Исследование механизмов отжига и насыщения водородом дислокационных оборванных связей в кремнии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Золотухин, Михаил Николаевич

• Золотухин, Михаил Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Золотухин, Михаил Николаевич

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

§ I.I. Дислокации в полупроводниках с решеткой типа алмаза.

§ 1.2. Энергетический спектр дислокаций в Si и бб (обзор теоретических работ).i.

§ 1.3. ЭПР на дислокациях в кремнии.

§ 1.4. Энергетический спектр дислокаций в Si и Ge (обзор экспериментальных работ). 1.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование механизмов отжига и насыщения водородом дислокационных оборванных связей в кремнии»

§ 4.1. Влияние отжига на дислокационную

СВЧ проводимость. 140

4.1.1. Методические вопросы. 140

4.1.2. Результаты экспериментов и их обсуждение . 141

§ 4.2. Исследование энергетического спектра реконструированных дислокаций в нижней половине запрещенной зоны St . 148

4.2.1. Постановка и методика эксперимента . 148

4.2.2. Экспериментальные результаты и их обсуждение . 149

Заключение к главе 1У. 157

ВЫВОДЫ . 159

ЛИТЕРАТУРА. 162

ВВЕДЕНИЕ В настоящее время надежно установлено, что дислокации могут существенно менять, а в некоторых случаях и определять физические свойства ковалентных полупроводников с решеткой типа алмаза, таких как Si и , Это связано с тем, что кристаллическая структура решетки вокруг дислокации отличается от кристаллической структур! идеальной решетки. Дислокации, таким образом, представляют собой специфические одномерные (или квазиодномерные) кристаллические объекты с присущими им фи-зическши свойствами, отличными, вообще говоря, от объемных свойств полупроводников. Нарушение топологии кристаллохимической структуры в области ядер дислокаций может, в частности, обуславливать наличие в ядрах дислокаций ненасыщенных валентных связей [I] . Существование дислокационных оборванных связей (ДОС) было впервые экспериментально обнаружено в пластически деформированном кремнии методом ЭПР Гражулисом и Осипьяном [2-4] . Наличие ДОС в ядрах дислокаций, согласно многочисленным исследованиям,в основном и определяет электрическую активность дислокаций в

Si .

Электронные свойства дислокаций в Sl , обусловленные ДОС, интенсивно изучались в последние годы. Установлено, что энергетический спектр ДОС в SL является диэлектрическим с энергетической щелью мотт-хаббардовского типа, при этом с дислокациями связаны донорные и акцепторные уровни вблизи середины запрещенной зоны [5] . Уже в первых работах по ЭПР на дислокациях в Sl было установлено, что концентрация ДОС в кристаллах Sl с дислокациями зависит как от режима введения дислокаций в кристаллы, так и от последующей их термической обработки, причем эффективный отжиг ДОС (Д-центров) имеет место б случае, когда'температура деформации или отжига Т ^ 700°С [3,4] . Однако, вопрос о механизме отжига ДОС, результатом которого является исчезновение дислокационного сигнала ЭПР, а также вопрос о влиянии такого отжига на электронные свойства дислокаций в Si , оставались до последнего времени в значительной степени не выясненными. В частности, оставалось неясным, является ли исчезновение ДОС в процессе отжига результатом взаимодействия дислокаций с точечными дефектами, или же результатом перестройки самой структуры дислокационных ядер. Невыясненным оставался также вопрос, каков энергетический спектр "непарамагнитных" дислокаций в отожженных кристаллах SL .к началу выполнения настоящей работы широко известная точка зрения заключалась в том, что с дислокациями, введенными в кристаллы Si. в результате высокотемпературной (Т»800°С) пластической деформации, связана одномерная зона металлического типа, наполовину заполненная в нейтральном состоянии [6] . Альтернативная точка зрения состоит в том, что энергетический спектр "высокотемпературных" дислокаций в SI является диэлектрическим со щелью мотт-хаббар-довского типа [7] (т.е. аналогичен, в принципе, энергетическому спектру ДОС). В настоящее время обе эти точки зрения требуют дополнительных обоснований. При этом немаловажным представляется вопрос о разделении свойств дислокаций, обусловленных " особыми точками", т.е. дефектами в ядрах дислокаций, и свойств регулярных дислокационных цепочек. Для выяснения характера перестройки энергетического спектра дислокаций в результате отгжга ДОС несомненный интерес представляет также вопрос о влиянии такого отжига на дислокационную проводимость.

К концу 70-х годов с помощью электронно-микроскопического метода слабых пучков было установлено, что дислокации в St на большей части своей длины расщеплены на частичные дислокации.

В связи с этим представляет интерес вопрос о том, как влияет отжиг, приводящий к исчезновению парамагнетизма дислокаций, на тонкую структуру дислокаций. Подобное исследование ранее не проводилось.

Известно, что ненасыщенные валентные связи в аморфном кремнии могут эффективно насыщаться атомами водорода за счет образования связей St И , что позволяет в известной мере управлять электронными свойствами аморфного кремния. В этой связи представляет интерес, возможно ли подобное насыщение водородом "болтающихся связей" на дислокациях и каков энергетический спектр гидрированных дислокаций. Эти вопросы к началу выполнения настоящей работы оставались совершенно неисследованными.

Перечисленные выше вопросы и являются предметом исследования в настоящей работе.

Первая глава работы посвящена обзору литературных данных. Во второй главе исследуется механизм отжига ДОС. Исследуется кинетика отжига ДОС методом ЭПР, влияние различных режимов термообработки на эффект фото-ЭПР, влияние отжига на тонкую структуру дислокаций с помощью метода слабых пучков. Исследуется кинетика" отжига" различных глубоких состояний в кристаллах St с дислокациями методом DLTS и проводится сравнительное исследование отжига ДОС методами DLTS и ЭПР. Исследуется также влияние низкотемпературной пластической деформации на дислокационный спектр ЭПР в монокристаллах Si

В третьей главе работы методами DLTS и ЭПР исследуется влияние водорода на энергетический спектр электронных и дырочных состояний в запрещенной зоне кристаллов Sl с дислокациями и на дислокационный спектр ЭПР.

Четвертая глава работы посвящена анализу энергетического спектра дислокаций в отожженных кристаллах St с использовалием ряда методик (DLTS , СВЧ проводимость, эффект Холла) « В конце диссертации сформулированы основные выводы и приведен список цитированной литературы.

На защиту выносятся следующие основные результаты и положения.

1. Реконструкция ядер частичных дислокаций при отжиге как основная причина исчезновения сигнала ЭПР ДОС. Эффект релаксации тонкой структуры дислокаций, близких к винтовым, от аномальных значений величин расщеплений к равновесным при отжиге ДОС.

2. Экспериментальные данные по влиянию водорода на энергетический спектр дислокаций. Исчезновение всех глубоких состояний в запрещенной зоне Si с дислокациями в результате взаимодействия дефектов решетки с водородом. Гидрирование как новый метод исследования дефектов кристаллической решетки Si ,

3. Непригодность модели наполовину заполненной дислокационной зоны для описания энергетического спектра дислокаций в отожженных кристаллах . Энергетический спектр дислокаций в нижней половине запрещенной зоны после отжига ДОС как суперпозиция дислокационных состояний двух типов: глубоких состояний, связанных с различными дефектами на дислокациях,и достаточно мелких донорных состояний, связанных с деформационным потенциалом дислокаций.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Золотухин, Михаил Николаевич

- 159 -ВЫВОДЫ

1. Показано, что кинетика уменьшения интегральной интенсивности дислокационного спектра ЭПР при отжиге образцов Si в интервале температур 700+800°С не описывается простой экспоненциальной зависимостью и характеризуется возрастанием "постоянной времени" отжига в процессе отжига. В первом приближении она может быть описана двумя экспоненциальными стадиями "быстрого" и медленного" отжига, причем величина энергии активации для процесса отжига на обеих стадиях находится в пределах 2 + 0,1 эВ.

2. Показано, что основным механизмом отжига дислокационных оборванных связей в St является коллективная перестройка атомной структуры ядер дислокаций (реконструкция дислокаций), приводящая к попарному насыщению ДОС.

3. Показано, что кристаллы St t содержащие дислокации с высокой линейной плотностью ненасыщенных валентных связей, характеризуются аномально большими величинами расщепления дислокаций, близких к винтовым (0 ^ оС ^ 55°). Отжиг ДОС сопровождается переходом дислокаций этих типов в состояние с нормальным равновесным расщеплением.

4. Обнаружено, что в кристаллах Si с большой степенью деформации после отжига дислокационного спектра ЭПР при Т< 800°С "остаточный" спектр ЭПР имеет параметры, аналогичные параметрам спектра ЭПР в аморфном St ; спектр изотропен с g -фактором g =2,0055 (при Т > 77К), а его ширина варьируется в пределах 7,5+11,5 Э."Остаточные"центры отличиет от Д-центров также большее (более чем в три раза при Т=1,4 К) значение времени спин-решеточной релаксации. Наличие в образцах"остаточного" спектра ЭПР коррелирует с наличием в таких образцах плотных сплетений дислокаций, не разрешаемых электронно-микроскопически. Полученные данные свидетельствуют о том, что в ходе пластической деформации в кристаллах Sl возможно образование микрообластей аморфной фазы.

5. Показано, что при насыщении кристаллов Sl с дислокациями водородом происходит обратимое насыщение ДОС, проявляющееся в исчезновении дислокационного спектра ЭПР, а также всех глубоких состояний в запрещенной зоне, возникающих в результате введения дислокаций, включая те из них, которые не связаны с не-скомпенсированным спином. Показано, что в насыщенных водородом кристаллах Sl дислокации остаются электрически активными, что обусловлено мелкими дислокационными состояниями, связанными с деформационным потенциалом дислокаций, не исчезающими полностью в результате гидрирования.

6. На образцах Sl р-типа с анизотропной структурой 60° дислокаций показано, что наблюдаемая в области гелиевых температур (Т=4,2*25К) высокая СВЧ проводимость анизотропна и ее анизотропия соответствует анизотропии дислокационной структуры в образцах. Показано, что эта дислокационная проводимость в результате отжига ДОС уменьшается более чем на два порядка.

7. Показано, что после отжига ДОС энергетический спектр дислокаций в нижней половине запрещенной зоны включает в себя состояния двух типов: глубокие состояния, связанные с различного рода "особыми точками" на дислокациях и достаточно мелкие донорные состояния, обусловленные собственно реконструированными дислокациями.

8. Показано, что пластическая деформация монокристаллов Sl при температурах Т=400-г420°С, приводящая к образованию в кристаллах упорядоченной дислокационной структуры из прямолинейных расщепленных винтовых и 60° дислокаций, сопровождается не менее ' эффективным возникновением дислокационного сигнала ЭПР, чем пластическая деформация при Т=680*700°С, приводящая к достаточно хаотичной дислокационной структуре. Таким образом, показано, что основными типами дислокаций, содержащих Д0С;могут быть лишь 90° и 30° частичные дислокации, находящиеся в различных кристаллографических ориентациях. Вместе с тем показано, что реальная структура цепочек ДОС в ядрах дислокаций в пластически деформированных кристаллах Si может быть более сложной, чем это следует из простых геометрических моделей для ядер частичных дислокаций.

В заключение автор выражает свою глубокую.благодарность Ю.А.Осипьяну за предоставленную возможность выполнить работу в его лаборатории, постановку интересной задачи, оказанное внимание и поддержку в работе. Я благодарен В.В.Кведеру, моему соавтору и научному наставнику, за постоянную помощь в работе и обучение многочисленным тонкостям физического эксперимента. Выражаю свою благодарность В.А.Гражулису за ряд ценных замечаний, а также сотрудникам лаборатории А.В.Баженову, А.И.Колюба-кину, А.И.Шалынину за полезные и приятные научные контакты. Я благодарен Н.Г.Мартыненко за содействие в проведении некотрых электрических измерений, а также всем сотрудникам института, способствовавшим выполнению настоящей работы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Золотухин, Михаил Николаевич, 1984 год

1. Shockley W. Dislocation and edge states in the diamond crystal structure, Phys.Rev., 1953, v.91, p.228

2. Гражулис В.А., Осипьян Ю.А.Материалы Всесоюзного совещания по дефектам структуры в полупроводниках, Новосибирск, 1969, ч. I, с.374.

3. Гражулис В.А., Осипьян Ю.А. ЭПР в пластически деформированном кремнии. ЖЭТФ, 1970, т.58, с.1259-1263.

4. Гражулис В.А., Осипьян Ю.А'. Электронный парамагнитный резонанс, на дислокациях в кремнии. ЖЭТФ, 1971, т.60, с.1150-- II6I,

5. Grazhulis V.A. Application of EPR and electric measurements to study dislocation energy spectrum in silicon. J. de Phys., 1979, Colloque Сб, v.40, p.59-61.

6. Labush R., Schroter W. Electrical properties of dislocations in semiconductors. In: Dislocations.Collective Treatise ed. by P.N.R. Nabarro. North-Holland Publ. Company, 1978,p.10-31.

7. Schroter W., Scheibe E., Schoen H. Energy spectra of dislocations in silicon and germanium. J. Microscopy, 1980, v.118, p.23-34.

8. Hornstra J. Dislocations in the diamond lattice. J.Phys. Chem.Sol., 1958, v.5, p.129-141.

9. Хирт Дж.,■Лоте И. Теория дислокаций,- М.: Атомиздат, 1972, с.262-269.

10. Hirsch Р.В. The structure and electronic properties of dislocations in semiconductors. J.Microscopy, 1980, v.118,p.3-12.

11. Cockayne D.J.H., Ray I.L.F., Whelan M.J. Investigation of the dislocation strain fields using weak beams. Phil.Mag., 1969, v,20, p.1265-1270.

12. Ray I.J.F., Cockayne D.J.H. The dissociation of dislocations in silicon. Proc.R.Soc.(A), 1971, v.325, p.543-554.

13. Ray I.L.F., Cockayne D.J.H. Investigation of dislocation geometries in the diamond cubic structure. J.Microscopy, 1973, v.98, p.170-173.

14. Gomez A., Cockayne D.J.H., Hirsch P.В., Vitek V. Dissociation of near-screw dislocation in Ge and Si. Phil.Mag., 1975, v.31, p.105-113.15• Haussermann P., Schaumburg H. Extended dislocations in germanium. Phil.Mag., 1973, v.27, p.745-751.

15. Alexander H. Models of the dislocation structure. J. de Phys., 1979, Colloque сб, v.40, p.1-6.

16. Meingast R., Alexander H. Dissociated dislocations in Ge. Phys.St.Sol.(a), 1973, v.17, p.229-236.

17. Gomez A., Hirsch P.B. On the mobility of dislocations in germanium and silicon. Phil.Mag., 1977, v.36, p.169-179

18. Sato M., Sumino K. Motion of extended dislocations in silicon crystals observed by HVEM. Phys.St.Sol.(a), 1979, v.55, p.297-306.

19. Wessel K., Alexander H. On the mobility of partial dislocations in Si. Phil.Mag., 1977, v.35, p.1523-1526.

20. Northrup J.E., Cohen M.b., Chelikowsky J.R., Olsen A. Electronic structure of the unreconstructed 30° partial dislocation in silicon. Phys.Rev.B, 1981, v.24, р.4б23-4б28.

21. Hutchison J.b. Elucidation of dislocation core structures in silicon by high resolution electron microscopy. J. de Phys., 1983, Colloque 04, v.44, p.3-13.

22. Hirsh P.B. Resent results on the structure of dislocations in tetrahedrally coordinated semiconductors. J. de Phys., 1979, Colloque Сб, v.40, p.27-32.

23. Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников.-М.? Наука, 1978, с.20.

24. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел.-МЛ' Мир, 1983, с.294-325.

25. Alstrup I., Marklund S. The electron states associated with the core region of the 60° dislocation in silicon. Phys.St. Sol.(b), 1977, v.80, p.301-306.

26. Marklund S. Electron states associated with the core region of the 60° dislocation in silicon and germanium. Phys.St. Sol.(b), 1978, v.85, p.673-681.

27. Jones R. Electronic states associated with the 60° edge dislocation in silicon. Phil.Mag., 1977, v.35, p.57-64.

28. Jones R. Theoretical calculations of electron states associated vd.th dislocations. J. de Phys., 1979, Colloque Сб, v.40, p.33-38.

29. Jones R. Electronic states associated with the sixty-degre dislocation in germanium. Phil.Mag., 1977, v.36, p.677-683.

30. Hoffmann R. An extended Hiickel theory. I.Hydrocarbons. J. Chem.Phys., 1963, v.39, p.1397-1412.

31. Marklund S. Structure and energy levels of dislocations in silicon. J. de Phys., 1983, Colloque C4, v.44, p.25-35.

32. Brown R.A. Electron and phonon bound states and scattering resonances for extended defects in crystals. Phys.Rev., 1967, v.156, p.889-902.

33. Marklund S. Electron states associated with partial dislocations in silicon. Phys.St.Sol.(b), 1979, v.92, p.83-89.

34. Louie S.G. Hew localized-orbital method for calculating the electronic structure of molecules and solids: Covalent semiconductors. Phys.Rev.B, 1980, v.22, p.1933-1945.

35. Jones R., Marklund S. Structure and energy levels of the glide 60° partial in silicon. Phys.St.Sol.(b), 1980, v.101, p.585-589.

36. Метфессель 3., Маттис Д. Магнитные полупроводники,- М.: Мир, 1972, с.55.

37. Мотт Н.Ф, Переходы .металл-изолятор.- М.: Наука, 1979, с.160.

38. Hubbard J. Electron correlations in narrow energy bands II. The degenerate band case. Proc.R.Soc.(A), 1964, v.277,p.237-259.

39. Hubbard J. Electron correlations in narrow energy bands III. An improved solution. Proc.R.Soc.(A), 1964, v.281, p.401-419.

40. Cyrot M. Theory of Mott transition: applications to transition metal oxides. J. de Phys., 1972, v.33, p.125-134.

41. Uagaoka Y. Ferromagnetism in a narrow, almost half-filled S band. Phys.Rev., 1966, v.147, p.392-405.43. Ссылка 38, с.338.44» Cyrot M. Electronic properties of narrow energy bands. Phil. Mag., 1972, v.25, p.1031-1039.45. Ссылка 38, с.14.

42. Heine V. Dangling bonds and dislocations in semiconductors. Phys.Rev., 1966, v.146, p.568-574.

43. Grazhulis V.A., Kveder V.V., Mukhina V.Yu. Investigation of the energy spectrum and kinetic phenomena in dislocated Si crystals (I). Phys.St.Sol (a),1977, v.43, p.407-415.

44. Grazhulis V.A., Kveder V.V., Mukhina V.Yu. Investigation of the energy spectrum and kinetic phenomena in dislocated Si crystals(n). Microwave conductivity. Phys.St.Sol.(a), 1977, v.44, p.107-115.

45. Бычков Ю.А., ГорьковЛ.П., Дзялошинский И.E. О возможности явлений.типа сверхпроводимости в одномерной системе. ЖЭТФ, 1966, т.50, с.738-758.

46. Дзялошинский И.Е., Ларкин А.И. О возможных состояниях квазиодномерных систем. ЖЭТФ, 1971, т.61, с.791-800.

47. Lieb Е.Н., Wu P.Y. Absence of Mott transition in an exact solution of the short-range, one-band model in one dimention. Phys.Rev.Lett., 1968, v.20, p.1445-1448.

48. Булаевский Л.Н. Структурный (пайерлсовский) переход в квазиодномерных кристаллах. УФН, 1975, т.115, с.263-298.

49. Пайерлс Р. Квантовая теория твердых тел.-ГЛ. :ИЛ,1956, с.129-133.

50. Shchegolev I.F. Electric and magnetic properties of linear conducting chains. Phys.St.Sol.(a), 1972, v.12, p.9-45.

51. Anderson P.W. Absence of diffusion in certain random lattices.

52. Phys.Rev., 1958, v.109, p.1492-1505.

53. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллическихвеществах.-М.: Мир, 1982, т.1, стр. 25-32.

54. Мотт Н., Туз У. Теория проводимости по примесям. УФН, 1963, т.79, с.691-740.

55. Рыжкин И.А."Глубокие дислокационные состояния в германии и кремнии. ФТТ, 1979, т.21, с.1805-1812.

56. Осипьян Ю.А., Рыжкин Й.А. Спектр дислокационных состояний в полупроводниках. ЖЭТФ, 1980, т.79, с.961-973.

57. Read W.T. Theory of dislocations in germanium. Phil.Mag., 1954, v. 45, p.775-796.

58. Read W.T. Statistics of the occupation of dislocation acceptor centres. Phil.Mag., 1954, v.45, p.119-1128.

59. Usadel K., Schroter W. The influence of hybridization on the electronic states at dislocations in semiconductors. Phys.St.Sol.(Ъ), 1978, v.37, p.217-232.

60. Marklund S. On the core structure of the glide-set 90° and 30° partial dislocations in silicon. Phys.St.Sol.(Ъ), 1980, v.100, p.77-85.

61. Chelikowsky J.R. 30° partial dislocations in silicon: absence of electrically active states. Phys.Rev.Lett., 1982, v.49, p.1569-1572.

62. Шокли Б. Теория электронных полупроводников.-М.: ИЛ,1953,с.603,

63. Emtage P.R. Binding of electrons, holes and exitons to dislocations in insulators. Phys.Rev., 1967, v.163, p.865-872.

64. Baranskii P.I., Kolomoets V.V. The determination of the deformation potential constants in n-germanium. Phys.St. Sol.(b), 1971, v.45, K55-K59.

65. Arizumi Т., Yoshida A., Sawaki H. Uniaxial stress effect on (000) and (100) condaction band minima of germanium. Jap.J. Appl.Phys., 1969, v.8, p.700-703.

66. Landauer R. Bound states in dislocations. Phys.Rev., 1954, v.94, p.1386-1388.

67. Celli V., Gold A., Thomson R. Electronic states on dislocations in semiconductors. Phys.Rev.Lett., 1962, v.8, p.96-97.

68. Winter S. Bound electron states close to the conduction band in germanium due to 60° dislocations. Phys.St.Sol.(b), 1977, v.79, p.637-644.

69. Winter S. Electron states below the conduction band in germanium originating from dissociated 60°-dislocations. Phys.St.Sol.(b), 1978, v.90, p.289-293.

70. Teichler H. Effect of dislocation dissociation on the localized electron and hole states at screw dislocations in germanium. J. de Phys., 1979, Colloque c6, v.40, p.43-45.

71. Claesson A. Bound electron states in the strain field of a 60° dislocation in germanium. Phys.St.sol.(b), 1974, v.61, p.599-606.

72. Claesson A. Effect of disorder and long range strain field on the electron states. J. de Phys., 1979, Colloque Сб, v.40, p.39-41.

73. Бонч-Бруевич Б.JI. К теории электронных состояний, связанных с дислокациями. П. Винтовые дислокации. ФТТ, 1961, т.З, с. 47-52.

74. Бонч-Бруевич В.Л., Гласко Б.Б. К теории электронных состояний, связанных с дислокациями. I. Линейные дислокации. ФТТ, 1961, т.З, с.36-46. . .

75. Гражулис В.А., Осипьян Ю.А. Влияние дислокаций на спектр электронов в полупроводниках. ФТТ, 1969, т.II, с.505-508.

76. Guth W., Eaist W. Elecfcronenzustinde in Halbleiterverset-zungen. Phys.St.Sol.,, 1966, v.17, p.691-696.

77. Alexander H., Labusch R., Sander W. Electronen-spin-Rezonanz in verf ormtem Silizium. Sol.St.Commun., 1965, v.3, p.357-360.

78. Wohler P.D., Alexander H., Sander W. The annealing of the EPR-signal produced in silicon Ъу plastic deformation. J. Phys.Chem.Sol., 1970, v.31, p.1381-1387.

79. Schmidt U., Weber E., Alexander H., Sander W. On the magnetic properties of dislocations in silicon. Sol.St.Commun., 1974, v.14, p.735-739.

80. Альтшулер С.А., Козырев Б.М. Электронный парамагнитный резонанс соединений элементов промежуточных групп.- М.: Наука, 1972, с.70.

81. Weber Е., Alexander Н. EPR of dislocations in silicon. J. de Phys., 1979, Colloque сб, v.40, p.101-106.

82. Lepine D., Grazhulis V.A., Kaplan D. Spin-dependent recombination on dislocations in silicon. Proc. 13th Int.Conf. Phys.Semicond. Rome, 1976, p.1081-1084.

83. Gouyet J.P. Magnetic properties of dislocations. Spin pola-rons. J.Phys., 1976, Colloque Сб, v.40, p.107-109.

84. Erdman R., Alexander H. Photo-EPR of dislocations in silicon. Phys.St.Sol.(a), 1979, v.55, p.251-259.

85. White R.M., Gouyet J.P. Theory of spin-dependent effects in silicon. Phys.Rev.B, 1977, v.16, p.3596-3602.93» Bartelsen L. The EPR fine structure spectrum of dislocations in silicon. Phys.St.Sol.(Ъ), v.81, p.471-478.

86. Grazhulis V.A., Kveder V.V., Ossipyan Yu.A. and Lee Y.H., Kleinhenz R.L., Van Camp H., Scholes C.P., Corhett J.W. ENDOR of a dislocation center in a deformed silicon. Phys. Lett., 1978, v.66A, p.398-400.

87. Suezawa M., Sumino K., Iwaizumi M. ESR in plastically deformed silicon crystals. Inst.Phys.Conf.Ser., 1981, N59, p.407--501.

88. Dietz R.E., Merritt., Dingle., Hone D., Silverngel B.G. and Richards P.M. Exchange narrowing in one-dimensional systems. Phys.Rev.Lett., 1971, v.26, p.1186-1188.

89. Weher E., Alexander H. EPR of point defects in deformed silicon. Inst.Phys.Conf.ser., 1971, N31, p.266-271.

90. Grazhulis V.A., Kveder V.V., Ossipyan Yu.A. Investigation of the dislocation spin system in silicon as model of one-dimensional spin chains. Phys.St.Sol.(Ъ), 1981, v.103, P p.519-528.

91. Grazhulis V.A., Kveder V.V., Ossipyan Yu.A. Investigationof one-dimensional dislocation spin system in silicon single crystals.- Proc. XX Congress AMPERE. Tallin, 1978, p.285.

92. Абрагам А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов.- М. : Мир, 1972, т.1, с.613-618.

93. ЮЗ. Винокур В.М., Кравченко В.Я. Спектр ЭПР и спин-решеточная.релаксация дислокационных цепочек спинов. ФНТ, 1979, т.5, с. 645-655.

94. Kveder V.V., Ossipyan Yu.A., Schroter W., Zoth G. On theenergy spectrum of dislocations in silicon. Phys.St.Sol.(a),1982, v.72, p.701-713.

95. Ю5. Кведер В.В., Осипьян Ю.А. Исследование дислокаций в кремнииметодом фото-ЭПР. ЖЭТФ, 1981, т.80, с.1206-1216. 106. Broudy R.M. The electrical properties of dislocations in semiconductors. Adv.Phys., 1963, v.12, p.135-184.

96. Schroter W., Labusch R. Electrical properties of dislocations in Ge and Si. Phys.St.Sol., 1969, v.36, p.539-549.

97. Gallagher C.J. Plastic deformation of germanium and silicon. Phys.Rev., 1952, v.88, p.721-722.

98. Ellis W.G., Griener E.S. Production of acceptor centres in Ge and Si by plastic deformation. Phys.Rev., 1953, v.92, p.1061-1062.

99. Бардсли У. Влияние дислокаций на электрические свойства полупроводников. УФН, 1961, т.73, с.121-167.

100. Гиппиус А.А., Колесник Л.И. Влияние дислокаций на электрические и оптические свойства полупроводников.- В сб.: Дислокации и физические свойства полупроводников. Н., 1967,с.66.

101. Schroter W. Die elektrischen eigenschaften von versetzungen in germanium. Phys.St.Sol., 1967, v.21, p.211-224.

102. Осипьян Ю.А., Шевченко С.А. Влияние дислокаций на электрические свойства р -Германия. ЖЭТФ, 1973, т.65,с.698-704.

103. Weber Н., Schroter W., Haasen p. Electronenzustande an Versetzungen in Silizium. Helv.Phys.Acta, 1968, v.41, p.1255-1258.

104. Schroter W. Influence of dislocations on the Hall effect in silieon and germanium. J de Phys., 1979, Colloque Сб, v.40, p.51-57.

105. Labusch R., Schettler R. On the electronic states at dislocations in germanium. Phys.St.Sol. (a), 1972,v. 9, p,455-r468,

106. Ono H., Sumino K. Acceptors in n-type silicon crystals induced by plastic deformation. Jap.J.Appl.Phys., 1980, v.19, p.L629-L632.

107. Золотухин A. A., Милевский JI.C., Смолъский И.JI., Сидоров 10. A. Влияние атомов железа на электрические свойства пластически деформированного кремния. ФТП, 1972, т. 6, с. I96I-I965.

108. Еременко В.Г., Никитенко В.И., Якимов Е.Б. Исследование природы диодного эффекта на дислокациях в кремнии. ЖЭТФ, 1974,т.67, с.1149-1159.

109. Еременко В.Г., Никитенко В.И., Якимов Е.Б. К вопросу о механизме формирования диодного эффекта в кремнии под влиянием отдельной дислокации. ЖЭТФ, 1975, т.69, с.990-998.

110. Collet M.C. Recombination-generation centres caused by 60°-dislocations in silicon. J.Electrochem.Soc., 1970, v.117, p.259-261.

111. Mantovani S., del Pennino U. Edge dislocation behaviour in Au-n-silicon diodes. Phys.St.Sol.(a), 1975,v.30,p.747-754.

112. Mantovani S., Mazzega E., Valeri S., del Pennino u. Edge dislocation energy level in silicon. Phys.St.Sol.(a), 1978, v.50, p.K123-K126.

113. Mantovani S., del Pennino V., Valeri S. Energy band associated with dangling bonds in silicon. Phys.Rev.(b), 1980, v.22, p.1926-1932.

114. Гражулис В.А., Кведер B.B., Мухина В.Ю., Осипьян Ю.А. Исследование высокочастотной проводимости дислокации в кремнии. Письма в ЗЕЭТФ, 1976, т.24, с. 164-166.

115. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: a new method to characterize traps in semiconductors. J.Appl.Phys., 1974, v.45, p.3023-3032.

116. Kimerling L.C., Patel J.R. Defect states associated with dislocations in silicon. Appl.Phys.Lett., 1979, v.34, p.73-75.

117. Дроздов Н.А., Патрин А.А., Ткачев В.Д. Рекомбинационное излучение на дислокациях в кремнии. Письма в ЖЭТФ, 1976, т.23, с. 651-653.

118. Jaros М., Kirton M.J. Electrical properties of dislocation lines in silicon. Phil.Mag., 1982, v.46, p.85-88.132» Kos H.J., Neubert D. Two-step photoconductivity by dislocations in silicon. Phys.St.Sol.(a), 1977, v.44, p.259-264.

119. Mergel D., Labush R. Optical exitation of dislocation states in silicon. Phys.St.Sol.(a), 1982, v.69, p.151-158.

120. Patel J.R., Kimerling L.V. Dislocation energy levels in deformed silicon. Cryst.Res.Techn., 1981, v.16, p.187-195.

121. Mergel D., Labush R. Variable reconstruction of dislocation cores in Si. Phys.St.Sol.(b), 1982, v.114, p.545-551.

122. Mergel D., Labush R. Optical exitation of dislocation states in germanium. Phys.St.Sol.(a), 1977, v.41, p.431--438; ibid v.42, p.165-171.

123. Осипьян Ю.А., Тальяяский В.И., Шевченко С.А. Дислокационная СВЧ проводимость германия. ЖЭТФ, 1977, т.72, с.1543-1549.

124. Осипьян Ю.А., Тальянский В.И., Харламов А.А., Шевченко С.А. Дислокационная СВЧ проводимость германия. ЖЭТФ, 1979,т.76, с.1655-1660.

125. Ossipyan Yu.A. Dislocation microwave electrical conductivity of semiconductors and electron-dislocation spectrum. Cryst.Res.Techn., 1981, v.16, p.239-246.

126. Колюбакин А.И., Осипьян Ю.А., Шевченко С.А. О спектре дислокационных состояний пластически.деформированного германия П -типа. ЖЭТФ, 1979, т.77, с.975-987.

127. Kolubakin A.I., Shevchenko S.A. On the spectrum of dislocation states in germanium. Phys.St.Sol.(a), 1981, v.63,p.677-685.

128. Осипьян Ю.А., Прокопенко B.M., Тальянский В.И. Исследование СВЧ дислокационной проводимости в &е , легированном посредством облучения тепловыми нейтронами. Письма в ЖЭТФ, 1982, т.36, с.64-66.

129. Осипьян Ю.А., Прокопенко В.М., Тальянский В.И., Харалмов А.А., Шевченко.С.А. Анизотропия дислокационной СВЧ проводимостиri-Ge , Письма в ЖЭТФ, 1979, т.30, с. 123-125.

130. Осипьян Ю.А., Шевченко С.А. О дислокационной проводимости германия. Письма в ЖЭТФ, 1974, т.20, с.709-712.

131. Гражулис В.А., Мухина В.10., Осипьян Ю.А., Шевченко С.А. Исследование электропроводности и эффекта Холла в монокристаллах кремния с дислокациями. ЖЭТФ, 1975, т.68, с.21492158.

132. Якимов Е.Б., Ярыкин Н.А., Никитенко В.И. Исследование фо-тоэлектретного состояния в кристаллах кремния с высокой плотностью дислокаций. ФТП, 1980, т.14, с.295-301.

133. Lipson H.G., Burstein Е., Smith P.L. Optical properties of plastically deformed germanium. Phys.Rev., 1955,v.99,p.444--445.148,149150151152153154155156157158159160161

134. Barth W., Guth W. Absorpfcionsmessungen an plastik def ormtem germanium. Phys.St.Sol., 1970, v.38, р.К141-К144. Barth W., Elsaesser K.E., Guth W. The optical absorption of 60° dislocations in germanium, phys.St.Sol.(a), 1976, v.34, p.153-163.

135. Barth W., Elsaesse K.E., Guth W. The optical absorption of 60° dislocations in germanium. Phys.St.Sol.(a), 1976, v.34, p.153-163.

136. Barth W., Elsasser K. Polarization of the infrared absorption of dislocations in germanium. Phys.St.Sol., 1971, v.48, р.К147-К149.

137. Баженов А.В., Осепьян Ю.А., Штейнмая Э.А. Механизм рекомбинации на дислокациях в селениде кадмия. ФТТ, 1980, с. 389-394.

138. Классен Н.В., Осипьян Ю.А. Анизотропное поглощение поляризованного света в сульфиде кадмия, вызванное введением дислокаций. ФТТ, 1972, т.14, с.3694-3696.

139. Баженов А.В., Красильникова Л.Л. Дислокационное поглощение света в прямсзонных полупроводниках. ФТТ, 1984, т.26, с. 590-592.

140. КведерВ.В., Осипьян Ю.А., Шалынин А.И. Спин-зависимая рекомбинация на дислокационных.оборванных связях в кремнии. ЖЭТФ, 1982, т.83, с. 699-714.

141. Freeman Е.С., Paul W. Infrared vibrational spectra of rf-sputtered hydrogenated amorphous silicon. Phys.Rev.(B), 1978, v.18, p.4288-4300.

142. Феер. Дж. Электронная струкра доноров в кремнии,- В сб. Электронный спиновый резонанс в полупроводниках. М.:ИЛ,1962,с.7£ Хирш П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов.- М.: Мир, 1968, с.424.

143. Wada Т., Mizutani Т. Annealing effects of paramagnetic defects introduced near silicon surface» J, Phys.Soc.Jap., 1967, v.22, p.1060-1065.

144. Watkins G.P., Corbett J.W., Mc Donald R.S. Diffusion of oxygen in silicon. J.Appl.Phys., 1982, v.53, p.7097-7098.

145. Cheng L.J., Corelli J.C., Corbett J.W., Watkins G.D. 1.8-, 3.3-, and 3.9- hands in irradiated silicon: correlations with the divacancy. Phys.Rev., 1966, v.152, p.761-774.

146. Seeger A., Chik K.D. Diffusion mechanisms and point defects in silicon and germanium. Phys.St.Sol., 1968, v.29, p.455--542.

147. Бурбело M.-P.M., Давидовский Б.М., Максимюк П. А. Кинетика отжига вакансионных комплексов в монокристаллах кремния. ФТТ, 1978,.т.20, с.186-189.

148. Конорова Л. Ф., "'Дефекты, возникающие в кремнии при термической обработке. ФТТ, 1974, т.16, с.547-549.

149. Sah С.Т., Wang С.Т. Experiments on the origin of process-induced recombination centers in silicon. J.Appl.Phys.,1975, v.46, p.1767-1776.

150. Brodsky M.H., Title R.S. Electron spin resonance in amorphous silicon, germanium, and silicon carbide. Phys.Rev. Lett., 1969, v.23, p.581-585.

151. Uinomiya T. A dislocation model of the amorphous structure. Proc.Symp.Struct.Noncryst.Mater.Cambridge, Sept.20-24,1976.

152. Koizumi H., Ninomiya T. Dislocation model of amorphous germanium. J.Phys.Soc.Jap., 1978, v.44, p.898-904.

153. Thomas P.A., Kaplan D. Clustered versus distributed spins in amorphous silicon. in: AIP Conf.Proc., N31, Structure and exitation of amorphous solids. Williamsburg, Va., 1976, p.85-90.

154. Wosinski Т., Figelski T. Spin-dependent recombination at dislocations in silicon. Phys.St.Sol.(b), 1975, v.71, P.K73-K76.

155. Sumino K., Imai Mi Interaction of dislocations with impurities in. silicon crystals studied by in situ X-ray topography. Phil.Mag., 1983, v.47, p.753-766.

156. Ерофеев В.Н., Никитенко В.И., Половинкина В.И., Суворов Э В. Исследование особенностей рентгено-дифракционного контраста и дислокационных полупетель в кремнии. Кристаллография, 1971, т. 16, с.190-195.

157. Ярыкин Н.А., Электретное состояние пластически деформированных кристаллов кремния.: Автореф. Дисс. канд. физ.-мат.наук.-Черноголовка, 1982, 14 с.

158. Золотухин М.Н., Кведер В.В., Осипьян Ю.А. К вопросу об отжиге дислокационного сигнала ЭПР в кремнии. ЖЭТФ, 1981,т.81, с.299-307.

159. Cockayne D.J.H. A theoretical analysis of the weak-beam method of electron microscopy. Z.Naturforch., 1972, v.27a, p.452-460.

160. Cockayne D.J.H., Jenkins M.L., Hay I.L.F. The measurement of stacking-fault energies of pure face-centred cubic metals. Phil.Mag., 1971, v.24, p.1383-1392.

161. Aristov Y.V., Zolotukhin M.N., Kveder V.V., Ossipyan Yu.A., Snigireva I.I. and Khodos I.I. The effect of annealing on the dislocation dissociation in plastically deformed silicon. Phys.St.Sol.(a), 1983, v.76, p.485-491.

162. Pons D. Determination of the free energy of deep centers, with application to GaAs. Appl.Phys.Lett., 19 , v.37,p.413-415. •

163. Papaconstantopoulos D.A., Economou E.H. Calculations of the electronic properties of hydrogenated silicon. Phys.Rev. B,1981, v.24, p.7233-7246.

164. Pickett W.E. Symmetric relaxation of the hydrogen-saturated silicon vacancy. Phys. Re v. В, 1982, v.26, p.5650-5657.

165. Pandey K.C. Realistic tight-binding model for chemisorption: H on Si-and Ge (111). Phys.RevB, 1976, v.14, p.1557~1569.

166. Allan D.C., Joannopoulos J.D. Electronic states and total energies in hydrogenated amorphous silicon. Phys.Rev.B,1982, v.25, p.1065-1080.

167. Zellama K., Germain P., Squelard S., Bourdon В., Fontenille J., Danielou R. Possible configurational model for hydrogen in amorphous Si:H. An exodiffusion study. Phys.Rev.B, 1981, v.23, p.6648-6667.

168. Zolotukhin U.N., Kveder V.V., Ossipyan Yu.A., Sagdeev I.R. and Shalinin A.I. The effect of annealing and hydrogenation on the dislocation conduction in silicon. Phys.St.Sol.,to be publ.

169. Kveder V.V., Labush R., Ossipyan Yu.A. The frequency dependence of the dislocation conduction. Phys.St.Sol., to be publ.