Энергетический спектр электронов и элементарные процессы на поверхности ионных и ионно-ковалентных кристаллов с дефектами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Васильева, Галина Юрьевна

• Васильева, Галина Юрьевна
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Васильева, Галина Юрьевна

ВВЕДЕНИЕ.

1 МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ И ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЕ СХЕМЫ ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОННО-ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТРОЕНИЯ ТВЕРДЫХ ВЕЩЕСТВ

1.1 Зонная теория.

1.2 Модели с циклическими граничными условиями.

1.3 Кластерные модели твердых тел.

1А Подавление граничного эффекта.

1.5 Расчетные схемы применительно к кластерным моделям твердых тел (молекулярно-орбитальные подходы).

1.5.1 Ограниченный по спину метод Хартри-Фока-Рутана.

1.5.2 Неограниченный по спину метод Хартри-Фока-Рутана.

1.6 Вычислительные схемы с учетом корреляции электронов.

1.6.1 Многочастичная теория возмущений Меллера-Плессета.

1.6.2 Расчетная схема теории функционала плотности.

1.7 Расчеты в валентном базисе.

1.8 Полуэмпирические расчетные схемы.

1.9 Об интерпретации энергетического спектра электронов по 29 данным МО ССП-расчетов

1.10 Реализация используемых вычислительных процедур.

1.11 Выводы к главе 1.

2 ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ, СПЕКТР ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ И ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПРОЦЕССЫ НА ПОВЕРХНОСТИ ДИОКИДА КРЕМНИЯ

2.1 Структурные особенности поверхности диоксида кремния.

2.2 Особенности строения гидроксид-обедненных центров поверхности диоксида кремния.

2.2.1 Условия образования и модели гидроксид-обедненных центров поверхности 8Юг. Детали вычислительной процедуры.

2.2.2 Строение гидроксидобедненных центров поверхности диоксида кремния.

2.3 Энегетический спектр электронов гидроксид-обедненных участков поверхности Si02.

2.4 Выводы к главе 2.

3 ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЭЛЕКТРОНОВ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ С КУБИЧЕСКОЙ РЕШЕТКОЙ

3.1 Введение

3.2 Кристаллы оксидов и сульфидов непереходных металлов.

3.2.1 Кристаллохимические данные и модели кубических кристаллов.

3.2.2 Энергетическая схема для бездефектных кристаллов.

3.2.3 Спектр одноэлектронных состояний кристаллов с дефектами.

3.3 Кристаллы гидридов и галогенидов щелочных металлов.

3.4 Выводы к главе 3.

4 ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ a-AL203 И НАНОЧАСТИЦ АЛЮМОГИДРОКСИДОВ, МОДИФИЦИРОВАННЫХ ИОНАМИ ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

4.1 Введение.

4.2 Спектр одноэлектронных состояний поверхности а-оксида алюминия с дефектами замещения атомами Зс1-элементов.

4.3 Электронное строение и энергетический спектр электронов в наночастицах алюмогидроксидов, модифицированных ионами 3 d-элементов.

4.4 Выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Энергетический спектр электронов и элементарные процессы на поверхности ионных и ионно-ковалентных кристаллов с дефектами»

Развитие микро- и наноэлектроники требует поиска новых материалов с требуемыми характеристиками, которые, в свою очередь, обусловлены их электронным строением и энергетическим спектром электронов. Прогресс в области физических методов изучения твердых тел позволяет получить более глубокие представления об их структуре и физических свойствах. Тем не менее, многие особенности поведения электронов, а также процессов как внутри, так и на поверхности твердых тел, невозможно выяснить с необходимой детализацией, исходя только из результатов экспериментального исследования (ИК- и УФ-спектроскопия, дифракция медленных электронов, спектроскопия энергетических потерь, ЭПР- и ЯМР-исследования). Более того, эффективность экспериментальных подходов существенно зависит от успеха в интерпретации экспериментально полученных результатов. Это говорит о том, что необходимы также теоретические модели и соответствующие расчетные процедуры, основанные на квантовомеханических подходах.

Электрофизические характеристики кристаллических твердых тел определяются их геометрическим и электронно-энергетическим строением. Введение в твердофазную систему как внутриобъемных^ так и поверхностных дефектов приводит к модифицированию энергетического, спектра электронов, а, следовательно, и к соответствующему изменению их электрофизических свойств. Ионные и ионно-ковалентные твердые тела с дефектами замещения к настоящему времени изучены не достаточно полно, поэтому именно данный тип кристаллических структур представляется интересным и важным для детального изучения.

Модельные подходы и квантовомеханические расчетные схемы во многих случаях могут обеспечить более полную информацию об электронном строении и энергетических характеристиках электронов, чем существующие экспериментальные методы, а также способы предсказать новые свойства твердых тел и сферы применения соответствующих объектов исследования. Кроме того, на основе теоретических расчетов, исходя из результатов эксперимента, представляется возможным сформулировать критерий корректности получаемых представлений об электронно-энергетических свойствах кристаллов с дефектами. Это позволяет с доверием относиться к соответствующим теоретическим моделям и использовать их в дальнейших исследованиях.

Большое значение в микро- и наноэлектронном материаловедении отводится неметаллическим структурам, среди которых важное место занимают ионные и ионно-ковалентные кристаллы. Они подразделяются на изоляторы и полупроводники. Изоляторы характеризуются широкой запрещенной зоной (более 4-^-5эВ) и узкой (1,5-КЗэВ) верхней валентной зоной. К изоляторам (диэлектрикам) относятся, например, щелочно-галоидные кристаллы и оксиды непереходных элементов. Дефекты внутри объема нарушают ближний порядок (атомы, близкие к дефекту) и, как правило, в значительно меньшей степени — дальний порядок. Соответствующие изменения зависят от химической природы дефекта и расположения атомов дефекта в кристалле. Если область нарушения периодичности невелика (охватывает несколько узлов решетки), то соответствующие дефекты называют локальными. Если концентрация дефекта невелика, то в энергетическом спектре электронов возникают отдельные «примесные уровни», а в случае высокой концентрации дефектов вследствие взаимодействия дефектов друг с другом — примесные зоны конечной ширины. Точечные (локальные) дефекты делятся на собственные (не содержащие чужеродных атомов) и примесные. Примеси (дополнительные чужеродные атомы или атомы (группы атомов), замещающие в идеальном кристалле «родные» атомы) могут быть специально введены с целью изменения физических свойств кристалла и получения нужного материала.

Точечные дефекты возможны и на поверхности кристалла. Отметим, что сама поверхность также является дефектом, поскольку атомы на поверхности и в приповерхностных слоях находятся не в тех же самых условиях, что и атомы в объеме твердого тела.

Широкое применение неметаллических материалов в компонентах микро- и наноэлектронных устройств обусловлены специфическими свойствами, которые они приобретают при целенаправленном введении дефектов. При этом требуется приложение серьезных усилий по очистке соответствующих кристаллов от «несанкционированных» (ненужных) примесей, т.к. всего лишь один атом примеси на миллион атомов идеального кристалла существенно влияет на его электрофизические характеристики. Дефекты, вводимые в кубические ионные кристаллы (широкощелевые диэлектрики), создают условия применения их в качестве лазерных материалов, термо- и люминесцентных дозиметров и др. Повышение эффективности этих устройств и новые возможные применения неметаллических кристаллов с локальными дефектами существенно определяются уровнем наших знаний об особенностях их электронно-энергетического спектра.

Рассмотрение электронно-энергетических свойств неметаллических кристаллов с дефектами сопряжено с решением следующих задач: создание адекватных моделей кристаллов с дефектами; выбор расчетной процедуры, обеспечивающей необходимую точность расчетных характеристик; определение положения обусловленных дефектами локальных состояний относительно границ энергетических зон совершенного кристалла; исследование распределения электронной плотности в окрестности дефекта; оценка изменений зонной энергетической структуры совершенного кристалла, обусловленных введением дефекта.

Целью работы является исследование на основе современных моделей и квантовохимических расчетных схем, развитых в теории многоатомных систем, электронного строения и спектра электронных состояний кристаллических структур, представляющих интерес для микро-, нано- и оптоэлектро-ники: а) диоксида кремния с поверхностью с максимально возможным обеднением гидроксильными группами, б) ионных кристаллов М^О, СсЮ, MgS, 1ЛН, 1ЛБ, ЫС1 с дефектами в объеме и на поверхности, в) кристаллического а-А120з с дефектами замещения ионами Зс1-элементов, г) наночастиц алюмо-гидроксидов, модифицированных элементами первого переходного периода.

Для достижения поставленной цели решались следующие основные задачи:

1. Анализ преимуществ и недостатков известных к настоящему времени модельных подходов и квантовохимических расчетных схем с целью выбора наиболее подходящих из них для расчета и изучения электронно-энергетических характеристик интересующих нас (см. выше) объектов.

2. Для гидроксид-обедненной поверхности диоксида кремния:

- установление особенностей электронного строения и спектра од-ноэлектронных состояний;

- исследование зависимости потенциальной энергии поверхностного атома кислорода от его ориентации относительно остатка твердого тела.

3. Анализ на основе компьютерного исследования энергетического спектра и распределения плотности электронов в ионных кристаллах (на примере СсЮ, 1ЛН, ОБ, 1ЛС1) с дефектами в объеме и на поверхности.

4. Исследование особенностей одноэлектронных состояний поверхности кристалла корунда (а-А1203) с дефектами замещения атомов А1 атомами 3 (¿-элементов.

5. Изучение влияния дефектов замещения атомов А1 атомами элементов первого переходного периода на структуру энергетического спектра электронов наночастиц алюмогидроксидов.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1) Для гидроксид-обедненных центров поверхности 8Ю2:

- устойчивым положениям «заповерхностного» атома кислорода (О*) отвечают структуры, в которых О* а) примыкает к одному из атомов кремния (81', 8Г') (двухъямный потенциал для О*), либо б) расположен симметрично относительно этих атомов (одноямный потенциал для О*); переход от а) к б) имеет место при угле —125-5-128°;

- поверхностные структуры с двухъямным потенциалом имеют более низкие энергии в синглетном состоянии при углах а до 130°-131°, а при больших углах — в триплетном состоянии;

- энергетический спектр электронов состоит из двух подзон занятых состояний (имеющих связывающий характер); зона вакантных состояний (имеющих разрыхляющий характер) отделена от верхней границы зоны занятых состояний областью запрещенных энергий шириной Л£/=8,6 эВ;

- в триплетном состоянии неспаренные электроны локализованы на пространственно разделенных атомах 81' и О* (либо 81" и О*);

- изменение энергетического строения, связанное с появлением локальных энергетических состояний, обусловленных наличием «заповерхностного» атома кислорода, приводит к возможности электронных переходов-переходов с энергиями ~5 эВ (симметричная конфигурация), и с энергиями ~ 1,3-5-1,6эВ (несимметричная конфигурация).

2) Для ионных кристаллов с кубической решеткой (на примерах М^О, СсЮ,

1лН, ир, 1лС1):

- как в области запрещенных энергий, так и в подзонах занятых состояний возникают состояния, обусловленные вводимыми дефектами (степени внедрения в соответствующие зоны представлены в разделах «3.3 Выводы к главе 3» и «Основные результаты и выводы») и уменьшающие энергии электронных переходов между соответствующими уровнями.

3) Для поверхности кристалла а-А1203 (корунд):

- уровни энергии электронов для структур с неполнокоординированным атомом А1 группируются в зоны занятых состояний, преимущественный вклад в которые вносят орбитали атомов кислорода, и вакантных состояний, преимущественный вклад в которые вносят орбитали атомов алюминия, причем неполнокоординированному атому А1 отвечают состояния с более низкими значениями энергии;

- диаграммы энергетических уровней (относительно границ энергетических зон совершенного кристалла) состояний, обусловленных дефектами замещения поверхностного атома А1 на атомы Зё-элементов СП-К№).

Научная новизна работы заключается в том, что впервые:

- для гидроксид-обедненной поверхности 8Юг: а) выявлены особенности взаимодействия поверхностных атомов кислорода с остатком поверхностной структуры; б) исследован спектр одноэлектронных состояний;

- для ионных кубических кристаллов и а-А12Оз: а) изучено перераспределение плотности электронов, вызванное введением различного рода дефектов; б) в энергетическом спектре электронов установлены положения энергетических уровней электронных состояний, обусловленных объемными и поверхностными локальными дефектами.

Достоверность результатов определяется корректностью используемых (многократно ранее апробированных) квантовохимических расчетных схем и сравнением некоторых полученных результатов с экспериментальными данными и с результатами, полученными другими авторами.

Практическая значимость работы заключается в том, что полученные электронно-энергетические характеристики исследуемых структур позволяют провести их целенаправленный отбор для рекомендации по использованию в качестве материалов компонент микро- и наноэлектронных устройств.

Результаты диссертационного исследования докладывались на научных семинарах кафедры физики ВолгГТУ, на научной конференции ВолгГ-ТУ (2007г.), Международных семинарах по физико-математическому моделированию систем (Воронеж, 2005г., 2007г., 2008г.).

По материалам диссертации опубликовано 9 печатных работ, из которых 4 из списка изданий, рекомендованных ВАК.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, одна из которых носит обзорный характер, основных результатов и выводов, приложения, содержащего таблицу с классификацией состояний в зонной энергетической схеме ионных и ионно-ковалентных твердых тел, обусловленных дефектами, списка литературы.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Васильева, Галина Юрьевна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Впервые получено, что для гидроксид-обедненных центров поверхности диоксида кремния а) потенциальная энергия взаимодействия поверхностного атома О* с остальными атомами поверхности в зависимости от угла a=ZSi'OSi" имеет одноямную (а<а0) или двухямную форму (а<ао, где а02125-^-128°); б) структуры с двухямным потенциалом энергетически более стабильны в синглетном состоянии при а<130° — 131°, а при больших значениях а - в триплетном состоянии; в) в триплетном состоянии неспаренные электроны локализованы на пространственно разделенных атомах 81' и О* (или 8Г'и О*); г) для синглетных структур с ростом угла а ширина области запрещенных энергий линейно убывает (это позволяет целенаправленно выбирать нужную модификацию 8Ю2 при проектировании элементов микро- и наноэлектроники).

2. Для ионных кубических кристаллов (на примере М^О, М^8, СсЮ) впервые получены оценки локализации энергий состояний, обусловленных дефектами, относительно границ энергетических зон бездефектного кристалла. Показано, что а) в случае дефекта типа «вакансия ионной пары» отщепляющиеся от нижней границы области вакантных состояний уровни энергий е"с проникают вглубь области запрещенных энергий на величины до

Ас=0,ЗА£^, а состояния е", отщепляющиеся от верхней границы р-подзоны занятых состояний — до Ду=0, 17А£я; б) в случае дефекта «дополнительной ионной пары на поверхности» в области запрещенных энергий образуются е"с -состояния, отстоящие от ее верхней границы на Ас=(0,01-Ю,15)АЕ8 и е"состояния, отщепляющиеся от ее нижней границы на Ау=(0,1-Ю,4) АЕ8; в) в случае дефекта типа «замещения поверхностного атома металла» для е" и е" получены величины «(0,02-Ю, 16)АЕ8 и (0,03-Ю, 1)А£'Я соответственно.

3. Впервые выявлены следующие особенности спектра одноэлектронных состояний кристаллов гидрида лития и галогенидов щелочных металлов с дефектами: а) в случае дефекта типа «дополнительная ионная пара» в запрещенной области энергий появляются ес-состояния (см. рис.Зв) с величиной внедрения Лс=(0,02-^0,03)АЕЯ (в случае 1лС1 - до ОДДЕ^); возникают также состояния, обусловленные атомами металла «дополнительной пары» в зоне вакантных состояний с величинами проникновения Л=(0,1-Ю, 15)Аё'5; б) в случае дефекта типа «вакансия ионной пары на поверхности» в области запрещенных энергий появляются состояния типа (Лу=(0,02-^0,1 и ес (ДС=(0,06-Ю,2)АЕ^), а также состояния типа ес, внедрение которых в область вакантных состояний достигает величины порядка Д=0,15 ДЕ"Я.

Отмеченные в п.п.2 и 3 закономерности влияния вводимых в ионные кристаллы различных дефектов открывают возможности целенаправленного регулирования энергетической структуры кристаллов данного типа.

4. Для поверхности кристалла корунда с дефектами замещения атома А1 на атомы Зс1-элементов впервые получены зависимости степеней внедрения в различные энергетические зоны состояний, обусловленных атомами Зс1-элементов, от порядкового номера атома дефекта, что позволяет осуществить целенаправленный поиск структур на основе а-А1203 с требуемой схемой энергетического спектра электронов.

5. Для наночастиц алюмогидроксидов с дефектами замещения атомов А1 атомами переходных металлов впервые установлены величины мультиплетностей, отвечающих их основному состоянию; выявлены детали энергетического спектра электронов модифицированных наночастиц, позволяющие провести необходимую их сортировку с целью отбора структур с требуемыми электронно-энергетическими характеристиками.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Васильева, Галина Юрьевна, 2010 год

1. Эварестов Р.А., Котомин Е.А., Ермошкин А.Н. Молекулярные модели точечных дефектов в широкощелевых твердых телах. Рига: Зинатне, 1983. 287с.

2. Эварестов Р.А. Квантово-химические методы в теории твердого тела. Л.:ЛГУ, 1982.279 с.

3. Эмсли Дж. Элементы. М: Мир, 1993. 256 с.

4. Пенкаля Т. Очерки кристаллохимии. Л.: Химия, 1974. 496 с.

5. Немошкаленко В.В. Фотоэлектронные спектры и зонная структура ЩГК/ ДАН СССР, 1972. Т. 206, № 3. С. 593 596.

6. Пирогов В.Д. Исследование электронно-оптических свойств чистых и активированных монокристаллов гидрида и дейтерида лития// Автореф. канд. дис. на соиск. учен. ст. канд. физ.-мат. наук. Свердловск, 1971. 18 с.

7. Ермошкин А.Н., Р.А. Эварестов. О выборе формы и симметрии кластера в молекулярных моделях кристаллов// Л.: Вестник ЛГУ. 1976. №10. С. 18-26.

8. Захаров И.П., Литинский А.О., Балявичюс Л. Последовательный учет кулоновского взаимодействия в квантовохимических расчетах моделей твердого тела // Теоретическая и экспериментальная химия, 1982. Т. 18, №1.С. 16-24.

9. Лыгин В. И. Модели "жесткой" и "мягкой" поверхности. Конструирование микроструктуры поверхности кремнезема // Российский химический журнал, 2002. Т. 48, № 3. С. 12-18.

10. Vansant Е. F., van der Voort P., Vrancken К. С. Characterisation and Chemical Modification of the Silica Surfage. Amsterdam: Elsevier, 1995. 486p.

11. Силинь A. P. Двухфононное инфракрасное поглощение двуокиси кремния // Физика и химия стеклообразующих систем. Рига, 1976. Вып.4. С. 64-71.

12. Силинь А. Р. Многофононное инфракрасное поглощение стеклообразного кремнезема// Тезисы докладов IV Всесоюзного симпозиума по оптическим и спектральным свойствам стекол. Рига, 1977. С. 65-66.

13. Силинь А. Р. Многофононное инфракрасное поглощение стеклообразного кремнезема // Физика и химия стекла. 1978. Т. 4, № 3. С. 263-266.

14. Силинь А. Р., Трухин А. Н. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02. Рига: Зинатнэ, 1985. 245с.

15. Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел. М.: Мир, 1981.574с.

16. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. М.: Мир, 1979. Т. 1. 399 с.

17. Слетер Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М.: Мир, 1978. 663 с.

18. Применение молекулярных моделей для расчетов электронной структуры твердых тел // Методы квантовой химии. Черноголовка, 1979. С. 114-124.

19. Zunger A. A molecular calculation of electronic properties of lauered crystals. II. Perlodis small cluster calculation for graphite and boron nitride.// J. Phys. C. 1974. V.7. P. 96-101.

20. Литинский А. О. Квазимолекулярные модели хемосорбции и поверхностных структур: дис. д-ра хим. наук. МГУ. М., 1987. 344 с.

21. Литинский А. О., Лебедев Н. Г. Расчеты взаимодействия молекул НгО и ЫН3 с поверхностью модифицированных алюмосиликатов и кристалла ZnO II Журнал физической химии. 1995. Т. 69, № 1. С. 13-17.

22. Литинский А. О., Лебедев Н. Г., Запороцкова И. В. Модель ионно-встроенного ковалентно-циклического кластера в ММЮ-расчетах межмолекулярных взаимодействий в гетерогенных системах // Журнал физической химии. 1995. Т. 69, № 1. С. 189-192.

23. Лебедев Н. Г., Литинский А. О. Модель ионно-встроенного стехиометрического кластера для расчета электронного строения ионных кристаллов // ФТТ. 1996. Т. 38, вып. 3. С. 955-962.

24. Жидомиров Г. М., Михейкин И. Д. Кластерное приближение в квантовохимических исследованиях хемосорбции и поверхностных структур // Итоги науки и техники / ВИНИТИ. М., 1984. Т.9. С. 3-161. (Серия "Строение молекул и химическая связь").

25. Михейкин И. Д. Квантовохимические расчеты хемосорбции и поверхностных реакций: дис. д-ра хим. наук. ИХФ АН СССР. М., 1982. 276 с

26. Расчеты хемосорбции и элементарных актов каталитических реакций в рамках кластерной модели. III. Влияние размеров кластера на результатырасчетов. Устойчивость решений / И. Д. Михейкин и др. // Кинетика и катализ. 1978. Т. 19, № 4. С. 1050-1056.

27. Пельменщиков А. Г., И. Д. Михейкин, Жидомиров Г. М., А. Г. Пельменщиков Кластерная схема квантовохимического расчета поверхностных структур в рамках метода MINDO/3 // Кинетика и катализ. 1981. Т. 22, № 6. С. 1427-1430.

28. Жидомиров Г. М. О некоторых подходах в квантовохимической теории гетерогенного катализа // Кинетика и катализ. 1977. Т. 18, № 5. С. 11921201.

29. Расчеты хемосорбции и элементарных актов каталитических реакций. II. Свойства поверхностных ОН групп окислов / И. Д. Михейкин и др. // Кинетика и катализ. 1977. Т. 18, № 6. С. 1580-1586.

30. Расчеты хемосорбции и элементарных актов каталитических реакций в рамках кластерной модели. V. Реакция перемещения двойной связи олефинов на кислотных бренстедовских центрах / И. Д. Михейкин и др. // Кинетика и катализ. 1979. Т. 20, № 3. С. 811-818.

31. Расчеты хемосорбции и элементарных актов каталитических реакций в рамках кластерной модели. VI. Взаимодействие ОН-групп SÍO2 с этиленом и ацетиленом / И. Н. Сенченя и др. // Кинетика и катализ. 1979. Т. 20, № 2. С. 495-496.

32. Расчеты хемосорбции и элементарных актов каталитических реакций в рамках кластерной модели. VII. Взаимодействие мостиковых ОН групп с алюмосиликатов с молекулами воды / И. Н. Сенченя и др. // Кинетика и катализ. 1979. Т. 20, № 2. С. 496-499.

33. Расчеты хемосорбции и элементарных актов каталитических реакций в рамках кластерной модели. X. Взаимодействие терминальных ОН-групп окислов с гидроксилсодержащими молекулами / И. Н. Сенченя и др. // Кинетика и катализ. 1980. Т. 21, № 3. С. 785-792.

34. Расчеты хемосорбции и элементарных актов каталитических реакций.

35. XI. Реакция дегидратации этилового спирта / И. Н. Сенченя и др. // Кинетика и катализ. 1980. Т. 21, № 5. С. 118-123.

36. Расчеты хемосорбции и элементарных актов каталитических реакций.

37. XII. Взаимодействие NH3 с силикагелем и Н-формами цеолитов / И. Н. Сенченя и др. // Кинетика и катализ. 1981. Т. 22, № 5. С. 1174-1179.

38. Moller С., Plesset М. S. Note on an Approximation Treatment for Many-Electron Systems //Phys. Rev. 1934. Vol. 46. P. 618-622.

39. Брытов И. А., Ромащенко Ю.И. Энергетическая схема окислов алюминия и кремния // Физика твердого тела. 1978. Т. 20, № 9. С. 2843 -2846.

40. Кребс Г. Основы кристаллохимии неорганических соединений М.: Мир, 1971. 304 с.

41. Perdew J. Р., Kurth S.Density Functionals: Theory and Applications // Lesture Notes in Physics. Vol. 500 / ed. D. Joubert. Berlin, 1998. P.8.

42. Becke A. D. Density functional thennochemistry. IV. A new dynamical correlation functional and implications for exast-exchange mixing // J. hem. Phys. 1996. Vol. 104. P. 1040-1046.

43. Parr R. G., Yang W. Density Functional Theory of Atoms and Molecules. N.Y.: Oxford Univ. Press, 1989. 320 p.

44. Киселев А. В., Лыгин В. И. Инфракрасные спектры поверхностных соединений и адсорбированных веществ М.: Наука, 1972. 460 с.

45. Stewart J.J.P. Optimization of parameters for semiempirical methods // 1. Methods// J.Comput. Chem. 1989. V.10. № 2. P. 209-220.

46. Stewart J.J.P. Optimization of parameters for semiempirical methods //2. Applications// J.Comput. Chem. 1989. V.10. № 2. P. 221-264.

47. Wadt W.R., Hay P.J. Ab initio effective core potentials for molecular calculations. Potentials for main group elements Na to Bi //J.Chem. Phys. 1985. V.82. P.284

48. Губанов В.А., Жуков В.П., Литинский А.О. Полуэмпирические методы молекулярных орбиталей в квантовой химии. М.:Наука, 1976. 219 с.

49. Маделунг О. Теория твердого тела. М.:Наука, 1980. 416 с.

50. Хофман Р. Строение твердых тел и поверхностей. М.:Мир, 1990. 216 с.

51. Степанов, Н.Ф. Квантовая механика и квантовая химия / Н.Ф.Степанов. М.: Мир, 2001. 519 с.

52. Абаренков И.В., Братцев В.Ф., Тулуб A.B. Начала квантовой химии М.:Высшая школа, 1989. 303 с.

53. Минкин В.И., Симкин Б.Я., Миняев P.M. Теория строения молекулР-н-Д:Феникс, 1997. 560с.

54. Дриц М.Е., Будберг П.Б., Бурханов Г.С., Дриц A.M., Пановко В.М. Свойства элементов М.:Металлургия, 1985. 672 с.

55. Колебания молекул / М. В. Волькенштейн и др.. М.: Наука, 1972. 700с.

56. Максимов Е.Г., Зиненко В.И., Замкова Н.Г. Расчеты физических свойств ионных кристаллов из первых принципов// Успехи физических наук. 2004. Т. 174, № 11. С. 1145-1170.

57. Тупицын И.И., Эварестов P.A., Смирнов В.П. Техника проектирования для анализа заселенностей атомных орбиталей в кристаллах// Физика твердого тела. 2005. Т. 47, № 10. С. 1768 1776.

58. Бажин И.В., Лещева O.A., Никифоров И.Я. Электронная стуктура наноразмерных металлических кластеров// Физика твердого тела. 2007. Т. 49, №8. С. 1378- 1385.

59. Ларин A.B., Кислов А.Н., Никифоров А.Е., Попов С.Э. Локальная структура, динамика кристаллической решетки щелочно-галоидныхкристаллов с анионной вакансией// Физика твердого тела. 2008. Т. 50, № 9. С. 1687-1691.

60. Kohanoff J., Gidopoulus N.I. Density fiictional theory: basics, new trends and applications. Handbook of Molecular Physics and Quantum Chemistry. Vol.2, Part5, Chapter 26. Chichester, 2003. 532-568.

61. Poole R.T.,Jenkin J.G., Liesegang J., Leckey R.C. J. Electronic band structure of the halides.l. Experimental parameters. Phys.Rev. B, 1975, vol. 11, №12, p.5190-5196.

62. Page L.I., Hugh E.H. Calculation of energy bands in alkali halides. — Phys.Rev. B, 1970, vol. 1, №8, p.3472-3479.

63. Arakawa E.T., Williams M.W. Optical properties of aluminium oxide in the vacuum ultraviolet. J.Phys.Chem.Solids, 1968,vol.29,№5, p.735-744.

64. Валбис Я.А., Калдер K.A., Куусман И.Д., Лущик Ч.Б. и др. Краевая люминесценция экситонов в кристаллах MgO в вакуумной ультрафиолетовой области спектра// Письма в ЖЭТФ. Т. 22, №2. С.83-85.

65. Жанпеисов Н.У., Пельменщиков А.Г., Жидомиров Г.М. Кластерное квантово-химическое исследование взаимодействия молекул с поверхностью оксида магния// Кинетика и катализ. Т.31, вып.З. 1990. С 563-569.

66. Загоруйко Ю.А., Коваленко Н.О., Федоренко О.А., Федоров А.Г., Матейченко П.В. Текстурированные пленки CdO, полученные методом фототермического окисления// Письма в ЖТФ, 2007, т.ЗЗ, вып. 4. С. 5172.

67. Бакалейников Л.А., Заморянская М.В., Колесникова Е.В., Соколов В.И., Флегонтова Е.Ю. Модификация диоксида кремния электронным пучком// Физика твердого тела. 2004. Т. 46, № 6. С. 989 994.

68. Григорьев Л.В., Григорьев И.М., Заморянская М.В. и др. Транспортные свойства термически окисленного пористого кремния //Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. №17. С. 33-41.

69. Анциферов В.В. Мощные одночастотные перестраиваемые лазеры // Журнал технической физики. 1998, т.68, № 10. С. 74-79.

70. Н.Н.Ильичев, А.В.Кирьянов, П.П.Пашинин. Модель режима пассивной модуляции добротности с учетом анизотропии нелинейного поглощения в затворе на основе кристалла с фототропными центрами// Квант, электроника, 1998, т. 25. №2. С. 155-159.

71. Здоровец М.В. Высокоразрешающая микроскопия поверхности облученных кристаллов фторида лития // Материалы 7-ой международной конференции «Ядерная и радиационная физика». Алматы, 2009. С. 98.

72. Блецкан Д.И., Лукьянчук А.Р., Пекар Я.М. Исследование собственных и примесных точечных дефектов в сапфировых подложках люминесцентными методами//Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006, №3. С. 59-63.

73. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника. М.: Высшая школа, 2001.531 с.

74. Litinsky А.О., Perminov V.N., Vasilieva G.Y.Peculiarities of the silica surface center structure in rigid dehydroxidation conditions// International Journnal of Quantum Chemistry, 2007. Vol. 107. 326-329.

75. Литинский А.О., Васильева Г. Ю. Квантово-химический расчет электронного строения и энергетического спектра ионных кубических кристаллов с дефектами // Вестник ВолГУ. Серия 1: сб. науч. ст./ ВолГу, 2007-2008. Вып. 11. С.136-146.