Высокотемпературная диффузия катионов в ионных кристаллах в условиях радиационно-термического воздействия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Чернявский, Александр Викторович

• Чернявский, Александр Викторович
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Чернявский, Александр Викторович

ОСНОВНЫЕ УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ.

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ

1.1. Точечные дефекты и диффузия в ионных кристаллах.

1.1.1. Зависимость концентрации тепловых дефектов от температуры.

1.1.2. Концентрация ассоциированных дефектов примесь - катионная вакансия.

1.1.3. Выражения для коэффициентов диффузии.

1.2. Механизмы стимуляции диффузии в радиационных полях

1.3. Исследование диффузионных процессов в ионных структурах в радиационных полях.

1.4. Постановка задачи исследования.

ГЛАВА 2. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ.

2.1. Методика радиационно-термического диффузионного отжига образцов.

2.1.1. Характеристики источников электронных пучков.

2.1.2. Измерение температуры образцов в радиационно-термических экспериментах.

2.1.3. Распределение мощности поглощенной дозы по глубине кристалла.

2.1.4. Распределение температуры в объеме кристалла по глубине.

2.2. Исследование взаимодействия кристаллов КВг с газовой средой при отжиге в атмосферных условиях.

2.3. Методики определения коэффициентов диффузии.

2.3.1. Послойный анализ образцов методом вторично-ионной масс-спектрометрии

2.3.2. Методы исследования диффузии в реакциях твердофазового синтеза.

ГЛАВА 3. МЕТОДОЛОГИЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТОВ ДИФФУЗИИ В ИОННЫХ ДИЭЛЕКТРИКАХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТЕХНИКИ ВТОРИЧНО-ИОННОЙ МАСС-СПЕКТРОМЕТРИИ.

3.1. Нейтрализация заряда, накапливаемого в диэлектриках при травлении их поверхности пучком низкоэнергетических ионов.

3.2. Решение проблемы эффекта кратера при послойном анализе материалов с помощью вторично-ионной масс-спектрометрии.

3.3. Анализ диффузионных профилей, аппроксимация профилей.

ВЫВОДЫ

ГЛАВА 4. ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ РАДИАЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКАЯ ГЕТЕРОДИФФУЗИЯ В ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ.

4.1. Радиационно-термическая диффузия в ЩГК изо- и гетеровалентных примесных катионов из пленок их галоидных соединений.

4.1.1. Диффузия изовалентных катионов натрия в бромиде калия.

4.1.2. Радиационно-термическая диффузия ионов магния во фториде лития.

4.2. Исследование диффузии иновалентных катионов при термическом и радиационно-термическом нагреве диффузионных пар «ЩГК-металлическая пленка».

4.2.1. Влияние исходного химического состояния гетеровалентных катионов на их диффузию в ЩГК.

4.2.2. Радиационно-термическая диффузия многозарядных катионов в ЩГК из окисленных металлических пленок.

ВЫВОДЫ

ГЛАВА 5. РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННАЯ ДИФФУЗИЯ В ПРОЦЕССАХ ОБРАЗОВАНИЯ ШПИНЕЛЕЙ.

5.1. Взаимодействие в системе №0-А120з при электронном облучении.

5.2. Радиационно-термический синтез феррита цинка.

ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Высокотемпературная диффузия катионов в ионных кристаллах в условиях радиационно-термического воздействия»

Актуальность темы.

Явление диффузии лежит в основе широкой гаммы процессов, определяющих реальную структуру и термодинамическое состояние твердых тел. Поэтому умение управлять диффузионным потоком открывает широкие перспективы в плане создания новых твердотельных технологий и получения материалов с уникальными заданными свойствами. В этом плане одним из наиболее эффективных приемов направленного влияния на диффузионный перенос в твердых телах следует считать радиационное воздействие.

Физические предпосылки для существенного изменения диффузионных характеристик частиц в твердых телах достаточно очевидны. Радиация создает в кристаллической решетке дефекты, значительная концентрация которых может при определенных условиях превышать термодинамический уровень собственной разупорядоченности; изменяет колебательный спектр кристал-лобразующих частиц; порождает достаточно сложные электрон-фононные взаимодействия, а также взаимодействия генерируемых излучением электронных возбуждений с дефектами решетки; создает градиенты физических полей. Перечисленные процессы могут существенно повлиять на процессы массопереноса в материалах.

До настоящего момента явление радиационно-стимулированного массопереноса было достоверно установлено и достаточно изучено в металлах и полупроводниках, что позволило разработать множество перспективных современных технологических процессов получения, как самих материалов данных классов, так и изделий на их основе.

Изучение диффузии в ионных диэлектриках под воздействием радиации к моменту постановки данного исследования ограничивалось исключительно узким кругом работ, в большей части из которых использовались источники ионизирующего излучения невысокой мощности. Ускорения высокотемпературной диффузии при этом, как правило, не было обнаружено.

В последние годы получило активное развитие новое направление, связанное с разработкой новых прогрессивных методов радиационно-термического (РТ) спекания и модифицирования свойств керамических материалов с помощью интенсивных потоков ускоренных частиц.

В отличие от распространенных в современном материаловедении традиционных радиационных методов, в основе которых лежат раздельно либо тепловые, либо радиационные эффекты, в процессах такого типа эти эффекты чрезвычайно взаимосвязаны, что позволяет выделить их (назвать их ра-диационно-термическими) в разряд нетрадиционных и рассматривать как новое направление в радиационном материаловедении.

В большинстве работ, посвященных этой тематике, в основу положена гипотеза о возможности реализации явления радиационно-стимулированного диффузионного массопереноса в диэлектрических материалах в условиях совместного воздействия высоких температур и высокоинтенсивных радиационных полей. В результате многолетних исследований выполненных в ТПУ , ИЯФ СО РАН , ИХТТМ СО РАН (г. Новосибирск), учеными г. Санкт-Петербурга были установлены важные как в научном, так и прикладном направлении РТ эффекты значительной активации ряда диффузионно-контролируемых твердофазовых реакций, таких как синтез сложнооксидных соединений, спекание оксидной керамики. Однако механизмы ускорения этих процессов остаются до сего времени невыясненными.

Только выявляя физическую сущность процесса, положенного в основу нового технологического процесса, и разрабатывая методы математического описания реальных процессов, всегда можно оказать существенную помощь в выборе путей дальнейшего развития прогрессивной технологии и добиться оптимальных результатов. В силу этих соображений вопросы подвижности точечных дефектов и примесей, неравновесность реальных объектов приобретают ключевую роль во многих вариантах реализации радиационных технологий. Поэтому изучение особенностей протекания диффузионных процессов в ионных структурах в интенсивных радиационных полях приобретает в целом характер фундаментальной проблемы.

К началу данного исследования системных работ по изучению явления; радиационно-стимулированной диффузии (РСД) при интенсивном электронном облучении в ионных диэлектриках практически не проводилось. При этом вопрос о возможности ее стимуляции потоками ионизирующей радиации, особенно в представляющей наибольший практический интерес области высоких температур, до сего времени остается дискуссионным.

Таким образом, актуальность темы диссертационной работы определяется необходимостью решения фундаментального в области радиационной физики конденсированного состояния вопроса о возможности стимулирования высокотемпературной диффузии в материалах с ионным типом связи интенсивными потоками ионизирующей радиации.

Твердофазовые гетерогенные взаимодействия достаточно сложны и многообразны. Значительное место среди них занимают процессы легирования материалов методами диффузии, сопровождающиеся в простейшем случае образованием твердых растворов. Другой класс процессов включает реакции твердофазового взаимодействия, результатом которых является синтез нового соединения. Протекают они в несколько стадий, важнейшей из которых, а зачастую и лимитирующей скорость синтеза, является доставка по диффузионному механизму реагирующих компонентов в зону реакции. Данная работе посвящена изучению влияния интенсивного электронного пучка на эти два типа практически важных диффузионных процессов.

На основании изложенного цель и задачи формулируются следующим образом.

Цель работы.

Установить характер влияния интенсивного пучка высокоэнергетических электронов на скорость протекания в материалах с ионным типом связи высокотемпературных диффузионных процессов легирования и твердофазового синтеза сложнооксидных соединений.

Для достижения этой цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать методологию определения коэффициентов гетеродиффу-зии в ионных диэлектриках с использованием техники вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС).

2. Исследовать действие радиационно-термической обработки на высокотемпературную гетеродиффузию в ЩГК различного типа катионных примесей, отличающихся зарядовым состоянием и находящихся в составе различных химических соединений.

3. На примере реакций взаимодействия оксидов исследовать закономерности влияния радиационно-термического воздействия на диффузию, лимитирующую твердофазовый синтез сложнооксидных соединений.

Научная новизна работы состоит в том, что:

1. Разработана методология корректного измерения диффузионных профилей в ионных диэлектриках с использованием техники ВИМС для определенного типа масс-спектрометров. Разработанная методика послойного анализа позволяет увеличить точность определения координаты исследуемого слоя, снизить влияние краевого эффекта кратера при измерении концентрационных распределений диффузанта по глубине.

2. Установлен эффект РТ интенсификации высокотемпературных диффузионных процессов в диэлектрических материалах при облучении интенсивным пучком высокоэнергетических электронов. Эффект радиационной стимуляции характерен для определенного типа процессов диффузионного легирования ЩГК иновалентными примесями, находящимися в составе оксидов, а также для диффузионных процессов, лимитирующих твердофазовый синтез шпинели в реакциях взаимодействия оксидов типа МеО-Ме2Оз.

3. Впервые во фториде лития определены диффузионные характеристики ионов магния, которые используются в качестве активирующей примеси при изготовлении термолюминесцентных дозиметров ионизирующего излучения.

Научно-практическая ценность.

1. Разработан и запатентован простой в исполнении способ определения диффузионных параметров ионов примеси в диэлектрических материалах методом ВИМС. Преимущество данного метода заключается в возможности определения коэффициентов как приповерхностной, так и объемной диффузии примесей в различных структурах.

2. Обнаруженный эффект радиационной активации диффузии может быть использован при разработке радиационных технологий изготовления и модифицирования ионных соединений разного функционального назначения.

Результаты исследований важны для развития физических представлений о механизмах стимулирования радиацией диффузионного массопереноса и ряда диффузионно-контролируемых твердофазовых процессов, таких как синтез сложнооксидных соединений в условиях их нагрева пучком высокоэнергетических электронов. Это, в конечном счете, позволит определить выбор путей дальнейшего совершенствования прогрессивной технологии и добиться оптимальных результатов.

Полученные результаты могут использоваться в учреждениях и организациях, занимающихся как научными исследованиями в области физики твердого тела, физической химии и химии оксидных систем (НИИ "Домен" г.Санкт-Петербург, Институт химии твердого тела УрО РАН и др.), так и разработкой составов и технологий изготовления керамики широкого класса назначений и ее производством (НПО "Вымпел" г. Москва).

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Радиационно-термический нагрев щелочно-галоидных кристаллов высокоэнергетическими электронами вызывает увеличение коэффициентов высокотемпературной (при температурах более 0.7 температуры плавления) диффузии примесей магния и алюминия, осуществляемой из оксидного состояния.

2. Радиационно-термическое воздействие не изменяет скорость высокотемпературной диффузии изовалентных и гетеровалентных катионов в ЩГК, осуществляемой из галоидных солей, что связано с изначально высокой диффузионной подвижностью катионов.

3. Радиационно-термическая обработка высокоэнергетическими электронами ускоряет диффузионную стадию взаимодействия в твердофазовых реакциях в химических системах гпО-РегОз и №0-А1203. Коэффициенты диффузии катионов в этом случае увеличиваются от 2 до 10 раз по сравнению с коэффициентами диффузии для процессов, протекающих в отсутствии радиационного фактора.

4. Разработанная;оригинальная методика послойного анализа диэлектрических материалов, заключающаяся в использовании системы, состоящей из металлической диафрагмы на поверхности образца и центрированной по отношению к ней пленки диффузанта островкового типа, нанесенной на образец, позволяет снизить влияние краевого эффекта кратера и измерить диффузионный профиль примеси без существенных искажений.

Достоверность полученных в диссертации результатов и обоснованность научных положений подтверждается: согласованностью результатов при измерении диффузионных характеристик различными методами; достаточным; объемом экспериментальных данных; применением современных методов исследований; корректностью постановки решаемых задач и их физической обоснованностью.

Личный вклад автора.

Результаты, изложенные в диссертации, получены лично автором или при его непосредственном участии в сотрудничестве с коллегами по лаборатории ПНИЛ ЭДиП Томского политехнического университета. Автор формулировал цели и задачи исследований, разрабатывал методики для проведения измерений, проводил эксперименты и расчеты по определению диффузионных характеристик, обобщал результаты и делал выводы. и

Апробация работы.

Основные результаты диссертации были изложены и обсуждены на следующих научных конференциях: Всероссийской научной конференции "Перспективные материалы, технологии, конструкции" (Красноярск, 1999-2002); Международном конгрессе "International Congress on Radiation Physics and Chemistry of Condenced Matter, High Current Electronics, and Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows" (Томск, 2000); XI Межнациональном совещании "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 2001,); Международной конференции "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (Кемерово, 2001); Международных конференциях "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (Томск, 1998, 2000, 2002); VII! Международной конференции "Физика твердого тела" (Усть-Каменогорск, 2002); Международном симпозиуме «Фазовые превращения в твердых растворах и сплавах» ОМА-2003 (Сочи, 2003); XII Международной конференции «Радиационная физика и химия в неорганических материалах» (Томск, 2003) и др.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 36 работ (6 статей в центральных журналах, 2 патента, 2: положительных решения о выдаче патента, 26 тезисов докладов и публикаций в сборниках трудов конференций).

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, основных результатов и списка используемой литературы из 102 наименований. Общий объем диссертации 140 страниц, работа содержит 35 рисунков и 6 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Чернявский, Александр Викторович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработанная для определенного типа масс-спектрометров оригинальная методика корректного измерения диффузионных профилей в ионных диэлектриках позволяет надежно оценивать коэффициенты гетеродиффузии при помощи предложенного простого приема, который заключается в использовании системы, состоящей из металлической диафрагмы на поверхности образца и центрированной по отношению к ней пленки диффузанта ост-ровкового типа, нанесенной на образец. Диаметры пленки и диафрагмы оптимизированы по отношению к диаметру травящего пучка ионов. Протяженность анализируемого концентрационного профиля не должна превышать (45) мкм, так как на больших глубинах происходит искажение его формы за счет существенного усиления роли неоднородности травления.

2. Диффузионные профили, измеренные методом ВИМС, для всех исследуемых примесей в ЩГК имеют неэлементарный характер и содержат два участка, которым соответствуют различные коэффициенты диффузии. В приповерхностном слое протяженностью до 1 мкм от поверхности происходит торможение диффузии, что связано со спецификой протекания диффузионного процесса в сильно нарушенных приповерхностных областях кристаллов. Определенные для этого участка коэффициенты приповерхностной диффузии более чем на порядок ниже, чем объемные коэффициенты диффузии, вычисленные по более глубокому участку.

3. Диффузионные характеристики гетеровалентных примесей в кристаллах существенно зависят от исходного химического состояния диффузанта. При диффузии из состава галоидных солей пленок, нанесенных на поверхность образцов, коэффициенты объемной диффузии иновалентных примесей более чем на порядок превышают значения, получаемые в диффузионных экспериментах с использованием окисленных металлических пленок. Полученный результат объясняется различными механизмами и формой диффузионного проникновения примеси в кристалл в сопоставляемых случаях.

4. Радиационно-термическая обработка не оказывает влияния на высокотемпературную диффузию изовалентных и гетеровалентных катионов в ЩГК, осуществляемую из галоидных солей, что связано с их высокой исходной диффузионной подвижностью. В реализуемых условиях облучения интенсивным пучком электронов ни один из механизмов стимуляции диффузии не является эффективным.

5. Радиационно-термический нагрев кристаллов электронами высоких энергий оказывает стимулирующее действие на высокотемпературную диффузию примесей магния и алюминия, осуществляемую из оксидного состояния. Эффект РСД в ЩГК значим для диффузионных процессов, протекающих с достаточно малой скоростью.

6. Воздействие пучка ускоренных электронов ускоряет диффузионную стадию взаимодействия в твердофазовых реакциях в химических системах ЕпО-РегОз и №0-А1г0з. Диффузионная подвижность катионов в этом случае увеличивается от 2 до 10 раз по сравнению с процессами, протекающими без воздействия ионизирующего излучения.

Автор считает своим долгом выразить искреннюю признательность к.ф.-м. наук Франгульян Т.С. за оказанную помощь в подготовке диссертационной работы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Чернявский, Александр Викторович, 2004 год

1. Чеботин В.Н. Химическая диффузия в твердых телах. M.: Наука, 1989. -208 с.

2. Беиье Ф. Диффузия в ионных кристаллах. В кн. Физика электролитов. Под ред. Хладик Дж. М.: Мир, 1978, с. 218-315.

3. Маннинг Дж. Кинетика диффузии атомов в кристаллах. М.: Мир, 1971. -278 с.

4. Френкель Я.И. Введение в теорию металлов. Л., Наука, 1972.

5. Лидьярд А. Ионная проводимость кристаллов. М.: ИЛ, 1962. 223 с.

6. Koch Е., Wagner С. // Z. phys. Chem. 1937. - В38. - Р.295.

7. Breckenridge R.G. // J. Chem. Phys. 1950. - 18. - P.913.

8. Laj J. Thesis University of Paris, Orsay, 1969.

9. Вавилов B.C., Кив A.E., Ниязова O.P. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981.- 368 с.

10. Шалаев A.M. Радиационно-стимулированная диффузия в металлах. М.: Атомиздат, 1972. 147 с.

11. Козловский В.В., Ломасов В.Н. Радиационно-стимулированная диффузия примесей в полупроводниках. // Обзоры по электронной технике. Серия 7, М.: ЦНИИ «Электроника». 1985. - Вып. 9(1109). - 56 с.

12. Джафаров Т.Д. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках. М. :Энергоатомиздат, 1991,287с.

13. Dienes G J., Damask A.C. Radiation enhanced diffusion in solids // J. Appl. Phys.- 1958. 29, №12,- P. 1713-1721.

14. Климкова O.A., Ниязова O.P. Радиационно-ускоренная диффузия золота в кремнии // ФТТ.- 1970. 12, № 7.- С. 2199-2200.

15. Койфман А.И., Ниязова O.P. Размытие диффузионных профилей в кремнии при воздействии ионизирующего излучения // ФТП. 1972.- 6, № 4. -С.757-758.

16. Ниязова О.Р. Структура и свойства облученных материалов.- Ташкент: ФАН, 1975.- 117 с.

17. Мананова Х.Х. Радиационно-стимулированная диффузия в сульфидахдвухвалентных металлов: Автореф. дисс канд. физ. наук.- Ташкент,1972.- 20 с.

18. Жуков В.П. Федоров Г.Б. // ФТТ. -1978.- т.20, № 3. С.843-849.

19. Ланг Д. Радиационные дефекты в соединениях А3В5. // В кн.: Точечные дефекты в твердых телах: Пер. с англ., Мир, 1979. С. 187-217.

20. Шейнкман М.К. // Письма в ЖЭТФ. 1983. - т.38, № 6. - С.278-280.ч г

21. Шейнкман М.К. Физика соединений А В // Сб . статей / Под ред. Георго-биани А.Н. и Шейнкмана М.К. М.: Наука, 1986. С.109-146.

22. Карпов В.Г., Клингер М.И. Ионизационный механизм усиления диффузии в полупроводниках // Письма в ЖТФ. 1980.- 6, вып. 23. - С. 1436.

23. Оксенгендлер Б.Л. Инверсон-дефектон нового типа // Письма в ЖЭТФ.-1976. 24, №1. - С.1215.

24. Ленченко В.М. Об активации смещений при релаксации электронных возбуждений в твердых телах. // ФТТ. 1969. - т. 11, № 3. - С.799-801.

25. Инденбом В. Л, Новая гипотеза о механизме радиационно-стимулированных процессов // Письма в ЖЭТФ. 1979.- 5, № 9. - С.489-492.

26. Ауслендер В.Л., Болдырев В.В., Воронин А.П., Неронов В.А., Мелихова Г.Ф. Радиационно-термический эффект при спекании оксида европия в пучке ускоренных электронов // ДАН. -1981.- т. 258, №6. С.1393-1396.

27. Канимов Б.К. Радиационно-термическая активация диффузионно-контролируемых твердофазовых реакций: Дисс.канд. хим. наук.- Алма-Ата:КПИ, 1990.-292 с.

28. Анненков Ю.М. Дефектообразование и массоперенос в ионных структурах при интенсивном облучении ионизирующей радиацией: Дисс. . докт. физ.-мат. наук.-Томск: 111 У, 2002.- 330 с.

29. Mapother D. Effect of X-Ray Irradiation on the Self-Diffusion Coefficient of Na in NaCl. // Phys. Rev. 1953. - Vol. 89, N. 6. - P. 1231-1232.

30. Гегузин Я.Е., Бойко Ю.Л. О влиянии рентгеновского излучения на взаимодиффузию в монокристаллах щелочных галогенидов. //ДАН СССР. — 1967. т. 172, № 4. - С.820-822.

31. Гегузин Я.Е., Бойко Ю.Л., Сергиенко П.М., Стройлов Ю.С. Влияние рентгеновского излучения на самодиффузию катионов и анионов в приповерхностном слое щелочногалоидных кристаллов. . Сб.: Поверхностная диффузия и растекание. М.:Наука, 1969, с.279-283.

32. Готлиб В.И., Трофимов В.Н., Шварц К.К. Радиационно-стимулированная диффузия в KCl. // Изв. АН Латв. СССР. Сер. физ. и техн. наук. 1970. -№6. - С.121-122.

33. Анненков Ю.М., Галанов Ю.И., Франгульян Т.С. Радиационно-стимулированная диффузия катионов в кристаллах NaBr. Деп. в ВИНИТИ 15.01.75.№1424-75. Юс.

34. Захряпин С.Б., Гладышев Г.Е., Громов Л.А. Диффузия таллия в ЩГК в поле у-излучения. // ФТТ. 1983. - т. 25, № 4. - С. 1152-1154.

35. Суржиков А.П., Притулов А.М. Радиационно-термическое спекание фер-ритовой керамики. М. :Энергоатомиздат, 1998. 217 с.

36. Болдырев В.В., Воронин А.П., Ляхов Н.З., Канимов Б.К. Неорганические реакции в мощных пучках ускоренных электронов. // Журнал ВХО им. Д.И. Менделеева. 1990. -т.35, №5. - С.540-545.

37. Анненков Ю.М., Франгульян Т.С., Возняк A.B. Радиационно-ускоренное спекание порошков. // Порошковая металлургия. 1991» - № 8. - С. 15-17.

38. Bruin H.J., Watson G.M., Blood C.M., Roman D. Cation Self-difïusion in Fast Neutron-irradiated Beryllium Oxide. // Phi. Mag. 1967. - Vol. 16, N. 140. -P.427-430.

39. Van Sambeek A.I., Averback R.S., Flynn C.P., Yang M.H., Jäger W. Radiation enhanced diffusion in MgO. // J. Appl. Phys. 1998. - Vol.83, N. 12. - P.7576-7584.

40. Гришаев B.B., Ерастова А.П., Лебедь Б.М., Саксонов Ю.Г., Федорова Г.Я. Радиационно-стимулированная диффузия в оксидах металлов. // Изв. АН СССР Неорган, материалы. 1988.- 24, № 11. - С.1857-1860.

41. Гришаев В.В., Ерастова А.П., Лебедь Б.М., Саксонов Ю.Г., Федорова Г.Я., Федорович Г.Ю. Радиационно-стимулированная диффузия на границе феррит-феррит // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1988. - 24, №12. - С.2059-2061.

42. Гармаш В.М., Ермаков Г.А., Константинов Ю.П. и др. Радиационно-стимулированная диффузия кислорода в монокристалле алюмоиттриевого граната АИГ: Nd3+. // Журнал физ. химии. 1988. - №2. -С.564-567.

43. Карагедов Г.Р., Коновалова Е.А., Грибков О.С. Влияние предыстории реагентов и условий проведения реакции на кинетику синтеза пентаферри-та лития // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1991. - 27,№2. - С.365-369.

44. Гришаев В.В., Ерастова А.П., Лебедь Б.М. Радиационная гомогенезация ферритовых порошков // Электронная техника. Сер. Материалы. 1983. -№10. - С.32-36.

45. Грибков О.С. Радиационно-термический синтез сложных оксидных соединений: Дисс. канд. хим. наук.- Новосибирск, 1992.- 142 с.

46. Clement S., Hodgson E.R. Radiation-enhanced impurity aggregation in MgO. // Phys. Review B. 1987. - Vol. 36, N. 6. - P.3359-3364.

47. Вайсбурд Д.И., Семин Б.Н., Таванов Э.Г. и др. Высокоэнергетическая электроника твердого тела. Новосибирск: Наука, 1982. - 225 с.

48. Анненков Ю.М., Столяренко В.Ф., Франгульян Т.С. Накопление дырочных центров окраски в КВг под действием импульсных пучков электронов высокой плотности. // Изв. Вузов. Физика. 1981. - № 6. - С.103-105.

49. Анненков Ю.М., Суржиков А.П., Погребняк А.Д., Суржиков В.П. Образование радиационных дефектов в кристаллах MgO при высоких плотностях возбуждения. // ЖТФ. 1980. - т.50, вып. 1. - С.222-224.

50. Philips В., Hutta J.J., Warshaw I. Phase equilibria in the system Ni0-Al203-Si02. // J. Amer. Ceramic Soc. 1963. -Vol. 46, N 12. - P.579-583.

51. Козлов Ю.Д., Никулин К.И., Тишков Ю.С. Расчет параметров и конструирование радиационно-химических установок с ускорителями электронов. М.: Атомиздат, 1976. 176 с.

52. Tatsuo Tabata, Rinsuke Ito. An algorithm for the energy deposition by fast electrons. //Nuclear Science and Engineering. 1974. - 53. - P.226-239.

53. Beniere F., Reddy K.V. // J. Phys. Chem. Solids. 1986. - Vol. 47, N 1. - P.69.

54. Нечаев А.Ф., Селезнев Л.Д. // ФТТ. 1976. - т. 18, № 10. - С.3124-3127.

55. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М.: Гос. изд-во физ-мат. литер., 1961. 461 с.

56. Matthys P., Vanhaelst V., Boesman Е. // Phys. Stat. Sol. 1976. - Vol. 35. -P.137-139.

57. Ребане K.K., Ребане Л. A. // Изв. АН ЭССР, сер. Физ. матем. 1965. -т.14. -С.309-318.

58. Лущик Ч.Б., Васильченко Е.А., Лущик А.Ч. // Труды ИФА АН ЭССР. -1983. т.54. - С.5-37.

59. Лущик Н.Е., Зазубович С.Г. // Труды ИФА АН ЭССР. 1961. - т. 14.-С.141-167.

60. Манкин О.Г. // Труды ИФА АН ЭССР. 1960. - т. 11. - С.80-89.

61. Патент РФ №2205381. Способ определения концентрации металлосодер-жащих аэрозолей в воздушной атмосфере. / Суржиков А.П., Гынгазов С.А., Фрашульян Т.С., Чернявский A.B. МПК 7 G01N 15/00 21/88, Опубл.27.05.2003 г. Бюл. №15.

62. Нефедов В.И., Черепин В.Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел. М.: Наука, 1983. 296 с.

63. Черепин В.Т., Васильев М.А. Вторичная ионно-ионная эмиссия металлов и сплавов. Киев, Наукова Думка, 1975. 239 с.

64. Черепин В.Т. Ионный зонд. Киев, Наукова Думка, 1981. 328 с.

65. Патент РФ № 2180109. Способ послойного анализа тонких пленок. / Суржиков А.П., Пригулов A.M., Гынгазов С.А., Чернявский A.B. МПК 7 GO 1 N23/00, Опубл. 27.02.02 г. Бюл. № 6.

66. Салунский В.И., Радченков А.П. Диффузия в приповерхностном слое твердых тел в направлении, перпендикулярном поверхности. В сб.: Поверхностная диффузия и растекание. М.: Наука, 1969. с.230-241.

67. F. Nicolas, F. Beniere, М. Shemla. Isotope effect of diffusion 22Na+ 24Na+ in NaCl, KCl and KBr single crystals. // J.Phys. Chem. Solids. - 1974. - Vol. 35, N. 1-B. - P. 15-23.

68. Beniere F., Reddy K.V. Diffusion of heterovalent ions in ionic crystals. // J. Phys. Chem. Solids. 1986. - Vol. 47, N. 1. - P.69-77.

69. Суржиков А.П., Пригулов A.M., Гынгазов С.А., Чернявский A.B. Исследование радиационно-стимулированной диффузии иновалентных примесей в ионных кристаллах // Перспективные материалы,2000.-№1.-с.30-34.

70. Гынгазов C.A., Суржиков А.П., Франгульяи Т.С., Чернявский А.В. Применение метода ВИМС для исследования гетеродиффузии в щелочногало-идных кристаллах. // Изв. вузов. Физика. 2002. - № 8. - С.20-25.

71. Гынгазов С.А., Суржиков А.П., Франгульян Т.С., Чернявский А.В. Исследование диффузии магния в кристаллах фторида лития методом ВИМС. // Изв. вузов. Физика. 2002. - № 12. - С.67-72.

72. Анненков Ю.М. Исследование электрических свойств щелочногалоидных кристаллов и их радиационного изменения. Автореферат канд. дисс., Томск, 1969.

73. Rowell D.K., Sangester M.J.J. // J. Phys. С: Solid State Phys. 1981. - Vol. 14, N. 21. - P.2909-2921.

74. McKinley W.A., Fesbach H. The Coulomb Scattering of Relativistic Electron by Nuclei. // Phys. Rev. 1948. - 74. - P.1759.

75. Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М.: Наука, 1989. 264 с.

76. Наумов А.Н., Пташник В.Б. Самодиффузия ионов Li+ в монокристаллах фторида лития. // ФТТ. 1968. - т. 10, вып.12. - С.3710-3778.

77. Beniere F., Sen S.K. // Phil. Magazine. 1991. - Vol. 64, N. 5. - P.l 167-1180.

78. Stoebe T.G., Pratt P.L. //Proc. Brit.Ceram. Soc. 1967. Vol. 9.- P. 171-178.

79. Beniere M., Shemla M., Beniere F. // J. Phys. Chem. Solids. 1976. - Vol. 37. -P.525-538.

80. Stott J.P., Crawford H. Effect of ionizing radiation of impurity-vacancy dipoles in lead-doped NaCl and KC1. // Phys. Rev. B. 1971. - Vol.4, N. 2. - P.639-647.

81. Непомнящих А.И., Раджабов Е.А., Егранов A.B. Центры окраски и люминесценция кристаллов LiF. Новосибирск: Наука, 1984. — 112 с.

82. Суржиков А.П., Франгульян Т.С., Чернявский A.B. Исследование высокотемпературной диффузии ионов Na в бромиде калия в мощных радиационных полях. // Перспективные материалы. 2001. - № 3. - С.24-29.

83. Ткаченко E.B., Аксельрод Н.Л., Воронин А.П., Грибков О.С., Болдырев

84. B.B. Синтез ферритов стронция в пучке ускоренных электронов. // Доклады АН СССР. -1985. -т. 284, № 2. С.413-415.

85. Болдырев В.В., Канимов Б.К., Факторович Б.Л., Якобсон Б.И. Радиацион-но-термическая активация диффузионно-контролируемых твердофазных реакций. // Известия СО АН СССР, сер. хим. наук. 1988. - т. 19, вып.6.1. C.3-9.

86. Schmalzried H., Wagner С. Fehlordnung in temaren Ionenkristallen. // Z. phys. Chem. N.F. 1962. - Vol. 31, N. 1/2. - S.202-221.

87. Schmalzried H. Reakzionmechanismen der Spinellbilding im festen Zustand. // Z. phys. Chem.N.F. 1962. - Vol. 33, N. 1/4. - S.l 11-128.

88. Iida Y. Building NÍAI2O4 in solid State reactions. // J. Japan Soc. Powder Met. 1958. - Vol. 6, N. 2. - P.35-58.

89. Исмаилов T.C. Влияние фазового состава на восстанавливаемость никель-алюминиевой системы. // Журнал прикладной химии. -1983.- Т. 56, № 2. -С.419-422.

90. Pettit F.S., Randklev E.H., Feiten EJ. Formation of NiAl204 by solid State reaction. // J. Amer. Ceramic Soc. 1966. -Vol.49, N. 4. - P. 199-203.

91. Tretjakov U.D., Schmalzried H. Zur Thermodinamik von Spinelphasen (chro-mite, Ferrite, Alumínate). // Berichte Bunsen Phys. Chem. 1965. - Vol. 65, N. 5. — S.396-402.

92. Башкиров JI.A., Зубец A.B. Ферритообразование в системе MgixZnx04-Fe203. // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1988. - Т. 21, № 11. — С.1887-1893.

93. Летюк Л.М., Журавлев Г.И. Химия и технология ферритов. Ленинград: Химия, 1983.-255 с.

94. Башкиров Л.А., Паньков В.В. Механизм и кинетика образования ферритов. Минск: Наука и техника, 1988. 262 с.

95. Третьяков Ю.Д. Термодинамика ферритов. Изд.-во «Химия», Ленинградское отд., 1967. 304 с.