лучше использовать хороший материал, расположенный между дислокациями, наблюдается постоянное стремление увеличить плотность расположения приборов и повысить выход. В связи с этим очень важно понимание процессов, происходящих в областях с дислокациями для создания высоконадежных приборов с воспроизводимыми параметрами.

К началу исследований, послуживших материалом диссертации, наряду с самим фактом наличия низкотемпературной СВЧ-проводимос-ти пластически деформированного кристалла германия, было обнаружено, что ее величина зависит от легирования образца мелкими электрически активными примесями и исчезает в нелегированных образцах. Для объяснения наблюдаемых явлений можно было предложить следующие механизмы:

1. Наблюдаемая низкотемпературная проводимость обусловлена движением носителей (электронов или дырок) захваченных на дислокационные энергетические уровни, вдоль линий дислокаций.

Такой механизм должен приводить к анизотропии проводимости.

2. В качестве альтернативного механизма можно предложить механизм прыжковой проводимости, наблюдаемый в областях с повышенным содержанием легирующей примеси.

При пластической деформации и последующем высокотемпературном отжиге может происходить перераспределение легирующей примеси. В результате могут образовываться локальные скопления примесей и появляться примесные атмосферы вокруг дислокаций. Так как прыжковая проводимость чрезвычайно сильно зависит от концентрации мелких примесей, то такие скопления могли бы объяснить наблюдающуюся СВЧ-проводимость.

Во всех предыдущих работах дислокационная проводимость исследовалась на образцах Ge и Si , легированных до деформации кристалла. Известно, что пластическая деформация и последующий высокотемпературный отжиг могут изменить исходное равномерное распределение примесей в объеме кристалла, привести к локальным скоплениям примеси вблизи дислокаций. Кроме того, имевшиеся до сих пор результаты были получены на образцах со сложной дислокационной структурой, что заметно искажало и затрудняло интерпретацию полученных данных,

В связи с вышеизложенным, определялись следующие задачи диссертационной работы:

1. Исследовать низкотемпературную СВЧ проводимость в образцах германия с сильно анизотропной дислокационной структурой.

2. Найти метод приготовления образцов, обеспечивающий однородное распределение легирующих примесей. Исследовать "дислокационную" СВЧ проводимость на таких образцах.

3. Сделать выбор между предложенными выше механизмами низкотемпературной СВЧ-проводимости на основе полученных экспериментальных результатов.

Проведенные в диссертационной работе исследования дали ряд новых результатов и позволили существенным образом уточнить представление о дислокационной проводимости.

При исследовании образцов с достаточно упорядоченной дислокационной структурой экспериментально обнаружено, что в образцах как гъ , так и р -типа наблюдается большая электрическая анизотропия СВЧ-проводимости.

Исследование корреляции между структурной и электрической анизотропией пластически деформированного германия показало, что структурная анизотропия совпадает с электрической.

Для получения образцов с однородным распределением легирующих примесей, применялся нейтронно-трансмутационный метод легирования пластически деформированного германия.

L В результате проведенных исследований экспериментально по

• 1 казано, что в условиях заведомо некоррелированного однородного распределения легирующих примесей (Go-) также наблюдается низкотемпературная СВЧ-проводимость.

Метод нейтронного трансмутационного легирования позволил наблюдать зависимость СВЧ-проводимости от числа захваченных дислокационных носителей. Полученные результаты дали возможность сделать однозначные выводы о механизме наблюдаемой СВЧ-проводимости в образцах с дислокациями как проводимости по дислокационным зонам.

Практическое значение проделанной работы определяется рядом полученных экспериментальных результатов, которые могут быть использованы в различных областях физики твердого тела и техники.

Полученные в диссертации результаты показали важность исследований дислокаций как одномерных периодических структур и позволили однозначно интерпретировать данные, полученные разными авторами по исследованию СВЧ-проводимости в образцах с дислокациями.

Результаты работы позволили существенным образом уточнить некоторые константы, важные для метода нейтронного трансмутационного легирования.

Предложен метод спектроскопии глубоких уровней, который может найти широкое применение как при решении прикладных задач, связанных с проблемами отжига радиационных дефектов, так и задач^ стоящих перед полупроводниковой электроникой при определении локальных энергетических уровней, создаваемых примесными атомами и структурными дефектами. В частности, показано, что с селеном в германии связаны не два уровня, что считается общепринятым, а один, отстоящий на 0,28 эв от дна зоны проводимости.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Прокопенко, Вячеслав Михайлович

- 109 -ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

Проведенные в данной работе исследования позволяют сделать следующие выводы:

1. Исследована корреляция между анизотропией в направлении дислокаций и анизотропией низкотемпературной СВЧ-проводимости, Было обнаружено, что на образцах, у которых свыше 80% дислокаций лежат в одном направлении, низкотемпературная СВЧ-проводимость сильно анизотропна. Показано, что анизотропия СВЧ-проводимости как по величине, так и по направлению совпадает с анизотропией дислокационной структуры. Используя кинетику метода нейтронного легирования показано, что в образцах с неизменной дислокационной структурой переход образца из а -типа в р -тип не меняет величину коэффициента анизотропии СВЧ-проводимости.

2. Экспериментально показано, что низкотемпературная СВЧ-проводимость пластически деформированных кристаллов Ge наблюдается и в случае нескоррелированного однородного распределения легирующей примеси галлия. Однородность распределения легирующей примеси достигается использованием метода нейтронного трансмутационного легирования германия. Используя кинетику метода нейтронного трансмутационного легирования, удалось показать, что величина СВЧ-проводимости пропорциональна числу захваченных на дислокацию носителей тока (электронов или дырок).

3. Исследована кинетика нейтронного трансмутационного легирования германия. Определены абсолютные и относительные концентрации доноров и акцепторов, возникающих при нейтронном легировании, степень компенсации, поперечное сечение захвата теплового нейтрона для изотопов Ge7^.

4. Разработана новая методика спектроскопии глубоких цент

I ров в германии, использующая нейтронное трансмутационное легиро

- но вание. Для иллюстрации работоспособности этой методики экспериментально исследовано энергетическое положение селена в германии. Показано, что селен в германии является однозарядным центром с уровнем, отстоящим на 0,28 эВ от дна зоны проводимости.

5, Анализ полученных в работе экспериментальных результатов по исследованию низкотемпературной СВЧ-проводимости в образцах германия с дислокациями показывает, что проводимость осуществляется носителями тока (электронами или дырками), захваченными на дислокационные состояния вдоль линий дислокаций.

В заключение выражаю искреннюю благодарность своему научному руководителю Ю.А.Осипьяну за предоставленную возможность работать в его лаборатории, за постановку интересной задачи, за постоянный интерес к работе и полезные замечания, которые во многом способствовали выполнению этой диссертации.

Хочу поблагодарить В.И.Тальянского за плодотворную совместную работу.

Я благодарен В.В.Кведеру за большое внимание к работе и ценные замечания, сделанные при обсуждении диссертации.

Заключение

На основании анализа результатов теоретических и экспериментальных исследований влияния дислокаций на физические свойства германия и кремния можно сделать вывод о том, что такое явление как низкотемпературная СВЧ-проводимость Qq и Si с дислокациями не имеет в настоящее время единой модели, объясняющей экспериментальные результаты.

В связи с этим перед данной работой были поставлены следующие задачи:

1. Исследовать низкотемпературную СВЧ-проводимость в образцах с сильно анизотропной дислокационной структурой.

2. Найти метод приготовления образцов, обеспечивающий сравнительно однородное распределение легирующей примеси. Исследовать "дислокационную проводимость" на таких образцах.

3. На основе полученных результатов сделать выбор между предложенными выше механизмами дислокационной проводимости.

ГЛАВА П. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ

§ 2.1. Приготовление образцов с однородным и анизотропным распределением дислокаций

Методика приготовления образцов состояла в следующем.

Из монокристаллов германия вырезались образцы в форме параллелепипеда с размерами 3x4x20 мм^ вдоль направлений [110] , [001] и [ПО] соответственно.

После механической полировки образцы непосредственно перед деформацией полировались в растворе СР-4А. Химическая полировка резко уменьшала влияние случайных поверхностных источников. На нижней и верхней гранях (001) алмазным или корундовым индектором наносились царапины.

Деформация осуществлялась четырехточечным изгибом при температуре 460°С так, что ось изгиба была направлена вдоль [110]. Деформация происходила в вакууме не ниже ПГ^ торр, под действием постоянной нагрузки, подбираемой каждый раз опытным путем так, чтобы напряжения в образце лишь немного превосходили стартовые напряжения для движения дислокаций от уцарапин. После деформации образцы покрывались золотом или оловом [90] путем вакуумного распыления и отжигались при температуре 700°С в течение 10 мин в атмосфере сверхчистого аргона. Скорость охлаждения от 700°С до комнатной температуры не превосходила 2°/мин. Как показано в [91] деформационные точечные дефекты при таком режиме полностью отжигаются и свойства деформированных образцов определяются дислокациями.

Дислокационная структура, возникающая при таком способе деформирования исследована в работе [92] . Зарождающиеся от царапины дислокационные полупетли лежат в плоскости скольжения (III) и состоят из боковых 60° и винтового участков, выходящих на поверхность (001) и 60° участка, параллельного этой поверхности. По мере увеличения размеров полупетли боковые участки достигают поверхностей (110) образца и от всей полупетли остается прямолинейная 60° дислокация, параллельная оси изгиба.

Так как касательные напряжения равны нулю у средней плоскости образца (по половине его высоты), то в верхней и нижней его половинах происходит накопление дислокаций* Неравномерность распределения дислокаций по толщине уменьшалась тем, что после достижения необходимого прогиба образцов нагрузка уменьшалась, и в этих условиях образец выдерживался несколько часов. При этом замедлялось зарождение новых полупетель, а образовавшиеся продолжали двигаться к его центру.

Ясно, что если бы дислокации зарождались только от царапины, то на некотором расстоянии от грани (001) (зависящем от соотношения скоростей боковых участков и "дна" полупетли) в образце находились бы только прямолинейные 60° дислокации, параллельные оси изгиба. Такая структура была бы идеальной для изучения анизотропии проводимости. Чтобы исключить влияние боковых участков полупетли грани, на которые наносились царапины с'ошлифовывались на глубину /V 0,6 мм.

В случае идеальной дислокационной структуры ямок травления на гранях (001) и (110) быть не должно. Однако мы обнаружили ямки травления и на этих гранях, причем они были распределены там равномерно.

Типичные, картины распределения ямок травления на гранях (ПО) показаны на рис.8 . Мы полагали, что появление ямок травления на гранях (ПО) свидетельствует о том, что в процессе

Рис.8 Типичная картина распределения ямок травления на грани (110)

001]

Рис. 9 Предполагаемая дислокационная структура образца Изображена только одна плоскость скольжения (III) пластической деформации в объеме образца рождались дислокационные петли от внутренних источников (рис.9 ). Для измерений использовались образцы с анизотропией не хуже 1:5. Плотность дислокаций оценивалась по плотности ямок травления на гранях (ПО)-"основные" дислокации и "неосновные" на гранях, (001) или (ПО). Плотность дислокаций определялась по фотографиям, сделанным со всех граней образца. Большое внимание уделялось подбору образцов с однородным распределением дислокаций.

Таким образом, можно сделать вывод, что используя указанную методику деформации и последующей обработки, удается получить достаточно однородную и анизотропную структуру 60° дислокаций.

§ 2.2. Методика измерений эффекта Холла

Для исследования эффекта Холла на постоянном токе нами была смонтирована установка, включающая в себя криостат, электромет- , рический усилитель У5-9, цифровой вольтметр В7-2Г, держатель образца, блок коммутации, а также схему автоматической регулировки температуры. Магнитное поле 7,6 кэ создавалось магнитом Капицы. Упрощенная блок-схема измерения и регулировки температуры представлена на рис.10. Управляющий сигнал с эадатчика температуры в противофазе с сигналом термопары поступает в цепь усилителей и далее к исполнительным органам. Исполнительными органами системы являются электроклапан маностата, регулирующий поток газообразного гелия и нагреватель, повышающий температуру в шахте криостата. В зависимости от знака сигнала разбаланса подключается или электроклапан или нагреватель, тем самым достигается эффект стабилизации температуры.

Данная схема позволяла стабилизировать температуру с точностью не менее 0,1 К при Т< 77 К и I К при Т>77. ю

Рис.Ю Упрощенная блок-схема измерения и регулировки температуры.

Постоянная Холла К считалась равной (ne)-i или (ре)"1; это соотношение лучше выполняется при низких температурах, поскольку при Т<150 К в используемом интервале магнитных полей хорошо выполнялось условие JU-рВ>1 ( В -индукция магнитного поля). Образцы имели форму параллелепипеда с размерами 1x2x8 мм^. В деформированных образцах преимущественное направление дислокаций ( В ) всегда было перпендикулярно длинным граням, направлению магнитного поля ( ©LH ) и току

На образцы наносились б контактов: два токовых и по две пары узких (~0,2 мм) Холловских контактов. Индиевые контакты наносились паяльником с температурой жала~200°С, а затем "формировались" высоковольтным электрическим разрядом [40] . После такой обработки -контакты сохраняли омические характеристики вплоть до гелиевых температур.

§ 2.3. Методика измерений в СВЧ-диапазоне

Для исследования СВЧ-проводимости образцов Ge применялся резонаторный метод [93] . Этот метод основан на сравнении доброт-ностей резонатора с образцом и без образца. Изменение добротности резонатора определялось потерями СВЧ-мощности в образце, помещенном в резонатор.

Потери СВЧ-мощности связаны с электропроводностью образца. Следовательно, по изменению добротности резонатора можно судить о величине электропроводности образца. На практике, обычно, измеряются не добротности резонатора, а ширина резонансной кривой резонатора с образцом Д-р и без образца - Д £' на одной резонансной частоте £ ; разница в ширине резонансных кривых 8-f может служить мерой электропроводности образца.

Если образец имеет форму тонкого цилиндра, расположенного на оси резонатора в центре пучности Е -поля, то связь удельной электропроводности образца с уширением f [Мгц] имеет вид и

6CBJoM-1-cM>44.1012(^)Sf где Vpea"" объем резонатора, V^p - объем образца, уширение резонансных кривых для резонатора с образцом и без образца. В данной работе использовался цилиндрический резонатор, в котором возбуждалась мода

ТЕ. . На частоте f ~ 10-^гц. Рас- 111 1 пределение амплитуды Е -поля в резонаторе с этим типом колебаний показана на рис.II.

Образец помещался в проходной цилиндрический резонатор. Источником СВЧ-мощности служил клистрон. Исследование СВЧ-проводи-мости проводилось в режиме частотной модуляции. На рис.12 представлена блок-схема экспериментальной установки для исследования СВЧ-проводимости. На отражатель клистрона и на горизонтальные пластины двухлучевого осциллографа подавалось пилообразное напряжение частотой 50 гц. На вход 1,У" осциллографа с СВЧ детекторов подавалось два сигнала: напряжение, пропорциональное падающей и напряжение,пропорциональное прошедшей через резонатор мощности. Пилообразное напряжение на отражателе клистрона (синхронное с прохождением по "X" лучей осциллографа) модулировало клистрон по частоте генерации, при этом частота излучения клистрона изменялась в пределах 9450-9550 Мгц. Собственная частота рабочего резонатора - 9500 Мгц находилась в середине этого интервала. На экране осциллографа можно было наблюдать огибающую мощности "падающей на резонатор" - на одном луче, резонансную кривую - на

Рис.II Распределение напряженностей электрического v магнитного полей в резонаторе с модой TEjjj

Сплошными линиями показаны линии напряженности электрического поля Е,пунктирными - магнитного поля Н.

Рис.12 Элементы СВЧ-тракта установки для измерений в режиме частотной модуляции.

I СВЧ-детектор,2^волноводный вентиль,3-аттенюатор,4-генератор СВЧ-моцности!клистрон),Ь-волномер. Клистрон К1 работает в режиме частотной модуляции,К2- в режиме стабилизации частоты на пэрэ-страеваеьл:** зт£.лонч;,1^ рззочагор. г другом луче. Частота измерялась волномером по узкому провалу в огибающей падающей мощности. Для измерений ширины резонансной . кривой на сигнал огибающей падающей мощности накладывались частотные метки. Измерение ширины резонансной кривой осуществлялось совмещением частотных меток на огибающей падающей мощности с резонансной кривой на половине ее амплитуды. Ширина резонансных кривых измерялась с точностью 1+5%. При изучении температурных зависимостей проводимости удобнее измерять не ширину полосы резонатора в каждой точке, а измерять относительное изменение уровня СВЧ-мощности максимума резонансной кривой. Для этого в начальный момент измерялась Исходная ширина полосы резонатора Д -f^ и фиксировался уровень СВЧ-мощности максимума резонансной кривой. После этого любые изменения амплитуды резонансной кривой измерялись калиброванным аттенюатором путем совмещения максимума резонанса с огибающей падающей мощности (для исключения ошибок в измерениях из-за сильной зависимости уровня падающей мощности от частоты в зоне генерации клистрона). Изменение уровня мощности измерялось калиброванным аттенюатором в децибеллах Дф с точ-ностыо+0,1 дб. Измерив начальное значение Д^ (ширина резонансной кривой) и изменение амплитуды Д^ , можно вычислить новую величину ширины полосы резонатора Д-f, из соотношения:

AoS fz= A fr 10 <2-«

Резонатор, в который помещался исследуемый образец, представлял из себя цилиндр, в верхней части находились щели связи с генератором СВЧ-колебаний и детектором, сигнал с которого подавался на осциллограф. В крышку резонатора, параллельно щелям связи, была впаяна тонкая металлическая пластинка. Она снимала вырождение колебаний и фиксировала направление электрического поля в резонаторе. Резонатор состоял из двух частей - верхней и нижней, причем соединение этих частей проходило вдоль линий СВЧ-тока, текущего по стенкам резонатора. Образец помещался в центре резонатора на тонком тефлоновом диске, скрепленном с нижней частью резонатора. Нижнюю часть резонатора с образцом можно было поворачивать относительно верхней; при этом направление электрического поля, естественно, не менялось, а изменялся угол между направлением поля и направлением дислокационных линий.

На рис.13 показано схематическое изображение рабочего резонатора с образцом.

К измерениям в высокочастотном диапазоне образец готовился следующим образом. После деформации и отжига образец разрезался на нейтральной плоскости, из каждой половины вырезался параллелепипед поперек оси изгиба. В дальнейшем каждый из получившихся образцов рассматривался отдельно. После просчета плотности дислокаций на всех гранях к граням (110) образца приклеивались клеем БФ-2 пластинки из недеформированного кристалла германия.

После этого шлифовкой образцу придавали форму диска диаметром 3*5 мм (в зависимости от размеров исходного образца) и толщиной ~ 0,7 мм, центральной частью которого являлся образец с дислокациями.

Для низкотемпературных исследований СВЧ-проводимости резонатор с образцом германия помещался в гелиевый криостат. Изменяя уровень жидкого гелия, можно было заливать гелием весь резонатор или работать в парах под жидким гелием. Температура образца измерялась термопарой (золото-медь); один конец термопары находился в жидком гелии, а второй конец помещался на стенке резонатора около образца. Правильность расположения термолада проверялась следующим образом: сравнивались температурные зависимости СВЧ

Рис.13 Схематическое изображение рабочего резонатора с образцом.

1- щели связи резонатора с волноводами

2-пластинка

3-верхняя половина резонатора

4-образец

5-нижняя половина резонатора

1 проводимости для образца расположенного в центре резонатора на тефлоновом диске и температурные зависимости для того же образца, приклеенного ко дну резонатора; они практически совпадали. Температура измерялась с точностью до *0,1 К, что является вполне достаточным для данных исследований.

Для измерений ЭДС-термопары применялся потенциометр Р345. Измерения можно было проводить при различных фиксированных температурах образца. Нагрев образца осуществлялся нихромовой спиралью, надетой на резонатор. Ток нагревателя управлялся схемой стабилизации температуры. Регулирующим напряжением системы стабилизации была разница ЭДС-термопары и ЭДС-потенциометра. Выставляя на потенциометре ЭДС, соответствующую нужной температуре, и регулируя постоянную составляющую тока нагревателя, можно было стабилизировать термопару в интервале 0,2 градуса от 4,2 до 300К.

При измерениях СВЧ-проводимости при 4,2 К удлиненный хвостовик резонатора погружался в жидкий гелий.

Измерения проводились следующим образом. Измерялась температурная зависимость ширины полосы пустого резонатора, при этом образец вынимался и на его место вдвигался сапфировый стержень до такого положения, пока частота резонатора не принимала прежнего значения (резонатора с образцом) и производилось измерение ширины резонансной кривой. Затем производилось измерение ширины полосы с образцом в том же температурном интервале. После этого из измерений ширины полосы резонатора с образцом вычиталась ширина резонансной кривой пустого резонатора - Д^ . Полученная разность S - определялась потерями СВЧ мощности в образце, а следовательно, и мерой его электропроводности.

- 58

§ 2.4 Нейтронное трансмутационное легирование Нейтронное трансмутационное легирование (HTJI) представляет собой процесс образования новых элементов в результате ядерных реакций,вызванных захватом изотопами германия тепловых нейтронов.

Природный германий состоит из следующих изотопов: Ge70-2I,2%, Ge72-27,3%, бе73-7,9%, Ge74-37,I°/o, Ge76-6,I% При облучении тепловыми нейтронами изотопы бе70, Ge74, бе76! захватывая нейтроны,становятся нестабильными и,распадаясь, превращаются в элементы III и У групп,остальные изотопы после захвата нейтрона остаются стабильными.

Основными являются следующие реакции:

Ge70W)6e7I-fe»Ga71 ^

Первая реакция описывает появление акцепторов,в.торая -доноров. Более подробно ядерные реакции,происходящие в германии, рассмотрены в главе 3 диссертации.

Однородность нейтронного легирования обуславливается равномерным распределением изотопов германия в образце,а также тем,что длина пробега нейтронов в германии много больше размеров образца.

В процессе HTJI наряду с превращениями бе в элементы III и У групп существует несколько механизмов радиационного повреждения, которые приводят к смещению атомов германия из нормального положения в кристаллической решетке. К ним относятся: I) соударения с быстрыми нейтронами, 2) образование атомов отдачи при испускании Jf- /квантов, 3) образование атомов отдачи при испускании Jb- частиц. Даже,если полностью исклю

- 59 чить повреждения, вызванные быстрыми нейтронами, механизмы повреждений, обусловленные отдачей, будут приводить к значительному количеству смещений. Действительно, захват теплового нейтрона приводит ядро в возбужденное состояние, возбуждение снимается испусканием одного или нескольких ft - квантов. Выделяющаяся при этом энергия достаточна для того, чтобы вызвать смещение атома из узла решетки.

Благодаря этим дефектам и их комплексам образуются энергетические уровни, которые, в свою очередь, приводят к уменьшению концентрации и подвижности свободных носителей заряда и времени жизни неосновных носителей заряда. Кроме того, случайный потенциал, создаваемый этими дефектами, ведет к сильной локализации одноэлектронных состояний на дислокационной линии. Отсвда ясно, что структурные нарушения решетки необходимо тем или иным способом устранить. Обычно это достигается путем отжига, т.е. нагревают облученный материал до достаточно высокой температуры, чтобы дефекты, вызванные облучением, приобрели подвижность и могли исчезнуть.

Однако оказывается, что такой отжиг, если он проведен сразу после облучения, не является гарантией устранения всех радиационных повреждений, даже если режимы термообработки подобраны правильным образом. Дело в том, что последующий за отжигом распад радиоактивных продуктов также может приводить к смещению атомов из узлов решетки. Поэтому в кавдом конкретном случае необходимо рассматривать схему распада продуктов ядерных реакций и их энергетику.

71

При \С - захвате орбитального электрона ядром Ge (реакция (2.1)) возникает рентгеновское излучение, либо выброс Оже-электронов. В случае, когда атом отдачи образуется благодаря рентгеновскому или гамма-излучению, - квант с энерги-j

- 60 ей Ко) несет момент , которой который должен быть равен моменту MV отдачи атома изотопа германия. Поэтому в каждом акте испускания }f - кванта атому германия массой /W передается энергия отдачи, равная:

E=-4rMV=4r8#

Аналогичные расчеты можно выполнить в случае уЗ - распада. уЗ - частица уносит с собой момент p=yey(m// =MV следовательно, где Е^ - энергия Jb - частицы, т0 - дтсса покоя электрона, М - масса атома, участвующего в реакции, с - скорость света, V - скорость атома.

Оценки показывают, что энергия отдачи ядра бе^ в результате К - захвата не превосходит 0,5 эВ, что много меньше порога смещения атома германия из узла решетки. Порог смещения атомов германия из узла, согласно работе [115] , равен ~ 15 эВ.

Использование метода нейтронного трансмутационного легирования позволило получить образцы германия с дислокациями, у которых мелкие легирующие примеси галлия распределены однородно по объему образца. Это достигалось тем, что образцы сначала пластически деформировались и затем уже облучались тепловыми нейтронами.

Поскольку период полураспада изотопов Ge равен Т^ = =12 дням, следовательно отжиг образцов германия сразу же после облучения устранит структурные повреждения и в то же время не приведет к подтягиванию атомов галлия к дислокациям. (Практически они еще не успевают образоваться).

Реакция (2.2), приводящая к образованию элемента У группы

As (мышьяка), к моменту отжига в основном заканчивается ( Т, =

82 мин), поэтому не исключена возможность подтягивания в процесл се отжига атомов As к дислокациям.

Хранение и измерение электрических параметров облученных образцов проводились при низкой температуре (4.2+77 К), поэтому последующая диффузия к дислокациям примесных атомовуобразовавшихся в результате нейтронного облучения,практически исключена.

Таким образом, можно сделать вывод, что облучение тепловыми нейтронами и последующий отжиг деформированных образцов германия дает возможность получить образцы, у которых мелкие легирующие примеси распределены равномерно по объему образца.

Б диссертационной работе сверхчистые образцы германия (концентрация доноров —2.I011 см"3) облучались на тяжеловодородном реакторе ИТЭФ. Для этого реактора кадмиевое отношение (отношение числа тепловых нейтронов ( Е~0,025 эБ) к быстрым ( Е>1 МЭв) не хуже 300.

Для предотвращения загрязнения образцов при последующей высокотемпературной обработке [бб] образцы перед облучением покрывались защитным слоем олова. Слой олова толщиной мк наносился в вакууме на свежеполированную поверхность германия. Для облучения использовался канал с плотностью потока тепловых нейтронов ф=4.10^ н/см^.сек. Температура в канале реактора не превышала Ю0°С. После облучения образцы отжигались в течение 7+12 часов при температурах 450-500°С с последующим медленным охлаждением ~ I град/мин. Такая процедура отжига является достаточной для устранения радиационных повреждений [100,107] . После отжига слой олова сошлифовывался и образцы протравливались в травителе СР-4А.

ГЛАВА Ш. ИССЛЕДОВАНИЕ АНИЗОТРОПИИ ДИСЛОКАЦИОННОЙ .СВЧ-ПРОВОДИМОСТИ В данной главе диссертации изложены результаты по исследованию анизотропии проводимости кристаллов Gen-типа с дислокациями в СВЧ-диапазоне [96,95] .

При исследовании электрических свойств Ge и St было обнаружено, что введение дислокаций в эти кристаллы приводит к появлению заметной проводимости образца в СВЧ-диапазоне.

Эта проводимость наблюдалась при таких низких температурах, когда в зонах уже нет свободных носителей тока, и поэтому было выдвинуто предположение, что наблюдаемая проводимость связана с движением зарядов вдоль ядер дислокаций (дислокационная проводимость). Такой механизм должен приводить к анизотропии проводимости в анизтропной дислокационной структуре.

Для проверки этого вывода необходимо было приготовить образцы с анизотропной дислокационной структурой.

Методика деформации и последующего отжига описана в главе II. Использовались образцы Ge n-типа с разностной концентрацией доноров от Ю13 до Ю1^" см~5.

Дислокационная структура образцов показана на рис.9 . Образцы помещались в проходной цилиндрический резонатор,, в котором возбуждалось колебание TEjjj на частоте 9500 МГц. Методика измерений в СВЧ диапазоне описана в гл.П. Измерения проводились при температурах от 1,4 до 300 К [96,95] . Оказалось, что в области низких температур (от 1,4 до 6 К) добротность резонатора, а значит и проводимость образца сильно зависит от взаимной ориентации дислокаций и электрического поля.

Поворачивая образец, мы находили ориентации с наибольшей l и наименьшей добротностью резонатора. Всегда оказывалось, что минимальная добротность (максимальная проводимость) наблюдается, когда электрическое поле направлено вдоль [ПО] образца, т'.е.; вдоль преимущественного направления дислокаций. Максимальная добротность наблюдалась, когда поле было перпендикулярно направлению [НО] ,

Типичные резонансные кривые, наблюдавшиеся для этих двух ориентаций образца, показаны на рис.14а и 146, соответственно, В обоих случаях мощность, излучаемая СВЧ-генератором была одинаковой. Видно, что СВЧ-мощность, попадающая на детектор в такой ориентации образца, когда электрическое поле направлено вдоль дислокаций (рис.14а)существенно меньше, чем в ориентации, когда электрическое поле перпендикулярно дислокациям (рис.146).

Точные измерения ширины резонансных кривых позволили определить отношение проводимостей для этих двух случаев (т.е. анизотропию).

Отношение проводимостей образца для этих ориентаций определялось следующим образом:

Сио] AfniorAfo (зл) где Д^рфр °б°значают ШИРИНУ полосы резонансной кривой для "продольной" и "поперечной" ориентаций образца, a A"f0-ширина полосы для контрольного образца (ширина полосы резонансной кривой измерялась на половине ее высоты).

Собственная частота резонатора при повороте образца практически не менялась ( 3 МГц). Измерения с контрольными бездислокационными образцами (также изготовленными из 3-х склеенных частей) показали, что и добротность резонатора не зависит от угла поворота.

Если СВЧ-проводимость происходит вдоль дислокации, то отно

Рис.14 а - Резонансная кривая для направления электрического поля вдоль [ПО] ; б - то же,но поле направлено вдоль [ПО]. В обоих случаях мощность СВЧ-генератора была одинаковой.

Ne ОБРАЗЦА КОНЦЕНТРАЦИЯ ДОНОРОВ (см-») АНИЗОТРОПИЯ ПРОБОЛИМ. (РАСЧЕТ) АНИЗОТРОПИЯ ПРОВОДИМ. (ЭКСПЕШМ)

1 10" 3-Ю6 1Ю6 6 ю±з

2 2Ю" Д5Ю5 7Ю4 Ю 11± 3

3 2-Ю" 4-Ю6 7Ю5 11 11 ± 3

4 10й 5-Ю6 1,5 Ю6 6,6 78±0,5

5 10* 6Ю6 1,3 ю6 9 7±Q5

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Прокопенко, Вячеслав Михайлович, 1984 год

1. С.J.Gallagher. Plastic deformation of germanium and silicon. Phys.Rev. 1952, v.88, 4, p.721-722.

2. G.L.Pearson, W.T.Read, F.G.Morin. Dislocations in plastically deformed germanium. Phys.Rev. 1954, v.93, 4, p.666-667.

3. W.Shockley. Dislocations and edge states in the diamond crystal structure.- Phys.Rev. 1953» v.91, 1, p.228.

4. W.T.Red. Theory of dislocations in germanium. Phil.Mag. 1954, v.45, 367, p.775-796.

5. Statistics of the occupation of dislocation acceptor centeres. Phil.Mag. 1954, v.45, 370, p.1119-1128.

6. W.Schroter, R.Labusch. Electrical properties of dislocations in Ge and Si. Phys.stat.sol. 1969, v.36, 2, p.539-550.

7. R.M.Broudy. The electrical properties of dislocations in semiconductors. Adv.Phys. 1963, v.12, p.135-184.

8. B.Podor. Effect of dislocations on galvano-magnetic properties of n-type Germanium. Acta phys. Ни-ПС. 1967, v. 23, 4,p. 393-405.

9. J.H.P. von Weeren, G.Koopmans, J.Blok. The position of the dislocation acceptor level in n-type Ge. Phys.stat.sol. 1968, v.27, 1, p.219-224.

10. J.Krylov, J.Auleytner. Electric properties of dislocations in n-type Ge. Phys.stat.sol. 1969, v.32, 2, p.581-588.

11. W.Schroter. Die electrischen Eigenschaften von Versetzungen in Germanium. Phys.stat.sol. 1967, v.21, 1, p.211-224.

12. Ю.А.Осипьян, С.А.Шевченко. Влияние дислокаций на электрические свойства германия, ЖЭТФ, 1971, т.61, б, с.2330-2336.

13. Ю.А.Осипьян, С.А.Шевченко. Влияние дислокаций на электрические свойства р-германия. ЖЭТФ, 1973, т.65, 2, с.698-704.13» R.Labusch and R.Schettler. On the electronic states at dislocations in germanium. -Phys.stat.sol.(a), 1972, v.9» 2, p.455-468.

14. W.Barth, E.Elsasser, W.Guth, E.Kamieniecki. Photoconductivity in correlation to absorption in plastically deformed germanium. Phys.stat.sol.(a), 1977, v.39, 1, p.249-252.

15. W.Barth, K.Elsasser, W.Guth. The optical absorption of 60° dialocations in germanium. Phys.stat.sol.(a), 1976, v.34,1, p.153-163.

16. D.Mergel, R.Labusch. Optical excitation of dislocation states in germanium. 2. Analysis of the experimental results.- Phys.stat.sol.(a), 1977, v.4-2, p.165-171.

17. Н.Ф.Мотт. Переходы металл-изолятор. M.: Наука, 1979, с.160.

18. Д.И.Хомский. Электроника корреляции в узких зонах. ФММ, 1970, т.29, с.31-57.- ИЗ

19. И.Е.Дзялошинский, А.И.Ларкин. О возможных состояниях квази-1 одномерных систем, ЖЭТФ, 1971, т.61, с.791-800.

20. E«H.Lieb, F.Y.Wu. Absence of Mott transition in an exact solution of the short-range, one-band model in one dimenti-on. Phys.Rev.Lett», 1968, v.20, p.1445-1448.

21. Р.Пайерлс. Квантовая теория твердых тел. М,: ИЛ, 1956, с.129-133.

22. P.W.Anderson. Absence of diffusion in certain random lattices. Phys.Rev., 1958, v.109, p.1492-1505.

23. М.Мотт, Э.Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. М., Мир, 1982, т.1, с.25-32.

24. D.J.Thouless. Electrons in disordered systems and the theory of localization. Phys.Rep.,1974,v.13C,p.94-102.

25. В.Л.Березинский. Кинетика квантовой частицы в одномерном случайном потенциале. ЖЭТФ, 1973, т.65, 3, с.1251-1266.

26. C.Papatriantafillou, E.M.Economon, T.P.Eggarter. Eigenfunc-tions in one-dimensional disordered systems, 1$ II. Phys. Rev., 1976, V.B13, p.910-919*ibid.,1976, v.B13,p.920-928.

27. Н.Мотт, У.Туз. Теория проводимости по примесям. УФН, 1963, т.79, с.691-740.

28. В.J.Halperin. Properties of a particle in a one-dimensional random potenrial. Adv.Chera.Phys.,1967, v.13,p.123-177.

29. Ю.А.Бычков. О частотной зависимости проводимости одномерных систем. ЖЭТФ, 1973, т.65, вып.7, с.427-438.

30. R.A.Brown. Electron and phonon bound states and scattering resonances for extended defects in crystals. Phys.Rev., 1967, v.156, p.889-902.

31. И.А.Рыжкин. Глубокие дислокационные состояния в германии и кремнии. ФГТ, 1979, т.21, с.1805-1812.

32. Ю.А.Осипьян, И.А.Рыжкин. Спектр дислокационных состояний в полупроводниках, ЖЭТФ, 1980, т.79, вып.З, с.961-973.

33. W.Т.Read. Theory of dislocations in germanium. Phil.Mag., 1954, v.45, p.775-796.

34. W.T.Read. Statistics of the occupation of dislocation acceptor centres.Phil.Mag. ,1954, v.45,p.H19-1128.

35. В.А.Граиулис, В.В.Кведер, В.Ю.Мухина, Ю.А.Осипьян. Исследование высокочастотной проводимости дислокаций в кремнии. -Письма в ЖЭТФ, 1976, т.24, 3, с.164-166.

36. В.А.Гражулис. Исследование дислокационных спиновых цепочек в кремнии. Диссертация .докт.физ.-мат.наук. - Черноголовка, 1978, 237 стр.

37. Ю.А.Осипьян, В.И.Тальянский, В.А.Шевченко. Дислокационная СВЧ-проводимость германия. ЖЭТФ, 19?7, т.72, 4, с.1543-1549.

38. V.A.Grazhulis. Application of EPR and electric measurements to study dislocation energy spectrum in silicon. J.Physi-que Colloq., 1979, v.40, p.C6-59-61.

39. С.В.Броуде, В.А.Гражулис, В.В.Кведер, Ю.А.Осипьян. Исследование свойств дислокационных спектров ЭПР в кремнии. -ЖЭТФ, 1974, т.66, 4, с.1469-1477.

40. А.И.Колюбакин, С.А.Шевченко. О спектре дислокационных состояний в германии. Черноголовка, 1980, 22 с. (Препринт/ Институт физ.тверд.тела: УДК 537.311.33).

41. А.А.Гиппиус. Излучательная рекомбинация на дислокациях в германии. Труды физ.института АН СССР, 1966, т.37, с.3-40.

42. Э.Б.Соколова. К вопросу об оптических свойствах дислокаций в полупроводниках. ФТТ, 1965, т.7, 2, с.489-495.

43. Ю.А.Осипьян, В.И.Тальянский, А.А.Харламов, С.А.Шевченко. СВЧ-проводимость германия а-типа с дислокациями. 1ЭТФ, 1979, т.76, 5, с.1655-1660.

44. А.И.Колюбакин, Ю.А.Осипьян, С.А.Шевченко. О спектре дислокационных состояний пластически деформированного германияа-типа. ЖЭТФ, 1979, т.77, 3, с.975-988.

45. S.Marklund. Electron states associated with partial dislocations in silicon. Phys. stat. sol, (b)^ 1979, v.92, 1,p.83-89,

46. R.Jones. Electronic states associated with the sixty-degree edge dislocation in Ge. Phil.Mag., 1977» v.36, p.677683.

47. R.Jones. Theoretical calculations of electron states associated with dislocations.- J.Physique Colloq. 1979» v.40, р.Сб-33-38.

48. P.B.Hirsch. Recent results on the structure of dislocations in tetrahedrally coordinated semiconductors. J.Physique Colloq. 1979, v.4o, p.С6-27-32.

49. S.Marklund. Structure and energy levels of dislocations in silicon. J.de Phys., 1983, Colloque C4, v.44, p.25-35.

50. В.Шокли. Теория электронных полупроводников. М.: ИЛ, 1953, с.603.

51. R.Landauer. Bound states in dislocations. Phys.Rev., 1954, v. 94, p.1386-1388.

52. A.Claesson. Effect of disorder and long strain field on the electron states. J.de Phys., 1979, Colleque C6, v.40, p.39 41.

53. S.Winter. Bound electron states close to the conduction band in germanium due to 60° dislocations. Phys.Stat.Sol.(b), 1977» v.79, p.637-644.

54. S.Winter. Electron states below the conduction band in germanium originating from dissociated 60°-dislocations. Phys.St. Sol.(b), 1978, v.90, p.289-293.

55. A.Claesson. Bound electron states in the strain field of a 60° dislocation in geimanium. Phys.St.Sol.(b),1974, v.61, p.599-606.

56. R.Landauer. Bound states in dislocations. -Phys.Rev. 1954, v.94, 5, p.1386-1388.

57. В.А.Гражулис, Ю.А.Осипьян. Влияние дислокаций на спектр электронов в полупроводниках. ФТТ, 1969, т.II, 2, с.SOS-SOS.

58. В.Л.Бонч-Бруевич, В.Б.Гласно. К теории электронных состояний, связанных с дислокациями. Линейные дислокации. ФТТ, 1961, т.З, I, с.36-46.

59. W.Guth, W.Haist. Electronenzustande in Halbleiterversetzungen. Phys.stat.sol., 1966, v.17, 2, p.691-696.

60. H.Alexander, R.Labusch, W.Sander. Electronenspin.-Resonanzin verformten Silizium.- Solid State Commun,1965,v.3,11,p.357.360.

61. В.А.Гражулис, Ю.А.Осипьян. ЭПР в пластически деформированномкремнии. 1ЭТФ, 1970, т.58, 4, с.1259-1264.

62. M.Suezawa, K.Suminb, M.Jwaizumi, ESR in plastically deformed silicon crystals.- Inst.Phys.Conf.Ser., 1981, N59,p.407-501.

63. E.Weber, H.Alexander. EPR of dislocations in silicon. J, Physique Colloq.,1979,v.40,p.C6-101-106.

64. В.А.Гражулис, Ю.А.Осипьян. Электронный парамагнитный резонанс на дислокациях в кремнии. ЖЭТФ, 1971, т.60, 3, с.1150-II6I.

65. В.В.Кведер, Ю.А.Осипьян. Исследование дислокаций в кремнии методом ЭПР, ФТП, 1982, т.16, №11, с.1930-1933.

66. D.Lepine. Spin-Dependent Eecombination on Silicon Surface. Phys.Rev.(b), 1972, v.6, N2, p.436-441.

67. В.А.Гражулис, В.В.Кведер, Ю.А.Осипьян. Влияние спиновых состояний дислокаций на проводимость кристаллов кремния. -Письма в ЖЭТФ, 1975, т.21, вып.12, с.708-711.

68. T.Wosinski, T.Figielski. Spin-dependent recombination at exchange-coupled dislocation centres in silicon. Phys. Stat.sol.(b), 1977, v.83, 1, p.93-98.

69. D.Kaplan, J.Solomon, N.F.Mott. Explanation of the large spin-dependent recombination effect in semiconductors. H.de Physique-Letters, 1978, v.39, L-51.

70. D.Lepine, V.A.Grazhulis, D.Kaplan. Spin-dependent recombination on dislocations in silicon. 13th Intern.conf., Physics of semiconductors (Rome,aug.30-sept.3»1976)sPreceedings. Rome, 1976, p.1081-1084.

71. R.M.White, J.F.Gouyet. Theory of spin-dependent effects in silicon. Phys.Rev.(b) 1977, v.16, p.3596-3602. •

72. M.H.Brodsky, R.S.Titlle. Electron spin resonanse in amorphous silicon, germanium and silicon carbide.- Phys.Rev.Lett., 1969, v.23» p.581-585.

73. В.В.Кведер, Ю.А.Осипьян, А.И.Шалынин. Спин-зависимая рекомбинация на дислокационных оборванных связях в кремнии. ЖЭТФ, 1982, т.83, вып.2, с.699-714.

74. М.Н.Золотухин, В.В.Кведер, Ю.А.Осипьян, К вопросу об отжиге дислокационного сигнала ЭПР в кремнии. ЖЭТФ, 1981, т.81,1, с.299-307.

75. V.V.Kveder, Yu.A.Ossipyan, W.Schroter and G.Zoth. On the energy spectrum of dislocations in silicon. Phys.Stat.Sol. (a) 1982, v.72, N2, p.701-715.

76. W.Schroter and R.Labuch. Electrical properties of dislocations in Ge and Si.Phys.St.Sol.I969,v.36,p.539-54-9.

77. И.А.Рыжкин. Проводимость по дислокациям при низкой температуре. ФТТ, 1978, т.20, 12, с.3612-3617.

78. И.А.Рыжкин. Локализованные и делокализованные состояния на пересекающихся дислокациях. ЖЭТФ, 1981, т.81, 6, с.2192-2197.

79. V.A.Grazhulis, V.V.Kveder, V.Yu.Mukhina. Investigation ofthe energy spectrum and kinetic phenomena in dislocated Sicrystals. Microwave conductivity.-Phys.stat.sol.(a),1977,v. 44, 1, p.107-115.

80. Ю.А.Осипьян, С.А.Шевченко. О дислокационной проводимостигермания. Письма в ЖЭТФ, 1974, т.20, II, с.709-712.

81. Ю.А.Осипьян, С.А.Шевченко. Дислокационный эффект Холла в германии. Письма в ЖЭТФ, 1981, т.33, 4, с.218-222.

82. В.А.Гражулис, В.Ю.Мухина, Ю.А.Осипьян, С.А.Шевченко. Исследование электропроводности и эффекта Холла в монокристаллах кремния с дислокациями. ЖЭТФ, 1975, т.68, 6, с.2149-2158.

83. R.A.Logan, M.Schwarz. Restoration of resistivity and lifetime in heat treated germanium.- J.Appl.Phys., 1955, v.26, 11, p.1287-1289.

84. С.А.Шевченко, А.И.Колюбакин. Деформационные точечные дефекты в германии п.-типа. ФТП, 1979, т.13, 5, с.1046-1048.

85. В.Н.Ерофеев, В.И.Ншштенко, В.И.Половинкина, Э.В.Суворов.

86. Исследование особенностей рентгенодифракционного контраста в геометрии дислокационных полупетель в кремнии.- Кристаллография, 1971, т.16, I, с. 190-196.

87. А.А.Брандт. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах.- М.: Физматгиз, 1963 404 с.

88. H.C.Tomas, B.Covington. Impurity conduction in transmutation -doped Ge during decay of the radioative products. J.Appl.

89. Phys., 1976, v.46, p.4541-4544.

90. Ю.А.Осипьян, В.М.Прокопенко, В.И.Тальянский, С.А.Шевченко.

91. Анизотропия дислокационной СВЧ-проводимости ri-Ge . Письма в ЖЭТФ, 1979, т.30, вып. 2, с.123-125.

92. В.М.Прокопенко, В.И.Тальянский. 0 взаимодействии носителей тока с дислокациями в германии и кремнии. ЖЭТФ, 1980, т.78, вып. 2, с.672-676.

93. Ю.А.Осипьян, В.М.Прокопенко, В.И.Тальянский. Об энергетических уровнях селена в германии. Письма в ДЭТФ, 1984, т.39,3, с.126-129.

94. Ю.А.Осипьян, В.М.Прокопенко, В.И-Л'альянский. Кинетика трансмутационного легирования как метод спектроскопии глубоких центров в германий. ЖЭТФ, 1984, т.87, 1(7), с.269-278.

95. Ю.А.Осипьян, Б.М.Прокопенко, В.И.Тальяяский. Исследование' СВЧ дислокационной проводимости в германии, легированном посредством облучения тепловыми нейтронами. Письма в ЖЭТФ, 1982, т.36, 3, с.64-66.

96. К.Лара-Горовиц, сб. "Полупроводниковые материалы", М.: ИЛ, 1954, с.62-66.

97. J.W.Cleland, K.Lark-Horovitz, J.C.Pigg. Transmutation-Produced Germanium Semiconductors, Phys.Rev., 1950, v.78, 6, p.814-185.

98. H.Fritzsche, M.Guevas. Impurity Conduction in Transmutation-Doped p-type Germanium. Phys.Rev., 1980, v.119,p.1238-1248.

99. H.James, K.Lark-Horovitz, Localised Electronic states in bombarded semiconductors. Zs.phys.Chem., 1951, v.198,p.107-109.

100. J.W.Cleland, J.Crawford, J.C.Pigg. Fact newtron bombardment of n-type. Ge.Phys.Rev., 1955, v.98, p.1742-1750.

101. А.Г.Беда, В.В.Вайнберг, Ф.М.Воробкало, Л.И.Зарубин. Определение степени компенсации в трансмутационяо легированном германии. ФТП, 1981, т.15, 8, с.1546-1549.

102. А.Милис. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М., "Мир", 1977, с.562.

103. А.Г.Забродский. Экспериментальное определение степени компенсации нейтронно легированного германия. Письма в ЖЭТФ, 1981, т.33, с.258-262.

104. W.W.Tyler.Deep level impurities in germanium. Journ.Phys. Chem,Sol ids,1959,v.8,p.59-65.

105. S.F.Mughabghab, B.J.Garber. Newtron Cross Section,1973,v.l, BNL, p.325.

106. И.В.Гордеев, Д.А.Кардашев, А.В.Малышев, Ядерно-физические константы. Справочник, М., Госатомиздат, 1963, c7l5.

107. H.С.Thomas, B.Covington. Impurity conduction in transmutation-doped germanium during decay of the radioactive products. J.Appl.Phys., 1975,v.46, p. 4-541-4544.

108. Б.И.Шкловский, А.Л.Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. М., "Наука", 1979, с.106.

109. ПЗ.В.В.Кведер, Ю.А.Осипьян. Исследование дислокаций в кремнии методом фото-ЭПР. ЖЭТФ, 1981, т.80, с.1206-1216.

110. Yu.A.Ossipyan, Dislocation microwave electrical conductivity of semiconductors and electron-dislocation spectrum. Cryst.Res.lechn. 1981, v.16,p.239-246.

111. B.C.Вавилов. Действие излучений на полупроводники, М.: Физ-матгиз, 1963, стр.190.

112. A.J.Kolyubakin and S.A.Shevchenko. On the Spectrum of Bis-location States in Germanium. Phys.stat.sol.(a), 1981, v.63, 677-685.