Разработка способов оптимизации технологии металлизации полупроводниковых структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Гукетлов, Хасан Мухамедович

  • Гукетлов, Хасан Мухамедович
  • кандидат технических науккандидат технических наук
  • 2004, Владикавказ
  • Специальность ВАК РФ05.27.01
  • Количество страниц 120
Гукетлов, Хасан Мухамедович. Разработка способов оптимизации технологии металлизации полупроводниковых структур: дис. кандидат технических наук: 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах. Владикавказ. 2004. 120 с.

Оглавление диссертации кандидат технических наук Гукетлов, Хасан Мухамедович

Общая характеристика работы.

ГЛАВА 1. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ЛПД И ПЕРЕХОДНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ СИСТЕМ

МЕТАЛЛИЗАЦИИ К КРЕМНИЮ.

Введение.

1.1. Методы измерения переходного сопротивления систем металлизации к кремнию.

1.2. Особенности проведения высокотемпературного эксперимента в условиях вакуума. Получение высоких температур с использованием светового облучения.

1.3. Устранение вибраций при проведении прецизионного лабораторного эксперимента в условиях вакуума.

Выводы к главе 1.

ГЛАВА 2. ФОТОННЫЙ ОТЖИГ ПЛЕНОК ХРОМА И АЛЮМИНИЯ

НА КРЕМНИИ.

Введение.

2.1. Методика проведения фотонного отжига.

2.2. Характеристика образцов и некоторые данные о свойствах границы раздела хром-кремний.

2.3. Изучение микроструктуры пленок хрома на кремнии.

2.4. Зависимость контактного сопротивления границы раздела хром-кремний и алюминий-кремний от времени фотонного отжига.

Выводы к главе 2.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО НАТЯЖЕНИЯ, ПОВЕРХНОСТНОЙ ЭНЕРГИИ И РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА НА НЕКОТОРЫХ МЕЖФАЗНЫХ ГРАНИЦАХ. .47 Введение.

3.1. Метод нулевой ползучести.

3.2. Высокотемпературный вариант компенсационного метода нулевой ползучести для измерения поверхностного натяжения металлов в твердом состоянии.

3.3. Измерение поверхностного натяжения некоторых тугоплавких металлов и сплавов на границе раздела твердая фаза -собственный пар.

3.3.1. Поверхностное натяжение металлов редкоземельной группы.

3.3.2. Поверхностное натяжение металлов переходной группы.

3.3.3. Поверхностное натяжение некоторых термопарных сплавов в твердом состоянии.

3.4. Исследование поверхностного натяжения и адгезии на некоторых межфазных границах.

3.4.1. Адгезия пленок на твердых подложках.

3.4.2. Поверхностное натяжение твердых меди и серебра в парах олова.

3.4.3. Исследование поверхностного натяжения, работы выхода электрона стали Х18Н10Т и адгезии к ней ртути и амальгамы таллия.

Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. ОРИЕНТАЦИОННАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПОВЕРХНОСТНОЙ ЭНЕРГИИ, ПОВЕРХНОСТНОГО НАТЯЖЕНИЯ И РАБОТЫ ВЫХОДА ГЛАДКИХ ГРАНЕЙ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ.

4.1. Анизотропия поверхностной энергии и работы выхода электрона металлов и сплавов.

4.2. Расчет поверхностной энергии металлов 1В и 2В электронно-статистическим методом.

4.3. Ориентационная зависимость поверхностной энергии и работы выхода электрона металлических монокристаллов.

Выводы к главе 4.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», 05.27.01 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка способов оптимизации технологии металлизации полупроводниковых структур»

Для правильного подбора систем металлизации необходимы надежные данные по поверхностной энергии (натяжению) и работе выхода электрона, однако подобные данные для тугоплавких и благородных металлов у разных авторов существенно различаются, что объясняется трудностью экспериментального определения поверхностного натяжения металлов в твердом состоянии, несовершенством методик измерения. Данные же по поверхностному натяжению редкоземельных металлов, перспективных при изготовлении высокотемпературных катодов, в литературе отсутствуют.

До недавнего времени материалы для высокотемпературных покрытий подбирались эмпирически, без предварительного теоретического обоснования. Достоверные данные по поверхностному натяжению, поверхностной энергии, работе выхода электрона позволяют целенаправленно вести поиск высокотемпературных металлических покрытий к полупроводникам и диэлектрикам, оценивать заранее адгезионные характеристики систем металлизации.

Другой комплекс проблем возникает в технологиях металлизации в вакууме в связи с тем, что в большинстве случаев нагревательные элементы устанавливаются внутри вакуумных камер. Это приводит к тому, что пары металлов, из которых изготовлены нагревательные элементы, осаждаясь на полупроводниковых структурах, могут существенно изменить их физико-химические свойства. Поэтому актуальной проблемой является разработка способов металлизации полупроводниковых структур, устраняющих эти недостатки.

Одной из предпосылок создания новых технологических решений явилось комплексное изучение физико-химических параметров материалов, используемых при создании элементной базы полупроводниковых приборов, а также характера взаимодействия этих материалов на границах раздела контактирующих элементов.

Цель работы. Изучение поверхностных и электрических свойств в системе кремний - металл с целью оптимизации технологии металлизации полупроводниковых структур и керамики. В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи.

Экспериментальное и теоретическое исследование поверхностного натяжения и поверхностной энергии чистых металлов на границе с собственным паром, работы выхода электрона, а также ее корреляции с поверхностной энергией металлов; изучение поверхностного натяжения многокомпонентных металлических систем как на границе с собственным паром, так и на границе с парами поверхностно-активных металлов; изучение характера взаимодействия хромоникелевых сплавов с ртутью и амальгамой таллия; разработка технологии металлизации керамики и фотонного отжига пленок хрома на кремнии с последующим изучением переходного сопротивления.

Научная новизна. Разработан метод фотонного отжига пленок хрома и алюминия на полупроводнике в вакууме с помощью ксенонового источника некогерентного светового излучения. Впервые изучено влияние времени фотонного отжига на переходное сопротивление и структуру системы пленка хрома (алюминия) — полупроводниковая структура. На основе измерений электрических свойств и проведения рентгеноструктурного анализа установлены оптимальные режимы фотонного отжига, обеспечивающие улучшение адгезионного взаимодействия металлических покрытий к кремниевым структурам.

На установке для высокотемпературных измерений поверхностного натяжения металлов в твердом состоянии впервые получены достоверные данные поверхностного натяжения редкоземельных металлов - иридия, гафния, палладия, рутения, стронция и циркония на границе с собственным паром; значения поверхностного натяжения хромеля, копеля и алюмеля в твердой фазе, а также поверхностного натяжения твердых меди и серебра в парах олова.

Впервые определено поверхностное натяжение и работы выхода электрона стали Х18Н10Т, базовой для электронной техники, в твердом состоянии, а также адгезия к ней ртути и амальгамы таллия.

Практическая ценность и реализация результатов работы.

Методики фотонного отжига пленок хрома на кремнии некогерентным световым излучением были внедрены в производство в ОАО СКБ «Элькор» (г. Нальчик) в технологиях изготовления лавино-пролетных диодов.

Метод металлизации керамики за счет фокусировки луча света, предложенный в данной работе, позволяет создать высококачественное металлическое покрытие керамической подложки, исключающее нежелательный нагрев керамики, сопровождающийся выходом газовых включений из объема керамики в приконтактную область.

Экспериментальные данные поверхностного натяжения на различных межфазных границах, полученные компенсационным методом нулевой ползучести, а также результаты теоретических расчетов, проведенных на основе электронно-статистической теории, могут быть успешно использованы при изготовлении систем металлизации к полупроводниковым и диэлектрическим структурам в технологиях микроэлектроники.

Результаты работы могут быть применены при исследованиях и разработках технологических процессов в других областях микротехнологий, в частности, для модификации поверхностных свойств металлов и сплавов, формировании новых типов полупроводниковых материалов с заданными свойствами.

Материалы диссертации внедрены также в учебный процесс в КБГУ и

СКГМИ.

На защиту выносятся:

1. Разработанный метод фотонного отжига в вакууме пленок хрома и алюминия на кремнии с помощью ксенонового источника некогерентного светового излучения, расположенного вне вакуумной камеры и позволяющего исключить влияние вредных паров нагревательных элементов на характеристики полупроводниковых структур.

2. Разработанная технология металлизации керамики методом нанесения медносодержащих паст с последующей обработкой световым лучом от 4 мощного ксенонового источника, исключающая внесение газовых составляющих из объема керамики в приконтактную область.

3. Результаты исследований поверхностного натяжения редкоземельных металлов на границе раздела твердая фаза - собственный пар, полученные впервые компенсационным методом нулевой ползучести, которые показали, что они в среднем на 15% выше соответствующих значений поверхностного натяжения в жидком состоянии.

4. Экспериментальные исследования поверхностного натяжения благородных и переходных металлов, термопарных сплавов, а также стали Х18Н10Т компенсационным методом нулевой ползучести, значительно увеличивающие точность измерений. Значения поверхностного натяжения меди и серебра и обнаруженный эффект значительного их снижения в присутствии паров олова. Результаты исследования краевых углов смачивания стали Х18Н10Т ртутью и амальгамой таллия, измеренные методом лежащей капли, и рассчитанные по этим данным значения работы адгезии на указанных межфазных границах.

5. Рассчитанные на основе электронно-статистической теории значения поверхностной энергии и работы выхода электрона гладких граней металлических монокристаллов и установленную корреляционную зависимость между указанными параметрами, на основе которой можно рассчитать параметры термокатодов электронных приборов. Личный вклад автора. Диссертация представляет собой самостоятельную работу автора. Выбор темы, планирование эксперимента и обсуждение полученных результатов выполнены автором совместно с научным руководителем, кандидатом физико-математических наук, доцентом Кумыковым В.К.

Апробация результатов. Основные результаты, полученные в диссертации, обсуждались:

- на 7-й и 8-й учебно-методических конференциях стран СНГ «Современный физический практикум» в 2003, 2004 г.г.

- на семинарах по микроэлектронике ОАО СКВ «Элькор», г. Нальчик в 1999-2004 г.г.

- на научных семинарах кафедры физики и кафедры электронных приборов СКГМИ.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 9 работ, в том числе 4 статьи в журналах, рекомендованных ВАК, получен 1 патент РФ.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав и списка литературы. Объем работы составляет 120 страниц, в том числе 12 рисунков и 14 таблиц. Список цитированной литературы включает 90 наименований.

Похожие диссертационные работы по специальности «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», 05.27.01 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Гукетлов, Хасан Мухамедович

выводы

По результатам работы были сделаны следующие выводы.

1. Разработан и испытан метод металлизации керамики и фотонного отжига кремниевых структур некогерентным световым излучением от ксенонового источника, расположенного вне рабочей камеры. Метод исключает загрязнение рабочего объема парами посторонних веществ, испускаемыми при установке нагревательных элементов в рабочий объем. При этом значительно снижается вероятность выхода газовых включений из объема подложки в приконтактную область.

2. Предложен способ и разработано устройство для гашения вибраций в вакуумных системах при проведении прецизионных исследований. Способ защищен патентом РФ (Патент РФ №2236059 от 10 сентября 2004 г.). Способ позволяет значительно повысить достоверность и точность измеряемых результатов при высокотемпературных исследованиях в вакууме.

3. Показано, что фотонный отжиг металлизированного кремния позволяет значительно уменьшить переходное сопротивление контактной области, по-видимому, способствует отжигу вакансий и других физических дефектов кристаллической решетки, а также снятию внутренних напряжений приконтактных областей.

4. Впервые проведены исследования поверхностного натяжения редкоземельных металлов в твердом состоянии. Также измерено поверхностное натяжение благородных и переходных металлов как на границе с собственным паром, так и с парами олова. Показано, что пары олова (металла с более низким поверхностным натяжением) существенно снижают поверхностное натяжение меди (на 30%) и серебра (на 37%).

5. Проведено изучение характера взаимодействия на границе раздела нержавеющей стали с ртутью и амальгамой таллия с измерением краевого угла смачивания и расчетом работы адгезии.

6. В рамках электронно-статистической теории проведена оценка анизотропии поверхностной энергии (ПЭ), работы выхода электрона (РВЭ) и установлена взаимосвязь между ПЭ и РВЭ для гладких граней металлических монокристаллов.

112

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Гукетлов, Хасан Мухамедович, 2004 год

1. Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев К.В., Смирнов Л.С. Импульсный фотонный отжиг полупроводниковых материалов. -М.: Наука, 1980. -180 с.

2. Королькова И., Крысов Г.А., Синьков Ю.П. Лазерный отжиг ионно-имплантированных слоев в тонких металлизированных кремниевых структурах // Электронная техника, сер. Электроника СВЧ. -1986. -№ 7. -С. 65-71.

3. Kemerink G.J., Pleiter F. Indium vacancy interaction in laser-annealed silion // Hyperfine Interfact. -1987. -№ 1-4. -P. 711-712.

4. Armigliato A., Nobili D., Solmi S., Bourret A., Werner P. Electron microscopy of As supersaturated Silicon // J.Electronchem Soc. -1986. -№ 13. -P. 25602565.

5. Востур В.Г., Лыба O.M., Ермаков A.B. Исследвание взаимодействия лазерного изучения на действие поликремниевых слоев // Материалы 2 конф. молод, ученых физфака Львов, ун-та. Львов, 25-29 апр. 1986 г./ Львов. -Изд-во Львовского ун-та. -1986. -146 с.

6. Демчук А.А., Пристрел A.M., Данилович Н.И., Лабунов В.А. Образование поверхностных периодических структур на кремнии при воздействии лазерного излучения миллисекундной длительности // Журнал технической физики. -1986. -Т. 56. -№ 4. -С. 810-813.

7. Kellock A.J., Nyberg G.L., Williams J.S. Thin film adhesion improvement under photon irradiation // J. Vacuum. -1985. -V. 35. -№ 12. -P. 625-628.

8. Yokota Katsuhiro, Nuta Kenji et. al. Halogen and mercury lamp annealing of arsenic implanted in to silicon // Jap. J. Appl phys. -1987. -№ 2. -P. 87-89.

9. Верещагина З.Д., Крысов Г.А., Цехмейстер E.A., Сергеичев А.С. Импульсное вжигание металлических пленок в кремний // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. -№10. -1983. -С. 57-59.

10. Коршунов Ф.П., Соболев Н.А., Шераухов В.А., Гапоток Т.Н., Шешалко В.К., Нрибковский В.В. Взаимодействие атомных частиц с твердым телом -М:. Наука. -1987. -С. 365-367.

11. П.Овсянникова С.В., Охневич А.В., Лейнова C.JL, Прохоренко H.JI. Взаимодействие атомных частиц с твердым телом -М:. Наука. -1987. -С. 149-151.

12. Гайдук П.И., Комаров Ф.Ф., Соловьев B.C. Некоторые вопросы надежности и устойчивости полупроводниковых материалов и структур к воздействиям дестабилизированных факторов. Душанбе. -1986. -С. 56-60.

13. Родерник Э.Х. Контакты металл-полупроводник. -М:. -Радио и связь. -1982. -209 с.

14. Мадоян С.Г., Груздова Г.А. Манаенков JI.B. Лабораторный практикум по технологии полупроводниковых приборов. -М: МИСиС. -1978. -163 с.

15. Coleman D. F. Jr, Irvin F. С., Sze. S. M. Schotky Diodes with near ideal characteristics // Proc. IEEE. -1971. -V. 59. -P. 1121.

16. Yu A.Y.C. Electron Funneling and Contact Resistance of Metal-Silicon Contact Barriers // Solid State Electron. -1970. -V. 13. -P. 239.

17. Чернушенко A.M., Майбородин A.B. Измерения параметров электронных приборов дециметрового и сантиметрового диапазона волн. М.: -1986. -328 с.

18. ГОСТ 19656.9-79. Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. М.: -Наука. -1987. -234 с.

19. Касаткин Л.В., Таранухин В.Д. Измерение параметров полупроводниковых диодов СВЧ и эквивалентные схемы их включения // Электронная техника, сер. Электроника СВЧ. -1972. -№ 6. -С. 16-20.

20. Горбачевский В.А., Левкин А.П., Прахин П.Ф. Об измерении резонансных частот варакторных диодов // Вопросы радиоэлектроники, сер. Техника радиосвязи. -1972. -№5. -С. 17-19.

21. Adlerstein M. G., Moore E. Microware properties of Gawks. IMP ATT diodes of 33GHz in Prac. // Eighth Biennial. Conf. Active Microware Semiconductor Devices and Circuits / -Cornell Univ. -1981. -335 c.

22. Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов. M.: -Энергия. -1973. -655 с.

23. Тагер А.С., Вальд-Перлов В.М. Лавино-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. М.: -Сов. Радио. -1968. -187 с.

24. Kumykov V.K. The measurement of the surface tension of some pure metals in the solid state // Netherl. Journ. Materials Science and Engineering. -1983.-V. 60, P. 23-24.

25. Кумыков B.K., Гукетлов X.M. К методике проведения высокотемпературного лабораторного эксперимента в условиях вакуума // Труды 7-й международной конференции "Современный физический практикум"/ М.: -МФО. -2002. -С. 253-255.

26. Кумыков В.К., Гукетлов Х.М. Установка для высокотемпературного нагрева в вакууме тугоплавких металлов и сплавов // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. -2004. -№6. -С. 35-36.

27. Политехнический словарь. Ред. А.Ю. Ишлинский. -М.: Советская энциклопедия. -1989. -С. 26-80.

28. Эшбах Г.Л. Практические сведения по вакуумной технике. Перевод с нем. Б.И. Королева. -М.: -1966. -С. 131-133.

29. Гукетлов Х.М., Кумыков В.К. Устранение вибраций при проведении прецизионного лабораторного эксперимента в условиях вакуума // Труды 8-й международной конференции "Современный физический практикум"/ -М.: -МФО. -2004. -С. 235-236.

30. Кумыков В.К., Гукетлов Х.М. Способ гашения вибраций в вакуумных установках. // Патент РФ №2236059 от 10 сентября 2004 г.

31. Кумыков В.К., Гукетлов Х.М., Шидов Х.Т., Ошроева Р.З. Влияние некогерентного светового излучения на сопротивление контакта металл-кремний // Известия вузов. Материалы электронной техники. -2003. -№2. -С. 30-31.

32. Киклок Э. Адгезия и адгезивы. Наука и технология. М.: -Мир. -1991. -484с.

33. Лифшиц В.Г. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния. М.: -Наука. -1985. -200 с.

34. Галкин Н.Г., Лифшиц В.Г., Плюснин Н.И. Упорядоченные поверхностные фазы в системе Si (111) Cr // Поверхность. Физика, химия, механика. -1987. -№ 12. -С. 50-58.

35. Лифшиц В.Г., Заводинский В.Г., Плюскин Н.И. Формирование поверхностных фаз хрома и эпитаксия SiCr2 на Si (111) // Поверхность. Физика, химия, механика. -1983. -№ 3. -С. 82-88.

36. Чашник В.М., Лавриненко И.А. Исследование электропроводности хромовых покрытий, нанесенных на поверхность алмазов. В кн.: Капиллярные и адгезионные свойства расплавов. Киев. -Наукова думка. -1987. -С. 134-137.

37. Ефимов И.Е., Козырь И .Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. М.: -Высшая школа. -1986. -464 с.

38. Практическая растровая электронная микроскопия (под ред. Дж. Роилдстейна, X. Яковица). -М.: -Мир. -1978. -656 с.

39. Алчагиров Б.Б., Карашаев А.А., Коков М.Б., Кумыков В.К., Ашхотов О.Г. Некоторые физико-химические свойства амальгам таллия. // Физика межфазных явлений. Нальчик: -КБГУ. -1976. -С. 113-119.

40. Гавриленко Ю.В., Черняков В.А., Воинов С.Г.// Известия вузов. Черная металлургия. -1973. -№10. -С. 57-60.

41. Костиков В.И., Харитонов А.В. Определение свободной поверхностной энергии циркония в твердой фазе. // Физика металлов и металловедение. -1973.-Т. 35.-С. 188-189.

42. Задумкин С.Н. Современные теории поверхностной энергии чистых металлов. В кн. Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых фазах. -Нальчик: -Кабардино-Балкарское книжное издательство. -1965. -С 12-29.

43. Кумыков В.К., Гукетлов Х.М. Поверхностное натяжение некоторых редкоземельных металлов в твердом состоянии // Физика металлов и металловедение. -1983. -Т. 56. -№2. -С. 408-409.

44. Задумкин С.Н., Кумыков В.К., Хоконов Х.Б. Физическая химия поверхности расплавов. -Тбилиси: -Мецниереба. —1977. -С. 194-200.

45. Зимон А.Д. Адгезия пленок и покрытий. М.: Химия. -1977. -352 с.

46. Хоконов Х.Б. Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых фазах. -Кишинев: -Штиинца. -1973. -190 с.

47. Скоров Д.М., Дашковский А.И., Маскалец В.Н., Хижный В.К. Поверхностная энергия твердых металлических фаз. -М.: -Атомиздат. -1973.-172 с.

48. Kumikov V.K., Khokonov Kh.B. On the measurement of surface free energy and surface tension of solid metals // J. Appl. Phys. -1983. -V.54. -№3. -P.1346-1350.

49. Дигилов P.M., Задумкин C.H., Кумыков B.K., Хоконов Х.Б. Измерение поверхностного натяжения тугоплавких металлов в твердом состоянии // Физика металлов и металловедение. -1976. -№5. -С. 68-71.

50. Кумыков В.К., Гукетлов Х.М. Поверхностное натяжение некоторых термопарных сплавов в твердой фазе. // Материалы научно-практической конференции Молодежь, наука и техника, посвященной 60- летию образования КБАССР/ -Нальчик: КБГУ. -1983. -С. 35-37.

51. Карашаев А.А., Кумыков В.К., Гукетлов Х.М. Поверхностное натяжение твердых меди и серебра в парах олова // Физика межфазных явлений / Нальчик: -КБГУ. -1976. -С. 71-73.

52. Кумыков В.К., Карашаев А.А., Белгороков Л.Г., Гукетлов Х.М. Поверхностное натяжение некоторых хромоникелевых сталей в твердом состоянии и адгезия к ним ртути и амальгамы таллия // Физика межфазных явлений / -Нальчик: -КБГУ. -1978. -С. 94-96.

53. Кумыков В.К., Карашаев А.А. Белгороков Л.Г., Коков A.M., Гукетлов Х.М. Поверхностное натяжение и работы выхода электрона стали Х180Н10Т в твердом состоянии // Физика межфазных явлений / -Нальчик: -КБГУ. -1977. -С. 104-106.

54. Хокинг М, Васантасри В., Сидки П. Металлические и керамические покрытия. -М.: -Мир. -2000. -516 с.

55. Лозовой А.Ю., Коржавый П.А., Пономарева А.В., Векилов Ю.Х. Автосегрегация на поверхности неупорядоченных сплавов // Материаловедение. 1997. - № 1. - С. 43-50.

56. Задумкин С.Н. К обоснованию правила Бравэ // ФТТ. -1963. -Т. 5. -В. 11. -С. 3317-3318.

57. Задумкин С.Н., Темроков А.И., Шебзухова И.Г., Алиев И.М. Взаимосвязь между поверхностными и другими свойствами веществ. Поверхностные явления в расплавах. -Киев: -Наукова Думка. -1968. -С. 9-20.

58. Темроков А.И. О теплофизических характеристиках поверхностей кристаллических тел // Теплофизика высоких температур. -2000. -Т. 38. -№ 4. -С. 573-578.

59. Задумкин С.Н., Шебзухова И.Г. // Физика металлов и металловедение. -1969. -Т. 28. -№ 3. -С. 434-439.

60. Шебзухова И.Г., Задумкин С.Н., Кумыков В.К. Смачиваемость и поверхностные свойства расплавов и твердых тел. -Киев: Наукова Думка. -1972.-С. 146-151.

61. Шебзухова И.Г. Расчет анизотропии поверхностной энергии металлических кристаллов. Физика и химия поверхности. -Нальчик: -КБГУ.-1982.-С. 27-31.

62. Покровский Н.Л., Созаев В.А. Вычисление поверхностной энергии сплавов Юм Розери // Адгезия расплавов и пайка материалов. Киев: Наукова Думка. -1984. -№ 12. -С. 51-55.

63. Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous electron gas // Phys. Rev. -1964. -V. 136. -№3. -P. 846-871.

64. Kohn W., Sham L.J. Self consistent equations including exchange and correlation effects // Phys. Rev. -1965. -V. 140. -P. 1135-1138.

65. Lang N.D., Kohn W. Theory of metal surfaces: charge density and surface energy//Phys. Rev. -1970. -V. 1. -№ 12. -P. 4555^568.

66. Кобелева P.M., Гельчинский Б.Р., Ухов В.Ф. К расчету поверхностной энергии металлов в модели дискретного положительного заряда // Физика металлов и металловедение. -1978. -Т. 45. -№ 1. -С. 25-32.

67. Monnier R, Perdew J.R. Surface energy of simple metals: Self consistent inclusion of ion potential // Phys. Rev. Lett. -1976. -V. 37. -№ 19. P. 12861289.

68. Kiejna A. Surface properties of simple metals in a structureless pseudopotential model //ftiys. Rev. B. -1993. -V. 47. -№ 12.-P. 7361-7364.

69. Kiejna A. A note on face dependent surface properties of simple metals // J. Phys. D. Solid State Phys. -1982. -V. 15. -P. 4717-4725.

70. Дигилов P.M., Орквасов Ю.А., Хоконов Х.Б. Анизотропия поверхностной энергии и работы выхода электрона простых металлов в модели Ланга // Поверхностные явления на границах конденсированных фаз. Нальчик: -КБГУ. -1983. -С. 3-22.

71. Дигилов P.M., Созаев В.А., Хоконов Х.Б. Анизотропия поверхностной энергии и работы выхода щелочных металлов // Поверхность. Физика, Химия, Механика. -1987. -В. 6. -С. 13-18.

72. Солонович В.К., Мягков К.Г., Кухаренко JI.B., Макутина Л.Н., Якушин М.П. Анизотропия и температурная зависимость поверхностной энергии низкоиндексных граней простых и благородных металлов // Высокочистые вещества. -1991. № 4. - С. 75-82.

73. Хейне В., Коэн М., Уэйр Д. Теория псевдопотенциалов. М.: -Мир. -1973. -224 с.

74. Дигилов P.M., Созаев В.А., Хоконов Х.Б. Анизотропия поверхностной энергии и работы выхода в присутствии адсорбата // Поверхность. -1987. -№ 12.-С. 138-139.

75. Нефедов Б.И. Локальные работы выхода на гетерогенной поверхности // ДАН РФ. -1995. -Т. 542. -№ 6. -С. 765-771.

76. Fall C.J., Bingelli N., Baldereschi A. Anomaly in the anisotropy of the aluminium work function // Phys. Rev. B. -1983. V. 28. -№. 12. -P. 75447547.

77. Kiejna A., Zieba J. On adhesive energies at bimetallic interfaces // Surf. Sci. Lett. -1985. -№ 159. -P. 411-415.

78. Ибрагимов Х.И., Корольков В.А. Работа выхода электрона в физико -химических исследованиях расплавов и твердых фаз на металлической основе. -М.: -Металлургия. -1995. -75 с.

79. Williams F.L., Nason D. Binary alloy surface composition from bulk alloy thermodynamic date // Surf. Sci. -1974. -V. 5. -№ 2. -P.377-381.

80. Матысина 3.A., Лимина И.Б. Ориентационная зависимость поверхностной энергии свободных граней идеальных ГПУ кристаллов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -1999. -№ 11.-С. 88-90.

81. Матысина З.А. Поверхностная энергия свободных граней типа (hklO) ГПУ кристаллов // Поверхность. -1995. -№ 4. -С. 13.

82. Владимиров А.Ф. Анизотропия работы выхода электрона и ретикулярное уплотнение «рыхлых» граней металлических кристаллов // Поверхность.

83. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -1999. -№ 9. -С. 66-68.

84. Liu X.-Y., Ohotnicky P.P., Adams J.B., Rohrer C.L., Hyland R.W. Anisotropic surface segregation in Al-Mg alloys // Surf. Sci. -1997. -V. 373. -№ 2-3. -P. 357-370.

85. Crampin S. Segregation and the work function of a random alloy: Pd Ag (111) // J. Phys. Condens. Mater. -1993. -V. 5. -№ 36. -P. 1443-1447.

86. Ruban A.V. Abrikosov L.A., Kats D.Ya, Gorelikov D., Jacobsen K.W., Skriver H.L. Self- consistent electronic structure and segregation profiles of the Cu -Ni (001) random alloy surface // Phys. Rev. B. -1994. -V. 49. -№ 16. -P. 11383-11395.

87. Smirnova E.A., Korhavyi P.A., Vekilov Yu.Kh. Surface segregation in Al-Zn Random Alloys // Phys. Low-Dim. Struct. -1999. -V. 5. -№6. -P. 113-116.

88. Дигилов P.M., Созаев B.A. К теории поверхностной сегрегации сплавов щелочных металлов // Поверхность. -1988. -№ 7. -С.42.

89. Bogdanov Н., Wojciechovski K.F. Electronic surface properties of alkali -metal alloys // J. Phys. D.: Appl. Phys. -1996. -V. 29. -P.- 1310-1315.

90. Попель С.И. Поверхностные явления в расплавах. -М.: Металлургия. -1994. -339 с.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.