Образование алмазов и других углеродных фаз при деструкции карбонильных кластеров платины и палладия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат технических наук Герасимова, Наталия Сергеевна

• Герасимова, Наталия Сергеевна
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Герасимова, Наталия Сергеевна

СОДЕРЖАНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР.

1.1. Характеристика алмазов.

1.1.1. Классификация алмазов.

1.1.2. Кристаллографическая характеристика алмазов.

1.1.3. Электрофизические характеристики и применение полупроводниковых алмазов.

1.2. Синтез алмазов.

1.2.1. Синтез алмазов в области их термодинамической устойчивости.

1.2.2. Синтез алмазов в области их термодинамической неустойчивости.

ГЛАВА 2. СИНТЕЗ АЛМАЗОВ ИЗ КАРБОНИЛЬНЫХ КОМПЛЕКСОВ ПЛАТИНОВЫХ МЕТАЛЛОВ В МЯГКИХ УСЛОВИЯХ.

2.1.Теоретические основы синтеза алмазов из карбонильных комплексов

2.2.Синтез гетероядерных платино-палладиевых карбонильных кластеров.

2.3.Физико-химические свойства платино-палладиевых карбонильных кластеров.

2.4. Синтез и свойства гомоядерных карбонильных кластеров платины.

2.5. Образование алмазов из карбонильных кластеров палладия.

2.6. Обсуждение результатов.

ГЛАВА 3. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПЕРСПЕКТИВЫ ПРОИЗВОДСТВА АЛМАЗОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КАРБОНИЛЬНЫХ КЛАСТЕРОВ ПЛАТИНОВЫХ МЕТАЛЛОВ.

3.1. Описание предполагаемой технологической схемы.

3.2. Технологические режимы и параметры.

3.2.1. Необходимые реагенты и материалы.

3.2.2. Расходные технологические коэффициенты.

ГЛАВА 4. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОДУКТОВ ДЕСТРУКЦИИ КАРБОНИЛЬНЫХ КЛАСТЕРОВ ПЛАТИНЫ И ПАЛЛАДИЯ.

4.1. Катодолюминесценция.

4.1.1. Экспериментальные результаты.

4.1.2. Анализ полученных результатов.

4.2. Спектроскопия комбинационного рассеяния.

4.3. Рентгеновская дифрактометрия.

4.4. Обсуждение результатов.86 v

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Образование алмазов и других углеродных фаз при деструкции карбонильных кластеров платины и палладия»

Алмаз является веществом, уникальным по своим электрофизическим, механическим и оптическим параметрам, что и определяет его востребова-тельность различными областями промышленности. Без алмазов невозможна эффективная работа металлообрабатывающей, горной и других отраслей промышленности. Кроме того, алмаз - широкозонный полупроводник (Eg= 5,49 эВ) с высокими значениями подвижности носителей заряда как л л электронов (2000 см /(В-с)), так и дырок (1500 см /(В-с)) при комнатной температуре и обладает максимальной по сравнению со всеми известными материалами теплопроводностью (до 2000 Вт/(м-К)), а также высокой химической, радиационной и термической стойкостью. По совокупности своих параметров алмаз превосходит любой из широкозонных полупроводников, в том числе кремний и арсенид галлия, как материал для генерации СВЧ колебаний при лавинном пробое [1-3].

Полупроводниковые алмазы р-типа хотя и были обнаружены в природе, но встречаются они крайне редко и не могут служить базовым материалом для производства электронных систем.

Сейчас потребности в технических алмазах в значительной мере удовлетворяются за счет их синтеза. В настоящее время используются два промышленных способа синтеза алмазов, основанные на создании условий его термодинамической устойчивости - р > 6 ГПа, Т « 2000 К.

Технически это достигают, во-первых, подвергая этим воздействиям графит в присутствии металлов - катализаторов - Ni, Cr, Mn, Fe и других металлов в специальных капсулах, а во-вторых путем взрыва органических веществ. Оба эти способа требуют использования сложной и дорогостоящей аппаратуры и больших энерго- и трудозатрат, поэтому стоимость получаемых алмазов находится на уровне стоимости природных технических алмазов.

Еще один способ синтеза алмазов осуществляется в области его термодинамической неустойчивости. Он основан на термическом разложении углеродсодержащих газов, главным образом углеводородов, при давлении ниже атмосферного и при температурах до 2200 К, при этом алмазная структура растет на той или иной подложке, например кремнии. Этот способ получил название «паро-фазного химического осаждения» - ПФХО или CVD -Chemical Vapour Decomposition. Здесь кроме роста на поверхности наблюдается также возникновение нитевидных алмазных образований.

Хотя к настоящему времени уже достаточно детально исследованы методы получения алмазных пленок и кристаллов паро-фазным химическим осаждением, их технологическое использование имеет свои ограничения.

Поэтому поиск новых подходов и вариантов при решении проблемы синтеза алмазов является актуальным, о чем свидетельствуют многочисленные публикации исследований, выполненных в разных странах.

В настоящей работе изложены результаты исследования нового способа получения алмазов [4] при самопроизвольной деструкции карбонильных кластеров платины и палладия, в мягких условиях дано теоретическое обоснование этого процесса, изучены продукты деструкции и предложены технологические решения этого процесса.

Целью работы является исследование физико-химического процесса деструкции карбонильных кластеров платины и палладия, приводящее к образованию алмазов, в результате диспропорционирования конденсированных молекул моноксида углерода.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. получить карбонильные кластеры платины и палладия, в том числе и неизвестные ранее гетероядерные кластеры общего состава PtxPdy(CO)z;

2. исследовать физико-химические свойства карбонильных кластеров платины и палладия и продуктов их деструкции;

3. разработать замкнутую технологию выделения алмазов и регенерацию драгоценных металлов;

4. провести изучение продуктов деструкции карбонильных кластеров платиновых металлов.

Научная новизна заключается в следующем:

1. разработаны основы принципиально нового способа получения алмазов, который заключается в использовании метастабильных структур с большим запасом внутренней энергии - карбонильных кластеров платины и палладия;

2. дано теоретическое обоснование возможности образования алмаза при диспропорционировании молекул моноксида углерода, конденсированных в кристаллах карбонильных кластерах платиновых металлов;

3. экспериментально показано, что при самопроизвольном распаде карбонильных кластеров платины и палладия в мягких условиях (атмосферном давлении и комнатной температуре) возникают алмазные образования в виде зерен и нитей.

Практическая значимость диссертационной работы определяется разработкой безотходной технологической схемы получения алмазов в мягких условиях (атмосферное давление и комнатная температура) из карбонильных кластеров платиновых металлов при их самопроизвольном разложении, что является новым подходом к решению проблемы производства синтетических алмазов.

Поскольку предлагаемая технология основана на использовании платины и палладия, полученные результаты целесообразно использовать на предприятиях, производящих платиновые металлы - ОАО «Норникель» (г.Норильск), «Красноярском заводе цветных металлов» (г.Красноярск), «Заводе по обработке цветных металлов» (г. Екатеринбург), а также в организациях, проектирующих, выпускающих и использующих устройства и системы на основе полупроводниковых алмазов, таких как «НЦ космического материаловедения ИК РАН» (г. Калуга), «Институт минералогии и петрографии Сибирского отделения РАН» (г. Новосибирск), «Технологический институт сверхтвёрдых и новых углеродных материалов, ФГУ» (г. Троицк, Московская область) и др.

Основные результаты диссертации докладывались на отечественных и международных конференциях, в том числе таких как «Актуальные проблемы электронного приборостроения», «Углерод: фундаментальные проблемы науки, материаловедение, технология». По материалам диссертации опубликовано 14 научных статей, в том числе в журналах «Исследовано в России», «Наукоемкие технологии».

Диссертация состоит из введения, четырех глав, общих выводов и приложения, а также содержит список литературы (110 наименований). Общий объем диссертации составляет 107 страниц, включая библиографию, 42 рисунка и 14 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Герасимова, Наталия Сергеевна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Дано теоретическое обоснование возможности образования алмазов при деструкции карбонильных кластеров платиновых металлов, что связано прежде всего, с конденсированным состоянием молекул моноксида углерода в таких соединениях.

2. Экспериментально показано, что при деструкции кристаллических кластеров платины и палладия общего состава PtxPdy(CO)z, [Pt(CO)2]n и Pdx(CO)y при атмосферном давлении и комнатной температуре происходит образование алмазов в виде зерен и нитей.

3. Впервые получены гетероядерные платино-палладиевые кластеры общего состава PtxPdy(CO)z, исследованы их физико-химические свойства и показана возможность их использования как исходного материала для получения алмазов.

4. Образование алмазов при деструкции карбонильных кластеров платиновых металлов подтверждено рентгенографически и спектрами комбинационного рассеяния.

5. Исследованы спектры катодолюминесценции, что позволяет отнести синтезированные алмазы к 1а типу.

6. Показано, что диспропорционирование конденсированных молекул СО в карбонильных кластерах платиновых металлов приводит к образованию не только алмазной фазы, но и других углеродных субстанций - графита, на-но-трубок и фуллерена Сбо

7. Предложена замкнутая технологическая схема получения алмазов с использованием карбонильных кластеров состава [Pt(CO)2]n, для которой, рассчитаны технологические режимы и параметры.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Как уже отмечалось в аналитическом обзоре (глава 1), в настоящее время синтез алмазов осуществляют двумя способами:

- создавая высокие давления и температуры в статических или динамических (взрыв) условиях;

- термическим разложением парогазовой фазы при пониженных давлениях и температурах до 1000 К и более (метод CVD).

Несмотря на большие технологические различия этих методов, они имеют сходный механизм - образования алмазной фазы происходит из газовой фазы.

Полученные к настоящему времени экспериментальные данные показывают, что образование алмазов при высоких давлениях и температурах связано с образованием в процессе синтеза в качестве промежуточных продуктов газообразных карбонилов или карбонилгидридов металлов - катализаторов [107]. В частности это карбонилы никеля, железаукобальта и др. металлов общей формулой Мех(СО)у [108].

При этом в обоих случаях наряду с кристаллами алмазов образуются его нити [107].

Полученные нами экспериментальные результаты исследования процесса образования алмазной фазы при деструкции карбонильных кластеров платины и палладия при атмосферном давлении и низких температурах показывают сходство механизмов этих процессов. Действительно, образование алмазов при деструкции карбонильных кластеров платиновых металлов связано с диспропорционированием активированных молекул СО, входящих в состав этих соединений, которые сами не обладают летучностью.

Несмотря на значительные технологические отличия и особенности рассмотренного нами процесса, налицо сходство конечных результатов - образование алмазных фаз в виде кристаллов и нитей, а также других углеродистых материалов, как это имеет место в CVD - процессе [109,110].

Проведенные нами исследования пока недостаточны для более детального представления о механизме образования и роста алмазных фаз.

В тоже время качественные наблюдения показали, что:

1. Использование обогащенного алмазосодержащего продукта, полученного путем выщелачивания платиновой матрицы, образованной при деструкции [Pt(CO)2]n, в качестве добавки при получении новой партии [Pt(CO)2]n не приводило к заметному увеличению размера частиц алмаза после деструкции этого кластера.

2. Изменение условий деструкции карбонильных кластеров влияет на размер алмазных зерен. Так, при деструкции [Pt(CO)2]n, сопровождающейся самовозгоранием продукта, образуются более крупные зерна алмазов, чем в случае протекания этого процесса в более мягком режиме, т.е. без самовозгорания.

Вся совокупность полученных нами результатов несомненно свидетельствует о необходимости дальнейших исследований процесса деструкции карбонильных кластеров платиновых металлов, что позволит определять оптимальные условия для достижения высокой степени выхода алмазов при деструкции карбонильных кластеров платиновых металлов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Герасимова, Наталия Сергеевна, 2007 год

1. Вавилов B.C., Конорова Е.А. Полупроводниковые алмазы. - М.: УФН, 1976.-ТЛ18, вып.4.-219 с.

2. Вавилов B.C. Полупроводниковый алмаз: современное состояние проблемы // Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников: Материалы II Всесоюзного совещания по широкозонным полупроводникам. Л., 1979. - С. 5-22.

3. Вавилов B.C. Техническое применение полупроводникового алмаза и перспективы его развития // Сверхтвердые материалы: синтез, свойства, применение: Доклады международного симпозиума. Киев, 1983. -С. 96-99.

4. Пат. 2093462 РФ. Способ синтеза алмазов / И.В. Федосеев // Б.И. 1997.-№22.

5. Properties of natural and synthetic diamond / Ed. by J. Field. N. Y.: Academic Puss, 1992. - 135 p.

6. Плотникова C.B. Классификация и отбор природных алмазов для электронной техники // Алмаз в электронной технике. М.: Энергоатомиз-дат, 1989. - 325 с.

7. Вавилов B.C., Гиппиус А.А., Конорова Е.А. Электронные и оптические процессы в алмазе. М.: Наука, 1985. - 120 с.

8. Bourgoin J.C. Ionimplantation in diamond // Diamond Research. 1975. -№ l.-P. 1-5.

9. Electron paramagnetic resonance in diamond implanted at various energies and temperetures / P.R. Brosious, Y.H. Lee, I.W. Corbett, I.I. Cheng // Phys. St. Sol. -1974. V. 25, № 2. - P. 541-544.

10. Ю.Новиков И.В., Федосеев Д.В. Синтез алмазов. Киев: Наукова думка, 1987.-165 с.

11. Шаскольская М. П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1976. -334 с.

12. Красков В.Б. Оптоэлектронные свойства природного алмаза и перспективы применения // Алмаз в электронной технике. М.: Энер-гоатомиздат, 1989. - 325 с.

13. Орлов Ю.Л. Минералогия алмазов. М.: Наука, 1973. - 223 с.

14. Олофинский Н.Ф. Электрические методы обогащения. М.: Недра, 1970. -549 с.

15. Алмаз: Справочник /Д.В. Федосеев, Н.В. Новиков, А.С.Вишневский и др. Киев: Наук, думка, 1981. - 77 с.

16. Диэлектрические характеристики порошков алмаза и кубонита в диапазоне СВЧ / Б.И. Копейкин, В.Г. Батура, Б.А. Кривозуб и др. // Синтетические алмазы 1970. - № 2. - С. 34-38.

17. Соболев В.В., Тимонов А.П., Соболев В.Вал. Тонкая структура диэлектрической проницаемости алмаза // Физика и техника полупроводников. 2000. - Т. 34, вып. 8. - С. 940-945.

18. Алексеев А.Г., Амосов В.Н., Красильников А.В. Трансформация дефекта GR1 в природном алмазе типа 1а при его отжиге // ЖТФ. 2000. - Т. 26, №12.-С. 1-7.

19. Федосеев Д.В. Алмазные и алмазоподобные пленки // Алмаз в электронной технике. -М.: Энергоатомиздат, 1989. 325 с.

20. Ittermann В., Bharuth-Ram К. Boron implantation doping of diamond // J. App. Phys. Lett. 1997. - V. 71, № 25. - P. 3658-3660.

21. Kalish R. Ion-implantation indiamond and diamond film daping, damage effects and their applications // J. Appl. Surface Sci. 1997. - V. 117-118. -P. 558-559.

22. Krutko O., Kosel P. P-type polycrystalline diamond layers by rapid thermal diffusion of boron // J. App. Phys. Lett. 2000. - V. 76, № 7. - P. 849-851.

23. Jaegen M., Hyun S., Day A. Resistivity of boron-doped diamond micro crystals // J. App. Phys. Lett. 1998. - V. 72, № 19. - P. 2446-2447.

24. Температурная зависимость полупроводниковых алмазов / А.Г. Гонтарь, А.С. Вишневский, А.А.Шульженко и др. // ФТП. 1981. - Т. 15, № 6. -С. 1145.

25. Мотт И.Ф., Дэвис Е.А. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1974. - 231 с.

26. Electrical conductivity of heavily doped diamond / Y.F. Tsay, K.P. Anan-thanarayanan, P.J. Jielisse, S.S. Mitra // J. Appl. Phys. 1972. - V. 43, № 9. -P. 3677-3681.

27. Клюев Ю.А., Непша В.И., Безруков Г.Н. ИК исследования синтетических алмазов // Алмазы. -1972. № 9. - С. 1-5.

28. Ротнер Ю.М., Пренов В.А., Соколова Т.К. Температурная зависимость электропроводности синтетических полупроводниковых алмазов // Алмазы и сверхтвердые материалы. 1975. - № 12.- С. 1-4.

29. Клюев Ю.А., Непша В.И., Безруков Г.Н. Примесные центры в алмазе с неглубокими энергетическими уровнями // ФТП. 1974. - Т. 8, вып. 8. -С. 1619-1622.

30. Electron paramagnotic resonance of free and bound holes in diamond / Y. C. Bourgoin, P.R. Brosions, Y.M. Kim et al. // Phill. Mag. 1972. - V. 26, №5.-P. 1167-1178.

31. Некоторые оптические и электрические свойства полупроводниковых алмазов, синтезированных в системе Fe-Mg-Zn-C / В.Н. Бакуль, А.С. Вишневский, А.Ф.Гетман и др. // Синтетические алмазы. 1975. - № 1. -С.3-6.

32. О природе донорного центра в синтетическом алмазе / С.М. Ротнер, Ю.М. Ротнер, Г.В.Кришун и др. // ФТП. 1983. - Т. 17, вып. 2. - С. 198202.

33. Вишневский А.С., Гонтарь А.Г. Об электропроводности кристаллов синтетического алмаза // ФТП. 1977. - Т. 11, вып. 10. - С. 2024-2025.

34. Ревин О.Г., Слесарев В.Н. Концентрация дырок и степень компенсации в искусственном р-алмазе // ФТП. 1982. - Т. 16, вып. 12. - С. 2219-2221.

35. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах: Пер. с англ./ Под ред. Б.Т. Коломийца. М.: Мир, 1982. - Т.1. -368 с.

36. Bourgoin J., Massarni В. Thermally stimulated luminescence and conductivity in boron-doper diamonds // Physical Review. Ser. B. 1978. - V. 18, №2.-P. 786-793.

37. Белянкина A.B., Вишневская A.C., Гонтарь А.Г. Получение и исследование сильно легированного синтетического алмаза р-типа // Синтетические алмазы. 1979.-№ 1. - С. 11 -13.

38. Prins P. Diamond as an active electronic material: propects for n-type doping // Ind. Diamond Rev. 1996. - V. 56, № 568. - P. 22 - 29.

39. Roychoudhury R., Charlson E. Growth and characterization of phosphorus doped diamond films using trimethye phosphite as the doping source // J. Appl. Phys. 1997.- V. 81, № 8. - Pt. 1. - P. 3644 - 3646.

40. Kuriyama K., Kimura C. Elucidation of field emission characteristics of phosphorous-doped diamond films // J. Vac. Sci. and Technol. B. 1997. V. 17,№2.-P. 723-727.

41. Галушко И.В., Спицын А.Б. Химические аспекты легирования алмаза бором и фосфором: Справочник. М.: Наука, 2000. - Т. 7. - 158 с.

42. Вавилов B.C., Гиппиус А.А., Конорова Е.А. Электронные и оптические процессы в алмазе. М.: Наука, 1985. - 120 с.

43. Бокий Г.Б., Безруков Г.Н., Клюев Ю.А. Природные и синтетические алмазы. М.: Недра, 1986. -216 с.

44. Соболев Е.В. Тверже алмаза. Новосибирск: Наука, 1984. -342 с.

45. Masani N., Akimutsu Н., Toshimidi I. Highly efficient electron emission diode of single-crystalline chemical-vapor-deposition diamond //Jap. J. Appl. Phys.- 1998. V. 37, № 9a-9b. - Pt. 2.-P. L1011 - L1013.

46. Jun Т., Iwao T. Utilizing of hydrocarbon contamination for prenention of the surface charge-up at electron beam assisted chemical elching of a diamond-chip // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. 1997.- V. 121, № 1-4. -P. 507 - 509.

47. Shuji K., Iwao M. Ion beam assisted chemical etching of singl crystal diamond chip // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. 1997.- V. 121, № 1-4. -P. 5510-5513.

48. Akimitsu H., Kenji O. Electron emitter device of NEA diamond thin film // Appl. Surface Sci. 1997. - № 117 -118. - P. 592 - 596.

49. Smith N. P., Ashford M.N. Manufacture and performance of diamond-cocted thermocouples // Diamond and Relax. Mater. 1999. - V. 8, № 2-5. -P. 956 - 960.

50. Rajeshuni R. Fabrication of diamond microsfructures for michroelectrome-chanical system by a surface micromashining process // Thin Solid Films. -1999.-V. 340,№1-3.-P. 1-6.

51. Olbrich A., Ebersberger В., Boit C. High aspect ratio all diamond tips formed by focused ion beam for conducting atomic force microscopy // J. Vac. Sci. and Technol. B. 1999. - V. 17, № 4. - P. 1570 - 1574.

52. Owers C. Industrial diamond: applications economics and a view to the future // Ind. Diamound Rev. 2000.- V. 60, № 583. - P. 176 - 177.

53. Influence of substrate and atmospheric temperatures on diamond deposition / H. Kaneko, M. Kamaga, R. Kuwae et al.// Appl. Surface Sci. - 1988. - Vol. 33/34.-P. 546.

54. Некрасов Б.В. Основы общей химии. М.: Химия, 1973. - Т. 1. - 656 с.

55. Бокий Г.Б., Волков А.И. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1969. -Т. 14.-256 с.

56. Синтез минералов / ЛИ. Цинобер, Л.Н. Штеренлихт, М.И. Самойлович и др. М.: Недра, 1987. - Т. 1. - 452 с.

57. Монокристаллы синтетического полупроводникового алмаза для нового поколения датчиков контроля параметров внешней среды / В.А. Кряч-ков, Ю.А. Детчуев, Е.Д. Филипова и др. // Алмаз в электронной технике-М.: Энергоатомиздат, 1989. 325 с.

58. Hwang N. М. Evidence of nanometer sized charged carbon clusters in the gas phase of the diamond chemical vapor deposition (CVD) process //J. Cryst. Growth. -1999. - V. 204, № 1-2. - P. 85-90.

59. Бакуль В.И. Синтетические алмазы в промышленности. Киев: Наукова думка, 1974.-167 с.

60. Дерягин Б.В., Федосеев Д.В. Эпитаксиальный синтез алмаза в метаста-бильной области // Успехи химии. 1970. - № 9. - С. 1661-1671.

61. Pat. 5961717 USA. Synthesis of phosphorus-doped diamond / K. Mutsukazu, K. Satoshi, O. Hiroyuki. 1991.

62. Герасимова H.C., Федосеев И.В. Синтетические алмазы как перспективные полупроводниковые материалы в контрольно-измерительных системах II Приборостроение-98: Материалы международной научно-технической конференции. Винница - Симферополь, 1998. - С. 200.

63. Герасимова Н.С., Федосеев И.В. Синтез и свойства полупроводниковых алмазов // Труды МГТУ. 1999. - № 575. - С. 106-113.

64. Федосеев И.В. Синтез и свойства полупроводниковых алмазов // Труды МГТУ. 1999. -№ 575. - С. 34-38.

65. Спицын В.И., Федосеев И.В. Карбонильные комплексы платиновых металлов. М.: Наука, 1980. - 200 с.

66. Whyman R. The reaction of carbon monoxide whith polynuclear phoshine-substituted iridium carbonyls // J. Organomet. Chem. 1970. - V. 24, № 2. -P. 35-37.

67. Synthesis and structure of some binuclear carbonyl complexes platinum (I) /М. P. Brown, R. J. Puddephatt, M. Rashidi, K.R. Seddon // J. Chem. Soc. (D). 1978. -V. 11.-P. 1540-1544.

68. Mixed Rh-Pt carbonyl clusters: synthesis and x-ray crystallographic characerisation of Rh5Pt(CO)I5.'[(Ph3P)2N]+ / A. Fumagalli, S. Martinengo, P. Chini et al.// J. Chem. Comm. 1978. - № 5. - P. 195-198.

69. Brown T. L. Models for the adsorption and reactions of metal carbonyl compounds on alumina surfaces // J. Mol. Catal. 1981. - V. 12. - P. 41-62.

70. Piriano P., Faraone F., Pietropaolo R. Some new complexes derived from chlotica-bonyliridium // J. Chem. Soc. Dalton. 1972. - № 21.- P. 23192321.

71. Eady C.R., Johngon B. F. G., Lewis J. Products from the pyrolysis of Ru3(CO)i2 and Os3(CO)i2 // J. Organomet. Chem. 1972. - V. 37, № 2. -P. 39-40.

72. Eady C.R., Johngon B. F. G., Lewis J. The chemistry of Polynuclear Compounds Part XXXVI. Products of the Pyrolysis of Dodecacarbonyl-triangulo-triruthenium and triosmium //J. Chem. Soc. Dalton. 1975. - № 15.1. P. 2606-2611.

73. А. с. 444448 СССР. Способ выращивания алмазов / В. В. Дигонский, М.С. Друй, М.И. Сохор и др. // Б. И. 1981. - № 2.

74. Михайлова Н.Ф. Изучение реакции синтеза карбонила никеля: Дис. .канд. техн. наук. Л.: ЛТИ им. Ленсовета, 1967. - 102 с.

75. Сирнин В.Г. Химия и технология карбонильных материалов. М.: Химия, 1972.-240 с.

76. Белозерский Н.А. Карбонилы материалов. М.: Госуд. научн-техн. из-дат. литературы по горной и цветной металлургии, 1958. - 372 с.

77. Герасимова Н.С., Дегтярев В.Т., Федосеев И.В. Полупроводниковые алмазы синтез и свойства // Актуальные проблемы электронного приборостроения: Материалы V Международной конференции. - Новосибирск, 2000.- С. 137-139.

78. Герасимова Н.С. Синтез и свойства полупроводниковых алмазов //Микроэлектроника и информатика 2001: Материалы восьмой всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов - Зеленоград, 2001. - С. 51.

79. Герасимова Н.С., Логинова А.Ю., Федосеев И.В. Изучение процесса синтеза алмазов в мягких условиях // Труды регионального конкурса научных проектов в области естественных наук. Калуга, 2001.- Вып. 2. -С. 291-305.

80. Гельман А. Комплексные соединения платины с ненасыщенными молекулами. М. -Л.: АН СССР, 1945. - 96 с.

81. Bruce M.I., Shaw G., Stone F. G. A. Chemistry of the metal carbonyls Part LXIII. New cluster carbonyl compounds containing Platinum and Iron // J. Chem. Soc. Dalton. 1972. - V. 10. - P. 1082-1086.

82. Intermediate binary carbonyls of palladium Pd(CO)n, where n = 1-3 / E.P. Kundig, H. Huber, M. Moskovits, S.A. Ozin // Nat. Phys. Sci. 1972. -V. 235.-P. 98-100.

83. Kundig E.P., Moskovits M., Ozin G.A. Intermediale binary carbonyls of palladium Pd(CO) n, where n — 1-3; preparation, indification and diffusion kinetics by matrix isolation infrared spectrosopy // Canad. J. Chem. 1972. -V. 50.- P. 3587-3593.

84. Darling J.H., Ogden J.S. Infrared spectroscopic evidence for palladium tetre-capbonyl // J.Chem. Soc. 1972. - № 11. - P. 666-667.

85. Матвеев К.И., Рачковская JI.H., Еременко H.K. Карбонилы ноль-валентной платины // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. 1968. - №4, вып. 2.-С. 1013-1015.

86. Chatt J.N., Shaw В. L., Field А. Е. The formation of hydrido and carbonyl complexes of ruthenium // J. Chem. Soc. 1964. -V. 9. - P. 3466-3475.

87. Флинт Е.Е. Начала кристаллографии. М.: Высшая школа, 1961. - 242 с.

88. Chatt J., Chini P. Tri- and tetra-nuclear cluster compounds of platinum (0), which contain carbon monoxide // J. Chem. Soc.- 1970. V. 9. - P. 15381542.

89. Тарасов К.И. Спектральные приборы. Л.: Машиностроение, 1977. -386 с.

90. Герасимова Н.С., Федосеев И.В. Гетероядерные Pt-Pd карбонильные кластеры синтез и свойства // Исследовано в России - Электронный журнал 100. - 2001. - С. 1100-1107.http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2001/100.pdf.

91. Степанов С.Е. Разработка оптимального по порядку емкости метода измерения и обработки данных: Дис. . канд. физ.-мат. наук. Обнинск: ОИАЭ, 2000.- 134 с.

92. Processes and parameters for diamond deposition / A. Gicquel, C.Heald, D. Farbe, J. Perriere //Diamond and Relat. Mat. 1992. - № 7. - P. 776-781.

93. Плотникова С.П. Особенности люминесценции природных алмазов в зависимости от их реальной структуры и условий роста: Дис. . канд. физ.-мат. наук. Иркутск: ИГУ, 1981. - 154 с.

94. Образцов А.Н., Волков А.П., Павловский И.Ю. Спектры катодолюми-несценции углеродных материалов // ЖЭТФ. 1998. - Т. 68. - С. 55-56.

95. Герасимова Н.С. Классификация дефектов в полупроводниковых алмазах // Материалы 1-ой Российской конференции молодых ученых по физическому материаловедению. Калуга, 2001. - С. 69.

96. Герасимова Н.С., Степович М.А., Федосеев И.В. Электронно-микроскопические исследования синтетических алмазов, полученных в мягких условиях // Материалы 1 Международной конференции по физике электронных материалов. Калуга, 2002. - С. 53.

97. Salvadore М.С., Ager J.W., Brown I.G. Diamond growth on silicon nitride by microwave plasmo chemical vapor deposition // Diamond and Relat. Mat. 1992. -V. 1, № 7. - P. 818 -823.

98. Lettingfon A.H., Smith C. Optical properties and applications of diamond -line carbon coatings // Diamond Relat Mat. 1991. -V. 1, № 7. - P. 805-809.

99. Raman spectroscopy of carbon films grown by pulsed laser evaporation of graphite / J. Diaz, M. Gazo, S. Ferrer et al. // Diamond Relat Mat. 1992. -V. 7.-P. 824-827.

100. Hinneberb H.-J., Eck M., Schmidt K. Hot-filament-grown diamond on Si: characterization of impurities // Diamond Relat Mat. 1992. - V. 1, № 7. -P. 810-813.

101. Дигонский B.B., Дигонский C.B. Закономерности образования алмаза. С-Пб.: Недра, 1992.-223 с.

102. Дерягин Б.В., Буйлов JI.JI., Зубков В.М. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1969. - Т. 14. - 225 с.

103. Катодолюминесценция синтетических алмазов, полученных в мягких условиях / Н.С. Герасимова, М.А. Степович, В.И. Петров, И.В. Федосеев // Наукоемкие технологии. 2004. - № 5.- С. 8-10.