| Тема диссертации |
Автор |
Год |
|
|
Резонансные состояния в деформированных полупроводниках
|
Одноблюдов, Максим Анатольевич |
1998 |
|
|
Роль морфологии в формировании электронных спектров, оптических и электрофизических характеристик тонких пленок a-Si: Н, а-С: Н и а-Si1-x Cx : Н
|
Лигачев, Валерий Алексеевич |
1998 |
|
|
Спектры спинволновых возбуждений доменных границ в сильно- и слабоанизотропных ферримагнетиках
|
Алексеев, Александр Михайлович |
1998 |
|
|
Спонтанное формирование полупроводниковых наноструктур
|
Щукин, Виталий Александрович |
1998 |
|
|
Структурные микронеоднородности и междоменное взаимодействие в оксидных ферримагнитных средах
|
Карпасюк, Владимир Корнильевич |
1998 |
|
|
Субмиллиметровая спектроскопия двумерных полупроводниковых структур в сильном магнитном поле
|
Сучалкин, Сергей Дорианович |
1998 |
|
|
Субструктурные изменения высокоглиноземистых керамических диэлектриков в результате нейтронного облучения
|
Пивченко, Елена Борисовна |
1998 |
|
|
Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов III группы
|
Бугров, Владислав Евгеньевич |
1998 |
|
|
Фотолюминесценция горячих электронов и комбинационное рассеяние света в структурах с квантовыми ямами CaAs/AlAs
|
Сапега, Виктор Федорович |
1998 |
|
|
Фотостимулированные процессы на поверхностных дефектах широкозонных полупроводников
|
Клюев, Виктор Григорьевич |
1998 |
|
|
Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
|
Денисов, Юрий Алексеевич |
1998 |
|
|
Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs
|
Шарирзаев, Тимур Сезгирович |
1998 |
|
|
Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении
|
Емельянова, Татьяна Геннадьевна |
1998 |
|
|
Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках
|
Коровкин, Михаил Владимирович |
1998 |
|
|
Электронное состояние поверхности GaAs и InP: Диагностика, управление, пассивация
|
Бедный, Борис Ильич |
1998 |
|
|
Энергетический спектр и механизмы релаксации носителей заряда в легированных кристаллах висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма
|
Грабов, Владимир Минович |
1998 |
|
|
Энергетический спектр электронных и колебательных состояний в полупроводниковых нанокристаллах
|
Люблинская, Ольга Геннадьевна |
1998 |
|
|
Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств
|
Лундин, Всеволод Владимирович |
1998 |
|
|
Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах
|
Захарова, Анна Александровна |
1998 |
|
|
Акустические и упругие свойства твердых многокомпонентных диэлектриков
|
Беломестных, Владимир Николаевич |
1997 |
|
