Получение и исследование свойств висмутсодержащих многокомпонентных твердых растворов на основе соединений А3В5 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Лисицын, Сергей Викторович

• Лисицын, Сергей Викторович
• кандидат физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Лисицын, Сергей Викторович

ВВЕДЕНИЕ

ОГЛАВЛЕНИЕ

1. Обзор литературы и постановка задачи исследования.

1.1. Свойства и применения гетероструктур на основе соединений А3В

1.2. Многокомпонентные твердые растворы соединений А3В5.

1.3. Особенности фазовых равновесии и критические явления в многокомпонетных твердых растворах.

1 А. Применение гетероструктур на основе соединений А3В5.

1.5. Постановка задачи исследования.:.

Выводы по главе

2. Теоретические и 'модельные представления методики получения и исследования МТР InGaSbBi/InSb'.v.'.

2.1. Термодинамический анализ фазовых превращений в гетеросисте-мах на основе антимонида индия!.!.".'.:.'.:.

2.2. Модели расчета фазовых равновесий в многокомпонентных системах соединений А3В5.

2.3. Расчет фазовых диаграмм в многокомпонентных системах на основе условий равновесия жидкой и твердой фаз.

Выводы по главе

3. Технологические аспекты процессов получения и исследования многокомпонентных гетероструктур.;::.!.

3.1. Аппаратурное оформление процесса 3111 1 для получения многокомпонентных твердых растворов соединений А^5.

3.2. Методы анализа поверхности, применяемые для изучения свойств многокомпонентных гетероструктур на основе соединений А3В5.

3.2.1. Метод оже-спектроскопии.

3.2.2. Метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) 74 Выводы по главе

4. Расчет фазовых равновесий в четверной системе InGaSbBi/InSb

4.1. Расчет линий ликвидус в двойных системах InSb и GaSb.

4.2. Расчет поверхностей ликвидус и солидус тройной системы In-Ga-Sb.

4.3. Расчет поверхностей ликвидус и солидус в четверной системе InGaSbBi

4.4. Изучение распределения содержания компонентов по глубине гетероструктур InGaSbBi/InSb. Ill

Выводы по главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и исследование свойств висмутсодержащих многокомпонентных твердых растворов на основе соединений А3В5»

Одной из важнейших составляющих современного развития электроники является разработка теоретических представлений и эффективных технологий получения совершенных полупроводниковых материалов и приборов на их основе. Возрастающую роль в оптоэлектронике играют многокомпонентные твердые растворы (МТР) на основе соединений А3В5 [1]. Интерес к ним вызван возможностью формирования структурно совершенных гетеропереходов за счет одновременного согласования параметров решетки и коэффициентов термического расширения сопрягающихся материалов, а также увеличением степеней свободы твердых растворов, позволяющим синтезировать элементную базу приборов с заданными свойствами [2].

Для решения ряда проблем, связанных с технологией получения твердых растворов на основе InSb и GaAs или GaP, одним из путей является внедрение нового компонента в эпитаксиальные слои, которое позволяет компенсировать структурные и термодинамические несоответствия. В качестве одного из таких компонентов применяют в последнее время висмут.

Наличие висмута в расплаве позволяет обеспечить высокую морфологическую стабильность фронта кристаллизации и уменьшить плотность дефектов, а также дает возможность формировать заданную энергетическую структуру кристалла и управлять фотоэлектрическими характеристиками твердых растворов. Указанные преимущества наиболее эффективно могут быть реализованы в условиях метода зонной перекристаллизации градиентом температур (ЗПГТ).

Метод ЗПГТ наиболее технологичен среди жидкофазных эпитаксиальных методов, так как он обладает высокой равновесностью процесса, позволяет использовать подпитку растущего кристалла и получать эпитаксиальные слои с заданным распределением компонентов как варизонные, так и однородные по составу.

По экспериментальным исследованиям висмутсодержащих гетероструктур в литературе имелась крайне скудная информация, об исследовании методами оже-электронной и фотоэлектронной спектроскопии вообще нет. Поэтому диссертационная работа является актуальной и представляет интерес, как с точки зрения применения метода ЗПГТ для выращивания МТР на основе висмута, так и с практической точки зрения.

Цель и задачи диссертационного исследования

Целью работы является получение новой группы полупроводниковых твердых растворов соединений A,nBv методом зонной перекристаллизации градиентом температуры, а также комплексное теоретическое и экспериментальное исследование свойств висмутсодержащих гетероструктур. Для реализации поставленной цели решались следующие задачи:

- расчет фазовых равновесий на основе модели регулярных растворов в квазихимическом приближении;

- выбор и разработка технологии выращивания висмутсодержащих четырехкомпонентных гетероструктур;

- разработка математической модели построения фазовых диаграмм МТР на основе соединений А3В5;

- расчет и экспериментальное построение поверхностей ликвидус и солидус четырехкомпонентных гетероструктур;

- исследование структурного совершенства полученных твердых растворов методами ЭОС и РФЭС с применением послойного травления;

- построение карты изобат для прогнозирования процесса кристаллизации полученных гетероструктур.

Научная новизна диссертационного исследования

1. Разработана термодинамическая модель расчета фазовых равновесий многокомпонентный твердый раствор - многокомпонентный жидкий раствор с использованием квазихимического приближении регулярных растворов применительно к условиям выращивания эпитаксиальных слоев в поле температурного градиента.

2. На основе полученных уравнений фазового равновесия построены математические уравнения линий и поверхностей ликвидус и солидус для МТР.

3. Впервые построены и исследованы поверхности ликвидуса и солидуса системы InGaSbBi методом минимума энергии Гиббса. Предложен оптимальный состав для получения совершенных структур на основе висмута.

4. Теоретически и экспериментально исследованы фазовые диаграммы гетеросистемы InGaSbBi/InSb в температурном диапазоне 600-1000 К.

5. Получены методом ЗПГТ и исследованы поверхностно-чувствительными методами (оже- и фотоэлектронной спектроскопии ) новые четырехкомпонентные твердые растворы InGaSbBi на подложках InSb. Совместное применение данных методов позволило однозначно предсказать тенденцию кристаллизации твердых растворов InGaSbBi.

Практическая значимость результатов исследования

1. Представленная в диссертационной работе методика расчета гетерогенных равновесии, а также компьютерное моделирование эксперимента позволяют прогнозировать результаты эпитаксии многокомпонентных твердых растворов соединений АП|ВУ, проводить корректировку и оптимизацию технологического процесса формирования полупроводниковых гетероструктур.

2. Разработана методика построения поверхностей ликвидус и солидус, а также карт изотерм поверхности и изобат энергии Гиббса системы, позволяющие однозначно определять оптимальный состав гетероструктур для получения идеальных твердых растворов с заданными фотоэлектрическими свойствами.

3. Даны четкие рекомендации по составу и условиям эпитаксии четырехкомпонентного твердого раствора InGaSbBi. Показан механизм влияния висмута на формирование гетероструктур и их свойства.

4. Разработан программный комплекс для получения и обработки фотоэлектронных спектров, улучивший работу спектрометра СЭР-1.

5. Получены экспериментальные результаты, позволяющие прогнозировать процесс кристаллизации твердых растворов во время эпитаксиального роста пленок на подложках соединений А3В5.

Достоверность научных положений и результатов исследования

Достоверность результатов обеспечивается использованием хорошо зарекомендовавших себя аналитических и численных методов математики, физики, физической химии, строгой обоснованностью приближений в описании моделей твердого раствора, использованием поверхностно-чувствительных методов исследования (оже- и фотоэлектронной спектроскопии), согласованием экспериментальных результатов с предсказанными теоретически.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Термодинамическое описание фазового равновесия на основе модели квазирегулярных растворов, основанное на квазихимическом приближении регулярных растворов, которое позволяет определить исходные данные для получения твердых растворов требуемых составов методом ЗГТГТ.

2. Способ эпитаксии из жидкой фазы в поле температурного градиента, позволяющий получать висмутсодержащие четырехкомпонентные твердые растворы InGaSbBi на подложках InSb с заданным распределением компонент и высоким кристаллическим совершенством гетероструктуры.

3. Математическая модель построения линий и поверхностей солидуса и ликвидуса на основе уравнений, описывающих фазовые равновесия в многокомпонентных гетероструктурах.

4. Методика построения карты изобат, позволяющая прогнозировать выделение закристаллизовывающихся фаз в процессе роста пленки на подложке, показала возможность теоретического предсказания процесса кристаллизации МТР.

Апробация и внедрение результатов исследования

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на семинарах кафедры физики СевКавГТУ и кафедры физики ВИЮРГТУ, 1-й, 2-й и 3-й международных научно-технических конференциях «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2001, 2002, 2003 гг.), на девятой и десятой научно-технических конференциях с участием зарубежных специалистов «Вакуумная наука и техника» (Судак, 2002, 2003 гг.), XXXI и XXXII научно-технических конференциях СевкавГТУ по результатам работы ППС, аспирантов и студентов (Ставрополь 2001, 2003).

Работа проводилась в рамках научного направления, принятого на кафедре: «Исследование межфазных границ раздела в системах различной химической природы» номер договора С53/31.

Публикации

По результатам исследований опубликовано 15 печатных работ, в которых изложены основные положения диссертации, в том числе 12 статей, из них 3 опубликованы в реферируемых изданиях, а именно: 2 статьи в Известиях Вузов, Северо-Кавказский регион. Технические науки, г. Новочеркасск; 1 статья в Известиях Вузов «Физика», Томск. Основные результаты работы получены автором самостоятельно.

Структура и объем работы

Диссертация изложена на 171 печатной странице текста, состоит из введения, четырех глав, заключительных выводов, списка используемой литературы из 172 наименований и трех приложений. Диссертация содержит 38 рисунков и 14 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Лисицын, Сергей Викторович

Основные выводы работы

1. Многокомпонентные твердые растворы соединений А3В5 нашли широкое применение в современной электронике в качестве элементной базы инжекционных лазеров, светодиодов и фотодетекторов. Четырехкомпонентные гетероструктуры позволяют управлять шириной запрещенной зоны и дают возможность согласовывать коэффициент термического расширения слоя и подложки.

2. На основе модели регулярных растворов в квазихимическом приближении, построена математическая модель для расчета фазовых равновесий тройных соединений. Далее, развивая эту модель получены, уравнения для расчета фазовых равновесий в четырехкомпонентных системах. В общем случае фазовые равновесия в многокомпонентных растворах описаны системой нелинейных уравнений = которая была решена методом

Ньютона. На основе этих данных была составлена программа на Delphi, для расчета фазовых равновесий.

3. Предложена расчетная схема для построения фазовых диаграмм по принципу минимума энергии Гиббса системы. Определяя коэффициенты парного взаимодействия и область минимума энергии Гиббса системы, показана возможность описания процесса кристаллизации расплава. Получены математические выражения для нахождения линии ликвидус бинарного соединения; поверхностей ликвидус и солидус тройных систем, а также четырехкомпонентных гетероструктур.

4. Разработано и сконструировано технологическое оборудование, управляемое ЭВМ, которое позволяет поддерживать в реакционной камере установки "Радуга" однородный нагрев с регулируемым градиентом температуры, удовлетворяющим требованиям ЗПГТ. Конструкция кассет сдвигового типа позволила совместить в одном технологическом процессе гомогенизацию расплава, насыщение с подложки, вдавливание расплава в "сэндвич" и послеростовой сдвиг подложки, а также свести до минимума испарение летучих компонентов расплава.

Разработана методика получения многокомпонентных твердых растворов на основе соединений А3В5 в поле температурного градиента. Выбраны оптимальные температурно-временные режимы получения висмутсодержащих ЧТР методом ЗПГТ. С помощью данной методики получены висмутсодержащие гетероструктуры InGaSbBi/InSb.

5. Разработан комплекс программ для управления спектрометром СЭР-1 и математической обработки экспериментальных данных на базе IBMPC/AT, что позволило упростить и сделать более наглядной работу со спектрами и их обработкой (полученные пики можно сохранить как в графическом, так и в математическом виде для дальнейшего использования, предусмотрена возможность вывода на печать результатов математической обработки линии спектра и (или) сохранение их в отдельном файле на диске для последующей печати или дополнительной обработки), а также однозначно определить относительную интенсивность и характер пика.

6. Проведено комплексное экспериментальное исследование гетероструктур методами РФЭС, и ЭСО. Получены однозначные данные о составе и структуре исследуемых образцов. Определен качественный и относительный количественный состав гетероструктур; представлены распределения элементов по глубине образцов, а так же определены химические соединения, образуемые элементами гетероструктур. Результаты исследования позволили выбрать твердый раствор, более всего отвечающий требованиям по получению и применению многокомпонентных гетеструктуруктур - InGaSbBi/InSb.

7. Аналитически получено выражение для энергии Гиббса твердой сурьмы. Построены линии ликвидус двойных системы InSb и GaSb, которые практически совпали с линиями, взятыми из литературных источников. Отклонения координат точек эвтектик составило всего 5-10 %. Полученное выражение энергии Гиббса для твердой сурьмы, можно считать универсальным в пределах погрешности эксперимента, что позволяет применять найденное выражение для энергии Гиббса твердой сурьмы и для многокомпонентных систем.

8. В тройной системе InGaSb построены линии ликвидус и солидус по данным диаграмм приложения 3. Результатом этого построения явились две поверхности тройной системы — ликвидус и солидус. Путем нахождения точек пересечения линий ликвидус, вычисленных на основе кристаллизации твердого раствора GaSb-InSb эквимолярного состава, и линий ликвидус, вычисленных на основе кристаллизации Sb, построена эвтектическая линия на поверхности ликвидус тройной системы от эвтектики GaSb-Sb до эвтектики InSb-Sb.

Показана область расплавов для выращивания монокристаллов Sb.

Анализ построенной поверхности солидус тройной системы показал наличие широкой полосы твердых растворов GaSb-InSb, температуры плавления которых понижаются как в сторону сурьмы, так и в сторону боковой линии Ga-In, то есть наличие хребта с последовательно понижающейся температурой от 998 до 798 К. Диаграмма поверхности солидус показывает широкие возможности варьирования температуры плавления твердых растворов на основе GaSb-InSb.

9. На основе полученных данных по тройной системе построены изотермы ликвидуса и солидуса тройной системы Ga-In-Sb. Полученные схемы дают вполне однозначный ответ на рекомендации по составу жидкой фазы для системы Ga-In-Sb. Указана область, наиболее благоприятная для получения твердых растворов Ga-In-Sb.

10.Построены поверхности ликвидус и солидус четырехкомпонентной системы InGaSbBi. Построенная часть поверхности солидус позволяет дать рекомендации по выбору мольной доли висмута в четверной системе. Сравнение поверхности ликвидус четверной системы с поверхностью ликвидус тройной системы показывает, что введение 0,04 мол. доли висмута в шихту уменьшает температуру поверхности на 5-10 К. Установлено, что температура поверхности солидус от энергий смешения не зависит.

Построенная часть поверхности солидус позволяет сделать однозначный вывод - введение Bi в тройную систему InGaSb уменьшает температуру кристаллизации и ширину области концентраций Sb, в которой твердые растворы (InSb)i.x(GaSb)x еще существуют. Из области существования плоской части поверхности солидус следует, что содержание Bi должно быть менее 0,07 мол. доли. При XBi < 0,05 мол. доли технология получения гетероструктур будет более надежной.

11.Предложен метод расчета изобат по энергиям Гиббса гетероструктур, на основе которого экспериментально получена и построена карта изобат, позволяющая предсказать выкристаллизовывающиеся фазы в процессе кристаллизации твердых растворов. На основе полученных результатов показана тенденция образования и порядок выделения всех твердых фаз, возможных для данной гетероструктуры. Экспериментальные результаты для гетероструктур InGaSbBi, полученные методами РФЭС- и ОЖЕ-спектроскопии хорошо согласуются с рассчитанными по предлагаемой методике.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Лисицын, Сергей Викторович, 2003 год

1. Осинский В.И., Привалов В.И., Тихоненко О .Я. Оптоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках. - Минск: Наука и техника, 1981.-207 с.

2. Благин А.В. Кристаллизация многокомпонентных полупроводников в градиентном температурном поле и их свойства: Автореферат дис. док. физ.-мат. наук. — Ставрополь, 2002.

3. Алферов. Ж.И. Двойные гетероструктуры: концепция и применения в физике, электронике и технологии. // УФН т 172, 2002. №9. С. 10681087.

4. Алферов Ж.И. Полупроводниковые гетероструктуры. // Физика и техника полупроводников. Т. 11, 1977. №11. С. 2072-2083.

5. Лозовский В.Н., Лунин Л.С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений А3В5 // Новые материалы оптоэлектроники. Ростов-н/Д, 1992, 192 с.

6. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах // Квантовая электроника. Т. 8, 1976. № 7. С. 1381-1383.

7. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Исмаилов И. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов. // Итоги науки и техники. Сер. Радиотехника. Т.21, № 3, с. 115.

8. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М., 1985. 160 с.

9. Бублик В.Т., Морозов А.Н., Освенский В.Б. и др. Расчет области гомогенности арсенида галлия // Кристаллография. Т.24, №6, 1979. -С. 1230.

10. Бестаев М.В., Гацоев К.А. и др. Инжекционные лазеры на основе монокристаллов соединений PbSe-SnSe и PbTe-SnTe // Изв. вузов. Северо-Кавкаский регион. Естественные науки. 1997, №1. С. 48-53.

11. Батура В.П., Вигдорович В.Н., Селин А.А. Четырехкомпонентные твердые растворы соединений А3В5 перспективные материалы оптоэлектроники. Зарубежная электронная техника. М., 1980. - С.3-52.

12. Onabe К. Unstable regions in III-V quaternary solid solutions composition plane calculated with strictly regular solution approximation. // J. Appl. Phys. V.21,№ 6,1982.-P. 323-325.

13. Долгинов JI.M., Ибрахимов H., Мильвидский М.Г. и др. Высокоэффективная электролюминесценция в GaxIni.xAsi.yPy // ЛФТП, Т.9, № 7, 1975.-С. 1319-1321.

14. Богатов А.П., Долгинов Л.М., Елисеев П.Г. и др. Излучательные характеристики лазерных гетеростуктур на основе InP-GalnAsP // ФТП. Т. 9, №10, 1975. С. 1956-1961.

15. Долгинов Л.М., Дракин А.Е., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. и др. Высокоэффективные светодиоды на GalnAsP/InP // Квантовая электроника. Т.5, №11, 1978. С. 2480-2481.

16. Nilshi Н., Yane N., Nishitani Y. Self-aligned structure InGaAsP/InP on lasers //Ibid. V.35, 1979. P. 232-285.

17. Лозовский B.H., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. - 232 с.

18. Акчурин Р.Х., Жегалин В.А., Сахаров Т.В., Серегин С.В. Получение многослойных гетероструктур на основе арсенида-антимонида-висмута индия методом «капиллярной» жидкофазной эпитаксии. // Письма в ЖТФ. Т. 23. 1997. №7. С. 51-55.

19. Благин А.В. Физико-химические основы получения многокомпонентных висмутсодержащих гетероструктур электроники: Науч.-мет. пособие/ Волгодонский ин-т. Новочеркасск: ЮРГТУ, 2001. 42 с.

20. Кристаллохимический аспект легирования антимонида индия висмутом в условиях ЖФЭ/ Акчурин Р.Х., Зиновьев В.Г., Кузьмичева Г.М., Уфимцев В.Б.// Кристаллография. 1982. Т.27. Вып. 3. С. 561-565.

21. Эпитаксиальный рост InAsi.x.ySbxBiy на подложках из InSb из висмутовых растворов/ Акчурин Р.Х., Сахаров Т.В, Тарасов А.В., Уфимцев В.Б // Н.М. Т.28, 1992. С. 502-506.

22. Osborn G.S. J. Vac. Sci. Technol. BI, 2, 379 (1983).

23. Акчурин P.X., Акимов O.B. Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAsi.x.ySbxBiy/InSb: расчет некоторых физических параметров // Физика и техника полупроводников, 1995. Т.29. Вып. 2. С. 362-369.

24. Olsen G.N., Nuese C.J., Smith R.T. The effect of elastic strain on energy band gap lattice parameter in III-V compounds. J. Appl. Phys., 1978, V.49, №11, P.5523-5529.

25. Stringfellow G.B., Green P.E. Liquid Phase Epitaxial Growth of InAsjxSbx// J. Electrochem. Soc. 1971, V.l 18. P. 805-810.

26. Селин A.A., Ханин B.A., Вигдорович B.H. Термодинамический расчет фазовых равновесий для многокомпонентных твердых растворов с эквиатомным катионно-анионным соотношением. // Докл. АН СССР. Т. 252, №2, 1960.-С. 406-410.

27. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах / А.И. Казаков, В.А. Мокрицкий, В.Н. Романенко, Л. М. Хитова. -Металлургия, 1987. 136 с.

28. Onabe К. Thermodynamics of type AxBi„xCyBi.y III-V quarternary solid solution // J. Phys. Chem. Solids. V. 43,№ 11,1982.-P. 1071-1086.

29. Stringfellow G.B., Green P.E. Calculation of III-V ternary phase diagrams: InGaAs and InAsSb // J. Phys. Chem. Solids. V. 30, № 10, 1969. P. 1779-1791.

30. Особенности расчета фазовой диаграммы висмутсодержащих твердых растворов соединений А3В5 / В.И. Ратушный, Л.В. Благина, А.П.

31. Труфманов, П.И. Разумовский. Тр. 5-й Всерос. науч.-техн. конф. с международным участием. Таганрог, 1998. - С. 46.

32. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Аскарян Т.Г. Термодинамический анализ устойчивости пятикомпонентных гетероструктур соединений А3В5 // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. Т. 25, 1989. С. 540-546.

33. Davis L.E., MacDonald N.C. et al., Handbook of Auger Electron Spectroscopy, 2nd edition, Physical Electronics inc., Eden Prarie, Minn, 1976.

34. Sommerjai G., Chemistry in Two Dimensions: Surfaces, Cornell University Press, Ithaca, New York, 1981.

35. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д. Бриггса, М.П. Сиха.- М.: Мир, 1987. 600 с.

36. Фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками / Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина, Е.Р. Линькова, В.Я. Алешкин, И.А. Карпович, Д.О. Филатов. // Фтп., 1997. Т.31, №9. С. 1100-1105.

37. Андреев В.М. Гетероструктурные солнечные элементы. // Фтп, 1999. Т.ЗЗ, №9.

38. Гетероструктуры в системе InGaAs/ InP с напряженными квантовыми ямами и квантовыми точками (к = 1,5-1,9 мкм). / З.Н. Соколова, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря. // Фтп, 1999. Т. 33, №9.

39. Самоорганизующиеся наноразмерные кластеры InP в матрице InGaP/GaAs и InAs в матрице InGaAs/InP / Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, О.В. Коваленков, Д.А. Лившиц, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. // Фтп, 1999. Т.ЗЗ, № 7.

40. Термоотжиг дефектов в гетероструктурах InGaAs/GaAs с трехмерными островками. / М.М. Соболев, И.В. Кочнев, В.М. Лантратов, Н.А. Берт, Н.А. Черкашин, Н.Н. Леденцов, Д.А. Бедарев. // Фтп, 2000. Т.34, №2.

41. Лазерная генерация в вертикальном направлении в структурах InGaN/GaN/AlGaN с квантовыми точками InGaN / И.Л. Крестников, А.В.

42. Сахаров, В.В. Лундин, Ю.Г. Мусихин, А.П. Карташова, А.С. Усиков, # А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов, И.П. Сошников //1. Фтп, 2000. Т.34, №4.

43. Свойства гетеролазеров на основе InGaAsP/InP с широким мезаполосковым контактом / Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов // Фтп, 2000. Т.34, №7

44. Исследование пороговых характеристик InGaAsP/InP-гетеролазеров (X = 1:55 мкм) / Г.Г. Зегря, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов // Фтп, 2001. Т.35, №8.

45. Рекордные мощностные характеристики лазеров на основе InGaAs / AlGaAs / GaAs-гетероструктур / Д.А. Лившиц, А.Ю. Егоров, И.В. Кочнев , В.А. Капитонов, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов, Т.А. Налет, И.С. Тарасов // Фтп, 2001. Т.35, №3.

46. Влияние легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства гетероструктур GaAs/InAs, полученных газофазной эпитаксией / Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов // Фтп, 2001. Т.35, №1.

47. Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7-3.0 мкм (Т = 77 К) / Т.Н. Данилова, А.П. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев //

48. Фтп, 1998. Т.32, №2. С. 241-244.

49. Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах InGaAsP / Л.С. Вавилова, А.В. Иванова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, И.С. Тарасов, И.Н. Арсентьев, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, Н.А. Пихтин, Н.Н. Фалеев // Фтп, 1998. Т.32, №6. С. 658-662.

50. Твердые растворы InGaAsSb на основе InAs, легированные гадолинием, для светодиодов в спектральной области 3-5 мкм / Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин1. Фтп, 1999.Т.ЗЗ,№8.

51. И.А. Андреев, Е.В. Куницына, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев Длинноволновые фотодиоды на основе твердых растворов Gaj. xInxAsySbi.y с составом вблизи границы области несмешиваемости // Фтп, 1999. Т.ЗЗ, №2.

52. Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb / InAsSbP и InAs / GalnAsSb / Г.Г. Зегря, М.П. Михайлова, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев // Фтп, 1999. Т.ЗЗ, №3.

53. Бистабильность электролюминесценции в двойной гетероструктуре II типа AlGaAsSb/InGaAsSb / Б.Е. Журтанов, К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, Т.И. Воронина, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев // Фтп, 1999. Т.ЗЗ, №3

54. Электролюминесценция светодиодов А=3,3-4,3 мкм на основе твердых # растворов InGaAs и InAsSbP в интервале температур 20 180 °С / М.

55. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев{, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин // Фтп, 2000. Т.34, №1.

56. Перестраиваемый лазер на основе InAsSb/InAsSbP с высокой направленностью излучения в плоскости р п-перехода / А.П. Астахова, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев // Фтп, 2000. Т.34, №9.

57. J1.C. Вавилова, В. А. Капитонов, А.В. Мурашова, И.С. Тарасов Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов InGaAsP в области неустойчивости // Фтп, 2000. Т.34, №11.

58. Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие в спектральной области 3-4 мкм. Часть I // Фтп, 2000. Т.34, №11.

59. К.Д. Моисеев, А.А. Ситникова, Н.Н. Фалеев, Ю.П. Яковлев Разъединенные гетероструктуры II типа InAs/Galno.nAso^Sb с резкой планарной границей раздела // Фтп, 2000. Т.34, №12.

60. Уширение линии генерации в перестраиваемых током лазерах на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb/InAsSbP / А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, Р. Кубат, С. Цивиш, Ю.П. Яковлев // Фтп, 2000. Т.34, №12.

61. Одномодовый перестраиваемый на 100 А лазер на основе , InAsSb/InAsSbP (3,2 мкм) / А.П. Данилова, А.Н. Именков, Н.М.

62. Колчанова, С. Цивиш, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев // Фтп, 2000. Т.34, №2.

63. Фотолюминесцентные и электролюминесцентные свойства спонтанно формирующихся периодических InGaAsP-структур / Л.С. Вавилова, В.А. Капитонов, Д.А. Лившиц, А.В. Лютецкий, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, И.С. Тарасов // Фтп, 2000. Т.34, №3.

64. Спектральные характеристики лазеров на основе двойных « гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (А. = 3,0-3,6 мкм) / М. Айдаралиев,

65. Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. * Стусь, Г.Н. Талалакин, Т. Beyer, R. Brunner // Фтп, 2000. Т.34, №4.

66. Сухорукова М.В., Скороходова И.А., Хвостиков В.П. Исследование ультратонких слоев AlxGai.xAs методом эллипсометрии. // Фтп, 2000. Т.34, №1.

67. Лазеры на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/ InAsSbP (к = 3,0-3,3 мкм) для диодно-лазерной спектроскопии / М. Айдаралиев, Т. Beyer, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин // Фтп, 2000. Т.34, №7.

68. Мощные лазеры (X, = 3:3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/ InAsSbP / М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин // Фтп, 2001. Т.35, №10.

69. Эпитаксиальный рост, электронные свойства и фотокатодные применения напряженных псевдоморфных слоев InGaAsP/GaAs / В.Л. Альперович, Ю.Б. Болховитянов, С.И. Чикичев, А.Г. Паулиш, А.С. Терехов, А.С. Ярошевич // Фтп, 2001. Т.35, №9.

70. Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие в спектральной области 3-4 мкм / Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, Ю.П. Яковлев // Фтп, 2001. Т.35, №12.

71. Гетеропереходы II типа в системе InGaAsSb/GaSb: » магнитотранспортные свойства / Т.И. Воронина, Б.Е. Журтанов, Т.С.

72. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев // Фтп, 2001. Т.35, №3.

73. Сверхрешетка кластеров мышьяка в арсениде галлия, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре / В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, А.Е. Куницын, Ю.Г. Мусихин, В.В // Фтп, 1998. Т. 32, №10, с. 1161-1164.

74. Механизмы распада твердого раствора InGaAlAs, стимулированного • квантовыми точками InAs / А.Ф. Цацульников, Б.В. Воловик, Д.А.

75. Бедарев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. * Малеев, Ю.Г. Мусихин, В.М. Устинов, Н.А. Берт, П.С. Копьев, Д.

76. Бимберг,Ж.И. Алферов // Фтп, 2000. Т. 34, №3.

77. Исследование квантовых ям InxGaj.xAs/GaAs методами низкотемпературной фотолюминесценции и рентгеновской дифрактометрии / С.В. Евстигнеев, P.M. Имамов, А.А. Ломов, Ю.Г. Садофьев, Ю.В. Хабаров, М.А. Чуев=, Д.С. Шипицин // Фтп, 2000. Т. 34, №6.

78. Olsen G.H., Zamerowski T.J. // Progr. Cryst. Growth Charact., №2, p. 309, 1979.

79. Panich M.B. // Progr. Cryst. Growth Charact., V. 12, № 1, 1986.

80. Razeghi M. The MOCVD challenge. Inst. Phys. Publ., Bristol, 1995, v. 2.

81. Nakajima K. GalnAsP Alloy Semicond. J. Wiley & Sons, Ltd. London, 1982, p. 43.

82. Nadezhdinski A.I., Prokhorov A.M. // Proc. SPIE, №2, p. 1724, 1992.

83. Popov A., Baranov A., Sherstnev V., Yu. Yakovlev, Scheumann В., Mucke R., Werle P. // Progr. and Abstr. 4th Int. Symp., Freiburg, 1994.

84. Baranov A.N., Imenkov A.N., Sherstnev V.V., Yakovlev Yu.P. // Appl. Phys. Lett. V.64, p. 2480, 1994.

85. Aidaraliev M., Zotova N.V., Matveev B.A., // Semicond. Sci. Technol., № 2, p. 1575, 1993.

86. Choi H.K., Turner G.W., Eglash S.J., // Appl. Phys. Lett., № 65, p. 2251, » 1994.

87. Zhang J.H. // Appl. Phys. Lett., № 66, p. 118, 1995.

88. Faist J., Capasso F., Sivko D.L., Sirtori C., Hutchinson A.L., // Science, V. 264, p. 553, 1994.

89. Nadezhdinski A.I., Prokhorov A.M. Applications Tunable Diode Lasers // SPIE, V. 1724, 1992, p. 2.

90. Kavaya M. Laser Focus World, N 1, p. 27, 1991.

91. Lucas J. // Infr. Phys., V. 25, N 1,2, p. 227, 1985.

92. Pierson R.H., Fletcher A.N. // Analytical Chem., V. 28, N 8, p. 1218, 1956.

93. Баранов A.H., Именков A.H., Капранчик О.П., Лит-вак A.M. // Письма ЖТФ, Т. 16, №19, 1990.

94. Баранов А.Н., Гребенщикова Е.А., Джуртанов Б.Е., Данилова Т.Н. // Письма ЖТФ, Т. 14, вып. 20, с. 1839, 1988.

95. DeWinter J.C., Pollack М.А.,. Srivastava А.К, Zyskind J.L. // J.Electron. Mater., V. 14, № 6, p. 729, 1985.

96. Андреев И.А., Афраилов M.A., Баранов A.H., Данильченко В.Г., Мирсагатов М.А. // Письма ЖТФ, Т. 12, вып. 21, с. 1311, 1986.

97. Tournie Е., Lazzari J.-L., Villemain Е., Joullie А. // Electron. Lett., V. 27, № 14, p. 1237, 1991.

98. Hasenberg T.C., Miles R.H., Kost A.R., West L. // IEEE Quant. Electron, V. 33, p. 1403, 1997.

99. Baranov A.N., Bertru N., Cumminal Y., Boissier G. // Appl. Phys. Lett., V. 71, p.735, 1997.

100. Meyer J.R., Homan C.A., Bartoli F.J. // Appl. Phys. Lett., V. 67, p. 757, 1955.

101. Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Ершов О.Г., Яковлев Ю.П. // ФТП, №30, с.399, 1996.

102. Михайлова М.П., Титков А.Н. // Semicond. Sci. Techn., V. 9, p. 1279, 1994.

103. Воронина Т.Н., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д. // ФТП, №30, с. 985, 1996.

104. Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д. // ФТП, №31, с. 897,1997.

105. Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д. // ФТП, №32, с. 215, 1998.

106. Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д. // ФТП, №34, с. 194, 2000.

107. Mikhailova М.Р., Bazhenov N.L., Berezovets.A. V., Chernyaev A.V. Proc. of Int. Symp. Nanostructures: Physic and Technology. St. Petersburg, Russia, June 23-27,1997. P. 152.

108. Афраимов M.A., Баранов A.H., Дмитриев А.П., Михайлова М.П., // ФТП, №24, с. 1397, 1990.

109. Евтихиев В.П., Гарбузов Д.З., Соколова З.Н., Тарасов И.С. // ФТП, №19, с. 1420, 1985.

110. Garbuzov D.Z., Antonishkis N.Yu., Bondarev A.D., Gulakov A.B. // IEEE J. Quant. Electron., V.27, p. 1531, 1991.

111. Mawst L.J., Bhattacharya A., Lopez J., Botez D. // Appl. Phys. Lett., V.69, p. 1532, 1996.

112. Al-Muhanna A., Mawst L.J., Botez D., Garbuzov D.Z. // Appl. Phys. Lett., V.73,p. 1182, 1998.

113. Gokhale M.R., Dries J.C., Studenkov P.V., Forrest S.R., Garbuzov D.Z. // IEEE J. Quant. Electron., V. 33, p. 2266, 1997.

114. Al-Muhanna A., Mawst L.J., Botez D., Garbuzov D.Z., Martinelli R.U. // Appl. Phys. Lett., V. 73, p. 1182, 1997.

115. Adachi S. Physical Properties of 3-5 Semiconductor Compounds John Wiley & Sons Inc., 1992.

116. Botes D. // Appl. Phys. Lett., V. 74, p. 3102, 1999.

117. Mawst L.J., Bhattacharya A., Nesnidal M., Lopez J. // Appl. Phys. Lett., V. 67, p.2901, 1995.

118. Тарасов И.С., Гарбузов Д.З., Евтихиев В.П., Овчинников A.B. // ФТП, №19, с.1496, 1985.

119. Temkin H., Coblentz D., Logan R.A., van der Zil J.P., Tanbunek T. // Appl. Phys. Lett., V.62, №19, p. 2402, 1993.

120. Goldstein L., Glass F., Marzin J.Y., Charasse M.N. // Appl. Phys. Lett., V.47, p. 1099, 1985.

121. Guha S., Madhukar A., Rajkumar K.C. // Appl. Phys. Lett., V. 57, p.2110, 1990.

122. Moison M., Houzay F., Barthe F., Leprince L. // Appl. Phys. Lett., V. 64, p. 196, 1994.

123. Huaker D.L., Park G., Zou Z., Shchekin O.B. // Appl. Phys. Lett., V.73, p. 2564, 1998.

124. Жуков A.E., Ковш A.P., Егоров А.Ю., Малеев Н.А. // ФТП, №33, с. 180, 1999.

125. Nishi К., Saito Н., Sugou S., Lee J. S. // Appl. Phys. Lett., V. 74, p. 1111, 1999.

126. Леденцов H.H., Устинов B.M., Щукин В.А., Алферов Ж.И. // ФТП, №32, с. 385, 1998.

127. Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Филатов Д.О., Гущина Ю.Ю. / Матер. Всерос. совещ. "Зондовая микроскопия-99". 10-13 марта 1999, Нижний Новгород, 164 с.

128. Локальная атомная структура нанокристаллического GaAs по данным EXAFS-исследований. / Р.Г. Валеев, А.Н. Деев, Ю.В. Рац, Ю.А. Бабанов, П.Н. Крылов, В.Ф. Кобзиев, С.Ф. Ломаева // Фтп, 2001. Т. 35, вып. 6, с. 655-657.

129. Курышев Г.Л., Ковчавцев А.П., Валишева Н.А. Электронные свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе InAs // Фтп, 2001. Т. 35, вып. 9. С. 1111-1119.

130. Кикучи P. (Kikuchi R.) Теория построения фазовых диаграмм состояния трехкомпонентных полупроводниковых систем, образованных из элементов групп III и V. (Реферат).- М.: Всесоюзный центр переводов, 1981. Т. 103В.-С. 41-56.

131. Лунин Л.С., Аскарян Т.А., Овчинников В.А. Фазовые равновесия в многокомпонентных системах А3В5. / Межвуз.сб. Кристаллизация и свойства кристаллов. 1993. С. 50-56.

132. Лозовский В.Н., Лунин Л.С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений АШВУ. (Новые материалы оптоэлектроники) Ростов-на-Дону: издательство РГУ, 1992.

133. Onabe К. Thermodinamics of type Ai.xBxCi.yDy III-V quoternary solid solutions // J. Phis. Chem. Solids. 1982.43.11. 1071-1086.

134. Попов В.П., Лозовский B.H. О нестабильности линейных зон при зонной плавке с градиентом температуры.// В кн.: Вопросы физики полупроводников. Новочеркасск. -1967. - Т. 170. - С. 59-62.

135. Seidenstiker R.G. Kinetic effects in temherature gradient zone melting // J. Ellectrochem. soc.-1966.-v. 113, N2.-P. 152-159.

136. Литвак A.M., Чарыков Н.А. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb. // Неорг. материалы. 1991. Т.27. №2. С.225-230.

137. Благина Л.В. Кристаллизация твердых растворов InSbBi, AlInSbBi и AlGalnSbBi с заданным энергетическим спектром в поле температурного градиента. дис. канд. техн. наук - Новочеркасск, 2001.

138. Гиббс Д.В. Термодинамика. Статистическая механика: Пер. с англ. — М.: Наука, 1982. 582 с.

139. Кауфман Л., Берстейн X. расчет диаграмм состояния с помощью ЭВМ: Пер. с англ. М.: Мир, 1972. - 326 с.

140. Глазов В.М. // Ж. физ. химии, 1977, т. 51, №10. С. 2549-2552.

141. Хачатурян О.А., Авакян М.С., Аракелян В.Б. Влияние постоянного тока на процессы жидкофазной эпитаксии. Ереван, 1987. 57 с.

142. Разумовский П.И. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InGaAsSbP в поле температурного градиента. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, г. Новочеркасск, 2000 г.

143. Auger P., Compt. Rend., V. 180, p. 65,1925.

144. Siegbahn K. et al., ESCA: Atomic, Molecular and Solid State Structure Studied by Means of Electron Spectroscopy, Almqvist and Wiksells, Uppsala, 1967. (Имеется перевод: К. Зигбан и др. Электронная спектроскопия. — М.: Мир, 1971).

145. Banna М. S., Shirlett D. A., Chem. Phys. Lett., V. 33, p. 441, 1975.

146. Scofield J. H., Journ. Electron Spectr., V. 8, p. 129, 1976.

147. Klemperer O., Shepherd J. P. G., Adv. Phys., 12, 355 (1963); Daniels J. et al. — В кн.: Springer Tracts in Modern Physics, vol. 54,1970, p. 77.

148. Davis L.E., Wagner C.D. et al., Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy, Perkin-Elmer Corporation, Physical Electronics Division, Eden Prarie, Minnesota, 1978.

149. Айнбунд M.P., Коваленко В.Г., Поленов Б.В. Характеристики каналовых электронных умножителей с раструбом на входе // ПТЭ. 1974. -№ 4. — С. 154-156.

150. Валюхов Д.П., Звеков В.Ю., Хабибулин И.М. Рентгеноэлектронный спектрометр, управляемый цифроаналоговым комплексом на базе IBM PC/AT. //ПТЭ. 1998. № 2. С. 162-163.

151. Айнбунд М.Р., Поленов Б.В. Вторично-электронные умножители открытого типа и их применение. -М.: Энергоиздат, 1981. 140 с.

152. Яковенко А.В. Сглаживание спектров с использованием информации о частотном составе шума // ПТЭ. 1991. № 5. - С.91-94.

153. Волков С.С., Китаева Т.И., Соловьев А.В., Толстогузов А.Б. Количественный анализ полупроводниковых материалов методами масс-спектрометрии вторичных ионов // Поверхность. 1993. - № 6. — С. 38-44.

154. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Благин А.В. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов. Ростов н/Д: Изд-во СКНЦ ВШ, 2003. 376 с.

155. Расчет поверхностей ликвидус и солидус тройной системы Ga-In-Sb. С.В. Лисицын, Д.П. Валюхов, В.Я. Зленко, И.М. Хабибулин / Материалы 3-й научно-технической конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск 2003.

156. Bloom G.M., Plaskett T.S. Indium-gallium-antimony ternary phase diagram // J. Electrochem. Soc. 1971. V. 118. № 11. P. 1831 -1834.

157. Лисицын С.В. Получение и исследование висмутсодержащих структур-J сна основе соединений А В / Материалы 3-й научно-технической конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск 2003.

158. Термодинамика равновесия жидкость-пар. Л.: Химия. 1989. 244 с.

159. Исследование поверхности многокомпонетных полупроводников на основе А3В5. А.В. Благин, Д.П. Валюхов, С.В. Лисицын, Л.С. Лунин, И.М. Хабибулин / Материалы XXXI научно-техническая конференция по результатам работы ППС за 2000г., ч.1. С.51.

160. Оже-анализ многокомпонентных гетероструктур на основе соединений А3В5. С.В. Лисицын, Д.П. Валюхов, И.М. Хабибулин, А.В. Благин / Сборник научных трудов. Серия «Физико-Химическая», выпуск 6. -С. 42. Ставрополь, 2002.

161. Изучение свойств алюминийсодержащих гетероструктур на основе соединений А3В5 / С.В. Лисицын, Д.П. Валюхов, И.М. Хабибулин, А.В.

162. Благин // Вестник Северо-Кавказского государственного технического университета, сер. физико-химическая, №1. С. 72. Ставрополь, 2003.

163. Исследование многокомпонентных висмутсодержащих гетероструктур на основе соединений А3В5 / Д.П. Валюхов, С.В. Лисицын, А.Э. Зорькин, Р.В. Пигулев, И.М. Хабибулин, А.В. Благин // Изв. вузов «Физика» № П.Томск, 2003.

164. Дж. Эмсли. Элементы. М.: Мир, 1993. 256 с.

165. Кессельман П.М., Иншаков С.А., Угольников А.П. Термодинамические свойства жидкостей и плотных флюидов. Часть 1. Жидкие системы. / Обзоры по теплофизическим свойствам веществ, №4. М., 1992.