Разработка математических моделей и средств проектирования прецизионных источников опорного напряжения в составе интегральных схем тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Рябченков, Сергей Сергеевич

  • Рябченков, Сергей Сергеевич
  • кандидат технических науккандидат технических наук
  • 2004, Москва
  • Специальность ВАК РФ05.27.01
  • Количество страниц 166
Рябченков, Сергей Сергеевич. Разработка математических моделей и средств проектирования прецизионных источников опорного напряжения в составе интегральных схем: дис. кандидат технических наук: 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах. Москва. 2004. 166 с.

Оглавление диссертации кандидат технических наук Рябченков, Сергей Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Методы построения источников опорного напряжения в составе ИС.

1.1. Источники опорного напряжения на основе стабилитрона.

1.2. Источник опорного напряжения, равного ширине запрещенной зоны ф полупроводника, на полевых транзисторах

1.3. Источник опорного напряжения на разнице пороговых напряжений транзисторов.

1.4. Источник опорного напряжения по технологии XFET.

1.5. Источник опорного напряжения на основе диодов и операционного усилителя. ф 1.6. Источники опорного напряжения на ширине запрещенной зоны полупроводника.

1.7. Методы улучшения точности опорного напряжения.

1.8. Источник напряжения с улучшенной термостабильностью.

1.9. Увеличение стабильности опорного напряжения по питанию и уменьшение выходного сопротивления при помощи ОУ.

1.10. Выводы.

ГЛАВА 2. Математические модели источников опорного напряжения

2.1. Математическая модель стандартного источника опорного напряжения, использующего принцип "band-gap"

2.1.1. Оценка температурной зависимости опорного напряжения стандартного ИОН.

2.1.2. Влияние разброса параметров схемы на опорное напряжение.

2.1.3. Оценка необходимой коррекции номинала резисторов (с целью компенсации суммарной погрешности).

2.1.4. Оценка зависимости опорного напряжения от напряжения питания, тока питания и нагрузки.

2.1.5. Выбор оптимального соотношения площадей транзисторов

2.2. Математическая модель прецизионного источника опорного напряжения

2.2.1. Оценка точности ИОН для различных порядков компенсации напряжения.

2.2.2. Оценка температурной зависимости опорного напряжения прецизионного ИОН.

2.2.3. Методика точной подстройки опорного напряжения.

2.3. Выводы

ГЛАВА 3. Автоматизированные методы расчета, подстройки и измерения прецизионных источников опорного напряжения

3.1. Методы расчета прецизионных источников опорного напряжения

3.2. Автоматизация расчета параметров прецизионного источника опорного напряжения.

3.2.1. Расчет параметров схемы источника опорного напряжения.

3.2.2. Определение начальных значений номиналов резисторов схемы

3.2.3. Минимизации температурного ухода опорного напряжения 88 ф 3.3. Расчет и подстройка опорного напряжения с учетом технологических отклонений параметров схемы.

3.4. Автоматическое определение размеров топологии кристалла источника опорного напряжения.

3.5. Измерение и подстройка параметров источника опорного напряжения после изготовления кристалла. ф 3.5.1. Измерение номиналов и температурных коэффициентов резисторов.

3.5.2. Измерение параметров источника опорного напряжения и его подстройка после изготовления схемы.

3.6. Практическая реализация прецизионного источника опорного напряжения.

3.6.1. Технология изготовления схемы.

3.6.2. Методика проектирования источника опорного напряжения.

3.6.3. Результаты расчета и измерения источника опорного напряжения

3.7. Выводы.

ГЛАВА 4. Разработка источника опорного напряжения в составе ^ схемы защиты ионно-литиевой батареи.

4.1. Характеристики схем защиты ионно-литиевых батарей.

4.2. Технология изготовления схем защиты ионно-литиевых батарей.

4.3. Выходные каскады схемы защиты ионно-литиевой батареи.

4.4. Разработка топологии схемы защиты ионно-литиевой батареи.

4.5. Выводы.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», 05.27.01 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка математических моделей и средств проектирования прецизионных источников опорного напряжения в составе интегральных схем»

Прецизионные источники опорного напряжения необходимы во многих случаях и область их применения постоянно расширяется. Это измерительные приборы, устройства защиты ионно-литиевых батарей, системы связи, АЦП и ЦАП. Источники опорного напряжения изготавливаются как в виде отдельных микросхем, так и в составе интегральных схем. Стоимость ИОН обычно составляет малую часть системы в целом, однако результирующие характеристики часто сильно зависят от параметров ИОН.

Основными параметрами, характеризующим качество ИОН является точность выходного напряжения в заданном диапазоне температур, ток потребления, а также временная стабильность опорного напряжения. Температурная погрешность измеряется в относительных единицах ppm/°C, lppm -одна миллионная часть. В серийно выпускаемых источниках опорного напряжения данный параметр колеблется от единиц до нескольких сотен ррш. Абсолютная точность опорного напряжения составляет от единиц до сотен микровольт на градус Цельсия.

Построение прецизионных ИОН требует, как правило, применения специфических технологических операций. Например, мировым лидером, фирмой Fluke Corp создан высокоточный стабилитрон 734А, имеющий температурный уход порядка 0,1ррт/°С. Лучшие интегральные источники опорного напряжения ведущих производителей полупроводников, выпускаемые серийно, имеют сравнимые характеристики. Например, ADR292 имеет внутреннюю нестабильность 0,2ррт/1000 часов, а температурный коэффициент 5-25 ppm/°C, REF102 до 2,5ppm/°C, МАХ671 температурную зависимость менее 1 ррш/°С без термостатирования. Многие прецизионные интегральные схемы источников опорного напряжения имеют встроенные датчики температуры кристалла, позволяющие значительно улучшить стабильность результатов измерения опорного напряжения, поскольку есть возможность программно скорректировать значение напряжения. Некоторые источники опорного напряжения имеют встроенные нагреватели, например LT1019.

Одним из стандартных путей получения опорного напряжения ниже уровня зенеровского пробоя является использование схем "band gap". Этот термин можно перевести как "барьерный потенциал рп перехода" или "источник опорного напряжения на ширине запрещенной зоны полупроводника". Этот вид источников отличается существенно меньшим потреблением энергии, что особенно важно в мобильных изделиях. Например, семейство LT1634 с напряжением 1,25В, 2,5В, 4,096В, 5В потребляют всего ЮмкА при абсолютной точности 0,2% и термостабильности 25ррш/°С и минимальной разницей входного и выходного напряжений 0,9В. Технология XFET позволяет получать аналогичные характеристики источников опорного напряжения. Например, в микросхемах ADR290, ADR291, ADR292, ADR293 с напряжениями 2,048В, 2,5В, 4,096В и 5В соответственно, работающих при токе потребления от 12 мкА и разности входного и выходного напряжений не более 0,6В погрешность начальной установки выходного напряжения составляет 2мВ, температурный коэффициент 8ррш/°С.

В современной литературе основной упор сделан на математический аппарат для получения опорного напряжения с не высокой точностью, (классические схемы получения опорного напряжения). Прецизионные источники рассматриваются на уровне основных идей и математический аппарат в этой области развит слабо.

Из вышесказанного следует, что разработка прецизионного ИОН (с точностью порядка нескольких ррш/°С) это сложная задача, которая не всегда может быть решена в рамках стандартной технологии. Следовательно, актуальной является задача разработки математических моделей прецизионных ИОН в рамках стандартной доступной технологии, позволяющих качественно и количественно оценить влияние погрешностей изготовления элементов устройства на точностные параметры опорного напряжения.

Применение стандартных схемотехнических решений не позволяет получить высокие точности опорного напряжения (типичное значение термостабильности составляет несколько десятков или даже сотен ррш/°С). Поэтому актуальной является задача разработки схемотехнических решений позволяющих значительно улучшить точность опорного напряжения по сравнению с классическими схемами.

В настоящее время для создания прецизионных схем опорного напряжения применяются сложные схемотехнические и технологические методы, что не всегда доступно в рамках стандартной технологии, а также приводит к повышению стоимости изделия в целом. Таким образом, актуальной является задача разработки методики создания и подстройки прецизионных источников опорного напряжения, сочетающих в себе высокие точностные характеристики, простоту реализации в рамках стандартной технологии, а также низкую стоимость.

В настоящее время разработка интегральных схем характеризуется все большим усложнением моделей элементов и увеличением объема вычислений, как следствие, увеличивается время расчета и анализа электрических схем. При расчете схем необходимо также учитывать технологические уходы элементов схемы. Задача расчета и подстройки схем прецизионных источников опорного напряжения является трудоемкой и требует большого количества времени. Каждый раз при проектировании ИОН с новыми параметрами (ток потребления, точность в температурном диапазоне) разработчик должен просчитывать и подстраивать схему заново, чтобы ответить на вопрос о возможности его создания. Еще одной важной задачей при проектировании интегральной схемы является оценка площади топологии, занимаемой схемой, до начала ее проектирования. В связи с этим актуальной является задача создания специализированных программ расчета и анализа отдельных схем ИОН с заданными параметрами, позволяющих ускорить процесс их создания и упростить разработку изделия в целом.

Из вышесказанного следует актуальность разработки математических моделей ИОН, позволяющих качественно и количественно оценить влияние погрешностей изготовления элементов устройства на точностные параметры опорного напряжения, а также создания специализированных программ расчета и анализа ИОН с заданными характеристиками.

Цели диссертационной работы:

1. Разработка математических моделей прецизионных ИОН.

2. Разработка автоматизированной среды для расчета параметров прецизионного ИОН в интегральном исполнении с заданными значениями точности, тока потребления и площади топологии.

3. Разработка методов подстройки прецизионного ИОН после его изготовления с учетом влияния технологических уходов параметров схемы.

Диссертационная работа состоит из 4 глав и приложения.

В первой главе работы рассмотрены принципы построения и основные параметры источников опорного напряжения в составе интегральных схем. Особое внимание уделено точности ИОН различных типов. Рассматриваются так называемые трехвыводные источники, имеющие выводы «нестабилизированное напряжение», «общий», и «стабилизированное напряжение», а также простейшие двухвыводные источники (диодного типа). К таким источникам относятся диодные схемы и цепочки, включающие стабилитроны. Основное внимание уделено ИОН, основанным на принципе «band-gap» (напряжения запрещенной зоны), а также рассмотрены прецизионные ИОН типа «band-gap» с компенсацией линейного и квадратичного членов температурной характеристики.

Во второй главе разработаны математические модели ИОН для схем типа «band-gap». Произведена оценка точности ИОН для различных видов температурной компенсации (компенсация линейного и квадратичного членов). Предлагается методика создания прецизионных ИОН. Проведена оценка влияния технологических уходов элементов схемы (резисторов и транзисторов) на точностные параметры ИОН (температурный дрейф опорного напряжения). Выведены формульные зависимости параметров прецизионного ИОН, позволяющие создать схему с требуемыми параметрами. Разработан алгоритм подстройки ИОН после его изготовления.

В третьей главе разработана методика автоматизированного расчета, анализа и подстройки прецизионных ИОН, на основе схемы математической модели ИОН с компенсацией линейной и квадратичной составляющих температурной характеристики. Предложена методика создания и подстройки высокоточного ИОН по заранее заданным параметрам, таким как ток потребления, нагрузочная способность, точность в требуемом температурном диапазоне. Разработана методика оценки площади кристалла ИОН до его изготовления. Изложены алгоритмы основных программ расчета и анализа ИОН, позволяющих рассчитать прецизионные ИОН различных типов по входным параметрам, учитывая заданные технологические отклонения, а также оценить площадь кристалла до начала разработки топологии. Разработана методика выбора оптимальных параметров подстроечного резистора. Приведены экспериментальные результаты создания ИОН с заданными параметрами.

В четвертой главе исследован ИОН в составе схемы защиты ионно-литиевой батареи. В схемах применяется ИОН типа «band-gap», разработанный по предложенным методикам. Выявлены требования к технологии изготовления схем защиты ионно-литиевых батарей. Даны сравнительные характеристики схем, выделены их преимущества и недостатки. Разработаны топологии ИОН и ИС защиты ионно-литиевой батареи, а также приведены экспериментальные данные по их исследованию.

В приложении приведены тексты программ расчета схем прецизионных ИОН, данные по расчету и подстройке схем, экспериментальные данные исследования схем прецизионных ИОН и схем защиты ионно-литиевых батарей, а также сведения о технологии изготовления схем. Приведены рекомендации по правильному проектированию топологии отдельных блоков в составе схем источников опорного напряжения.

Научная новизна результатов, полученных в диссертационной работе, заключается в следующем:

1. Разработаны математические модели, позволяющие в рамках общедоступной технологии создавать прецизионные ИОН с температурным уходом порядка единиц ррш/°С, используя составные подстроечные резисторы с различными температурными коэффициентами.

2. Разработана методика подстройки прецизионных ИОН (с компенсацией линейной и квадратичной составляющих опорного напряжения) путем подстройки номинала и температурного коэффициента резистора, состоящего из последовательного соединения резисторов с низким и высоким температурными коэффициентами.

3. Выведены зависимости опорного напряжения от технологических уходов параметров схемы, позволяющие рассчитывать схемы ИОН и анализировать возможность их подстройки кривой третьего порядка.

4. Разработано программное обеспечение для проектирования прецизионных ИОН с заданными параметрами точности и потребления, позволяющее в короткие сроки рассчитать схему, оценить площадь кристалла до начала проектирования его топологии и подстроить параметры опорного напряжения после изготовления схемы.

На защиту выносятся:

1. Математические модели прецизионных источников опорного напряжения, использующих резистор подстройки с изменяющимся номиналом и температурным коэффициентом.

2. Методика подстройки ИОН на основе регулирования номинала и температурного коэффициента резистора.

3. Программное обеспечение, позволяющее рассчитывать и анализировать прецизионные ИОН в составе ИС (с температурным дрейфом порядка единиц ррш/°С) в широком диапазоне температур по заданным параметрам точности, потребления и площади кристалла.

4. Программное обеспечение для исследования и подстройки ИОН после изготовления.

5. Результаты исследования прецизионного ИОН с подстройкой температурного коэффициента резистора, выполненного по биполярной технологии.

6. Результаты исследования ИС защиты ионно-литиевой батареи.

Практическая значимость.

1. На основе разработанных математических моделей и экспериментальных данных предложена методика создания высокоточных ИОН в широком диапазоне температур с учетом технологических отклонений параметров элементов схемы.

2. Разработаны и описаны практические методы построения и последующей подстройки (после изготовления) прецизионных ИОН с заданными параметрами.

3. На основе предложенных математических моделей разработано программное обеспечение для высокоточного анализа схем ИОН, позволяющее ускорить расчет схемы.

4. Разработано программное обеспечение, позволяющее автоматизировать процесс подстройки прецизионных ИОН путем регулирования номинала и температурного коэффициента подстроечного резистора.

5. Разработана схема защиты ионно-литиевой батареи в интегральном исполнении, содержащая ИОН, блоки защиты от перезаряда, чрезмерного разряда, чрезмерного тока и короткого замыкания.

6. Проведены экспериментальные исследования схем ИОН, подтвердившие возможность получения прецизионного напряжения на основе ИОН типа "bandgap" с использованием подстройки номинала и температурного коэффициента резистора.

Реализация результатов работы. Результаты проведенных исследований внедрены и реализованы в ООО «ЮНИК АИ СИЗ» в рамках проектов «Защита», «Защита-4», что подтверждается актом о внедрении.

Апробация работы. Результаты проведенных исследований докладывались на Международных и Всероссийских научно-технических конференциях: "Микроэлектроника и Информатика-2002", Москва, 2002г.; "Микроэлектроника и Информатика-2003", Москва, 2003г.; "Микроэлектроника и Информатика-2004", Москва, 2004г.; "Электроника и Информатика", Москва, 2003г,; II Всероссийская научно-техническая дистанционная конференция "Электроника", Москва, 2003г.

Публикации. Основные результаты работы отражены в трех статьях и представлены пятью докладами на научно-технических конференциях.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, приложения и списка цитируемой литературы из 33 наименований. Объем диссертации составляет 137 страниц текста и включает 65 рисунков и 16 таблиц.

Похожие диссертационные работы по специальности «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», 05.27.01 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Рябченков, Сергей Сергеевич

4.5. Выводы

Основными достоинствами схем защиты ИЛБ являются: малый ток потребления, малые габаритные размеры, высокая точность определения уровня перезаряда. Разработанная микросхема удовлетворяет всем вышеперечисленным параметрам. Область применения данной схемы защиты - мобильные изделия с низкими токами потребления. При проектировании ИОН в составе схемы защиты ИЛБ применены методики и программы, приведенные в главе 3. Измерение параметров источника подтвердило правильность разработанной математической модели, а также методов расчета и подстройки ИОН.

- 134-ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основной задачей диссертационной работы была разработка математических моделей прецизионных ИОН в интегральном исполнении, а также автоматизированной среды для расчета ИОН с требуемыми параметрами точности, тока потребления и площади топологии. В результате проведенных исследований и разработок можно выделить следующие основные результаты работы:

1. На основе проведенного анализа способов получения температурно-независимого опорного напряжения, разработана методика улучшения точности ИОН за счет введения резисторов с разными температурными коэффициентами, что позволило исключить линейную и квадратичную составляющие в разложении опорного напряжения по степеням А Т.

2. Разработана математическая модель прецизионного ИОН, которая позволяет провести анализ параметров схемы, влияющих на стабильность напряжения.

3. Разработана методика прецизионной подстройки опорного напряжения после изготовления схемы с учетом технологических отклонений параметров элементов.

4. На основе математических моделей разработаны методики автоматизированного создания ИОН по входным параметрам (ток потребления, температурный диапазон, точность) и программы, позволяющие автоматизировать и ускорить процессы расчета и анализа схемы прецизионного ИОН, а также создания его топологии.

5. Использование резисторов с разными температурными коэффициентами при подстройке ИОН позволило повысить точность опорного напряжения на порядок по сравнению с классической схемой. Разработанный метод создания и подстройки ИОН позволил получить суммарный разброс опорного напряжения менее 700мкВ в температурном диапазоне от -25°С до +75°С и при изменении напряжения питания от 4 до 6В.

6. На основе разработанных программ и методик спроектирована и исследована схема защиты ИЛБ, в состав которой входит ИОН с подстройкой напряжения.

7. Разработанная в диссертационной работе С.С.Рябченкова методика построения прецизионных ИОН, а также схема защита ИЛБ внедрены и реализованы в ООО «ЮНИК АЙ СИЗ» в рамках работ «ЗАЩИТА», «ЗАЩИТА-4».

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Рябченков, Сергей Сергеевич, 2004 год

1. С. Соклоф, А. Федоров "Аналоговые интегральные схемы" пер. с английского А. Б. Перевезенцева, под ред. В. Д. Вернера; Москва Издательство "Мир" 1988г.

2. W.Jung. Getting the Most from 1С Voltage References. Analog Dialogue, v.28, 1994, -320 p.

3. П.Хоровиц, У.Хилл. Искусство схемотехники, т.1. М.: Мир, 1986. -596 с.

4. Титце, К. Шенк. Полупроводниковая схемотехника. М.: Мир, 1982. -512 с.

5. D.P. Laude and J.D. Beasom. "5 V temperature regulated voltage reference." IEEE Journal of Solid-State Circuits (1980) SC-15.6 (Dec. 1980 (Special Issue on Analog Circuits)): 1070-1076.

6. Y.P. Tsividis and R.W. Ulmer. "A CMOS voltage reference." IEEE Journal of Solid-State Circuits(1978) SC-13.6 (Dec. 1978 (Special Issue on Analog Circuits)): 774-778.

7. Ho-Jun Song and Choong-Ki Kim. "A temperature-stabilized SOI voltage reference based on threshold voltage difference between enhancement and depletion NMOSFETs ." IEEE Journal of Solid-State Circuits (1993) 28.6 (June 1993): 671-677.

8. Analog Devices, Designers' Reference Manual, Winter 97/98 (CD)

9. K.E.Kuijk, "A precision reference voltage source", IEEE J.Solid-State Circuits, vol.SC-8, pp.222-226, June 1973.

10. D.F.Hilbert, "A new semiconductor voltage standard", in ISSCC Dig. Tech. Papers, 1964, pp.32-33.

11. A.P.Brokaw, "A Simple Three-Terminal 1С Bandgap Reference", IEEE J.Solid-State Circuits, vol.SC-9, pp.388-393, December 1974.

12. R.J.Wildar, "New developments in 1С voltage regulators", IEEE J.Solid-State Circuits, vol.SC-6, pp.2-7, Feb. 1974.

13. A.-J. Annema. "Low-power bandgap references featuring DTMOSTs." IEEE Journal of Solid-State Circuits (1999) 34.7 (July 1999 (Special Issue on the 1998 European Solid-State Circuits Conference)): 949-955.

14. K.M.Tham, K.Nagaraj, "A low supply voltage high PSRR voltage reference in CMOS process", IEEE J.Solid-State Circuits, vol.30, pp.586-590, May 1995.

15. G.A.Rincon-Mora, P.E.Allen, "A 1.1-V Current-Mode and Piecewise-Linear Curvature-Corrected Bandgap Reference", IEEE J.Solid-State Circuits, vol.33,• no.10, pp.1551-1554, October 1998.

16. T.Regan, "Low dropout linear regulators improve automotive and battery-powered systems", Powerconversion Intell. Motion, pp.38-43, May 1990.

17. M.Gunawan, G.Meijer, J.Fonderie, J.Huijsing, "A curvature corrected low-voltage bandgap reference", IEEE J.Solid-State Circuits, vol.28, pp.667-670, June 1993.

18. W.T.Holman, "A new temperature compensation technique for bandgap voltage reference", in Proc. IEEE Int.Symp.Circuits and Systems, 1996, vol.1, pp.385-388.

19. G.Meijer, P.Schmale, K.Zelinge, "A New Curvature-Corrected Bandgap Reference", IEEE J.Solid-State Circuits, vol. SC-17, no.6, pp.1139-1143, December 1982.

20. G.Meijer, "Integrated circuits and components for bandgap references andtemperature transducers", Ph.D. dissertation, Delft Univ.Technol., Delft, The Netherlands, 1982.

21. П.В.Гулевич, "Методы построения источников опорного напряжения в составе интегральных микросхем", диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. М.: МИЭТ, 2000.

22. Зи. Физика полупроводниковых приборов, т 1. М.: Мир, 1984. -455 с.

23. Lin, С.А.Т. Salama. A Vbe(T) Model with application to bandgap referencedesign. IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. Sc-20, №6, December 1985, -p.1283-1286.

24. Degrauwe, O.N. Leuthold and others. CMOS voltage references using lateral bipolar transistors. IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. Sc-20, №6, December 1985, -p. 1151-1157.

25. United States Patent 5,291,122 Jonathan M. "Bandgap voltage reference circuit and method with low TCR resistor in parallel with high TCR and in series with low TCR portions of tail resistor." March 1, 1994.

26. Albert C. van der Woerd, Joop P.M. van Lammeren, Rob J. H. Janse, Rob H. van Beynhem "Calculation of the resistance value of laser-trimmable planar resistorsф in an interactive mask-layout design system." IEEE Journal of Solid-State

27. Circuits, vol. sc-19, №4, august 1984.

28. John Shier, "A finite-mesh technique for laser trimming of thin-film resistors." IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 23, №4, august 1988.

29. О.Гайдук. Аккумуляторы и зарядные устройства фирмы IDX. http://www. 625 net.ru Научно-технический журнал "625", # 7, 2000, с. 12-15

30. Аттвил. Батареи для портативного оборудования. http://www. chipinfo. ru/literature/chipnews/200002/29. html

31. J.Hill. Circuit Board Effects on Lithium-Ion Protection Circuits. http://www.powerpulse■net/poweфulse/archive/aa031201bl■stm

32. Л1. С.С.Рябченков, "Методика проектирования прецизионных источниковопорного напряжения"", Известия вузов. Электроника. №3, стр.36-40, 2004г.

33. Л2. С.С.Рябченков, С.И.Купарев, "Схемы защиты ионно-литиевой батареи", Известия вузов. Электроника. №4, стр.29-34, 2004г.

34. ЛЗ. С.С.Рябченков, В.И.Хлюпин, "Автоматизированные методы создания прецизионных источников опорного напряжения", Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России. №4, стр.54-57, 2004г.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.